JPS61101054A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPS61101054A
JPS61101054A JP22218284A JP22218284A JPS61101054A JP S61101054 A JPS61101054 A JP S61101054A JP 22218284 A JP22218284 A JP 22218284A JP 22218284 A JP22218284 A JP 22218284A JP S61101054 A JPS61101054 A JP S61101054A
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dam
resin
semiconductor device
thermosetting resin
substrate
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Shuichi Sugimoto
杉元　周一
Atsushi Honda
厚 本多
Takashi Miwa
孝志 三輪
Kunio Yamamoto
邦雄 山本
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
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Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は半導体装置、特に樹脂ポッティングを行う半導
体装置の製造効率の向上、および実装後の半導体装置の
高熱化の防止に適用して有効な技術に関するものである
。
［背景技術］ 最近、低コストで量産可能なプラスチック基板を用いた
ピングリットアレイ型の半導体装置で、樹脂ポツティン
グを行う、いわゆる樹脂ポツティング半導体装置の需要
が増大してきている。
このような樹脂ポッティング半導体装置の封止工程は以
下の通りである。
まず基板にペレットを搭載し、ペレットのポンディング
パッドと基板上に形成されたメタライズとをワイヤボン
ディングにより電気的に接続した後、アルミニウムから
なるダムに接着剤を塗布して加熱し該ダムを基板に固定
する。
次にペレットの上に液状のシリコンゲル等の樹脂を注入
した後、該樹脂を加熱してゼリー状にする。
最後に、ダムの上面にアルミニウムのキャソプを接着剤
で取付けた後、再度加熱して封止が完成するのである。
このように、樹脂ポッティング半導体装置は多数の部品
からなり、またそのため、製造工程も複雑となり、その
製造効率が将来の需要の増加に対応しえないであろうこ
とが本発明者によって明らかにされた。
また、ポッティングされた樹脂には、ペレットの腐食を
防止するとともに、ペレソ１〜に発生した熱をキャップ
をｉｍして外部に放散させるはたらきがあるため、ペレ
ットと樹脂とキャップとが安定して接触している必要が
ある。
、　　ところが、注入された樹脂は加熱されてゼリ、−
状化するときにペレット上部のキャップとの接触面であ
る樹脂表面が肉痩せすることがある。そのため、樹脂と
キャンプとの接触が安定して行われず、基板実装後ペレ
ノ；・の熱が外部に有効に放散されなくなり、半導体装
置が高熱化するおそれがあることも本発明者によって明
らかにされた。
なお、半導体装置の熱放出の技術を詳しく述べである例
としては、工業調査会、１９８０年１月１５日発行「Ｉ
Ｃ化実装技術ＪＰ２１１〜Ｐ２４０がある。
［発明の目的］ 本発明の目的は、樹脂ポツティング半導体装置製造効率
を向」ニさせて、そのコストを低減させることにある。
本発明の他の目的は樹脂ポッティング半導体装置の熱放
散を有効に行い、半導体装置の高温化による不良の発生
を防止することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。　□ ［発明の概要コ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、樹脂をポッティングする半導体装置について
、熱硬化性樹脂を用いてダムを形成することにより、接
着剤が不要となり、部品点数を削減し、製造効率の向上
を図ることができるのであまた、ダムとして熱硬化性樹
脂を用いることにより、キャップ付けの際にキャップと
樹脂との接触が安定し、実装後にペレットに発生した熱
を効率良く外部に放散させることが可能となるのである
。
［実施例］ 第１図ｆａｔ、ｆｂｌ、ｆｃ）は本発明による半導体装
置の製造方法の一実施例を順次段階的に示す断面図であ
る。
本実施例においては、まず第１図（ａ）に示すように、
半導体装置１のプラスチックからなる基板２のキャビテ
ィ３の底部にはペレット４が銀ペースト５によって取付
けられており、該ペレット４のポンディ、ングパソド６
と該基板２上面に形成されているメタライズ７とは金等
のワイヤ８で電気的に接続されている。
また、基板２の底部からはメタライズ７と電気的に接続
されている多数の基板装着用ピン９が突出している。
なお、基板２にはペレット４を覆うようにダムを形成す
るダム材１０が′＠置されている。該ダム材１０はその
第一層が低い温度で溶融し硬化する熱硬化性樹脂１０ａ
からなり、第二層は高い温度で溶融し硬化する熱硬化性
樹脂１０．ｂからなる二層構造となっている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、基板２上にペレット４をボンディングしかつワイ
ヤ８をボンディングした後、二層の熱硬化性樹脂ＩＱａ
、１０ｂよりなるダム材１０を基板２の上に載せる。
次に、ダム材１０を第１図（ｂ）に示すように、第一層
の熱硬化性樹脂１０ａが溶融する温度で加熱し硬化させ
ることにより基板２に溶着させて、ダムを形成する。
次いで、ペレット４の上にシリコンゲル１１をポッティ
ングし、加熱して該シリコンゲル１１をゼリー状に固化
させる。
