JPS6086830A - フオトマスクのパタ−ン修正方法 - Google Patents
フオトマスクのパタ−ン修正方法Info
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- JPS6086830A JPS6086830A JP58195424A JP19542483A JPS6086830A JP S6086830 A JPS6086830 A JP S6086830A JP 58195424 A JP58195424 A JP 58195424A JP 19542483 A JP19542483 A JP 19542483A JP S6086830 A JPS6086830 A JP S6086830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- negative photoresist
- film pattern
- white defect
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造工程において使用さ
れるフォトマスクのパターン修正方法、特に、パターン
幅と、そのパターンに白欠陥部分があれば、その白欠陥
部分の修正方法に関する。
れるフォトマスクのパターン修正方法、特に、パターン
幅と、そのパターンに白欠陥部分があれば、その白欠陥
部分の修正方法に関する。
上記白欠陥部分とは、金属ＷｉＩ！パターンが形成され
るべき領域において、その金ｊｌ薄膜が欠けている箇所
のことであり、例えば第１図に示すように、ガラス基板
１上に８字状の金属パターン２が形成されている場合に
、その金属パターン２の存在すべき領域内において白欠
陥部分３が存在している。このような白欠陥部分３を有
するフォトマスクは、これを半導体集積回路の製造工程
に使用した場合、集積回路パターンに断線等を引き起こ
す原因になるため、その白欠陥部分３を修正しなければ
ならない。
るべき領域において、その金ｊｌ薄膜が欠けている箇所
のことであり、例えば第１図に示すように、ガラス基板
１上に８字状の金属パターン２が形成されている場合に
、その金属パターン２の存在すべき領域内において白欠
陥部分３が存在している。このような白欠陥部分３を有
するフォトマスクは、これを半導体集積回路の製造工程
に使用した場合、集積回路パターンに断線等を引き起こ
す原因になるため、その白欠陥部分３を修正しなければ
ならない。
一方、金属パターン２の幅Ｗが所望値よりも小さかった
場合、従来、パターン幅の修正方法が未開発であったた
め、そのフォトマスクは不良とするしかなかった。
場合、従来、パターン幅の修正方法が未開発であったた
め、そのフォトマスクは不良とするしかなかった。
本発明の第１の目的は、金属パターンに白欠陥部分が存
在している場合には、修正のための金属薄膜を形成済の
金属１膜パターン上に平坦状に形成すると共に、その白
欠陥部分に埋設形成し、かつ容易に行うことのできるフ
ォトマスクのパターン修正方法を提供することである。
在している場合には、修正のための金属薄膜を形成済の
金属１膜パターン上に平坦状に形成すると共に、その白
欠陥部分に埋設形成し、かつ容易に行うことのできるフ
ォトマスクのパターン修正方法を提供することである。
本発明の第２の目的は、形成済の金属薄膜パターン幅を
所望値に修正することのできるフォトマスクのパターン
修正方法を提供することである。
所望値に修正することのできるフォトマスクのパターン
修正方法を提供することである。
このような目的を達成するため、本発明は、遮光性の金
属１膜パターンを形成した側のガラス基板の一方の主面
上にネガ型フォトレジストを被覆する工程と、前記ガラ
ス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パターンを通し
て前記ネガ型フォトレジストを露光する工程と、前記ネ
ガ型フォトレジストを現像して前記金属薄膜パターン上
における未露光部分を除去する工程と、前記金属薄膜パ
ターンに隣接する前記ネガ型フォトレジストの部分をプ
ラズマ放電により所定幅だけ除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの領域上と前記ネガ型フォトレジスト
