JPS6074657A - 樹脂封止型半導体装置のリ−ド整形装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリ−ド整形装置Info
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- JPS6074657A JPS6074657A JP18200783A JP18200783A JPS6074657A JP S6074657 A JPS6074657 A JP S6074657A JP 18200783 A JP18200783 A JP 18200783A JP 18200783 A JP18200783 A JP 18200783A JP S6074657 A JPS6074657 A JP S6074657A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- QLMXVPKQTUZUIB-WXRBLWNSSA-N eup-1 Chemical compound CC(=O)O[C@H]1C(=C)[C@H](OC(=O)C(C)C)[C@@H](OC(C)=O)[C@@H](OC(C)=O)C(C)(C)[C@@H]2O[C@H]2[C@@H](C)C(=O)[C@@]2(OC(C)=O)C[C@@](C)(OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H]21 QLMXVPKQTUZUIB-WXRBLWNSSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆｌ１発明の技術分野
本発明はリード整形曲げ型、詳しくは樹脂封止型半導体
装置のモールド硬化過程で住じる反りに相当する曲面を
もたせたリード竪形曲げ型に関する。
装置のモールド硬化過程で住じる反りに相当する曲面を
もたせたリード竪形曲げ型に関する。
（２）技術の背景 ・
第１図ｆｂ）の斜視図に示される樹脂封止型半導体装置
は公知で多用されている製品で、同図において、１は樹
脂封止型半導体装置、２はプラスチン（１） クモールド（以下モールドという）、３はリードを示し
、それは同図（ａｌに示される形態のものをリード整形
曲げ型内に入れ、最初は横方向に真直ぐに延びていたり
一部３を曲げることによって作られる。モールド内には
半導体回路素子が内蔵され、リード３は、樹脂封止型半
導体装置１が第１図（Ｃ１に示される如く印刷回路基板
４へ実装されたとき、回路素子を基板４の回路へ接続す
るものである。
は公知で多用されている製品で、同図において、１は樹
脂封止型半導体装置、２はプラスチン（１） クモールド（以下モールドという）、３はリードを示し
、それは同図（ａｌに示される形態のものをリード整形
曲げ型内に入れ、最初は横方向に真直ぐに延びていたり
一部３を曲げることによって作られる。モールド内には
半導体回路素子が内蔵され、リード３は、樹脂封止型半
導体装置１が第１図（Ｃ１に示される如く印刷回路基板
４へ実装されたとき、回路素子を基板４の回路へ接続す
るものである。
リード３の曲げは第２図に示す如くになされる。
なお第２図以下において、既に図示した部分と同じ部分
は同一符号を付して表示する。先ず樹脂封止型半導体装
置１を曲げ型の下型上に配置し、リード３を曲げ型の上
型と下型の押え部材１２ａと１２ｂで保持しく同図１ａ
ｄ）、次いで曲げ部材１３が下降してリード３を曲げる
（同図（ｂ））。この上型１１ａと下型１１ｂとを総称
してリード整形曲げ型という。
は同一符号を付して表示する。先ず樹脂封止型半導体装
置１を曲げ型の下型上に配置し、リード３を曲げ型の上
型と下型の押え部材１２ａと１２ｂで保持しく同図１ａ
ｄ）、次いで曲げ部材１３が下降してリード３を曲げる
（同図（ｂ））。この上型１１ａと下型１１ｂとを総称
してリード整形曲げ型という。
（３）従来技術と問題点
第１図に示される樹脂封止型半導体装置１は、半導体素
子回路をリード３を具備したリードフレームに固着し、
リードフレームをモールド型に配（２） 置し、プラスチックを導入し硬化させることによってモ
ールド２を整形することによって作られる。
子回路をリード３を具備したリードフレームに固着し、
リードフレームをモールド型に配（２） 置し、プラスチックを導入し硬化させることによってモ
