JPS6091702A - Constant voltage circuit - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a reference voltage any temperature characteristic by outputting the sum between a base-emitter voltage of a transistor (TR) having a negative temperature characteristic and a voltage drop of a resistor having a positive temperature characteristic. CONSTITUTION:A band gap reference circuit is provided with a resistor R2, a TRQ2, a path of a current I2 flowing to a resistor R3 and a path of a current I3 flowing to resistors R2, R4. The voltage drop having a positive temperature characteristic generated across the resistor R2 is changed by the sum of the currents I2, I3 by adjusting the resistance value of the resistors R2-R4. A desired reference voltage VREF1 without any temperature characteristic is obtained by adding a base-emitter voltage of a TRQ3 having a negative temperature characteristic to said voltage.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、各種電子機器において、基準電圧を得る際に
用いられる定電圧回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a constant voltage circuit used in obtaining a reference voltage in various electronic devices.

〔背景技術〕[Background technology]

定電圧回路には、各種回路構成のものがあるが、その一
つに当業者間においてバンドギャップリファレンス回路
と呼ばれるものがある。バンドギャップリファレンス回
路は、温度特性をもたない、安定で精度の高い基準電圧
を得る回路であり、ベース・エミッタ接合の負の温度係
数と、異なる電流密度でバイアスされた１対のベース・
エミッタ接合の電圧量差の正の温度係数とによって温度
補償を行うものである。There are various types of constant voltage circuits, one of which is called a bandgap reference circuit among those skilled in the art. A bandgap reference circuit is a circuit that obtains a stable and highly accurate reference voltage without temperature characteristics, and has a negative temperature coefficient of the base-emitter junction and a pair of base-emitter junctions biased at different current densities.
Temperature compensation is performed using the positive temperature coefficient of the voltage difference between the emitter junctions.

バンドギャップリファレンス回路の全体の温度係数は、
出力電圧（定電圧）がちょうどシリコンの禁制帯幅、つ
まｐバンドギャップの値（約１．２Ｖ）と一致した時に
のみ零になる。このことは、温度係数が零の状態で得ら
れる出力電圧が約１．２■に固定され、可変することが
できないことを意味する。しかしながら各種電子回路に
おいては、要求される基準電圧レベルが異なり、例えば
、ＴＴ　Ｌ　（Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ　’Ｉ’ｒａｎｓ
ｉｓｔｅｒ　Ｌｏｇｉｃ）回路の基準電圧としては、ロ
ーレベル（Ｏ，ＳＶ）とノ・インベル（２■）との中間
電圧である１、４■が、基準電圧として最適である。し
かるに、ＴＴＬ回路の基準電源としてバンドギャップリ
ファレンス回路を用いると、１．４■の基準電圧が温度
係数を有してしまいＴＴＬ回路が安定に動作し得ないこ
とが、本発明者の検討により明らかにされた。本発明は
、上記した問題点に着目してなされたものである。The overall temperature coefficient of the bandgap reference circuit is
The output voltage (constant voltage) becomes zero only when it exactly matches the forbidden band width of silicon, that is, the value of the p-band gap (approximately 1.2 V). This means that the output voltage obtained when the temperature coefficient is zero is fixed at approximately 1.2 .mu. and cannot be varied. However, various electronic circuits require different reference voltage levels; for example, TT L (Transister 'I'
As the reference voltage for the ister Logic) circuit, 1, 4■, which is an intermediate voltage between the low level (O, SV) and the level (2■), is optimal as the reference voltage. However, studies by the present inventor have revealed that when a bandgap reference circuit is used as a reference power source for a TTL circuit, the reference voltage of 1.4■ has a temperature coefficient, making it impossible for the TTL circuit to operate stably. was made into The present invention has been made in view of the above-mentioned problems.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、温度係数を有さない出力電圧を任意に
設定することのできる定電圧回路を提供することにある
。An object of the present invention is to provide a constant voltage circuit that can arbitrarily set an output voltage that does not have a temperature coefficient.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば
、下記のとおりである。A brief summary of the invention disclosed in this application is as follows.

すなわち、バンドギャップリファレンス回路において抵
抗Ｒ７とトランジスタＱ２　ｒ抵抗Ｒ３で構成された第
１の電流径路と、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ４で構成された第２
の電流径路とを設け、上記抵抗の抵抗値を調節すること
により、上記２つの電流径路より得られる電流の和の電
流により抵抗几。That is, in the bandgap reference circuit, a first current path is made up of resistor R7 and transistor Q2 r, and a second current path is made up of resistor R2 and resistor R4.
By providing a current path and adjusting the resistance value of the resistor, the resistance value is increased by the sum of the currents obtained from the two current paths.

