JPS6098688A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS6098688A JPS6098688A JP58206433A JP20643383A JPS6098688A JP S6098688 A JPS6098688 A JP S6098688A JP 58206433 A JP58206433 A JP 58206433A JP 20643383 A JP20643383 A JP 20643383A JP S6098688 A JPS6098688 A JP S6098688A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 13
- RRJJTVONCGYCIP-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Sn].[Pt] Chemical compound [Cu].[Sn].[Pt] RRJJTVONCGYCIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Pb] Chemical compound [Fe].[Pb] UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は皿状の反射板を猫えたｔ″ｉ色から赤外領域の
光半導体装置に関する。
光半導体装置に関する。
（発明の技術的背景）
発光半導体素子には例えばＧａＰを用いた発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）のように、主発光面だｃノでなく素子仝休
が発光覆るしのが知られ−Ｃいる。この種の発光半導体
素子を紺み込ｌνだ光半導体装置では、一般にその輝度
を高めるために反Ｑｊ板が用いられている。
ド（ＬＥＤ）のように、主発光面だｃノでなく素子仝休
が発光覆るしのが知られ−Ｃいる。この種の発光半導体
素子を紺み込ｌνだ光半導体装置では、一般にその輝度
を高めるために反Ｑｊ板が用いられている。
第１図は上記反射板を用いたＬＥＤランプの１例を示し
ている。同図において、１は皿状の反射板であり、２，
３はリードである。このリード２の先端には反射板１が
リードと一体に形成されており、この反射板１上にはＬ
ＥＤ素子４がマウントされている。該ＬＥＤ素子４はボ
ンディングワイヤ５を介してもう一つのリード３と接続
されている。６は透明なエポキシ樹脂からなる外囲器で
−ろ。前記反剣板１およびリード２，３の材１１として
電１、鉄表面に銅メッキ層を有するもの等が用いられる
が、第２図に示すように少なくともその反射面には銀メ
ッキ層７が形成されている。銀は波長４００ｎｍ〜７０
０ｎｍの可視領域の光に対して９７％と極めて高い反射
率を有しており、この銀メッキ層７によって反射板１は
充分にその効果を発揮できるようになっている。
ている。同図において、１は皿状の反射板であり、２，
３はリードである。このリード２の先端には反射板１が
リードと一体に形成されており、この反射板１上にはＬ
ＥＤ素子４がマウントされている。該ＬＥＤ素子４はボ
ンディングワイヤ５を介してもう一つのリード３と接続
されている。６は透明なエポキシ樹脂からなる外囲器で
−ろ。前記反剣板１およびリード２，３の材１１として
電１、鉄表面に銅メッキ層を有するもの等が用いられる
が、第２図に示すように少なくともその反射面には銀メ
ッキ層７が形成されている。銀は波長４００ｎｍ〜７０
０ｎｍの可視領域の光に対して９７％と極めて高い反射
率を有しており、この銀メッキ層７によって反射板１は
充分にその効果を発揮できるようになっている。
ところで、第１図のＬＥＤランプを製造する場合に通常
は反射板１がリード２と一体に形成されたリードフレー
ムが用いられている。第３図はそのようなリードフレー
ムの繰り返し単位部分を示す傾斜図である。同図におい
て８はり一ドフレームの金属細条であり、該金属細条８
ど直角方向に前記第１図のり一ド２，３が延長形成され
ている。
は反射板１がリード２と一体に形成されたリードフレー
ムが用いられている。第３図はそのようなリードフレー
ムの繰り返し単位部分を示す傾斜図である。同図におい
て８はり一ドフレームの金属細条であり、該金属細条８
ど直角方向に前記第１図のり一ド２，３が延長形成され
ている。
そして一方のリード２の先端には皿状の反射板１がリー
ドど一体形成されて いる。また、各リード２，３は金属細条８と平行に配置
された僑１ｒ８ ｆＩ１条９により合体連結され、支持
されている。
ドど一体形成されて いる。また、各リード２，３は金属細条８と平行に配置
された僑１ｒ８ ｆＩ１条９により合体連結され、支持
されている。
第４図は第３図のリードフレームの材質を説明するため
の図で、第３図ＩＶ −ＩＶ線に沿う面断面図である。
の図で、第３図ＩＶ −ＩＶ線に沿う面断面図である。
図示のように、従来のリードル−ムとしては、鉄の８月
１０の外側に銅メッキ層１１を形成し、更にその外側に
銀メッキ層７を形成したものが用いられていた。
１０の外側に銅メッキ層１１を形成し、更にその外側に
銀メッキ層７を形成したものが用いられていた。
上述のように、反射板を陥えた従来の光半導体装置は少
なくとも反射板の反射面に高価な銀メッキを施して反射
効果を得ていたため、コストが高くなるという問題があ
った。また、このような光半導体装置の製造に通常用い
られている反則板を（情えたリードフレームとして、従
来は全面に銀メッキ層を形成したものを用いていたため
そのコストが云しく高いという問題があった。リードフ
レームの反射板表面にだけ銀メッキを施すようにすれば
銀の使用量を節減することは可能であるが、員金属の高
庇が激しい現在、これも問題の根本的惺解決にはならな
い。
なくとも反射板の反射面に高価な銀メッキを施して反射
効果を得ていたため、コストが高くなるという問題があ
った。また、このような光半導体装置の製造に通常用い
られている反則板を（情えたリードフレームとして、従
来は全面に銀メッキ層を形成したものを用いていたため
そのコストが云しく高いという問題があった。リードフ
レームの反射板表面にだけ銀メッキを施すようにすれば
銀の使用量を節減することは可能であるが、員金属の高
庇が激しい現在、これも問題の根本的惺解決にはならな
い。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、銀メッキ層
を全く使用せず、しかも反射による充分な反射効果を得
ることができる光半導体装置を提供するものである。
を全く使用せず、しかも反射による充分な反射効果を得
