JPS6073892A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

Info

Publication number
JPS6073892A
JPS6073892A JP58183455A JP18345583A JPS6073892A JP S6073892 A JPS6073892 A JP S6073892A JP 58183455 A JP58183455 A JP 58183455A JP 18345583 A JP18345583 A JP 18345583A JP S6073892 A JPS6073892 A JP S6073892A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
optical recording
recording medium
dye
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58183455A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0441070B2 (ja
Inventor
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Shigeru Asami
浅見 茂
Toshiki Aoi
利樹 青井
Kazuo Takahashi
一夫 高橋
Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP58183455A priority Critical patent/JPS6073892A/ja
Publication of JPS6073892A publication Critical patent/JPS6073892A/ja
Publication of JPH0441070B2 publication Critical patent/JPH0441070B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/249Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。
先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込み々いし読み出しヘラPが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
このような光記録媒体のうち、暗至による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その1例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される***を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して6
ノcみ出しを行うピット形成タイプのものがある。
このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち装置
を小型化できる半導体レーザーを光源とするものは、こ
れまで、Teを主体とする月料を記録層とするものが大
半をしめている。
しかし、近年、Te系材料が有害であること、そしてよ
シ高感度化する必要があること、よシ製造コストを安価
にする必要があることがら、Te系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している。
例えば、 He−Neレーザー用としては、スクワリリ
ウム色素〔特開昭56−46221号、V、’ B。
Jipson and O,R,Jones、J、 V
ac、 Sci、 Tecbnol、 。
υ81)105(1981)〕や、金属フタロシアニン
色素(特開昭57−82094号、同57−82095
号)などを用いるものがある。
まだ、金属7タロシアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用しだ例(特開昭56−86795号)もある。
これらは、いずれも色素を蒸着によシ記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Te系と大差はない。
しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は−f反
に小さく、反射光景のピットによる変化(減少)によっ
て読み出し信号をうる、現在性われている則富の方式で
は大きなS/N比を得ることができない。
また、記録/i否を担持した透す」基体を、ml録層が
対向するようにして一体化したいわゆるエアーサンドイ
ッチ(・lIf造の媒体とし、基体をとおして谷き込み
および説み出しを行うと、吾き込み怒反を下けずに記録
層の保蔽ができ、かつ記録密度も大きくなる点で有利で
あるが、このような記録再生方式も、色素蒸沼腺では不
bT詣である。これは、通常の透明樹脂製基体では屈折
率がある程度の値をもち(ポリメチルメタクリレートで
i、5)、また表面反射率がある程度大きく(同4%)
、記録層の基体をと2しての反射率が、例えば、ポリメ
チルメタクリレートでは60%程度以下になるため、低
い反射率しか示さない記録層では、検出でき疫いからで
ある。
色素蒸着膜からなる記録層の8・ノシみ出しのS/N比
を向上させるためには、通常、基体と記録層との間に、
At等の蒸着反射j]ν4を介在させている。
この場合、蒸着反射膜は、反射率全土げてS/N比を向
上させるだめのものであり、ピット形成により反射膜が
露出して反射率が1・〜大したり、あるいは場合によっ
ては反射膜を除去して反射率を減少させるものであるか
、当然のことながら、基体をとおしての記録再生碩、で
きない。
同様に、特開昭55−161690号には、Iルー13
2色素(コダック社製)とポリ酢酸ビニルとからなる記
録層、また特開昭57−74845号には、1.1’−
ジエチル−2,2′−トリカルポジアニン イオダイト
トニトロセルロースとからなる記録層、さらにはに、 
Y、 Law、 et at、 、App/!、。
Phys、Lett、39(9)718(1981)に
は、3゜3′−ジエチル−12−アセチルチアテトラカ
ルデシアニンとポリ酢酸ビニルとから々る記録層など、
色素と樹脂とからなる記録N葡塗布法によって設層した
媒体が開示されている。
しかし、これらの場合にも、端体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生かで@
々い点で、色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。
このように、基体をとおしての記録再生が可実現するに
は、有機材料−自身が大きな反射率を示す必要がある。