に発生する正の温特をもつ電圧降下量を変化させ、これ
に負の温特をもつトランジスタＱ、のペース・エミッタ
間電圧を加算することにより、任意に設定されかつ温度
特性を有さない基準電圧を得る、という本発明の目的を
達成するものである。By changing the amount of voltage drop with positive temperature characteristic that occurs in Q, and adding to this the pace-emitter voltage of transistor Q, which has negative temperature characteristic, it can be set arbitrarily and has no temperature characteristic. This achieves the object of the present invention, which is to obtain a reference voltage.

〔実施例１〕 以下、第１図を参照して、本発明を適用した定電圧回路
の第１の実施例を述べる。この実施例では、バンドギャ
ップリファレンス回路の出力電圧が、１．４■において
温度係数を有さないようにする場合を考える。なお、第
１図に示す定電圧回路はバンドギャップリファレンス回
路であり、半導体集積回路にて構成されているものとす
る。[Embodiment 1] Hereinafter, a first embodiment of a constant voltage circuit to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. In this embodiment, a case will be considered in which the output voltage of the bandgap reference circuit is made to have no temperature coefficient at 1.4. It is assumed that the constant voltage circuit shown in FIG. 1 is a bandgap reference circuit, and is constituted by a semiconductor integrated circuit.

１番端子には＋ＶＣＣ電源が供給される。２番端子には
出力電圧、すなわち基準電圧ＶＲＥＦ□が表われる。抵
抗貼は、電源ＶｃｃとともにトランジスタＱ、を流れる
ｔ流■１　を規定するものであり、例えば１．＝６００
μＡに設定されている。例えば■ｃｃ−１０■とすれば である。トランジスタＱ１のペース・エミッタ間電圧■
ＢＥＩ　は、トランジスタＱ、のペースに印加されトラ
ンジスタＱ２がオン状態に動作する。従って一ト■。、
電源から、定電流回路Ｃ８，を介してラインｔ、に流れ
た電流は、次の２系統の電流径路を流れる。+VCC power is supplied to the No. 1 terminal. The output voltage, that is, the reference voltage VREF□ appears at the second terminal. The resistor paste defines the current t flowing through the transistor Q together with the power supply Vcc. For example, 1. =600
It is set to μA. For example, if it is ■cc-10■. Pace-emitter voltage of transistor Q1■
BEI is applied to the gate of transistor Q, turning transistor Q2 on. Therefore, it is one ■. ,
The current flowing from the power supply to the line t via the constant current circuit C8 flows through the following two current paths.

すなわち、ラインｔ、から抵抗Ｒ，，）ランニンスタＱ
ｔ＋抵抗Ｒ８を介してアースラインへ■！が流れる。こ
こでトランジスタＱ２のエミッタサイズは、トランジス
タＱ１のエミッタサイズと同一であり、例えばＬ＝６０
μＡとなるように抵抗Ｒ１が設定される。すなわちＩ、
：　Ｉ、＝１０：１の関係になる。また、抵抗Ｒ６には
、抵抗Ｒ４が直列接続されておシライン１．から抵抗Ｒ
，、Ｒ。That is, from line t, to resistance R, ,) running star Q
■ To the ground line via t+resistance R8! flows. Here, the emitter size of transistor Q2 is the same as that of transistor Q1, for example, L=60
Resistor R1 is set so that μA. That is, I,
: I, = 10:1 relationship. Further, a resistor R4 is connected in series to the resistor R6, and the series line 1. resistance R from
,,R.

を介してアースラインへ電流■３が流れる。したがって
、抵抗Ｒ７にはＩ、＋Ｉ、の電流が流れることになる。Current ■3 flows to the ground line via. Therefore, a current of I, +I flows through the resistor R7.

この時得られる基準電圧ＶＲＥＦ□は以下のように表わ
される。The reference voltage VREF□ obtained at this time is expressed as follows.

ＶＢＩＰ□＝■ｔ＋ｒ、ｑａ　＋　（Ｉｔ　＋　Ｉｓ　
）　Ｒｔ（１）式の両辺を温度Ｔで偏微分するとを得る
。VBIP□=■t+r, qa + (It + Is
) By partially differentiating both sides of Rt(1) equation with respect to temperature T, we obtain:

ａｖＢｇｑ：１ ＝α３　とおくと、（２）式は次のように書ける。avBgq:1 =α3, equation (2) can be written as follows.

