JPS607936A - 光化学的表面処理装置 - Google Patents
光化学的表面処理装置Info
- Publication number
- JPS607936A JPS607936A JP11410083A JP11410083A JPS607936A JP S607936 A JPS607936 A JP S607936A JP 11410083 A JP11410083 A JP 11410083A JP 11410083 A JP11410083 A JP 11410083A JP S607936 A JPS607936 A JP S607936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- radiation
- reaction chamber
- source
- wavelength
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定の気体を光化学反応により活性化し薄膜の
作成2食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理をするだめの光化学的表面処理装置の改良に関する
ものである。
作成2食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理をするだめの光化学的表面処理装置の改良に関する
ものである。
気体を光化学的反応により活性化し固体に前記したよう
な種々の表面処理をする方法は処理過程が低汎1.で可
能であること、荷電粒子の衝撃による損傷がないこと、
光化学的選択性により従来に無い処理が可能となること
2反応過程の選択および制御が容易であることなどから
近年急速な進展をみぜている。そして利用される光源と
して200〜4QQnmの近紫外光のみならず50〜2
00nmの遠紫外光も重要視されてきている。そして、
従来は第1図に示すような装置が使用されている。
な種々の表面処理をする方法は処理過程が低汎1.で可
能であること、荷電粒子の衝撃による損傷がないこと、
光化学的選択性により従来に無い処理が可能となること
2反応過程の選択および制御が容易であることなどから
近年急速な進展をみぜている。そして利用される光源と
して200〜4QQnmの近紫外光のみならず50〜2
00nmの遠紫外光も重要視されてきている。そして、
従来は第1図に示すような装置が使用されている。
第1図にて、2は光源、121ま光源支持台、3は光学
窓、6は反応気体導入系、7は反応室排気系、8は支持
台、9はその上に置かれた被処理物、10は反応室であ
る。
窓、6は反応気体導入系、7は反応室排気系、8は支持
台、9はその上に置かれた被処理物、10は反応室であ
る。
しかしながら、光源と反応室の光学窓との間に空気20
が存在するこの第1図の従来め装置では光源より発せら
れた遠紫外光を利用する事ができない。これは空気20
中の気体の中で特に酸素のシューマンールンゲ吸収帯は
195nm伺近から始まり175nrnより短波長側で
は強い連続吸収帯となっていて、しかも、この吸収帯に
イ↑l当する波長領域は前記反応イ、内にて所望の光化
学的反応を生せしめる場合において極めて、ifj 9
な領域であるためである。空気20の存在は光源の利用
効率を著しく低下ぜしめ大きな障害となる。また従来の
装置では空気20中の酸素が紫外線を吸収してオゾンを
発生ずるなどがあり異臭の発生2人体への悲影響が生じ
ている。
が存在するこの第1図の従来め装置では光源より発せら
れた遠紫外光を利用する事ができない。これは空気20
中の気体の中で特に酸素のシューマンールンゲ吸収帯は
195nm伺近から始まり175nrnより短波長側で
は強い連続吸収帯となっていて、しかも、この吸収帯に
イ↑l当する波長領域は前記反応イ、内にて所望の光化
学的反応を生せしめる場合において極めて、ifj 9
な領域であるためである。空気20の存在は光源の利用
効率を著しく低下ぜしめ大きな障害となる。また従来の
装置では空気20中の酸素が紫外線を吸収してオゾンを
発生ずるなどがあり異臭の発生2人体への悲影響が生じ
ている。
このような従来装置を改良ぜんとして光源を反応基に直
接導入した場合には2反応気体に光源か直接接触するこ
とになり、そのため光源自身の劣化が急速に進行するな
どの欠点がある。
接導入した場合には2反応気体に光源か直接接触するこ
とになり、そのため光源自身の劣化が急速に進行するな
どの欠点がある。
本発明はこれらの欠点を除去することを目的とし、光源
2と反応室光学窓3との間の光路を真空とするかあるい
は放射線の吸収のない気体で構成することにより光源か
ら発せられた放射線を能率良く反応室に投入する新規の
装置を提供するものである。
2と反応室光学窓3との間の光路を真空とするかあるい
は放射線の吸収のない気体で構成することにより光源か
ら発せられた放射線を能率良く反応室に投入する新規の
装置を提供するものである。
第2図は本発明の一実施例を示すための模式ない気体を
充填する気密室であり気密室排気系4および気体導入系
5が接続さイtている。
充填する気密室であり気密室排気系4および気体導入系
5が接続さイtている。
光源2としては所望の波長領域を発光するランプあるい
はレーザーが用いられる。光学窓3としては紫外光を透
過する石英9合成石英あるいはフッ化リチウム等の光学
材が用いられる。
はレーザーが用いられる。光学窓3としては紫外光を透
過する石英9合成石英あるいはフッ化リチウム等の光学
材が用いられる。
10は反応室であり気密室1とは相互に気密状態となっ
ている。反応室10には気体導入系6と反応室排気系7
が接続されており所望の反応気体が所望の圧力および流
量、で反応室10に導入される。反応室10内には支持
台8上に被処理物9か設置され、必安な場合には加熱あ
るいLl/>却宿の1」的に応じて支持台8に温度t1
.“4節槻r!f:をもたぜる。反応気体および放射線
の波長を選択することにより被処理物9の表面に薄膜の
刀や成2食刻、清浄化あるいは表向改質など所望の表面
処理を行なうことができる。
ている。反応室10には気体導入系6と反応室排気系7
が接続されており所望の反応気体が所望の圧力および流
量、で反応室10に導入される。反応室10内には支持
台8上に被処理物9か設置され、必安な場合には加熱あ
るいLl/>却宿の1」的に応じて支持台8に温度t1