しかし、従来、反射層を&層せずに、有機材料の単層に
て市い反射率を示す例はきわめて少ない。
わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨の報告(P、Kiuits、et at、 。
昇華温度が高いためであろうと思われるが、書き込み感
度は低い。
まだ、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色素やメ
ロシアニン色素でも高反射率が示さこれにもとづく提案
が特開昭58−112790号になされているが、これ
ら色素は、特に塗膜として設層したときに、溶剤に対す
る溶解涯が小さく、また結晶化しやすく、さらには読み
出し光に対してきわめて不安定でただちに脱色してしま
い、実用に供しえない。
このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に対
する浴解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が商いインドリン系のシアニン色
素を単層膜として用いる旨を提案している(特願昭57
−134397号、同57−134170号)。
また、インドリン系、あるいはチアゾール系、キノリン
系、セレナゾール系等の他のシアニン色素においても、
長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善と結
晶化の防止がはかられることを提案している(特願昭5
7−182589号、同57−177776号等)。
さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色(
再生劣化)を防止するために、シアニン色素に、クエン
チャ−を添加する旨の提案を行っている(特願昭57−
166832号、同57−168048号等)。
ところで、う゛C吸収色素の1つとして、下記一般式〔
I〕で示されるビリリウム、チアピリリウム、セレナピ
リリウムないしテルロピリリウム色素が知られている(
特開昭58−32876号、M、R,Detty、 e
t al、 、J、Org Ohe+n1stry 4
7 (27)5235(1982)等)。
一般式CI) 1 (上記一般式(I)において、 Kl、R3およびR5は、それぞれ、水素原子、ハロゲ
ン原子、直接もしくは2価の連結基を介して結合する置
換もしくは非置換のアルキル基、アリール基もしくはヘ
テロ環残基、まだはモノもしくはポリメチン鎖を有する
基を表わし、几2およびR4は、それぞれ、水素原子、
または置換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリー
ル基を表わし、 R2とR3または几4とR5は、互いに結合して、縮合
環が形成されていてもよく、 Yは、0,8.SeまたはTeを表わし、X−は、アニ
オンを表わし、 mは1であるが、R1,R3またはR5中に−電荷が存
在するときに(a’、 mはOである。)これらの提案
では、これらビリリウム、チアピリリウム、セレナピリ
リウムないしテルロビリリウム系色素を、電子受容体と
して、光導電性組成分中に添加した例が開示されている
。しかし、これら色素が光記録媒体の光吸収および光反
射用色素として使用できることは示咳すらされていない
確かに、これらビリリウム、チアピリリウム、セレナピ
リリウムないしテルロピリリウム系色素を用いて光記録
媒体を構成することは考えられうろことであるが、これ
ら色素を用いて記録層を形成するときには、反射層を積
層することなく、単層膜でも、書き込みと読み出しを基
体をとおして行えるものの、屑、き込み後の読み出しの
際の読み出し光のくシかえし照射によって、色素が脱色
し、読み出しのS/N比が劣化してしまう再生劣化が大
きく、実用に耐えないという欠点がある。
■ 発明の目的 本発明の主たる目的は、再生劣化が改心されたt ビリ
リウム、チアピリリウム、セレナピリリウムないしテル
ロビリリウム系の色素を含む記録層を有する光記録媒体
を提供することにある。
とのような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、 色素の組成物からなる記録層を基体上に有する光記録媒
体において、 色素が下記一般式〔■〕で示される化合物からなシ、色
素の組成物中にクエンチャ−が含有されていることを特
徴とする光記録媒体である。
一般式CI) 1 (上記一般式[I)において、 R1+ R3および几、は、それぞれ、水素原子、ハロ
ゲン原子、直接もしくは2価の連結基を介して結合する
置換もしくは非置換のアルキル基、アリール基もしくは
ヘテロ環残基、捷たはモノもしくはポリメチン鎖を有す
る基を表わし、R2およびR4は、それぞれ、水素原子
、または直換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリ
ール基を表わし、 几2とR3またはR4とR5は、互い・に結合して、縮
合環が形成されていてもよく、 Yは、0.S、Sei:だはTeを表わし、X−は、ア
ニオンを表わし、 mは1であるが、几1.几3ま/ヒはR5中に一′屯荷
が任在するときにはm1l−1:Oである。)川 発明
の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体の記録層中には、上記一般式[11
で示されるビリリウム、チアピリリウム、セレナピリリ
ウムないしテルロビリリウム系の色素の1種以上が含有
される。
上記一般式((]においてb ”l +It3お工び鳥
は、同一でも異なっていても工く、それぞれ。
水素原子;ハロゲン原子;直接もしくは2価の連結基(
−0−、−NH−、−NHR’−ただしR′はアルキル
基、アリール基等)を介して結自する置換もしくは非置
換のアルキル基、アリール基もしくはヘテロ環残基;ま
たWメチン鎖を有する基を表わす。
このような基のうち、特に好適なものは下記のものであ
る。
1ン 水素原子 2)ハロゲン原子 3)それぞれ置換または非置換のアルキル基。
アリール基、アルキルアリール基、アルコキシ基、アリ
ーロキシ基、ヘテロ環残基、またはモノもしくはジアル
キルアミノ基等。
特に、置換または非置換のアルキル基(メチル、エチル
、p−アジニルなど)、置換まタハ非置換のアリール基
(フエ= ル、p−N、N−ジメチルアミノフェニルな
ど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシなど)、アリ
ーロキシ基(フェノキシなト)等。
4)下記のモノまたはポリメチン鎖を有する基 1)−(−OH20H← 0H=Al (ここに、 AIは、単環または多環のへテロ環2価残
基、例えばオキサゾIJリデン、チアゾリリデン、セレ
ナピリリウム、イミダゾリリデン、ピラニリデ′ン、チ
アピリリウム、セレナピリリウム、テルロビリリウム、