θＴ （３）式においてαはＶＲＥＦ工の温度係数、α１．α
２゜α３は、それぞれトランジスタＱ１．Ｑｔ　、Ｑｓ
のベース・エミッタ間電圧の温度計数を表わす。θT In equation (3), α is the temperature coefficient of VREF, α1. α
2°α3 are transistors Q1 . Qt, Qs
represents the temperature coefficient of the base-emitter voltage of

（３）式はさらに と変形できる。Equation (3) is further It can be transformed into

ここで（４）式におけるα３．（α、−α、）に注目す
る。一般にＰＮ接合は、負の温度係数を有するためα、
は負の温度係数となる。具体的には、本発明者らの研究
によれば、α＝　”　２．１　ｍＶ／Ｃである。またＰ
Ｎ接合の温度係数は、ダイオードに流れる電流密度に依
存しており、電流密度が大きいほどダイオードの温度依
存性は小さくなり、その負の温度係数は小となる。この
実施例では前述したように、例えば電流密度Ｉ、：Ｉ、
＝１０：１となるように設定されているため、トランジ
スタＱｔのＶｉｌｅの負の温度係数の絶対値がトランジ
スタＱ、のＶｉｌｇの負の温度係数の絶対値より大きく
なり、その結果α、−α、は正の値をもつ。すなわち正
の温度係数を有する。具体的には、本発明者等の研究に
よればα、−αｔ　＝＋０．２１　ｍＶである。Here, α3 in equation (4). Pay attention to (α, −α,). In general, a PN junction has a negative temperature coefficient, so α,
is a negative temperature coefficient. Specifically, according to the research of the present inventors, α = 2.1 mV/C.
The temperature coefficient of the N junction depends on the current density flowing through the diode, and the larger the current density, the smaller the temperature dependence of the diode, and the smaller its negative temperature coefficient. In this embodiment, as described above, for example, the current density I, :I,
= 10:1, the absolute value of the negative temperature coefficient of Vile of transistor Qt is larger than the negative temperature coefficient of Vilg of transistor Q, and as a result, α, -α , has a positive value. That is, it has a positive temperature coefficient. Specifically, according to research by the present inventors, α, -αt = +0.21 mV.

０が得られる。すなわち また、基準電圧ＶＲＥＦ□は（１）式で示すように表わ
される。ここで、ＶＢＥＱＩ　ＶＩｌｌＣＱ２　”△Ｖ
ＢＩＣとおくと、△■、は以下のようにめられる。すな
わち前述した如＜Ｉ、：Ｉ、＝１０：１に設定するとＶ
ＢＥ□とＶＢゎとは下記のような関係になる。0 is obtained. In other words, the reference voltage VREF□ is expressed as shown in equation (1). Here, VBEQI VIllCQ2 ”△V
Letting it be BIC, △■ can be calculated as follows. In other words, as mentioned above, when setting <I, :I, = 10:1, V
BE□ and VBゎ have the following relationship.

ここで、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度。Here, K is Boltzmann's constant and T is the absolute temperature.

ｑは電子の電荷＊　”Ｉ４１ｓ　ＩＢ２ｔｊＰＮ接合に
おける暗電流である。ゆえに 同一エミッタサイズのトランジスタＱ、、Ｑ、において
、暗電流Ｉ、１＝　Ｉ、、であるとすれば、ｋＴＩ。q is the electron charge * "I41s IB2tj dark current in the PN junction. Therefore, in transistors Q, , Q, with the same emitter size, if the dark current I, 1 = I, , then kTI.

△ＶＢＥ　＝ｔｎ−＝２．３　Ｘ　２６　（ｍＶ）　ｌ
　０ｇ１６１０ｑ　Ｉ！ 中６０ｍＶ　＝０．０６Ｖ　を得る。△VBE =tn-=2.3 x 26 (mV) l
0g1610q I! Obtain 60mV = 0.06V in the middle.

またＶＢ、０．　＝　０．７　Ｖとすれば、Ｒ，、Ｒ，
。Also VB, 0. = 0.7 V, then R,,R,
.

ＶＲＥＦ□＝　０．７＋　−０，７＋−０，０６＝１．
４　・曲・（６）Ｒ，Ｒ。VREF□=0.7+-0,7+-0,06=1.
4 ・Song・(6) R, R.

