JPS6074928A - 半導体スイツチの保護回路 - Google Patents
半導体スイツチの保護回路Info
- Publication number
- JPS6074928A JPS6074928A JP58181859A JP18185983A JPS6074928A JP S6074928 A JPS6074928 A JP S6074928A JP 58181859 A JP58181859 A JP 58181859A JP 18185983 A JP18185983 A JP 18185983A JP S6074928 A JPS6074928 A JP S6074928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- parallel
- switch
- semiconductor switch
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体スイッチ例えは変圧器の夕・ノブ切替
器に使用される逆並列４１□イリスタスイ・ノチの保護
回路に関する。
器に使用される逆並列４１□イリスタスイ・ノチの保護
回路に関する。
し従来技術〕
第１図は夕５・ブ切換器の半導体スイッチに設けられた
保護回路の従来例を示したもので、１しコ゛タップ切換
変圧器であって、切換タップＩＡ、Ｉ Ｂを有し７てい
る。２Ａ、２Ｂはタップ切換器の開閉素子である逆並列
サイリスクスイッチであって、切換タップＩＡ、ＩＢに
接続されており、サイリスタ５ＣＲＩ、５ＣＲ２を逆並
列接続してなる。
保護回路の従来例を示したもので、１しコ゛タップ切換
変圧器であって、切換タップＩＡ、Ｉ Ｂを有し７てい
る。２Ａ、２Ｂはタップ切換器の開閉素子である逆並列
サイリスクスイッチであって、切換タップＩＡ、ＩＢに
接続されており、サイリスタ５ＣＲＩ、５ＣＲ２を逆並
列接続してなる。
３Ａ、３Ｂは制限電圧Ｖａの電圧抑制素子（避雷器）で
あって、それぞれ逆並列サイリスタスイッチ２Ａ、２Ｂ
に並列に接続されており、逆並列サイリスタスイッチ２
Ａ、２Ｂのアノード−カソード間に加わる過電圧を制限
電圧Ｖａ以下に抑制して血・１圧破壊を防く。４Ａ、４
Ｂは逆並列サイリスタスイッチ２人、２Ｂを過電流から
保護する為の電流遮断素子（保護ヒユーズ）であって、
それぞれ逆並列サイリスタスイッチ２人、２Ｂの負荷５
側に直列接続されている。 この構成においで、今、逆
並列サイリスタスイッチ２人がオンされて切換タップＩ
Ａがｉｆｆ択されているものとする。この状態で、逆並
列サイリスタスイソ（−２Ｂが誤点弧されると、切換タ
ップＩ Ａ、 −］、 Ｂ間が短絡し、タップ間電圧Ｖ
ｓにより定まる大きさの短絡電流が切換タップＩへ−逆
並列すイリスクスイソチ２Ａ−保護ヒユーズ４Ａ−保護
ヒユーズ４Ｂ−逆並列ザイリスタスイノチ２Ｂ−切換タ
ツブ４Ｂを通してながれ、保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂが溶
断する。かくして、上記短絡電流は遮断されるが、該電
流遮断後に、溶断した保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間
に回路電圧Ｖｐ （＞Ｖａ＞Ｖｓ）とほぼ同じ大きさ回
復電圧が加わる。この為、上記径の保護回路では、保護
ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間絶縁耐力を１−記回路電圧
以上とする必要があり、その絶縁距離を回路電圧に対し
てとるため、保護ヒユーズは、その定格電圧が上記回路
電圧相当となり、大形で高価なものになると云う欠点が
あった。
あって、それぞれ逆並列サイリスタスイッチ２Ａ、２Ｂ
に並列に接続されており、逆並列サイリスタスイッチ２
Ａ、２Ｂのアノード−カソード間に加わる過電圧を制限
電圧Ｖａ以下に抑制して血・１圧破壊を防く。４Ａ、４
Ｂは逆並列サイリスタスイッチ２人、２Ｂを過電流から
保護する為の電流遮断素子（保護ヒユーズ）であって、
それぞれ逆並列サイリスタスイッチ２人、２Ｂの負荷５
側に直列接続されている。 この構成においで、今、逆
並列サイリスタスイッチ２人がオンされて切換タップＩ
Ａがｉｆｆ択されているものとする。この状態で、逆並
列サイリスタスイソ（−２Ｂが誤点弧されると、切換タ
ップＩ Ａ、 −］、 Ｂ間が短絡し、タップ間電圧Ｖ
ｓにより定まる大きさの短絡電流が切換タップＩへ−逆
並列すイリスクスイソチ２Ａ−保護ヒユーズ４Ａ−保護
ヒユーズ４Ｂ−逆並列ザイリスタスイノチ２Ｂ−切換タ
ツブ４Ｂを通してながれ、保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂが溶
断する。かくして、上記短絡電流は遮断されるが、該電
流遮断後に、溶断した保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間
に回路電圧Ｖｐ （＞Ｖａ＞Ｖｓ）とほぼ同じ大きさ回
復電圧が加わる。この為、上記径の保護回路では、保護
ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間絶縁耐力を１−記回路電圧
