JPS61101054A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS61101054A JPS61101054A JP22218284A JP22218284A JPS61101054A JP S61101054 A JPS61101054 A JP S61101054A JP 22218284 A JP22218284 A JP 22218284A JP 22218284 A JP22218284 A JP 22218284A JP S61101054 A JPS61101054 A JP S61101054A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は半導体装置、特に樹脂ポッティングを行う半導
体装置の製造効率の向上、および実装後の半導体装置の
高熱化の防止に適用して有効な技術に関するものである
。
体装置の製造効率の向上、および実装後の半導体装置の
高熱化の防止に適用して有効な技術に関するものである
。
[背景技術]
最近、低コストで量産可能なプラスチック基板を用いた
ピングリットアレイ型の半導体装置で、樹脂ポツティン
グを行う、いわゆる樹脂ポツティング半導体装置の需要
が増大してきている。
ピングリットアレイ型の半導体装置で、樹脂ポツティン
グを行う、いわゆる樹脂ポツティング半導体装置の需要
が増大してきている。
このような樹脂ポッティング半導体装置の封止工程は以
下の通りである。
下の通りである。
まず基板にペレットを搭載し、ペレットのポンディング
パッドと基板上に形成されたメタライズとをワイヤボン
ディングにより電気的に接続した後、アルミニウムから
なるダムに接着剤を塗布して加熱し該ダムを基板に固定
する。
パッドと基板上に形成されたメタライズとをワイヤボン
ディングにより電気的に接続した後、アルミニウムから
なるダムに接着剤を塗布して加熱し該ダムを基板に固定
する。
次にペレットの上に液状のシリコンゲル等の樹脂を注入
した後、該樹脂を加熱してゼリー状にする。
した後、該樹脂を加熱してゼリー状にする。
最後に、ダムの上面にアルミニウムのキャソプを接着剤
で取付けた後、再度加熱して封止が完成するのである。
で取付けた後、再度加熱して封止が完成するのである。
このように、樹脂ポッティング半導体装置は多数の部品
からなり、またそのため、製造工程も複雑となり、その
製造効率が将来の需要の増加に対応しえないであろうこ
とが本発明者によって明らかにされた。
からなり、またそのため、製造工程も複雑となり、その
製造効率が将来の需要の増加に対応しえないであろうこ
とが本発明者によって明らかにされた。
また、ポッティングされた樹脂には、ペレットの腐食を
防止するとともに、ペレソ1〜に発生した熱をキャップ
をimして外部に放散させるはたらきがあるため、ペレ
ットと樹脂とキャップとが安定して接触している必要が
ある。
防止するとともに、ペレソ1〜に発生した熱をキャップ
をimして外部に放散させるはたらきがあるため、ペレ
ットと樹脂とキャップとが安定して接触している必要が
ある。
、 ところが、注入された樹脂は加熱されてゼリ、−
状化するときにペレット上部のキャップとの接触面であ
る樹脂表面が肉痩せすることがある。そのため、樹脂と
キャンプとの接触が安定して行われず、基板実装後ペレ
ノ;・の熱が外部に有効に放散されなくなり、半導体装
置が高熱化するおそれがあることも本発明者によって明
らかにされた。
状化するときにペレット上部のキャップとの接触面であ
る樹脂表面が肉痩せすることがある。そのため、樹脂と
キャンプとの接触が安定して行われず、基板実装後ペレ
ノ;・の熱が外部に有効に放散されなくなり、半導体装
置が高熱化するおそれがあることも本発明者によって明
らかにされた。
なお、半導体装置の熱放出の技術を詳しく述べである例
としては、工業調査会、1980年1月15日発行「I
C化実装技術JP211〜P240がある。
としては、工業調査会、1980年1月15日発行「I
C化実装技術JP211〜P240がある。
[発明の目的]
本発明の目的は、樹脂ポツティング半導体装置製造効率
を向」ニさせて、そのコストを低減させることにある。
を向」ニさせて、そのコストを低減させることにある。
本発明の他の目的は樹脂ポッティング半導体装置の熱放
散を有効に行い、半導体装置の高温化による不良の発生
を防止することにある。
散を有効に行い、半導体装置の高温化による不良の発生
を防止することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。 □ [発明の概要コ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。 □ [発明の概要コ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、樹脂をポッティングする半導体装置について
、熱硬化性樹脂を用いてダムを形成することにより、接
着剤が不要となり、部品点数を削減し、製造効率の向上
を図ることができるのであまた、ダムとして熱硬化性樹
脂を用いることにより、キャップ付けの際にキャップと
樹脂との接触が安定し、実装後にペレットに発生した熱
を効率良く外部に放散させることが可能となるのである
。
、熱硬化性樹脂を用いてダムを形成することにより、接
着剤が不要となり、部品点数を削減し、製造効率の向上
を図ることができるのであまた、ダムとして熱硬化性樹
脂を用いることにより、キャップ付けの際にキャップと
樹脂との接触が安定し、実装後にペレットに発生した熱