ールド２を整形することによって作られる。
このプラスチックの硬化のときにモールドの長手方向に
第３図に誇張的に示される如く反り、この反りは現在の
モールド整形においては不可避の現象である。
第３図に誇張的に示される如く反り、この反りは現在の
モールド整形においては不可避の現象である。
リード整形曲げ型を用いるリード曲げにおいて、モール
ドの中央部分の反りのない部分のリードは、第２図に示
した如くに曲げられる。しかし、モールドの反った部分
のリードについては問題がある。
ドの中央部分の反りのない部分のリードは、第２図に示
した如くに曲げられる。しかし、モールドの反った部分
のリードについては問題がある。
モールドが反っていたとすると、上型と下型の押え部材
１２ａと１２ｂでリード３を保持し曲げ部材で曲げ終っ
たときの状態は第４図（ａｌに示される如くになり、反
りｄがあるためにリード３の曲げられた状態は第２図中
）に示されるのとは異なり、反りｄに対応する長さだけ
モールドから離れた位置で曲げられる。リード３が自由
になってはね戻ったときの状態は第４回出）に示される
が、曲げが終った後にモールドを側面から見ると第４図
（Ｑ）に模式的に示す如くになり、モールドの長手方向
の端部（３） 分のリードの先端は、モールドの中央部分のリードの先
端より ｄ′で示すずれがあり、リードの高さが均一で
なくなる（第７図参照）。このずれｄ′は１０−２ｍｍ
のオーダーのものであるが、このずれによるはね戻り（
ａｐｒｉｎｇ ｂａｃｋ ）で第４図ｆａｌに矢印Ａで
示すリードの部分に無理がかかる。また、邑１図ｆｃ）
に示す樹脂封止型半導体装置の実装において、リード３
を印刷回路板４に半田付けする場合に半田付けにバラツ
キがあるというような問題がある。
１２ａと１２ｂでリード３を保持し曲げ部材で曲げ終っ
たときの状態は第４図（ａｌに示される如くになり、反
りｄがあるためにリード３の曲げられた状態は第２図中
）に示されるのとは異なり、反りｄに対応する長さだけ
モールドから離れた位置で曲げられる。リード３が自由
になってはね戻ったときの状態は第４回出）に示される
が、曲げが終った後にモールドを側面から見ると第４図
（Ｑ）に模式的に示す如くになり、モールドの長手方向
の端部（３） 分のリードの先端は、モールドの中央部分のリードの先
端より ｄ′で示すずれがあり、リードの高さが均一で
なくなる（第７図参照）。このずれｄ′は１０−２ｍｍ
のオーダーのものであるが、このずれによるはね戻り（
ａｐｒｉｎｇ ｂａｃｋ ）で第４図ｆａｌに矢印Ａで
示すリードの部分に無理がかかる。また、邑１図ｆｃ）
に示す樹脂封止型半導体装置の実装において、リード３
を印刷回路板４に半田付けする場合に半田付けにバラツ
キがあるというような問題がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、樹脂封止型半導体装置
のリード整形曲げにおいて、樹脂封止型半導体装置のモ
ールドの長手方向の反りがあったとしても、曲げ寸法が
均一になり、リードの高さにバラツキのない樹脂封止型
半導体装置を提供しうるリード整形曲げ型を提供するこ
とを目的とする。
のリード整形曲げにおいて、樹脂封止型半導体装置のモ
ールドの長手方向の反りがあったとしても、曲げ寸法が
均一になり、リードの高さにバラツキのない樹脂封止型
半導体装置を提供しうるリード整形曲げ型を提供するこ
とを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、樹脂封止型（４）
半導体装置のリード整形曲げ型の上型と下型の押え部材
の長手方向のそれぞれの形状を、前記樹脂封止型半導体
装置のモールドの長手方向の反り曲率に相当する曲率を
もった凸状および凹状に形成してなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置のリード整形曲げ型を提供するこ
とによって達成される。
の長手方向のそれぞれの形状を、前記樹脂封止型半導体
装置のモールドの長手方向の反り曲率に相当する曲率を
もった凸状および凹状に形成してなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置のリード整形曲げ型を提供するこ
とによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