以上とする必要があり、その絶縁距離を回路電圧に対し
てとるため、保護ヒユーズは、その定格電圧が上記回路
電圧相当となり、大形で高価なものになると云う欠点が
あった。
この発明は上記した従来の欠点を除去する為になされた
もので、半導体スイッチとこれを過電流保護する電流遮
断素子との直列回路に対して並列に電圧抑制素子を接続
する構成とすることによって、上記電流遮断素子の電圧
定格を大１］に゛低減し、小型化とコス１へ低減を行う
ことができる半導体スイッチの保護回路を提案するもの
である。
もので、半導体スイッチとこれを過電流保護する電流遮
断素子との直列回路に対して並列に電圧抑制素子を接続
する構成とすることによって、上記電流遮断素子の電圧
定格を大１］に゛低減し、小型化とコス１へ低減を行う
ことができる半導体スイッチの保護回路を提案するもの
である。
第２図はこの発明の一実施例の回路図であって、電圧抑
制素子３Ａが逆並列サイリスクスイッチＩＡと保護ヒユ
ーズ４Ａとの直列回路に対して並列に接続され、電圧抑
制素子３Ｂが逆並列サイリスタスイッチＩＢと保護ヒユ
ーズ４Ｂとの直列回路に対して並列に接続されている点
を除いては第１図のものと同じである。
制素子３Ａが逆並列サイリスクスイッチＩＡと保護ヒユ
ーズ４Ａとの直列回路に対して並列に接続され、電圧抑
制素子３Ｂが逆並列サイリスタスイッチＩＢと保護ヒユ
ーズ４Ｂとの直列回路に対して並列に接続されている点
を除いては第１図のものと同じである。
この構成において、前記したタップ間短絡部ち逆並列サ
イリスクスイッチＩＡの導通中に逆並列サイリスクスイ
ッチＩＢが誤点弧する事態が発生すると、短絡電流によ
って保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂが溶断し、両逆並列サイリ
スクスイッチＩＡ−ＩＢか過電流保護される。短絡電流
が遮断されると保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間に前記
した回復電圧が現れるが、この電圧のレベルがほぼ電圧
抑制素子３Ａ、３Ｂの制限電圧Ｖａに達するとこれら電
圧抑制素子３Ａ、３Ｂが動作するので、保護ヒユーズ４
Ａの端子間に加わる電圧は、制限電圧Ｖａミーサイリス
クスイッチＡの電圧降下−制限電圧Ｖａに抑制される。
イリスクスイッチＩＡの導通中に逆並列サイリスクスイ
ッチＩＢが誤点弧する事態が発生すると、短絡電流によ
って保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂが溶断し、両逆並列サイリ
スクスイッチＩＡ−ＩＢか過電流保護される。短絡電流
が遮断されると保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの端子間に前記
した回復電圧が現れるが、この電圧のレベルがほぼ電圧
抑制素子３Ａ、３Ｂの制限電圧Ｖａに達するとこれら電
圧抑制素子３Ａ、３Ｂが動作するので、保護ヒユーズ４
Ａの端子間に加わる電圧は、制限電圧Ｖａミーサイリス
クスイッチＡの電圧降下−制限電圧Ｖａに抑制される。
保護ヒＪ、−ズ４Ｂについても同様である。従って、保
護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの定格電圧は回路電圧Ｖｐでなく
これよりはるかに低い制限電圧Ｖａに基いて定められる
。
護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの定格電圧は回路電圧Ｖｐでなく
これよりはるかに低い制限電圧Ｖａに基いて定められる
。
逆並タリサイリスクスイソチＩＡ、ＩＢの過電圧保護に
ついては、保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの電圧降下は零であ
るから、電圧抑制素子３Ａ、３Ｂによって従来と同様に
行われる。
ついては、保護ヒユーズ４Ａ、４Ｂの電圧降下は零であ
るから、電圧抑制素子３Ａ、３Ｂによって従来と同様に
行われる。
上記はタップ切換器に組込まれた半導体スイ・ノチの場
合について説明したが、この発明は電力を制御する回路
や機器装置の構成要素となる半導体スイッチに実施して
同様の効果を得ることができる。
合について説明したが、この発明は電力を制御する回路
や機器装置の構成要素となる半導体スイッチに実施して
同様の効果を得ることができる。
また、半導体スイッチは逆並列サイリスクスイッチに限
定されるものではない。
定されるものではない。
この発明は以−１−説明したとおり、半導体スイッチと
その保護ヒユーズとの直列回路に対して電圧抑制素子を
並列に設ける構成としたことにより、上記保護ヒユーズ
の電圧定格を上記電圧抑制素子の制限電圧レベルに低減
することができるので、小型化とコスト低減を行うこと
ができる効果がある。
その保護ヒユーズとの直列回路に対して電圧抑制素子を
並列に設ける構成としたことにより、上記保護ヒユーズ
の電圧定格を上記電圧抑制素子の制限電圧レベルに低減
することができるので、小型化とコスト低減を行うこと
ができる効果がある。