を効率良く外部に放散させることが可能となるのである
。
[実施例]
第1図fat、fbl、fc)は本発明による半導体装
置の製造方法の一実施例を順次段階的に示す断面図であ
る。
置の製造方法の一実施例を順次段階的に示す断面図であ
る。
本実施例においては、まず第1図(a)に示すように、
半導体装置1のプラスチックからなる基板2のキャビテ
ィ3の底部にはペレット4が銀ペースト5によって取付
けられており、該ペレット4のポンディ、ングパソド6
と該基板2上面に形成されているメタライズ7とは金等
のワイヤ8で電気的に接続されている。
半導体装置1のプラスチックからなる基板2のキャビテ
ィ3の底部にはペレット4が銀ペースト5によって取付
けられており、該ペレット4のポンディ、ングパソド6
と該基板2上面に形成されているメタライズ7とは金等
のワイヤ8で電気的に接続されている。
また、基板2の底部からはメタライズ7と電気的に接続
されている多数の基板装着用ピン9が突出している。
されている多数の基板装着用ピン9が突出している。
なお、基板2にはペレット4を覆うようにダムを形成す
るダム材10が′@置されている。該ダム材10はその
第一層が低い温度で溶融し硬化する熱硬化性樹脂10a
からなり、第二層は高い温度で溶融し硬化する熱硬化性
樹脂10.bからなる二層構造となっている。
るダム材10が′@置されている。該ダム材10はその
第一層が低い温度で溶融し硬化する熱硬化性樹脂10a
からなり、第二層は高い温度で溶融し硬化する熱硬化性
樹脂10.bからなる二層構造となっている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、基板2上にペレット4をボンディングしかつワイ
ヤ8をボンディングした後、二層の熱硬化性樹脂IQa
、10bよりなるダム材10を基板2の上に載せる。
ヤ8をボンディングした後、二層の熱硬化性樹脂IQa
、10bよりなるダム材10を基板2の上に載せる。
次に、ダム材10を第1図(b)に示すように、第一層
の熱硬化性樹脂10aが溶融する温度で加熱し硬化させ
ることにより基板2に溶着させて、ダムを形成する。
の熱硬化性樹脂10aが溶融する温度で加熱し硬化させ
ることにより基板2に溶着させて、ダムを形成する。
次いで、ペレット4の上にシリコンゲル11をポッティ
ングし、加熱して該シリコンゲル11をゼリー状に固化
させる。
ングし、加熱して該シリコンゲル11をゼリー状に固化
させる。
その後、第1図telに示すようにダムを形成したダム
材10の上にアルミニウムからなるキャソプ12を載置
して、ダムの第二層の熱硬化性樹脂10bが溶融する温
度で加熱して熱硬化性樹脂10bをキャップ12に?容
着する。
材10の上にアルミニウムからなるキャソプ12を載置
して、ダムの第二層の熱硬化性樹脂10bが溶融する温
度で加熱して熱硬化性樹脂10bをキャップ12に?容
着する。
このように本実施例によれば、熱硬化性樹脂10a、l
Obがダムと接着剤の双方のはたらきをもつため、樹脂
ポッティング半導体装置1の部品点数を削減することが
できるのである。
Obがダムと接着剤の双方のはたらきをもつため、樹脂
ポッティング半導体装置1の部品点数を削減することが
できるのである。
また、ダムとしての熱硬化性樹脂10a、10bは、基
板2およびキャップ12に溶着する際に高さ方向に肉痩
せする。そのため、キャップ12イ(jけのときはシリ
コンゲル11をポッティングした時点よりもダムの高さ
が低くなっている。したがってキャップ12の裏面をシ
リコンゲル11の上部に安定して接する状態で封止する
ことができ、実装後に発生するペレット4の熱をシリコ
ンゲル11およびキャップ12を介して効率良く外部に
放散させることが可能となるのである。
板2およびキャップ12に溶着する際に高さ方向に肉痩
せする。そのため、キャップ12イ(jけのときはシリ
コンゲル11をポッティングした時点よりもダムの高さ
が低くなっている。したがってキャップ12の裏面をシ
リコンゲル11の上部に安定して接する状態で封止する
ことができ、実装後に発生するペレット4の熱をシリコ
ンゲル11およびキャップ12を介して効率良く外部に
放散させることが可能となるのである。
[効果]
(1)、樹脂ポッティングを行う半導体装置において、
ダムを熱硬化性樹脂で形成することによって、部品点数
を削減し製造効率を高めることができる。
ダムを熱硬化性樹脂で形成することによって、部品点数
を削減し製造効率を高めることができる。
(2)、ダムとしての熱硬化性樹脂を硬化温度の異なる
二層構造とすることによって、キャップ付けの際に基板
と第一層の接着部分を溶融することなく、高温で第二層
とキャンプとを溶着することができる。
二層構造とすることによって、キャップ付けの際に基板
と第一層の接着部分を溶融することなく、高温で第二層
とキャンプとを溶着することができる。
(3)、熱硬化性樹脂が溶着する際にダムの高さが低く
なることによってキャンプをシリコンゲルに安定して接
触させることができ、ペレットに発生した熱の放散を効
率良く行うことができる。
なることによってキャンプをシリコンゲルに安定して接
触させることができ、ペレットに発生した熱の放散を効
率良く行うことができる。
(41,f31より、誤動作を防止して信頼性の高い半
導体装置を提供することができる。
導体装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例ではポッティング樹脂としてシリコン
ゲルについて説明したが、これに限らず、耐水性が良く