また、前述した如＜Ｉ、＝６０μＡと設定すれｄＲ３＝
””’　”ＥＱ２＝！＝１０００Ｑ＝ｌＫ１”ＡＩ、　
６０（μＡ） となる。Also, as mentioned above, set <I, = 60μA, dR3 =
”” ”EQ2=!=1000Q=lK1”AI,
60 (μA).

ゆえに（５）式、（６）式は、次のように書ける。Therefore, equations (5) and (6) can be written as follows.

（７）　、　（８）をＲ２，Ｒ４を変数とする連立２次
方程式とみて、Ｒｔ　、Ｒ４の値をめると Ｒ，＃１０．７Ｋｆｌ　、Ｒ４＃１２９にΩ　を得る。Considering (7) and (8) as simultaneous quadratic equations with R2 and R4 as variables, and subtracting the values of Rt and R4, we obtain Ω in R, #10.7Kfl, and R4, #129.

ゆえに第１図における回路においては、Ｖｃｃ＝ｌＯＶ
　、Ｒ，１＝１５．５にΩ、　Ｒ，＝１０．７にΩ。Therefore, in the circuit in FIG. 1, Vcc=lOV
, Ω at R,1=15.5, Ω at R,=10.7.

Ｒｓ　”　Ｉ　ＫΩ、Ｒ，＝１２９にΩと設定すれば、
１．４■の温度係数を有さない安定した基準電圧を得る
ことができる。しかしながら、この実施例では、Ｒ４＝
１２９にΩと高抵抗が必要であり、半導体集積回路化す
る場合には問題がある。If we set Rs ” I KΩ, R, = 129 as Ω, we get
A stable reference voltage that does not have a temperature coefficient of 1.4■ can be obtained. However, in this example, R4=
129 requires a high resistance of Ω, which poses a problem when fabricated into a semiconductor integrated circuit.

このため、本発明者は、定電圧回路につき更に検討を重
ね、抵抗値が大に一＆ることなく、半導体集積回路化に
好適な回路技術に想到した。For this reason, the inventor of the present invention has further studied the constant voltage circuit and has come up with a circuit technology suitable for semiconductor integrated circuits without significantly changing the resistance value.

〔実施例２〕 次に、第２図を参照して、本発明の第２の実施例を述べ
る。なお、前記第１の実施例と同一の回路動作を行う部
分には同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、
この実施例でも、■ＲＥＦ□が１．４Ｖにおいて、温度
係数を有さないようにする場合を考える。[Embodiment 2] Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the same reference numerals are given to parts that perform the same circuit operations as in the first embodiment, and the explanation thereof will be omitted. In addition,
In this embodiment as well, consider the case where ■REF□ is 1.4V and has no temperature coefficient.

１ず基準電圧■ＲＥＦ１をめる。この実施例では電流径
路が３つある。すなわち、ラインｔ、、Ｒ２゜Ｒｔ’、
Ｑｔ　、Ｒｓを経て電流工、が流れる径路、ラインｔ＋
ｒＴＬｔ＋Ｒｒ＋を経て電流■、が流れる径路、ライン
ｔ、　、Ｒ，、几ｔ’、Ｑｓを介して電流１４が流れる
径路がある。ゆえに、ＶＲＥＦＩは以下のようになる。1. First, set the reference voltage REF1. In this embodiment, there are three current paths. That is, line t,, R2°Rt',
Qt, the path through which the electrician flows through Rs, line t+
There is a path through which current 14 flows through lines t, , R, , t', and Qs through rTLt+Rr+. Therefore, VREFI is as follows.

ＶＲＥＦＩ　−ＶＢＥＱ３　＋　Ｉ　劃；　＋　（Ｉｔ
　＋　Ｉｓ　）Ｒｔ　・・・（１）ここでＩ３は（２）
式のように表わされる。VREFI −VBEQ3 + I; + (It
+ Is ) Rt ... (1) Here I3 is (2)
It is expressed as the formula.

（２）式を（１）式に代入し、変形すると一方工ｔ　＝
　（ＶＢＥＱに■ＢＥＱ２）／Ｒｓであるから、（３）
式はさらに次のように変形できる。Substituting equation (2) into equation (1) and transforming it, one-way work t =
(VBEQ to ■BEQ2)/Rs, so (3)
The formula can be further transformed as follows.