オキサインドラジニリデン、ベンゾオキサゾリリデン、
ベンゾチアゾリリデン、ペンゾビラニリデン、ペンゾチ
アビリニリデン、ペンゾセレナピラニリデン、ペンゾテ
ルロピラニリデンなどを表わし、nは0〜3の整数であ
る。) 11)−←0H=OHtA2 〔ここに、A2は、水素原子、アルキル基(メチル、エ
チルなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシなど)
、アリール基(フェニル、ナフチ□ルなど)、置換もし
くは非置換のアミノ基(ジメチルアミノなど)、ジアル
キルアミノアリール基(ジメチルアミノフェニルなど)
、単環または多環のヘテロ環残基(オキサシリル、9−
ジュロリジル、チアゾリル、セレナゾリル、イミダゾリ
ル、ビリリウム系、チアピリリウムル、セレナピリリウ
ム、テルロビリリウム、ピリジニル、)2ニル、チオフ
ェニル、セレノフェニル、テルロフェニル、オキサイン
ドラジニル、ベンゾキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベ
ンゾセレナゾリル、ペンゾビリリウミル、ペンゾチアビ
リリウミム、ペンゾセレナビリリウミル、ペンゾテルロ
ピリリウミル、など)を表わし、 nは0〜2の整数である。〕 表わし、 ZlはOまたはSを表わし、 R6および几7は、互いに同一でも異なっていてもよく
、それぞれ、水素原子、または上記したような、直接も
しくは2価の連結基を介して結合する置換もしくは非置
換のアルキル基、アリ゛−ル基もしくはヘテロ環残基を
表わし、R6とR7は互いに結合して、単一ないし多核
の縮合炭素環ないしヘテロ環(例えば炭素原子約5〜2
0程度)を形成してもよい。〕 この場合、この111)の双性イオンジケトネートであ
るときには、mは0である。
他方%、JL、おはび几4 ; U;、、、同7・で−
も異なって−いてもよく、それぞれ水素原子;または前
記R1゜R3,R5におけるときと同様に置換されるが
、あるいは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表
わす。
このような場合、R2とR3あるいは几4とR5は互い
に結合して、炭素原子約5〜20程度の単環ないし多環
の縮合炭素環を形成してもよい。
縮合炭素環としては、特に、置換ないし非1〆換のベン
ゼン環が好適である。
さらにYは、O,S、SeまたはTeであり、それぞれ
の原子に応じ、ビリリウム系、チアピリリウム系、セレ
ナピリリウム系またはテルロビリリウム系の色素となる
ものである。
なお、X−は、通常のアニオン、例えばハロゲンイオン
、010: 、 PF6−、 BF4− 、 OH35
Oa−、OFa 803−。
0Hs−Cン5o3−、at−CンS Os ’J ヲ
衣b−j−0そして、mは0または1であ!ys m=
Qのときには、前り己のとおシs R1、R3または几
5中に一電荷が存在するものである。
仁のようガ色素は、特開昭58−32876号およびJ
、Org、Ohem、47 27 5235〜5239
(1982)等に従い合成される。
次に、上記一般式CI)で示される色素の具体例をあげ
る。
なお、下記において、phはフェニル基を表わす。
l:I?I工 工 工 国 1) 工 工at工 工 
国 工 ゛ 工 工 鷲 −1ご 二 F−1+ E−1−8 −へ の 寸 0 ロ ト Q Q ロ ロ ロ ロ ロ 1) 国 国 1) 頴 1) 国 工 工 エ I:1ρQ Q i−1 = エ エ 1) エ エ 工 = 工 エ エ エ エ 田 に) Q Q ρ q ρ ロ 工 工 Ei 国 工 工 工 O18工 工 工 工 Q Q I:l) ρ Q Q 工 工 工 工 工 エ エ 工 匡 工 〃 囚 切 0 め 01! 工 工 工 エ 工 工 工 工 工 ■ リ 0 力 ■ −二 二 国 工 丑 −4 漱 工 瓦 工 GJ Q Q Q Q Q エ エ 工 二 l−I H? E@ Q Q ロ ρ エ エ エ エ エ 末 二 平 工 工 工 Q CI Q i−+ 工 工 エ エ E+E@1+E−1 Q Q Q Q 工 1) 国 工 「 工 集 ? E−1a 日 Q ロ Q Q 二 08 国 工 工 ■ 工 工 工 ロ に) − このような色素は、本発明の効果をそこなわない範、囲
で、他の色素と組み合わせて記録層を形成してもよい。
記録層中には、必要に応し、樹脂が含まれていてもよい
用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
塑性樹脂が好適である。
これらのうち、特に好適に用いることができる樹脂には
、以下のようなものがある。
l)ポリオレフィン ! ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メチルペンテ
ン−1など。
ii)ポリオレフィン共重合体 例エバ、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−1共重合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、
エチレンプロピレンターポリマー(EPT)など。
この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。
1ii)塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリロニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
1v)443化ヒニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。
この場合、共重合比は、任意のものとすることができる
マ)ポリスチレン vi)スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体(AS樹
脂)、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体(ABS樹脂)、スチレン−無水マレイン酪共重合体
(SMA樹脂)、スチレン−アクリル酸エステル−アク
リルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体(
SBR)、スチレン−塩化ビニリチン共重合体、スチレ
ン−メチルメタアクリレート共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
vll)スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、2
,5−ジクロルスチレン、α。
β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジ賑 ン、アセナフテン、ビニルアントラセンなと、あるいは