ることができる光半導体装置を提供するものである。
本発明の光半導体装置は、波長４００ｎｍ〜９５０ｎｍ
の赤色領域から赤外領域にある光を発光する発光半導体
素子が皿状反射板状にマウントされており、少なくとも
該反射板の反射面が銅−錫の合金メッキでできているこ
とを特徴とするものである。
の赤色領域から赤外領域にある光を発光する発光半導体
素子が皿状反射板状にマウントされており、少なくとも
該反射板の反射面が銅−錫の合金メッキでできているこ
とを特徴とするものである。
発明者等は波長４００ｎｍ〜９５０ｎｍの光に対して銅
−錫合金メッキが銀と同等のζへめで高い反則率を有し
ていることを見い出し、この事実に基づいて上記発明に
至ったものである。
−錫合金メッキが銀と同等のζへめで高い反則率を有し
ていることを見い出し、この事実に基づいて上記発明に
至ったものである。
本発明の発光半導体素子は反則板が充分に効果を発揮し
て高い輝度を得ることができ、かつ高価な銀を全く使用
する必要がないからコスＩ〜低減の効果が極めて大きい
。しかも、ｎｌ−錫合金メッキは耐蝕性が良好で、平滑
性に富むという特長があり、また、錫が基本になると冴
えた銀白色となって青色系統の光に対する畠い反則率が
１ｇられる。
て高い輝度を得ることができ、かつ高価な銀を全く使用
する必要がないからコスＩ〜低減の効果が極めて大きい
。しかも、ｎｌ−錫合金メッキは耐蝕性が良好で、平滑
性に富むという特長があり、また、錫が基本になると冴
えた銀白色となって青色系統の光に対する畠い反則率が
１ｇられる。
更に、賜を基本としたメッキ層の場合には良好なハンダ
付性が得られ、発光素子をタイボンディングする際の作
業性が向上するといった効果が得られる。
付性が得られ、発光素子をタイボンディングする際の作
業性が向上するといった効果が得られる。
本発明の光半導体ｉｎに使用ηるリードフレームが従来
のリードフレームに比較して：１ス１へを茗しく低減で
きることば君うまでもイ【＜明らかである。
のリードフレームに比較して：１ス１へを茗しく低減で
きることば君うまでもイ【＜明らかである。
第５図は本発明の光半導体装置の製造に用いるリードフ
レームの断面図であり、このリードフレームは何れも第
３図と同様の形状を有している。
レームの断面図であり、このリードフレームは何れも第
３図と同様の形状を有している。
このリードフレームは、鉄の芯０２０の表面に銅ｍの合
金メッキ層２１が形成されている。そして上記リードフ
レームを用いた以外は第１図と同様の構造を有する波長
４’ＯＯｎｍ〜９５０ｎｍのＬＥＤランプを製造した。
金メッキ層２１が形成されている。そして上記リードフ
レームを用いた以外は第１図と同様の構造を有する波長
４’ＯＯｎｍ〜９５０ｎｍのＬＥＤランプを製造した。
こうして得られた本発明の実茄例になるＬＥＤランプで
は、何れも反射板に銀メッキ層を施した従来のＬＥＤラ
ンプに比較して損色ない輝度が得られた。
は、何れも反射板に銀メッキ層を施した従来のＬＥＤラ
ンプに比較して損色ない輝度が得られた。
第１図は反射板を備えたＬＥＤランプの構造を示す説明
図、第２図は従来のＬＥＤランプに具備されていた反射
板の一例を示す断面図、第３図は第２図のＬＥＤランプ
の製造に用いられるリードフレームの形状を示す斜視図
、第４図は斉介従来用いられている第３図のリードフレ
ームのＩＶ −ＩＶ線に沿う断面図、第５図は失速本発
明の実施例の光半導体装置に使用するリードフレームを
示プ第４図同様の断面図である。 １・・・凹状反射板、２，３・・・リード、４・・・発
光半導体素子、５・・・ボンディングワイＡ７．６・・
・透明樹出願人代理人 弁理士 鈴江武尽 第１目 第２図
図、第２図は従来のＬＥＤランプに具備されていた反射
板の一例を示す断面図、第３図は第２図のＬＥＤランプ
の製造に用いられるリードフレームの形状を示す斜視図
、第４図は斉介従来用いられている第３図のリードフレ
ームのＩＶ −ＩＶ線に沿う断面図、第５図は失速本発
明の実施例の光半導体装置に使用するリードフレームを
示プ第４図同様の断面図である。 １・・・凹状反射板、２，３・・・リード、４・・・発
光半導体素子、５・・・ボンディングワイＡ７．６・・
・透明樹出願人代理人 弁理士 鈴江武尽 第１目 第２図
Claims (1)
- 波長４００〜９５０ｎｍの光を発光する発光半導体素子
が皿状反射板上にマウントされ、少なくとも該反射板の
反射面が銅−錫の白金メッキでできていることを特徴と
Ｊ−る光半導体に’＜ Ｕ！ｌ ａ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206433A JPS6098688A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206433A JPS6098688A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098688A true JPS6098688A (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16523292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206433A Pending JPS6098688A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098688A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58206433A patent/JPS6098688A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7094619B2 (en) | 1992-12-17 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a light emitting device |
| US7288795B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7297984B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7315046B2 (en) | 1992-12-17 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
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