次に（４）式を温度Ｔで偏微分すると （３）式、（５）式において おくと、（３）式、（５）式はそれぞれ次のように書け
る。Next, when equation (4) is partially differentiated with respect to temperature T, equations (3) and (5) can be written as follows.

ＶＲＥＦ□＝ＡＩ、＋ＢＶ□、３　・・・四回・・曲・
（６）■ＲＥＦ１が１．４Ｖにおいて温特を有さないよ
うにするためには、（６）式、（力式においてＶＲＥＦ
□＝１．４Ｖ。VREF□=AI, +BV□, 3...four times...song...
(6)■ In order to prevent REF1 from having a temperature characteristic at 1.4V, use equation (6), (in the force equation, VREF
□=1.4V.

α＝０であるから （８）　、　（９）式より、Ａ、Ｂをめるとであるから Ｒｔ　＝　（Ｂ　Ｄ　”４　−−０．Ｑ２１いま、Ｉ、
＝８００μＡ、Ｉ、＝８０μＡ（すなわちＩ、　：　Ｌ
　＝１０　：　１）　に設定されているとし、Ｖｃｃ＝
１０■とすると Ｒ４＝５にΩに設定されており、実施例１と同様にα、
　＝　−２，１ｍＶ／ｌ　ｚ△α＝＋０．２１　ｍＶ／
℃。Since α=0, from equation (8) and (9), when A and B are included, Rt = (B D ”4 −-0.Q21 Now, I,
=800μA, I, =80μA (i.e. I, : L
=10:1), and Vcc=
10■, R4 is set to 5 and Ω, and as in Example 1, α,
= -2,1mV/l z△α=+0.21 mV/
℃.

ＶＢＥ、３＝　０．７　Ｖとすれば、式（１（１，００
式よりＡ＝８０７６．９２　Ｂ＝１．０７７ 弐〇２．（１：１より Ｒ，＝３８２９．８ｆ））＃　３．８３０に、ＱＲ２＝
３８４５（ハ）＃３．８４５にΩを得る。If VBE, 3 = 0.7 V, then the formula (1(1,00
From the formula, A=8076.92 B=1.077 2〇2. (R from 1:1, = 3829.8f)) # To 3.830, QR2=
3845 (c) #3.Obtain Ω to 845.

すなわち、この実施例では、■ｃｃ＝１ｏ■。That is, in this embodiment, ■cc=1o■.

Ｒ，＝１１．６３にΩ、凡、、＝３．８３にΩ、Ｒ＋、
’＝３．８５に、Ｑ、几ｓ　＝　０．７５　Ｋ、Ｑ　、
　Ｒ４＝　５　ＫＯに設定すれば、温度係数を有さない
安定した基準電圧を得ることができる。また、上記した
抵抗の抵抗値は、どれもさほど大きくなく、この回路を
半導体集積回路化する場合伺ら問題はない。R,=11.63 is Ω, ,=3.83 is Ω, R+,
' = 3.85, Q, s = 0.75 K, Q,
By setting R4=5KO, a stable reference voltage without a temperature coefficient can be obtained. Further, the resistance values of the above-mentioned resistors are not so large, and there is no problem when this circuit is integrated into a semiconductor circuit.

なお、実施例では、温度係数を有さない１．４■の基準
電圧を得る場合を考えたが、本発明によれば、基準電圧
値を自由に設定できることはいうまでもない。例えば、
実施例２において、（６）式のＶＲＢＦ□に所望の電圧
値を代入して（７）式との連立方程式を解けば、定電圧
回路を構成する抵抗の抵抗値がめられ、温度係数を有さ
ない所望の基準電圧を得るための回路定数が設定できる
。なお、トランジスタＱ１のベース・コレクタは直接接
続される必要はなく、コレクタに抵抗を接続し、その抵
抗とベースとを接続するようにしてもよい。In the embodiment, a case was considered in which a reference voltage of 1.4 square meters having no temperature coefficient was obtained, but it goes without saying that according to the present invention, the reference voltage value can be set freely. for example,
In Example 2, by substituting the desired voltage value into VRBF□ in equation (6) and solving the simultaneous equations with equation (7), the resistance value of the resistor constituting the constant voltage circuit can be found, and the temperature coefficient It is possible to set circuit constants to obtain a desired reference voltage. Note that the base and collector of the transistor Q1 do not need to be directly connected; a resistor may be connected to the collector, and the resistor and the base may be connected.