.“4節槻r!f:をもたぜる。反応気体および放射線
の波長を選択することにより被処理物9の表面に薄膜の
刀や成2食刻、清浄化あるいは表向改質など所望の表面
処理を行なうことができる。
以上1、)1.明したように本発明による装置によれは
一3’(Sυ・ルからの放射線を途中の光路で損失する
ことなく反応3≦へ々導入することができるため放芽1
生1.Lども防止でき、その結果異臭の光学あるいは人
体への;J、’+影智などの弊害も除去できるAす点も
あく)。」二菓上極めてイj益な6明ということかでき
る。
一3’(Sυ・ルからの放射線を途中の光路で損失する
ことなく反応3≦へ々導入することができるため放芽1
生1.Lども防止でき、その結果異臭の光学あるいは人
体への;J、’+影智などの弊害も除去できるAす点も
あく)。」二菓上極めてイj益な6明ということかでき
る。
i1:i’、 1図は従来の装置6を示す栓弐図である
。 g%2図は本発明による装置δの一実施例を示す模式図
である。 l・・・気密室、2・・・光 源、3・・・光学窓。 4・・・気密室排気系、5・・・気体導入系、6・・・
反応気体導入糸、7・・・反応室排気糸、8・・・支持
台。 9・・・被処理物、10・・・反応室 !Fケ許11日1j人 日電アネルバ株式会社1□
。 g%2図は本発明による装置δの一実施例を示す模式図
である。 l・・・気密室、2・・・光 源、3・・・光学窓。 4・・・気密室排気系、5・・・気体導入系、6・・・
反応気体導入糸、7・・・反応室排気糸、8・・・支持
台。 9・・・被処理物、10・・・反応室 !Fケ許11日1j人 日電アネルバ株式会社1□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の気体を光化学的に活性化[7基板表面に所定の処
理をする装置であって a、>il定された波長及び/又は波長帯の放射線を透
過するための光学窓を有し気密に保つことができる反応
室。 b、前記反応室に気体を導入する導入系及び気体の排気
系。 C0選定された波長及び/又は波長帯の放射線を放出す
る光源と必要ならば波長を79定するための手段。 cl、前記光源と前記反応室との間に設けられて、真壁
とするか又は選定した気体を充填する気密室。 ゛ からなることを特徴とする光化学的表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11410083A JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11410083A JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607936A true JPS607936A (ja) | 1985-01-16 |
JPH057064B2 JPH057064B2 (ja) | 1993-01-28 |
Family
ID=14629111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11410083A Granted JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607936A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60212226A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ushio Inc | 紫外線処理方法 |
JPS61271819A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH03259932A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高分子成形品のエッチング加工方法 |
JPH0431423U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-13 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08270994A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-10-18 | Akira Kono | 風の船 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4737008U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-23 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11410083A patent/JPS607936A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4737008U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-23 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60212226A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ushio Inc | 紫外線処理方法 |
JPS61271819A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH0548616B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1993-07-22 | Handotai Energy Kenkyusho | |
JPH03259932A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高分子成形品のエッチング加工方法 |
JPH0431423U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-13 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH057064B2 (ja) | 1993-01-28 |
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