本願発明者らの観察によると、前記した如く樹脂封止型
半導体装置のモールドの長手方向の反りは不可避である
が、その反りは各種の樹脂封止型半導体装置毎に一定で
あることが確認された。そこで上型と下型をこの反りを
補償する如くに作成することを考えた。
半導体装置のモールドの長手方向の反りは不可避である
が、その反りは各種の樹脂封止型半導体装置毎に一定で
あることが確認された。そこで上型と下型をこの反りを
補償する如くに作成することを考えた。
本発明の原理は第５図に模式的に示され、モールドの反
りが曲率Ｒのものであれば、上型１１ａと下型１１ｂの
押え部材１２ａ、 １２ｂにＲ付けをなす、すなわち従
来の如く真直ぐな点線で示す形状をとる代りにＲの曲率
をもたせて形成する。
りが曲率Ｒのものであれば、上型１１ａと下型１１ｂの
押え部材１２ａ、 １２ｂにＲ付けをなす、すなわち従
来の如く真直ぐな点線で示す形状をとる代りにＲの曲率
をもたせて形成する。
（５）
従って本発明実施例においては、第６図（ａｌの一部切
欠した斜視図に示される如くに曲げ型を形成し、上型１
１ａの押え部材１２ａは曲率Ｒをもった凸状に、また下
型１１ｂの押え部材１２ｂは曲率Ｒをもった凹状に形成
する。
欠した斜視図に示される如くに曲げ型を形成し、上型１
１ａの押え部材１２ａは曲率Ｒをもった凸状に、また下
型１１ｂの押え部材１２ｂは曲率Ｒをもった凹状に形成
する。
かかる曲げ型の中心部分での断面図は同図ｆｂ）に樹脂
封止型半導体装置１と共に示され、この曲げ型は押え部
材１２ａ、 １２ｂが樹脂封止型半導体部材のモールド
２の硬化度りに相当する曲率Ｒが付けられている点が従
来例と異なる。
封止型半導体装置１と共に示され、この曲げ型は押え部
材１２ａ、 １２ｂが樹脂封止型半導体部材のモールド
２の硬化度りに相当する曲率Ｒが付けられている点が従
来例と異なる。
第６図（Ｑｌを参照すると、本発明の実施例において、
押え部材の曲率をもった部分の長手方向長さしは１２．
７Ｏｎ＋＋ｎ ｚまた押え部材の平坦部と凸部の先端（
または凹部の底）との間の間隔りは０．０２０ｍｍに設
定し、第７図に示すリード３の高さＨを均一にすること
ができた。
押え部材の曲率をもった部分の長手方向長さしは１２．
７Ｏｎ＋＋ｎ ｚまた押え部材の平坦部と凸部の先端（
または凹部の底）との間の間隔りは０．０２０ｍｍに設
定し、第７図に示すリード３の高さＨを均一にすること
ができた。
前記した如くに、Ｒはそれぞれの種類の樹脂封止型半導
体装置について前辺って測定しておき、各樹脂封止型半
導体装置のためのリード整形曲げ型を用意するときに曲
げ型の上型、下型の押え部（６） 材をＲの曲率を付けて相補的に、すなわち一方は凸状に
また他方は凹状に形成する。
体装置について前辺って測定しておき、各樹脂封止型半
導体装置のためのリード整形曲げ型を用意するときに曲
げ型の上型、下型の押え部（６） 材をＲの曲率を付けて相補的に、すなわち一方は凸状に
また他方は凹状に形成する。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、リード整形曲
げ型の上型、下型の曲げ部材に、整形すべき樹脂封止型
半導体装置のモールドの反り曲率Ｒに相当する曲率Ｒを
付けることによって、リード曲げ精度が向上し曲げた後
のリードの高さが均一化すので、樹脂封止型半導体装置
のプリント基板等への実装が精度良くなされる効果があ
る。
げ型の上型、下型の曲げ部材に、整形すべき樹脂封止型
半導体装置のモールドの反り曲率Ｒに相当する曲率Ｒを
付けることによって、リード曲げ精度が向上し曲げた後
のリードの高さが均一化すので、樹脂封止型半導体装置
のプリント基板等への実装が精度良くなされる効果があ
る。
第１図（ａｌと（ｂ）は樹脂封止型半導体装置のリード
曲げを示す斜視図、同図（Ｃ１は樹脂封止型半導体装置
の実装を示す側面図、第２図（ａ）と（ｂｌは樹脂封止
型半導体装置のリード曲げの工程を示す断面図、第３図
は樹脂封止型半導体装置のモールドの反りを示す側面図
、第４図ｆａ）とｆｂ）はモールドの反った部分のリー
ドの曲げを示す断面図、同図（Ｃ）は反りのあるモール
ドのリードを示す側面図、第５図は本発明の詳細な説明
するためのリード整形曲げ型（７） の側面図、第６図（ａｌは本発明実施例の開いた状態の
斜視図、同図（ｂｌは同図（ａ）の型の中心部の断面図
、同図（Ｃ１は同図（ａｌの型の側断面図、第７図は樹