〔効果〕〔effect〕

負の温度係数を有するトランジスタＱ、のペース・エミ
ッタ間電圧と、正の温度係数を有する抵抗Ｒ１の電圧降
下との加算電圧を出力とし、さらに、抵抗Ｒ１，ｌ　几
！′等を設け、これらの抵抗値をたくみに設定すること
により、温度特性を有さす、しかも所望の電圧レベルに
設定される安定した定電圧電源を得ることができる。The sum voltage of the pace-emitter voltage of the transistor Q, which has a negative temperature coefficient, and the voltage drop of the resistor R1, which has a positive temperature coefficient, is outputted, and further, the resistor R1,l 几! ' etc., and by carefully setting these resistance values, it is possible to obtain a stable constant voltage power supply that has temperature characteristics and is set at a desired voltage level.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である定電圧回路に適用
した場合につ−いて説明したが、それに限定されるもの
ではない。In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to a constant voltage circuit, which is the field of application to which the invention is based, but the invention is not limited thereto.

例えば、ＴＴＬ回路の基準電源回路として利用できるの
みでなく、リニアＩＣ，インターフェイスドライバＩＣ
の基準電源回路としても利用することができる。For example, it can be used not only as a reference power supply circuit for TTL circuits, but also for linear ICs and interface driver ICs.
It can also be used as a reference power supply circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の第１の実施例を示す定電圧回路の回路
図、 第２図は本発明の第２０笑施例を示す定電圧回路の回路
図。 Ｑ、、Ｑ、、Ｑｓ・・・トランジスタ、垢、Ｒ１゜Ｒ，
、Ｒ，’・・・抵抗、ＶＢつ、ｌ　■ＢＥ２１　ＶＢＢ
Ｉ・・・ペース・エミッタ間電圧、Ｉ、、Ｉ、・・・電
流、ＶＲ）、Ｆｌ・・・基準電源。FIG. 1 is a circuit diagram of a constant voltage circuit showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a constant voltage circuit showing a twentieth embodiment of the present invention. Q,,Q,,Qs...transistor, dirt, R1゜R,
,R,'...Resistance, VB, l ■BE21 VBB
I...Pace-emitter voltage, I...Current, VR), Fl...Reference power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、　コレクタとベースが接続された第１のトランジス
タＱ、と、トランジスタＱ、のコレクタＫｍ続する第１
の抵抗Ｒ１と、トランジスタＱｔのベース・エミッタ間
電圧によってベースがバイアスされた第２のトランジス
タＱ、と、トランジスタＱ、のエミッタに接続された第
２の抵抗Ｒ３と、トランジスタＱ、のコレクタに接続さ
れた第３の抵抗孔、と、トランジスタＱ！のコレクタに
よってベースがバイアスされた第３のトランジスタＱ。 とを具備し、少なくとも、トランジスタＱ３のベース・
エミッタ間電圧と抵抗Ｒ２の電圧降下との加算電圧を出
力とした定電圧回路であって、トランジスタＱ、のコレ
クタに第４の抵抗Ｒ４を接続したことを特徴とする定電
圧回路。 ２、上記第３の抵抗Ｒ１とトランジスタＱ、のコレクタ
との間には、追加抵抗Ｒｔ′が接続されており、第３の
抵抗Ｒ７と追加抵抗Ｒ７′の共通接続点は、第４の抵抗
Ｒ４を介して動作電位点に接続され、追加抵抗Ｒ１′と
トランジスタＱ２のコレクタとの接続点は、第３のトラ
ンジスタＱ、のベースに接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の定電圧回路。[Claims] 1. A first transistor Q whose collector and base are connected, and a first transistor Q connected to the collector Km of the transistor Q.
a second transistor Q whose base is biased by the base-emitter voltage of the transistor Qt; a second resistor R3 connected to the emitter of the transistor Q; and a second resistor R3 connected to the collector of the transistor Q. the third resistor hole, and the transistor Q! A third transistor Q whose base is biased by the collector of Q. and at least the base of the transistor Q3.
1. A constant voltage circuit whose output is a summed voltage of an emitter voltage and a voltage drop across a resistor R2, characterized in that a fourth resistor R4 is connected to the collector of a transistor Q. 2. An additional resistor Rt' is connected between the third resistor R1 and the collector of the transistor Q, and the common connection point of the third resistor R7 and the additional resistor R7' is connected to the fourth resistor Rt'. R4 is connected to the operating potential point, and the connection point between the additional resistor R1' and the collector of the transistor Q2 is connected to the base of the third transistor Q. Constant voltage circuit described in section.