の除去部分上と前記金属薄膜パターンの領域上どに新た
な遮光性の金属薄膜を形成する工程と、前記ネガ型フォ
トレジストの露光部分を剥１１ＪＩする工程を必須構成
としている。
属１膜パターンを形成した側のガラス基板の一方の主面
上にネガ型フォトレジストを被覆する工程と、前記ガラ
ス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パターンを通し
て前記ネガ型フォトレジストを露光する工程と、前記ネ
ガ型フォトレジストを現像して前記金属薄膜パターン上
における未露光部分を除去する工程と、前記金属薄膜パ
ターンに隣接する前記ネガ型フォトレジストの部分をプ
ラズマ放電により所定幅だけ除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの領域上と前記ネガ型フォトレジスト
の除去部分上と前記金属薄膜パターンの領域上どに新た
な遮光性の金属薄膜を形成する工程と、前記ネガ型フォ
トレジストの露光部分を剥１１ＪＩする工程を必須構成
としている。
以下、実施例図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明の一実施例による各工程を示す要部拡
大断面図であり、透光性のアルミノボロシリケートガラ
ス（（株）保谷硝子製：ＬＥ−３０＞等から製作された
ガラス基板１の主面上に、遮光性金属薄膜としてクロム
＜Ｏｒ ）等の金属薄膜パターン２（膜厚：約７００人
）を真空蒸着等により所定形状に形成した場合、その金
属薄膜パターン２の領域内に、第１図（１１）に示した
ように白欠陥部分３（寸法：３μｌｌ１）と、パターン
２の幅Ｗが所望値より小さい幅を有する事例を示し、同
図（ａ）において、ネガ型フォトレジスト４（例えば、
東京応化工業（株）製：’ ＯＭ Ｒ−８３、膜厚：約
１０００人）を、金属薄膜パターン２の形成されている
側のガラス基板１の一方の主面上、すなわち、金属薄膜
パターン２の形成されている以外の領域におけるガラス
基板１の一方の主面上と、金ｍｗｉ。
大断面図であり、透光性のアルミノボロシリケートガラ
ス（（株）保谷硝子製：ＬＥ−３０＞等から製作された
ガラス基板１の主面上に、遮光性金属薄膜としてクロム
＜Ｏｒ ）等の金属薄膜パターン２（膜厚：約７００人
）を真空蒸着等により所定形状に形成した場合、その金
属薄膜パターン２の領域内に、第１図（１１）に示した
ように白欠陥部分３（寸法：３μｌｌ１）と、パターン
２の幅Ｗが所望値より小さい幅を有する事例を示し、同
図（ａ）において、ネガ型フォトレジスト４（例えば、
東京応化工業（株）製：’ ＯＭ Ｒ−８３、膜厚：約
１０００人）を、金属薄膜パターン２の形成されている
側のガラス基板１の一方の主面上、すなわち、金属薄膜
パターン２の形成されている以外の領域におけるガラス
基板１の一方の主面上と、金ｍｗｉ。
膜パターン２の領域上（白欠陥部分３を有するガラス基
板１の表面部分を含む。）とに被覆する。
板１の表面部分を含む。）とに被覆する。
このレジスト４の解像度は、白欠陥部分３の寸法を解像
しないＰｉ！度であれば、後の露光・現像工程において
白欠陥部分３があたかも存在しないと同様に作用し、換
言すれば未露光と同様に作用する。
しないＰｉ！度であれば、後の露光・現像工程において
白欠陥部分３があたかも存在しないと同様に作用し、換
言すれば未露光と同様に作用する。
一般に、ネガ型フォトレジストの解像度は、そのレジス
トについて所定の露光・現像条件においてめられた最高
値であることから、本例の白欠陥部分３の寸法ｔ［（３
μ剛）以上に選定した場合、その白欠陥部分３に対して
未露光部分として取り扱われる。また、露光・現像の各
条件を変えた場合には、レジストの解像度も増大するこ
とがあることから、必ずしも個々のレジスト材料に挙げ
られた解像度に限定されず、本発明におけるネガ型フォ
トレジストの解＆度は、後の露光・現像工程において白
欠陥部分に対して実質的に未露光部分として作用ジる程
度であればよい。なお、金属薄膜パターン２の領域内に
白欠陥部分３が存在しない場合には、白欠陥部分とネガ
型フォトレジストの解像度の関係について考慮する必要
がないことは勿論である。