その後、第１図ｔｅｌに示すようにダムを形成したダム
材１０の上にアルミニウムからなるキャソプ１２を載置
して、ダムの第二層の熱硬化性樹脂１０ｂが溶融する温
度で加熱して熱硬化性樹脂１０ｂをキャップ１２に？容
着する。
このように本実施例によれば、熱硬化性樹脂１０ａ、ｌ
Ｏｂがダムと接着剤の双方のはたらきをもつため、樹脂
ポッティング半導体装置１の部品点数を削減することが
できるのである。
また、ダムとしての熱硬化性樹脂１０ａ、１０ｂは、基
板２およびキャップ１２に溶着する際に高さ方向に肉痩
せする。そのため、キャップ１２イ（ｊけのときはシリ
コンゲル１１をポッティングした時点よりもダムの高さ
が低くなっている。したがってキャップ１２の裏面をシ
リコンゲル１１の上部に安定して接する状態で封止する
ことができ、実装後に発生するペレット４の熱をシリコ
ンゲル１１およびキャップ１２を介して効率良く外部に
放散させることが可能となるのである。
［効果］ （１）、樹脂ポッティングを行う半導体装置において、
ダムを熱硬化性樹脂で形成することによって、部品点数
を削減し製造効率を高めることができる。
（２）、ダムとしての熱硬化性樹脂を硬化温度の異なる
二層構造とすることによって、キャップ付けの際に基板
と第一層の接着部分を溶融することなく、高温で第二層
とキャンプとを溶着することができる。
（３）、熱硬化性樹脂が溶着する際にダムの高さが低く
なることによってキャンプをシリコンゲルに安定して接
触させることができ、ペレットに発生した熱の放散を効
率良く行うことができる。
（４１，ｆ３１より、誤動作を防止して信頼性の高い半
導体装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例ではポッティング樹脂としてシリコン
ゲルについて説明したが、これに限らず、耐水性が良く
、熱伝導性が高い樹脂であればいかなるものであっても
よい。
【図面の簡単な説明】
第１図ｔａ＋、ｌｂ）、ｆｃ）ば実施例による半導体装
置の製造方法を順次段階的に示す断面図である゛。 １・・・半導体装置、２・・・基板、３・・・キャビテ
ィ、４・・・ペレット、５・・・銀ヘースト、６・・・
ポンディングパツド、７・・・メタライズ、８・・・ワ
イヤ、９・・・基板装着用ピン、１０・・・ダム材、１
０ａ、１０ｂ・・・熱硬化性樹脂、１１・・・シリコン
ゲル、１２・・・キャンプ・

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂をポッティングする半導体装置であって、ダム
    として熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする半導体装
    置。 ２、ダムとしての熱硬化性樹脂が、硬化温度が異なる複
    数の樹脂の層からなることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の半導体装置。 ３、樹脂をポッティングする半導体装置の製造方法であ
    って、ダムとして用いる熱硬化性樹脂をその溶融可能な
    温度で加熱してキャップもしくは基板に該熱硬化性樹脂
    を溶着させて封止することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。 ４、ダムとして用いる熱硬化性樹脂が硬化温度が異なる
    複数の樹脂の層からなることを特徴とする特許請求の範
    囲第３項記載の半導体装置の製造方法。
JP22218284A 1984-10-24 1984-10-24 半導体装置およびその製造方法 Pending JPS61101054A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1004651C2 (nl) * 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
US6815263B2 (en) 2000-05-17 2004-11-09 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Component assembly and method for producing the same
JP2008074308A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Nissan Motor Co Ltd 車両用ラゲッジ構造
CN102246262A (zh) * 2008-11-17 2011-11-16 派希斯***整合私人有限公司 用于密封半导体裸片的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1004651C2 (nl) * 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
WO1998023427A1 (en) * 1996-11-29 1998-06-04 Nedcard Method for encapsulating a chip on a carrier
US6815263B2 (en) 2000-05-17 2004-11-09 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Component assembly and method for producing the same
JP2008074308A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Nissan Motor Co Ltd 車両用ラゲッジ構造
CN102246262A (zh) * 2008-11-17 2011-11-16 派希斯***整合私人有限公司 用于密封半导体裸片的方法

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