これらの共重合体、例えば、α−メチルスチレンとメタ
クリル酸エステルとの共重合体。
viii)クマロン−インデン樹脂 クマロン−インテン−スチレンのIIE合体。
ix)テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
+1)アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。
式 R10 CH−C− C−0R2[1 1 上記式において、R10は、水素原子またはアルキル基
を表わし、R20は、置換または非1δ換のアルキル基
を表わす。 この場合、上記式において、R10は、水
素原子または炭素原子数1〜4の低級アルキル基、特に
水素原子またはメチル基であることが好ましい。
また、R20は、置換、非置換いずれのアルキ −ル基
であってもよいが、アルキル基の炭素原子数は1〜8で
あることが好ましく、また、R20が置換アルキル基で
あるときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基
、ハロゲン原子またはアミ7基(特に、ジアルキルアミ
ノ基)であることが好ましい。
このような」4記式で示される原子団は、他のくりかえ
し原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹
脂を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子
団の1種または2種以上をくりかえし単位と丈る単独重
合体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成する
ことになる。
xi)ポリアクリロニトリル xii)アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、アクリロニト
リル−アクリル酸ブチル共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
xiii)ダイアセトンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにアセトンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。
xiv)ポリ酢酸ビニル x’v)酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。
共重合比は任意のものであってよい。
xvi)ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。
xvii)ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン6、ナイロン
6−6、ナイロン6−10、ナイロン6−12.ナイロ
ン9、ナイロンll、ナイロン12、ナイロン13等の
通常のホモナイロンの他、ナイOン6 / 6−6 /
 6−10、ナイロン6/6−6/12、ナイロン6/
6−6711等の重合体や、場合によっては変性ナイロ
ンであってもよい。
xviii)ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン耐、アジピン酸
、セパステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酪などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール・、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類と
の縮合物や、共縮合物が好適である。
そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。
さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される
xix)ポリビニルアセクール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。
この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。
xg)ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。
特に、グリコール類とジインシアナート類との綜合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジイソシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。
xxi)ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、−環状アセタールの開環重合
物、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプ
ロピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキ
サイド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレン
オキサイドなど。
xxii)セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メ
チルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロースな
ど、セルロースの各種エステル、エーテルないしこれら
の混合体。
xxiii)ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーボネート等の各種ポリ
カーボネート。
xziv)アイオノマー メタクリル酎、アクリル酸などのNa。
Li、Zn、Mg塩など。
区Xマ)ケトン樹脂 例工ば、シクロへキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。
xxvi)キシレン樹脂 例えば、m−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。
xxvii)石油樹脂 C5系、C9系、C3−C9共重合系、ジシクロペンタ
ジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体な
ど。
xxviii)上記i) 〜xxvii)の2種以上の
ブ、7ド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド
体。
なお、自己酸化性、熱可塑性等の樹脂の分子量等は、種
々のものであってよい。
このような樹脂と、前記の色素とは、通常、重量比で1
対0.1〜100の広範な量比にて設層される。