第１図はタップ切換器の半導体スイッチに設けられた保
護回路の従来例を示す回路図、第２図はこの発明の実施
例を示す回路図である。 図において、２Ａ、２Ｂ−逆並列サイリスクスイッチ、
３Ａ、３Ｂ−電圧抑制素子、４Ａ、４Ｂ−保護ヒユーズ
。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第 １ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ３ 補正をする者 名 称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ”１ ３９８ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 ｆｉｌ明細書の第４頁第６行〜第７行の［逆並列ザイリ
スタスイノチＩＡＪを［逆並列サイリスクスイッチ２Ａ
Ｊと訂正する。 （２）同第４頁第８行〜第９行及び第１３行〜第１４行
の「逆並列力イリスタスイノチＩＢ」をそれぞれ［逆並
列ザイリスタスイノチ２ＢＪと訂正する。 （３）同第４夏第１３行の「逆並列サインリスクスイッ
チＩＡＪを［逆並列サイリスタスイチ２ｒ３１と訂正す
る。 （４）同第４頁第１６行〜第１７行及び第５頁第８行の
「逆並列サイリスクスイッチＩＡ、］、ＢＪをそれぞれ
「逆並列ザイリスタスイソチ２八、２ＢＪと訂正する。 （５）同第５頁第２行〜第４行の「制限電圧Ｖａ−ザイ
リスタスイノチＩＡの電圧降下−制限電圧Ｖａに抑制さ
れる。」を［サイリスタスイッチ２Ａの電圧降下が制限
電圧Ｖａに比べ非常に小さいので）１−視して考えると
、制限電圧Ｖａの大きさに抑制される。」と訂正する。
護回路の従来例を示す回路図、第２図はこの発明の実施
例を示す回路図である。 図において、２Ａ、２Ｂ−逆並列サイリスクスイッチ、
３Ａ、３Ｂ−電圧抑制素子、４Ａ、４Ｂ−保護ヒユーズ
。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第 １ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ３ 補正をする者 名 称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ”１ ３９８ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 ｆｉｌ明細書の第４頁第６行〜第７行の［逆並列ザイリ
スタスイノチＩＡＪを［逆並列サイリスクスイッチ２Ａ
Ｊと訂正する。 （２）同第４頁第８行〜第９行及び第１３行〜第１４行
の「逆並列力イリスタスイノチＩＢ」をそれぞれ［逆並
列ザイリスタスイノチ２ＢＪと訂正する。 （３）同第４夏第１３行の「逆並列サインリスクスイッ
チＩＡＪを［逆並列サイリスタスイチ２ｒ３１と訂正す
る。 （４）同第４頁第１６行〜第１７行及び第５頁第８行の
「逆並列サイリスクスイッチＩＡ、］、ＢＪをそれぞれ
「逆並列ザイリスタスイソチ２八、２ＢＪと訂正する。 （５）同第５頁第２行〜第４行の「制限電圧Ｖａ−ザイ
リスタスイノチＩＡの電圧降下−制限電圧Ｖａに抑制さ
れる。」を［サイリスタスイッチ２Ａの電圧降下が制限
電圧Ｖａに比べ非常に小さいので）１−視して考えると
、制限電圧Ｖａの大きさに抑制される。」と訂正する。
Claims (1)
- （１）過電圧保護の為の電圧抑制素子と過電流保護の為
の電流遮断素子を具える半導体スイッチの保護回路にお
いて、半導体スイッチと上記電流遮断素子との直列回路
に対して並列にＬ記電圧抑制素子が接続されていること
を特徴とする半導体スイッチの保護回１洛。 （２］半導体スイッチが、タップ切換器の夕・ノブ開閉
素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の４２導体スイッチの保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181859A JPS6074928A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体スイツチの保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181859A JPS6074928A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体スイツチの保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074928A true JPS6074928A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH04411B2 JPH04411B2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=16108079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181859A Granted