脂封止型半導体装置のリードの高さを示す正面図である
。 １−樹脂封止型半導体装置、２−モールド、３−リード
、１ｌａ−上型、Ｈｂ−下ｙｌ、１２ａ−・−上型の押
え部材、１２ｂ−・・下型の押え部材、１３−曲げ部材 （８） 第１図 第２図 第３図 第４図 １１４図 １．。°・〉１．。°゛°・。 １３′７４に入乙メ１２−ギＬ彦ぞル「、。 第６図 （ｃ） ￥Ｓ ７図
曲げを示す斜視図、同図（Ｃ１は樹脂封止型半導体装置
の実装を示す側面図、第２図（ａ）と（ｂｌは樹脂封止
型半導体装置のリード曲げの工程を示す断面図、第３図
は樹脂封止型半導体装置のモールドの反りを示す側面図
、第４図ｆａ）とｆｂ）はモールドの反った部分のリー
ドの曲げを示す断面図、同図（Ｃ）は反りのあるモール
ドのリードを示す側面図、第５図は本発明の詳細な説明
するためのリード整形曲げ型（７） の側面図、第６図（ａｌは本発明実施例の開いた状態の
斜視図、同図（ｂｌは同図（ａ）の型の中心部の断面図
、同図（Ｃ１は同図（ａｌの型の側断面図、第７図は樹
脂封止型半導体装置のリードの高さを示す正面図である
。 １−樹脂封止型半導体装置、２−モールド、３−リード
、１ｌａ−上型、Ｈｂ−下ｙｌ、１２ａ−・−上型の押
え部材、１２ｂ−・・下型の押え部材、１３−曲げ部材 （８） 第１図 第２図 第３図 第４図 １１４図 １．。°・〉１．。°゛°・。 １３′７４に入乙メ１２−ギＬ彦ぞル「、。 第６図 （ｃ） ￥Ｓ ７図
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置のリード整形曲げ型の上型と下型
の押え部材の長手方向のそれぞれの形状を、前記樹脂封
止型半導体装置のモールドの長手方向の反り曲率に相当
する曲率をもった凸状および凹状に形成してなることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置のリード整形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18200783A JPS6074657A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 樹脂封止型半導体装置のリ−ド整形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18200783A JPS6074657A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 樹脂封止型半導体装置のリ−ド整形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074657A true JPS6074657A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16110690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18200783A Pending JPS6074657A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 樹脂封止型半導体装置のリ−ド整形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210855A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0666036U (ja) * | 1991-03-19 | 1994-09-16 | 山形日本電気株式会社 | リード成形金型 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18200783A patent/JPS6074657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210855A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0666036U (ja) * | 1991-03-19 | 1994-09-16 | 山形日本電気株式会社 | リード成形金型 |
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