このような記録層中には、クエンチャ−が含有される。
これにより、読み出し光のくりかえし照射によるS/N
比の再生劣化が減少する。 また、明室保存による耐光
性が向上する。
クエンチャ−としては、種々のものを用いることができ
るが、特に、再生劣化が減少すること、そして色素結合
樹脂との相溶性が良好であることなどから、遷移金属ヤ
レート化合物であることが好ましい。 この場合、中心
金属としては、Ni 、Co、Cu、Mn、Pd、Pt
等が好ましく、特に、下記の化合物が好適である。
1) アセチルアセトナートキレート系Ql −I N
i (II)アセチルアセトナートQ 1−2 0u 
(If)アセチルアセトナートQ 1−3 Mn (I
ll)アセチルアセトナートQl−400(n)アセチ
ルアセトナート2) 下記式で示ざnるビスジチオ−α
−ジケトン;IQ ここに、1((11〜L、(4)は、置換ないし非し換
のアル・トル乙鼾′ま1こはアリール基を表わし、Mは
、Ni 、 Co 、 Ou 、 I’d 、 Pt 
1,4の48金43i原子イC衣わす。
この場合、Mは一定性をもち、4級アンモニウムイオン
等のカチオy(Oat)と塩?形成してもよい。
なお、以下の記載において、ph はフェニル基、φは
1,4−フェニレン基、φ’はi。
2−フェニレン基、benz は環上にてとなりあう基
が互いに結合して縮合ベンゼン環葡形成すること金衣わ
すものである。
1 1 l I l 囚 N 囚 囚 ヘ σ σ 0101 σ 3) 下記式で示されるビスフエニールジチ号−ル系 ここに、1((5]および几(6)は、氷菓五1こはメ
チル基、エチル基などのアルキル基、01などのハロゲ
ン原子、あるい(−、lニジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのアミノ基、♀j、紮我わし、 Mは、Ni 、 Co 、 Ou 、 Pd ’+ P
t 苔のi−’+j 桜金属原子を表わす。
また、上記↓14造のMは一電荷定もって、4級アンモ
ニウムイオン等のカチオン(Cat)と塩r形成しても
よく、さらにはh4の上下には、さらに他の配位子が結
合していてもよい。
このようなものとしては、下自己のものがある。
1−L(5)R(6)1(7)R(8)Q3〜 I H
i−I HH Q3−2 I工0T−13H1−I Q3−3 1−1 cz Cp 1x Q3−4 0H3HI−(0” Q3 5 OH30H30’3 CY’aQ3−6 1
10.# k−L’ ” Q3−7 0−とシ Cノイ〉 C−(シ 〔J−6シ
Q:38 I4 0A OA CA Q3−9 1−1 1−I I(’ Q3−10 H01130H1TI Q3−11 H0H3an i1 Q3−12 H0H30’ II Q J−130A CA ’ ” t:ZQ3−14 
HOA 07 aA Q315 HN(OH3)2 ”I” Q3−16 HN(OH3)2N(””3)2 I−■
QJ 17 1.[N(OH3)2 。”’ IIQ3
−18 HNt[I3)2111:IQ3−1 9 H
Ncon3 ノ (11,1(ご3 20 HN(OH
3C”” M 0at Ni N (021−IS)4 Ni N (n 04H9)4 Ni N (n−041−I9)4 N” N (OH3)30+6H33 Co N+(n −04I9 )4 N i N” (n −04I−+9 )4Nj N 
C0T13)30tt、 1133Ni N (01(
a )3 (j+6(h3Nr N (+jlb )a
 に+6 ]13aNi N+(+1−041−1g 
)4N i N” (n 〜07 tlls )4N’
 N (Os HI3 ) (02I5 ) 3N皿 Ni N (n−04H9”)a NiN+(c6■(s)(OHa)a この他、特開昭50−45027号や昭和58年9月5
日付の特許願に記載したものなど。
4) 下記式で示さnるジチオカルノ々ミン酸キレート
系 ここで、1モ(9)おLび1(αQはアルキルわず。ま
た、MはNi 、 Co 、 Ou 、 Pd 、 k
)を等の港移金す番原子・′6:表わす。
5) 下記式で示さnる比合す ここに、Mは、遷移金属原子勿表わし、Qlは、−0=
O (Qll)または−〇−ON (Ql2)11 一O=0 −0−ON ?表わし島 Oatは、カチオン勿表わす。
M Q Oat I Ni Ql2 20五61−13 3N”CC I
T3) 3− 2 Ni Ql2 2(04H9)4 
N+Q 5 − 3 0o Ql22 (Od19)4
 N+Q5−4 0u Ql22(04H9)4N+Q
5 −5 Pct Ql22 (04H9)4N+この
他、特l旭昭58ー125654号に記−したもの。
6) 下記式で示される(B合物 ここに、 Ivi 1よ、魔ケ釡桐原子を次イクし〜し、 R(11)あ・よび11(12)は、それぞれ、ON 
、 C01t(13)、C00TI、(1i) 、0o
NIL”5) 1.(16) t7cは5O2TL(1
7)全我わい R(13) 〜、(17)は、ソtt、ぞn、水素原子
せたはは換もしくは非瞠換のアルキル基もしくはアリー
ル基勿衆イつし、 C2は、5員または6員環電形成するのに必侵な原子解
紫表わし、 Cb+tば、カチオンを表わし、 nは1瞥たは2である。
n ズ 7 − N ω 寸 ℃ 0 II I II 1 σ 0’ O’ O’0’ σ この他、特願昭58−i27074号に記載したもの。
7) 下記式で示される化合物 ここにivl Qよ、逓杉盃A喝諷子τ衆わし、Oat
は、カチオンを表わし、 nは1′または2である。
八・10at C71Ni 2((n 04Hg)3NQ7−2 Ni
 2(n−C+or−Ia、+ (CH3)5N〕この
他、l特願昭58−127075号に記i’、2L 1
こもの。
8) ビスフェニルチオール系 C3−INi−ビス(オクチルフェニル)サルファイド 9) 下記式で示されるテオ力テコールキンート系 ここに、Mはrli、 Co 、 Ou 、 Pd 、
 PL 等の遷移金へ原子?表わす。
また、Mは一電荷全もち、カチオン(Cat)と塩?形
成していてもよく、ペンーヒン璋は置換基を有していて
もよい。
Q 9 1 Ni N+(04Hg )41O)下記式
で示さliLる化合物 ここに几(18)は、11面の基(C表わし、!は、0
〜6であシ、 Mは、遷移金属原子?表わし、 Oatは、カチオンを表わす。
Qlo−i Ni HON(n−0<H9)aQl O
−2Ni 01−13’ I N(n O4Hg )4
この他、特願昭58−143531号に記載し1こもり
11)下記の両式で示される比・汁物 ここに、上記一般式CI)および[II)において、 (20) (21) 、 、、L(22)お工びR(2
3) (は、R、R それぞれ水素原子または1価の基を表わし、几(24)
、、(25) 、□(26)および几(27)(役、水
素原子または1価の基を表わずか、l、(24)、l!