JPS6074928A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体スイツチの保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3316070A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-02 | ABB Schweiz AG | Power electronic tap changer module for transformer |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58181859A patent/JPS6074928A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3316070A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-02 | ABB Schweiz AG | Power electronic tap changer module for transformer |
| WO2018077460A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | Abb Schweiz Ag | Power electronic tap changer module for transformer |
| CN110088707A (zh) * | 2016-10-27 | 2019-08-02 | Abb瑞士股份有限公司 | 用于变压器的功率电子抽头转换开关模块 |
| US10861642B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-12-08 | Abb Schweiz Ag | Power electronic tap changer module for transformer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04411B2 (ja) | 1992-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0165347A1 (en) | Protection circuit for a power distribution system | |
| US5854730A (en) | Transient and voltage surge protection system and method for preventing damage to electrical equipment | |
| US6930871B2 (en) | Lightning arrester device for low-voltage network | |
| US4544983A (en) | Overvoltage protection device | |
| US5157572A (en) | Apparatus suitable for use in protecting electrical installations from transients | |
| WO2011070235A1 (en) | Electronic protection circuit and protection device | |
| EP0050966B1 (en) | Protection circuit for a power distribution system | |
| JPH0279722A (ja) | 過電圧保護回路 | |
| EP0123126A1 (en) | Overvoltage protection device | |
| JPS6074928A (ja) | 半導体スイツチの保護回路 | |
| JP2007209138A (ja) | サージ吸収回路 | |
| GB2038095A (en) | Capacitor protective system | |
| JP3317386B2 (ja) | 電源用ｃｔの二次電圧抑制回路 | |
| JP2020162341A (ja) | 分離器内蔵ｓｐｄ | |
| JP3757030B2 (ja) | サージ電圧抑制回路 | |
| JPH0831690A (ja) | 直流フィルタコンデンサを有する電力変換装置 | |
| JPH0239183B2 (ja) | Sairisutabarubu | |
| JP3374952B2 (ja) | 直列形インバータ回路の保護方法 | |
| JPS596112Y2 (ja) | フュ−ズ回路 | |
| JP2005285717A (ja) | 回路保護装置 | |
| JP3045166B1 (ja) | 限流装置 | |
| CN116488122A (zh) | 一种适用于可关断换流器的mov | |
| JPH05284732A (ja) | 耐サージ用電源回路 | |
| JP2653639B2 (ja) | 超電導マグネットシステム | |
| WO2004030175A1 (en) | Voltage protection |