トについて所定の露光・現像条件においてめられた最高
値であることから、本例の白欠陥部分３の寸法ｔ［（３
μ剛）以上に選定した場合、その白欠陥部分３に対して
未露光部分として取り扱われる。また、露光・現像の各
条件を変えた場合には、レジストの解像度も増大するこ
とがあることから、必ずしも個々のレジスト材料に挙げ
られた解像度に限定されず、本発明におけるネガ型フォ
トレジストの解＆度は、後の露光・現像工程において白
欠陥部分に対して実質的に未露光部分として作用ジる程
度であればよい。なお、金属薄膜パターン２の領域内に
白欠陥部分３が存在しない場合には、白欠陥部分とネガ
型フォトレジストの解像度の関係について考慮する必要
がないことは勿論である。
次に、同図（ｂ）において、ガラス基板１の他方の主面
側から、紫外光７（光” ５ｏ” Ｊ ／ｃｍ２ ）を
照射し、金属薄膜パターン２を通してネガ型フォトレジ
スト４を露光する。この露光により、金８１８膜パター
ン２が占めている領域以外のレジスト部分は露光部分５
を形成し、金属薄膜パターン２の領域上のレジスト部分
はく白欠陥部分３が存在する場合には、その白欠陥部分
３上のレジスト部分を含む。）未露光部分６を形成する
。
側から、紫外光７（光” ５ｏ” Ｊ ／ｃｍ２ ）を
照射し、金属薄膜パターン２を通してネガ型フォトレジ
スト４を露光する。この露光により、金８１８膜パター
ン２が占めている領域以外のレジスト部分は露光部分５
を形成し、金属薄膜パターン２の領域上のレジスト部分
はく白欠陥部分３が存在する場合には、その白欠陥部分
３上のレジスト部分を含む。）未露光部分６を形成する
。
次に、同図（Ｃ）において、ネガ型フォトレジスト４に
応じた専用現像液により、 所定時間（１８０秒）で現
像処理され、未露光部分６は除去され、露光部分５はほ
ぼ半分の厚さの残存レジスト部分８を形成する。その結
果、金属薄膜パターン２（白欠陥部分３を含む。）は露
出する。また同図（Ｃ′）に示づ残存レジスト８″は、
先の露光工程において露光部を所定値（５０１１１Ｊ／
Ｃｍ２）より多クシ（例えば、６０ｍ Ｊ ／Ｃｌｌ
１２ ） 、現像条件を同図（Ｃ）に記した工程と同一
にして現像した場合に得られ、金属薄膜パターン２のエ
ツジ部分が残存レジスト８′により被覆されている。
応じた専用現像液により、 所定時間（１８０秒）で現
像処理され、未露光部分６は除去され、露光部分５はほ
ぼ半分の厚さの残存レジスト部分８を形成する。その結
果、金属薄膜パターン２（白欠陥部分３を含む。）は露
出する。また同図（Ｃ′）に示づ残存レジスト８″は、
先の露光工程において露光部を所定値（５０１１１Ｊ／
Ｃｍ２）より多クシ（例えば、６０ｍ Ｊ ／Ｃｌｌ
１２ ） 、現像条件を同図（Ｃ）に記した工程と同一
にして現像した場合に得られ、金属薄膜パターン２のエ
ツジ部分が残存レジスト８′により被覆されている。
次に、同図＜ｄ ）において、プラズマアッシングによ
り金属薄膜パターン２のエツジ部分から残存レジスト８
のエツジ部分にかけて間隙ｄ （本例ｄ ＝ ０．１μ
ｌｌ１）の残存レジスト部分９をプラズマ放電させて除
去する。なお、本例のプラズマ放電条件は、高周波電カ
ニ７５Ｗ、真空度： Ｉ Ｔｏｒｒ 。
り金属薄膜パターン２のエツジ部分から残存レジスト８
のエツジ部分にかけて間隙ｄ （本例ｄ ＝ ０．１μ
ｌｌ１）の残存レジスト部分９をプラズマ放電させて除
去する。なお、本例のプラズマ放電条件は、高周波電カ
ニ７５Ｗ、真空度： Ｉ Ｔｏｒｒ 。
処理時間：１〜５分である。ここで′、プラズマアッシ
ングによるプラズマ放電は、酸素プラズマ雰囲気中にお
かれたレジストが酸素ラジカルと反応して、ＧＯ，ＣＯ
２、Ｈ２０ガスとなって、レジストが分解し、その表面
から除去されるため、レジストがその膜厚方向とこれに
垂直方向（金属薄膜パターンの幅Ｗ方向）とに対してそ
れぞれ均一、に削られるように作用し、レジスト膜厚の
減小と共に、垂直方向をも削られて、間ＰＭｄを形成す
る。
ングによるプラズマ放電は、酸素プラズマ雰囲気中にお
かれたレジストが酸素ラジカルと反応して、ＧＯ，ＣＯ
２、Ｈ２０ガスとなって、レジストが分解し、その表面
から除去されるため、レジストがその膜厚方向とこれに
垂直方向（金属薄膜パターンの幅Ｗ方向）とに対してそ