:a(25) 、 k4(25) t IL(26)、
□、(2G) 、□LL27)は、互いに給仕して6員
環奮形成してもLい◇また、Mは、遷移金員原子勿俟わ
す。
この他、特願昭58−145294号に記載したもの。
12)下記式で示される化合物 ここに、Mは、I’t 、 NIIIこはPOヒ・尺わ
し、Xl * X2 * Xl + X4は、それぞA
%(JjたはS奮衣わす。
O12−I Ni 0 0 0 0 Q12−2 Ni S SS S この他、特願昭58 145295号に記載したもの。
13)下記式で示される化合物 ここに、IL(31)は置換もしくは非置換のアルキル
基またはアリール基であり、 几(’32) 、 B (33) 、 、L(34)お
よびR(35)は、水素原子1fcは1価のIAを衣わ
すが、1(32)と几(33)、i□(33)と几(3
4) 、R(34) とル(35)は、互い+c 26
合して6貝腺釦形放してもよい。
tlこ、f+4iユ、成し釡iんζ子rべわす。
Q13111041−I9 HHHH歯Q13−206
H5HH02I−1sHN皇Q13−3 nC<14g
 If Hbenz Niこの他、特願昭58−151
928号°に記りくしたもの。
14)下記両氏で示される化合襖 ここに、1L(41) 、 R(4,2) 、 1L(
43)ふ−よび1t(44) (・21、そnぞn、水
先原子または1価グツ基を表わすが、−41)とR(4
2) 、 IL(42)と几(43)、几(、+3)と
1L(44) (、比、互いにfjj合して6員環葡形
放しても工い〇 また1、、(45’)ふ・よび几(′16ンCづ二、水
泳2「(子または11iIiiv基k ’& b ス。
さらに、Mは、還移金属原子に艮わす。
Q141 HII HH14−Nr Q14””2 HI(C41−1700() II t
l Niこの他1特願昭58−151929号に記載し
たも−の。
15)下記式で示さ几るfヒ合物 、(51) CjJ?:、B(51) 、 B(52) 、 B(5
3) 、 R(り4)。
□ド55 )、訂:)c) 、 14(57)および、
、(58)ば、そ几ぞ几、水素原子11こは1価(1)
基?夫わすが1、、(51) e凡(52)、几(52
) (!:B(53) 、 14(53)、 IL(5
4) 、 i(、(55)よ11(56′)、 l饅6
)とB(57)および、1(57)と14 Cb 8 
)は、互いに結合して6員璋を形成してもよい。
凡(59)(,1、水ぶ原子ま7こは置換もしくは非置
換のアルキル基もしくはアリール基を表わすO Xは、ハロゲンを長わす。
Mは、遷移金属原子tべわすO 21 芝 i ×1 ご 喧 1L ム ぷ G この他、特願昭58−153392号に記載したもの。
16)下記式で示されるサリチルアルデヒドオキシム系 ここに B、(60)および几(61)は、アルキル基
を表わし、Mは、Ni、Oo、Ou、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。
Ql 6−1 i −03Ht i −03H7N 1
Q16−2’ (CHz)slOHs (OHJtxO
f−13N1Ql 6−3 (OHt)o OHs (
OHt)tx OH3(:’、0Q16−4 (OHt
)ttCHs (OHt)ttOH30uQL16−5
 0aHs 0sHs N1Q16−6 06Hy、 
06H5C。
Ql6−7 06H506H5、Og Q16 8 NHCaH5NHC!6H5N1Q16−
9 0H、OHH4 17)下記式で示されるナオビスフエル−トキレート系 ここに1Mは前記と同じであハ几(65)お工びR,(
66)は、アルキル基を表わす。またMは一電荷金もち
、カチオン(Oat)と塩とを形成していても工い。
几(65)、R(66) M(3at + Ql7−1 t−o8H亘7 Ni NH3(C4H9
)+ Ql 72 t −011H17Co NH3(04H
9)Ql7−3 t −OgH17N i −18)下
記式で示される亜ホスホン酸キレート系ここに、Mは前
記と同じでおり、R(71)お工びR(72)は、アル
キル基、水酸基等の置換基を表わす。
19)下記各式で示される化合物 ここに、R(81) 、几<=)、R(83)およびR
(84) は、水素原子または1価の基を表わすが、 几(81)とR(82) 、 R(82)とR(83)
 、 R,(83)と几(84)は、互いに結合して、
6員環全形成してもよい。
B(85)お工びR(88) 屯それぞれ、水素原子ま
たは置換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリール
基を表わす。
R(86) は、水素原子、水酸基または置換もしくは
非置換のアルキル基もしくはアリール基金表わす。
R(87)は、置換または非置換のアルキル基またはア
リール基を表わす。
Zは、5員または6員の環を形成するのに必要な非金属
原子群?表わす。
Mは、遷移金属原子?表わす。
≧巨 ; i 例 II+ 一一?−1+ 0’O’Cン この他、特願昭58−153393号に記載したもの。
20)下記式で示される化き物 ここに、R(91)お工びR(92)は、それぞれ水素
原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、ア
シル基、N−アルキルカルバモイル基、N−アリールカ
ルバモイル&、N−アルキルスルファモイル基、N−ア
リールスルファモイル基、アルコキシカルゼニル基また
はアリーロキシカルボニル基を表わし、Mは遷移金属原
子を表わす。
R(91) R(92) M 1112114 −一曜一−−閘−―−幽−Q20−1
 noaHe OH3Ni Q 20−2 0Ha OHs O−ψ−NHOO’ 
Niこの他、特願昭58−155359号に記載したも
の。
この他、他のクエンチャ−としては、下記のようなもの
がある。
21)ベンゾエート系 Q21−1 既存化学物質3−30’40(チヌビン−
120(チノ々ガイギー社製)〕 22)ヒンダードアミン系 Q22−1 既存化学物質5−3732 (5ANOL
L8−770 (ニス製薬社製)〕 これら各クりンチヤ−は、色素1モルあfcり0.01