、熱伝導性が高い樹脂であればいかなるものであっても
よい。
ゲルについて説明したが、これに限らず、耐水性が良く
、熱伝導性が高い樹脂であればいかなるものであっても
よい。
第1図ta+、lb)、fc)ば実施例による半導体装
置の製造方法を順次段階的に示す断面図である゛。 1・・・半導体装置、2・・・基板、3・・・キャビテ
ィ、4・・・ペレット、5・・・銀ヘースト、6・・・
ポンディングパツド、7・・・メタライズ、8・・・ワ
イヤ、9・・・基板装着用ピン、10・・・ダム材、1
0a、10b・・・熱硬化性樹脂、11・・・シリコン
ゲル、12・・・キャンプ・
置の製造方法を順次段階的に示す断面図である゛。 1・・・半導体装置、2・・・基板、3・・・キャビテ
ィ、4・・・ペレット、5・・・銀ヘースト、6・・・
ポンディングパツド、7・・・メタライズ、8・・・ワ
イヤ、9・・・基板装着用ピン、10・・・ダム材、1
0a、10b・・・熱硬化性樹脂、11・・・シリコン
ゲル、12・・・キャンプ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、樹脂をポッティングする半導体装置であって、ダム
として熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする半導体装
置。 2、ダムとしての熱硬化性樹脂が、硬化温度が異なる複
数の樹脂の層からなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体装置。 3、樹脂をポッティングする半導体装置の製造方法であ
って、ダムとして用いる熱硬化性樹脂をその溶融可能な
温度で加熱してキャップもしくは基板に該熱硬化性樹脂
を溶着させて封止することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 4、ダムとして用いる熱硬化性樹脂が硬化温度が異なる
複数の樹脂の層からなることを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22218284A JPS61101054A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22218284A JPS61101054A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61101054A true JPS61101054A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16778442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22218284A Pending JPS61101054A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61101054A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1004651C2 (nl) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
US6815263B2 (en) | 2000-05-17 | 2004-11-09 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Component assembly and method for producing the same |
JP2008074308A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nissan Motor Co Ltd | 車両用ラゲッジ構造 |
CN102246262A (zh) * | 2008-11-17 | 2011-11-16 | 派希斯***整合私人有限公司 | 用于密封半导体裸片的方法 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22218284A patent/JPS61101054A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1004651C2 (nl) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
WO1998023427A1 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-04 | Nedcard | Method for encapsulating a chip on a carrier |
US6815263B2 (en) | 2000-05-17 | 2004-11-09 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Component assembly and method for producing the same |
JP2008074308A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nissan Motor Co Ltd | 車両用ラゲッジ構造 |
CN102246262A (zh) * | 2008-11-17 | 2011-11-16 | 派希斯***整合私人有限公司 | 用于密封半导体裸片的方法 |
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