れぞれ均一、に削られるように作用し、レジスト膜厚の
減小と共に、垂直方向をも削られて、間ＰＭｄを形成す
る。
この間隙ｄはプラズマ放電処理時間に応じて０．１〜０
．３μＩｌｌ程度まで可能である。なお、レジスト膜厚
の減小は、膜厚自体が間隙ｄより数倍〜数十倍も厚く形
成され得るから問題にはならない。このようなプラズマ
放電は間隙ｄを形成するのみならず、金属薄膜パターン
２の領域上の汚れ及び間隙ｄによるガラス基板、１の露
出部分の汚れをそれぞれ除去し、金属薄膜の付着強度を
も向上させる効果を奏する。
．３μＩｌｌ程度まで可能である。なお、レジスト膜厚
の減小は、膜厚自体が間隙ｄより数倍〜数十倍も厚く形
成され得るから問題にはならない。このようなプラズマ
放電は間隙ｄを形成するのみならず、金属薄膜パターン
２の領域上の汚れ及び間隙ｄによるガラス基板、１の露
出部分の汚れをそれぞれ除去し、金属薄膜の付着強度を
も向上させる効果を奏する。
その結果、プラズマ放電後の残存レジスト部分９は金属
薄膜パターン２の幅方向において、その両側に間隙ｄだ
けがガラス基板１の露出部分を形成する。
薄膜パターン２の幅方向において、その両側に間隙ｄだ
けがガラス基板１の露出部分を形成する。
なお、このようなプラズマ放電工程は、同図（Ｃ″）に
示した残存レジスト８”に対しても同様に行える。
示した残存レジスト８”に対しても同様に行える。
次に、同図（ｅ）において、新たなりロム等の遮光性金
属薄膜１０（膜厚：約７００人）を残存レジスト９と、
間隙ｄのガラス基板の露出部分と、金属ｌＩＩ膜２（白
欠陥部分３があれば、その白欠陥部分３を含む。）上に
真空蒸着等により形成する。
属薄膜１０（膜厚：約７００人）を残存レジスト９と、
間隙ｄのガラス基板の露出部分と、金属ｌＩＩ膜２（白
欠陥部分３があれば、その白欠陥部分３を含む。）上に
真空蒸着等により形成する。
そして、同図（ｆ）において、使用したネガ型フォトレ
ジストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸化水素水と
熱ｍ硫酸の混合液）により残存レジスト９を剥離し、そ
の残存レジスト９上の金属薄膜１０の部分をも同時に剥
離して、新たな金属薄膜パターン部分１１を金属幻影！
パターン２上に形成すると共に、白欠陥部分３が存在す
れば、その白欠陥部分３にも埋設形成する。その結果、
金属薄膜パターン２の幅Ｗを所望値幅（Ｗ＋２６）に修
正すると共に、白欠陥部分３が存在づれば、修正すべき
金属薄膜１１を金属薄膜パターン２と白欠陥部分３にほ
ぼ平坦状に形成でることができる。また、本発明による
露光工程は、露光径の調整を不要にして、修正方法を容
易にすることができる。
ジストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸化水素水と
熱ｍ硫酸の混合液）により残存レジスト９を剥離し、そ
の残存レジスト９上の金属薄膜１０の部分をも同時に剥
離して、新たな金属薄膜パターン部分１１を金属幻影！
パターン２上に形成すると共に、白欠陥部分３が存在す
れば、その白欠陥部分３にも埋設形成する。その結果、
金属薄膜パターン２の幅Ｗを所望値幅（Ｗ＋２６）に修
正すると共に、白欠陥部分３が存在づれば、修正すべき
金属薄膜１１を金属薄膜パターン２と白欠陥部分３にほ
ぼ平坦状に形成でることができる。また、本発明による
露光工程は、露光径の調整を不要にして、修正方法を容
易にすることができる。
な、お、本発明における材質は前述した実施例に限定さ
れず、例えば、ガラス基板についてはソーダライムガラ
ス及び合成石英等、金８薄膜については酸化クロム、モ
リブデン、タングステン及びチタン等の薄膜、並びに成
膜法としてはスパッタリング及びイオンブレーティング
等を使用してもよい。
れず、例えば、ガラス基板についてはソーダライムガラ
ス及び合成石英等、金８薄膜については酸化クロム、モ
リブデン、タングステン及びチタン等の薄膜、並びに成
膜法としてはスパッタリング及びイオンブレーティング
等を使用してもよい。
第１図は金属薄膜パターンを形成した従来のフォトマス
ク夛示し、同図（ａ）は正面図及び同図（ｂ）は同図（
ａ）のＸ−Ｘ線上の要部拡大断面図である。第２図（ａ
）〜（ｆ）は本発明による実施例であるフォトマスク
のパターン修正方法を示す各工程の要部拡大断面図であ
る。 １・・・ガラス基板、２・・・金属ｉ！膜パターン、３
・・・白欠陥部分、４・・・ネガ型フォトレジスト、５
・・・レジスト露光部分、６・・・レジスト未露光部分
、８．８゛・・・現像後の残存レジスト部分、９・・・
プラズマ放電後の残存レジス上部分、１０・・・新たな
金ｊｌ薄膜、１１・・・剥離後の新たな金属ＷＩＭ ２、発明の名称 フォＩ−ンスクのパターン修正方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号・１６０
１’ＥＬ ０３（３４８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年１月３１日） ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 明
Ｉｌｌ書の「図面の簡単な説明」の欄（３） 図面の第
２図 ６、補正の内容 （１） 明細書第８頁第１９に［同図（ｃ’）Ｊとある
を「同図（ｄ）」と訂正する。 （２） 明ＩＩＩ書第７頁第１１行に「同図（ｄ）」と
あるを「同図（ｅ）」と訂正する。 （３） 明細書第８頁第１９行〜第２０行に［同図（Ｃ
’）Ｊとあるを「同図（ｄ）」と訂正する。 （４） 明ＩＱ！第９頁第２行に「同図（ｅ）」とある
を「同図（ｆ）」と訂正する。 （５） 明Ｉｌｌ書第９頁第７行に「同図（ｆ）」とあ
るを「同図（Ｑ）」と訂正する。 （６） 明ｍ書第１０項第１２行に［第２図（ａ）〜（
ｆ）］とあるを［第２図（ａ）〜（Ｑ）」と訂正する。 （７） 図面の第２図を別紙の未配のとおり訂正する。 以上 手 続 補 正 書 （自発） 昭和５９年１１月２０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許ｊＩｌｔ第１９５４２
４号２、発明の名称 フォトマスクのパターン修正方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ ７
ＥＬ ０３（９５２）１１５１名称 ボ − ヤ 株
式 会 社 （１） 明１１１書の「発明の詳細な説明」の欄（２）
図面の第２図（ｅ） （１） 明ｉ書第７頁第１４行〜第１５行に「残存レジ
スト部分９をプラズマ放電させて除去する。」とあるを
「残存レジスト部分８をプラズマ放電させて除去し、残
存レジスト部分９を形成する。」と訂正する。 （２） 図面の第２図（ｅ）を別紙の通り訂正する。 以上
ク夛示し、同図（ａ）は正面図及び同図（ｂ）は同図（
ａ）のＸ−Ｘ線上の要部拡大断面図である。第２図（ａ
）〜（ｆ）は本発明による実施例であるフォトマスク
のパターン修正方法を示す各工程の要部拡大断面図であ
る。 １・・・ガラス基板、２・・・金属ｉ！膜パターン、３
・・・白欠陥部分、４・・・ネガ型フォトレジスト、５
・・・レジスト露光部分、６・・・レジスト未露光部分
、８．８゛・・・現像後の残存レジスト部分、９・・・
プラズマ放電後の残存レジス上部分、１０・・・新たな
金ｊｌ薄膜、１１・・・剥離後の新たな金属ＷＩＭ ２、発明の名称 フォＩ−ンスクのパターン修正方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号・１６０
１’ＥＬ ０３（３４８）１２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年１月３１日） ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 明
Ｉｌｌ書の「図面の簡単な説明」の欄（３） 図面の第
２図 ６、補正の内容 （１） 明細書第８頁第１９に［同図（ｃ’）Ｊとある
を「同図（ｄ）」と訂正する。 （２） 明ＩＩＩ書第７頁第１１行に「同図（ｄ）」と
あるを「同図（ｅ）」と訂正する。 （３） 明細書第８頁第１９行〜第２０行に［同図（Ｃ
’）Ｊとあるを「同図（ｄ）」と訂正する。 （４） 明ＩＱ！第９頁第２行に「同図（ｅ）」とある
を「同図（ｆ）」と訂正する。 （５） 明Ｉｌｌ書第９頁第７行に「同図（ｆ）」とあ
るを「同図（Ｑ）」と訂正する。 （６） 明ｍ書第１０項第１２行に［第２図（ａ）〜（
ｆ）］とあるを［第２図（ａ）〜（Ｑ）」と訂正する。 （７） 図面の第２図を別紙の未配のとおり訂正する。 以上 手 続 補 正 書 （自発） 昭和５９年１１月２０日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許ｊＩｌｔ第１９５４２
４号２、発明の名称 フォトマスクのパターン修正方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ ７
ＥＬ ０３（９５２）１１５１名称 ボ − ヤ 株
式 会 社 （１） 明１１１書の「発明の詳細な説明」の欄（２）
図面の第２図（ｅ） （１） 明ｉ書第７頁第１４行〜第１５行に「残存レジ
スト部分９をプラズマ放電させて除去する。」とあるを
「残存レジスト部分８をプラズマ放電させて除去し、残
存レジスト部分９を形成する。」と訂正する。 （２） 図面の第２図（ｅ）を別紙の通り訂正する。 以上
Claims (1)
- （１） 遮光性の金属Ｓ膜パターンを形成した側のガラ
ス基板の一方の主面上にネガ型フォトレジストを被覆す
る工程と、前記ガラス基板の他方の主面側から前記金属
薄膜パターンを通して前記ネガ型フォトレジストを露光
りる工程と、前記ネガ型フォトレジストを現像して前記
金属薄膜パターン上における未露光部分を除去する工程
と、前記金属薄膜パターンに隣接する前記ネガ型フォト
レジストの部分をプラズマ放電により所定幅だけ除去す
る工程と、前記ネガ型フォトレジストの領域上と前記ネ
ガ型フォトレジストの除去部分上と前記金属ｉ１膜パタ
ーンの領域上とに新たな遮光性の金属薄膜を形成する工
程と、前記ネガ型フォトレジストの露光部分を剥離する
工程とを含むことを特徴とするフォトマスクのパターン
修正方法。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記金属１膜パ
ターンの領域内に白欠陥部分が存在し、前記ネガ型フォ
トレジストが露光・現像工程において前記白欠陥部分に
対して実質的に未露光になる解像度を有することを特徴
とするフォトマスクのパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195424A JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195424A JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086830A true JPS6086830A (ja) | 1985-05-16 |
| JPS6235667B2 JPS6235667B2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=16340840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195424A Granted JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950498A (en) * | 1986-02-24 | 1990-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Process for repairing pattern film |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195424A patent/JPS6086830A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950498A (en) * | 1986-02-24 | 1990-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Process for repairing pattern film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235667B2 (ja) | 1987-08-03 |
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