〜12モル、特に帆1〜1.2モル程度含有される。
なお、クエンチャ−の極大吸収波長は、用いる色素の極
大吸収波長以上であることが好ましい。
これにエフ、再生劣化はきわめて小さくなる。
これ場合、両者の差はOか、350nm以下であること
が好ましい。
このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。
そして、記録層の厚さは、通常、0.03〜10gm程
度とされる。
なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、8 種呵塑剤、界面活性
剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、耐化
防止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。
このような記録層を設層するには、通常、基体上に所定
の溶媒を用いて塗布、乾燥すればよい。
なお、q l(4に用いる溶媒としては、例えばメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピト
ールアセテート、プチルカルヒI・−ルアセテート等の
エステル系、メチルセロソルブ、エチル名ロソルブ等の
エーテル系、すいしトルエン、キシレン等の芳6族系。
ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール
系などを用いればよい。
このような記録層を設層する基体の材質には特に制限は
なく、各種樹脂、ガラス、セラミンクス、金属等いずれ
であってもよいが、書き込み光および読み出し光に対し
て実質的に透明であるものが好ましい。
また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ドラム、ベ
ルト等いずれであってもよい。
なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。
また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチルメタクリ
レート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルサルフォン
、メチルペンテンポリマー等の、みぞ付きないしみぞな
し基体が好適である。
これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基体」二にプライマーをコー
ティングすることもできる。
プライマーとしては、例えば、チタン系、シラン系、ア
ルミ系のカップリング剤や、各種感光性樹脂等を用いる
ことができる。
また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層保護層、
ハーフミラ一層などを設けることもできる。 ただし、
記録層は単層膜とし、反射層を記録層の上または下に積
層しないことが好ましい。
本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所ボの間隙
をもって対向させ、それを雀閉したりして、ホコリやキ
スがつがないようにすることもできる。
IV 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、記録光を
パルス状に照射する。 このとき記録層中の色素の発熱
により、色素4妹与が融解し、ピントか形成される。
このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反則
光を検出することにより読み出される。
この場合、記録および読み出しは、基体側から行っても
、記録層側から行ってもよいか、基体をとおして行うこ
とか好適である。
そして、一旦記録層に形成したピットを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。
なお、記録ないし読み出し光としては、゛1パ導体レー
ザー、He−Neレーザー、Arレーザー、He−Cd
レーザー等を用いることかできる。
■ 発明の具体的効果 本発明によれば、読み出し光による再生劣化がきわめて
小さくなる。
そして、耐光性も格段と向上し、明室保存による特性劣
化かきわめて少ない。
そして、消去および再書き込みを行うようなときにも特
性の劣化が少ない。
また、反射層を積層しなくても、基体をとおして書き込
みと読み出しを行うことができる。
そして、溶解性が良好で、結晶化も少ない。
VI 発明の液体的実施例 以下、本発明の液体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
実施例1 下記表1に示される色素り、l脂R、クエンチャ−Qと
を用い、表1に示される割合にて所定の溶媒中に4容解
し、直径30cmのアクリルディスク基板上に、0.0
7pmの厚さに塗布設層して、各種媒体をえた。
この用台、表1において、NCは、窒素含量11.5〜
12.2%、JIS K 8703i、:もトラく粘H
51B O秒のニトロセルロースでアル。
さらに、用いた色素は、上記にて例示した陽、のものを
用いた。
加えて、用いたクエンチャ−は、上記にて例示したもの
の陽、で示される。
そして、表1には、R/Dの重量比と、Q/Dの重量比
とが併記される。
このようにして作成した各媒体につき、これを180 
Orpmテ回転させながら、 A文GaAs−GaAs
半導体レーザー記録光(830nm)を1用mφに集光
し (集光部出力 lOmW) 、所定周波数で、パル
ス列状に照射した。
各媒体につき、書き込み光のパルス11」を変更して照
射し、消光比1.4か得られるパルス11」を測定し、
その逆数をとって、書き込み感度とした。 結果を表1
に示す。
この場合、消光比は、後述の読み出し光の媒体表面の反
射率のピント部における誠衰度である。
これとは別に、パルスr++を100nsecとして書
き込みを行った。
この後、1mWの半導体レーザー(830nm)1涜み
出し光を1g5ec巾、3 KHzのパルスとして照射
して、ティスフ表面におけるピーク−ピーク間の当初の
S/N比と、回転を停止したディスク上に読み出し光を
5分間照射した後の、基体裏面側からの反射率の変化(
%)を測定した。
これらの結果を表1に示す。
表1に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。
失施例2 実施例1の媒体 No、2〜7を用い、実施例1と同様
に書き込みを行ったのち、赤外線ヒーターを用い、媒体
を150 ’C115秒間加熱して消去を行ったところ
、各媒体とも、くりかえし何回もの消去、再書き込みが
良好にできることか@、認された。
出願人 ティーディーケイ株式会社 代理人 弁理士 石 井 陽 − 第1頁の続き 0発 明 者 高 橋 −夫 東京都中央区式会社内 0発 明 者 黒 岩 顕 彦 東京都中央区式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 色素の組成物からなる記録層を基体上に有する光
    記録媒体において、 色素が下記一般式〔■〕で示される化合物がらなシ、色
    素の組成物中にクエンチャ−が含有されていることを特
    徴とする光記録媒体。 一般式〔I〕 1 (上記一般式(1)において、 几l、R3および几5は、それぞれ、水素原子、ハロゲ
    ン原子、直接もしくは2価の連結基を介して話合する置
    換もしくは非置換のアルキル基、アリール基もl〜くは
    ヘテロ環残基、またはモノもしくはポリメチン鎖を有す
    る基を表わし、R2および几4は、それぞれ、水素原子
    、または置換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリ
    ール基を表わし、 R2とR3またはR4とR5は、互いに結合して、絹金
    環が形成されていてもよく、 Yは、O,S、8eまたはTeを表わし。 x−u、アニオンを表わし、 mは1であるが、R1’、R+3またはR,中に一電荷
    が存在するときにはmはOである。)2、 色素の組成
    物中に樹脂が含まれる特許請求の範囲第1項に記載の光
    記録媒体。 3、 クエンチャ−が遷移金属キレート化合物である特
    許請求の範囲第1項または第2項に記載の光記録媒体。 4、 記録層に反射層が積層されていない特許請求の範
    囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光記録媒体。 5、 基体をとおして書き込みと読み出しを行う特許請
    求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の光記録
    媒体。
JP58183455A 1983-09-30 1983-09-30 光記録媒体 Granted JPS6073892A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58183455A JPS6073892A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58183455A JPS6073892A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6073892A true JPS6073892A (ja) 1985-04-26
JPH0441070B2 JPH0441070B2 (ja) 1992-07-07

Family

ID=16136071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58183455A Granted JPS6073892A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6073892A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0420659A2 (en) * 1989-09-29 1991-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage mediums

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0420659A2 (en) * 1989-09-29 1991-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage mediums

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0441070B2 (ja) 1992-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0461792B2 (ja)
JPH0558909B2 (ja)
JPH0138680B2 (ja)
JPH0532231B2 (ja)
JPS5955794A (ja) 光記録媒体
JPS61246091A (ja) 光記録媒体
JPH0526670B2 (ja)
JPH0440194B2 (ja)
JPS5924690A (ja) 光記録媒体
JPS6073892A (ja) 光記録媒体
JPH0441671B2 (ja)
JPS6230090A (ja) 光情報記録媒体
JP2523448B2 (ja) 光記録媒体および光記録方法
JPS60204395A (ja) 光記録媒体
JPH0469078B2 (ja)
JPS6092893A (ja) 光記録媒体
JPH0139917B2 (ja)
JPS6071296A (ja) 光記録媒体
JPH0441068B2 (ja)
JPH0119355B2 (ja)
JPH0526669B2 (ja)
JPS639578A (ja) 光記録媒体
JPS595096A (ja) 光記録媒体
JPS62187091A (ja) 光情報記録媒体
JPS6071294A (ja) 光記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees