JPS6070636A - マグネトロン陰極構体 - Google Patents
マグネトロン陰極構体Info
- Publication number
- JPS6070636A JPS6070636A JP58177905A JP17790583A JPS6070636A JP S6070636 A JPS6070636 A JP S6070636A JP 58177905 A JP58177905 A JP 58177905A JP 17790583 A JP17790583 A JP 17790583A JP S6070636 A JPS6070636 A JP S6070636A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- sleeve
- spacer
- center
- cathode structure
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマグネトロン陰極構体、特にフィラメントの耐
振性を向上させたマグネトロン陰極構体に関するもので
ある。
振性を向上させたマグネトロン陰極構体に関するもので
ある。
第１図はマグネトロンの陰極樹体の一例を示す要部断面
宿成図である。同図において、熱電子を放出するらせん
状のフィラメント１はマグネトロンの管軸と同心に配置
され、熱電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシ
ールド２および下エンドシールド３に支持固定されてい
る。そして、上エンドシールド２は管軸上にあるセンタ
ーリード４の上端に固定され、下エンドシールド３はそ
の円形孔３ａの中心をセンターリード４が通るようにサ
イドリード５の上端に固定されている。また、センター
リード４およびサイドリード５の下端は電力供給端子６
がステムセラミックＩとともに銀ろう付されており、さ
らにとのステムセラミックＩにはシール部品８が銀ろう
付して固定されてマグネトロン陰極構体が槽成されてい
る。
宿成図である。同図において、熱電子を放出するらせん
状のフィラメント１はマグネトロンの管軸と同心に配置
され、熱電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシ
ールド２および下エンドシールド３に支持固定されてい
る。そして、上エンドシールド２は管軸上にあるセンタ
ーリード４の上端に固定され、下エンドシールド３はそ
の円形孔３ａの中心をセンターリード４が通るようにサ
イドリード５の上端に固定されている。また、センター
リード４およびサイドリード５の下端は電力供給端子６
がステムセラミックＩとともに銀ろう付されており、さ
らにとのステムセラミックＩにはシール部品８が銀ろう
付して固定されてマグネトロン陰極構体が槽成されてい
る。
しかしながら、上記槽底によるマグネトロン陰極構体に
おいて、下端部をステムセラミック７ｖＣ支持固定させ
たセンターリード４およびサイドリード５の先端部には
、上、下エンドシールド２゜３間にらせん状のフィラメ
ント１を挾持させて支持固定する構成を有しており、そ
して、このフィラメント１は例えばトリウムタングステ
ン綜をらせん状に成形加工しその表面を炭化させて熱電
子の放射効率を高める処理を施して形成されているので
、外部からの振動あるいは衝撃によってフィラメント１
が破断してしまうという問題があった。
おいて、下端部をステムセラミック７ｖＣ支持固定させ
たセンターリード４およびサイドリード５の先端部には
、上、下エンドシールド２゜３間にらせん状のフィラメ
ント１を挾持させて支持固定する構成を有しており、そ
して、このフィラメント１は例えばトリウムタングステ
ン綜をらせん状に成形加工しその表面を炭化させて熱電
子の放射効率を高める処理を施して形成されているので
、外部からの振動あるいは衝撃によってフィラメント１
が破断してしまうという問題があった。
このような問題を改善したものとしては、第２図に示す
ようなマグネトロン陰極（６体が提案されている。すな
わち、同図において、９はセンターリード４とサイドリ
ード５とを固定し、外部からの振動、衝撃による陰極の
変位を防止するための絶縁スペーサ、１０は絶縁スペー
サ９の位置ずれを防止するためにサイドリード５にろう
付された金属リングである。
ようなマグネトロン陰極（６体が提案されている。すな
わち、同図において、９はセンターリード４とサイドリ
ード５とを固定し、外部からの振動、衝撃による陰極の
変位を防止するための絶縁スペーサ、１０は絶縁スペー
サ９の位置ずれを防止するためにサイドリード５にろう
付された金属リングである。
このような構成による陰極桁体においては、センターリ
ード４とサイドリード５とは長さの相違などのため、外
部からの加振による共振点がそれぞれ異なシ、スペーサ
９で互いに連結することで防振効果を生ずることにたり
、したがって陰極４１り体全体としての耐振動強度を高
める効果を有する。
ード４とサイドリード５とは長さの相違などのため、外
部からの加振による共振点がそれぞれ異なシ、スペーサ
９で互いに連結することで防振効果を生ずることにたり
、したがって陰極４１り体全体としての耐振動強度を高
める効果を有する。
しかしながら、このような構成による陰極構体において
は、スペーサ９は金ＲＩＪング１０をサイドリード５に
溶接固定して位置決めされているの前述した防振効果が
大きいが、この位置がばらつくことによシ、フィラメン
ト１の強度のばらつきとなって現われる。また、溶接そ
のものも弱いものが発生し、金属す／グ１０が脱落して
しまうという不良も発生し得る。なお、スペーサ゛９の
取付位置はフィラメント１に近いほど良いが、あ丑シ近
付けすぎると、前述したようにフィラメント１のろう−
付けの際にその温度上昇で損傷を与えるので、制限され
る。また組立ての時には、ステム組立て完了後、金属リ
ング１０をｆａ接固定するのにシール部材８が部属にな
ることから、サイドリード５とセンターリード４とスペ
ーサ９とを予め予イｌｉｎ加工しなければならない等、
製作上工程（紋を増大させる問題があった。
は、スペーサ９は金ＲＩＪング１０をサイドリード５に
溶接固定して位置決めされているの前述した防振効果が
大きいが、この位置がばらつくことによシ、フィラメン
ト１の強度のばらつきとなって現われる。また、溶接そ
のものも弱いものが発生し、金属す／グ１０が脱落して
しまうという不良も発生し得る。なお、スペーサ゛９の
取付位置はフィラメント１に近いほど良いが、あ丑シ近
付けすぎると、前述したようにフィラメント１のろう−
付けの際にその温度上昇で損傷を与えるので、制限され
る。また組立ての時には、ステム組立て完了後、金属リ
ング１０をｆａ接固定するのにシール部材８が部属にな
ることから、サイドリード５とセンターリード４とスペ
ーサ９とを予め予イｌｉｎ加工しなければならない等、
製作上工程（紋を増大させる問題があった。
〔発ｑ；１の目的〕
したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みて力され
たものであシ、その目的とするところは、作業性および
信頼性を向上さぜがっ全ての方向から与えられる振動に
対して耐振強Ｉｆ［を向上させだマグネトロン陰極Ｓ体
を提供することにある。
たものであシ、その目的とするところは、作業性および
信頼性を向上さぜがっ全ての方向から与えられる振動に
対して耐振強Ｉｆ［を向上させだマグネトロン陰極Ｓ体
を提供することにある。
こめような目的を達成するために本発明にょるマグネト
ロン陰極構体は、センターリードおよびサイドリードの
少なくとも一力にスリーブを旧１辿配置したものである
。
ロン陰極構体は、センターリードおよびサイドリードの
少なくとも一力にスリーブを旧１辿配置したものである
。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明によるマグネトロン陰極構体の ′一実
施例を示す前記第１図、第２図に相当する要部断面構成
図であシ、前述の図と同一部分は同−打号を伺しその説
明は省略する。同図において、サイドリード５には、ス
ペーサ９とステムセラミック７との間に肉厚の厚いステ
ンレス１″ｊのスリーブ１１が溶接せずに挿通配置され
ている。
施例を示す前記第１図、第２図に相当する要部断面構成
図であシ、前述の図と同一部分は同−打号を伺しその説
明は省略する。同図において、サイドリード５には、ス
ペーサ９とステムセラミック７との間に肉厚の厚いステ
ンレス１″ｊのスリーブ１１が溶接せずに挿通配置され
ている。
このような構成によれは、スペーサ、９は、センターリ
ード４の折れ点とステムセラミックＴに一端が当接する
スリーブ１１とにより位置決めされるＭＹ成となシ、し
かもスリーブ１１の寸法精度でスペーサ９の位置出しが
決るので、センターリード４およびサイドリード５の防
振効果のバラツキをさらに小さくすることができる。ま
た、スリーブ１１自体、第２図に示す金属リング１０に
比べて肉厚であるため重にか格段に大きくなるので、セ
ンターリード４およびサイドリード５の共振などのエネ
ルギーを吸収し、第２図と同一構造のスペーサ９の位置
のものでもフィラメント１の断線に対してより高い補強
効果が１Ｌられる。さらには第２図に示すスペーサ１の
固定手段としての金属リング１０は溶接性を高めるため
に高価なＮｉ材を用いているが、第３図に示すスリーブ
１１は溶接が不要となるので、安価なステンレス材を使
用できるので、低コストで高い補強効果が得られる。
ード４の折れ点とステムセラミックＴに一端が当接する
スリーブ１１とにより位置決めされるＭＹ成となシ、し
かもスリーブ１１の寸法精度でスペーサ９の位置出しが
決るので、センターリード４およびサイドリード５の防
振効果のバラツキをさらに小さくすることができる。ま
た、スリーブ１１自体、第２図に示す金属リング１０に
比べて肉厚であるため重にか格段に大きくなるので、セ
ンターリード４およびサイドリード５の共振などのエネ
ルギーを吸収し、第２図と同一構造のスペーサ９の位置
のものでもフィラメント１の断線に対してより高い補強
効果が１Ｌられる。さらには第２図に示すスペーサ１の
固定手段としての金属リング１０は溶接性を高めるため
に高価なＮｉ材を用いているが、第３図に示すスリーブ
１１は溶接が不要となるので、安価なステンレス材を使
用できるので、低コストで高い補強効果が得られる。
また、このスリーブ１１はサイドリード５へは第２図に
示すような金属リング１０を溶接するととなく、単に挿
通して嵌合配置されているのみであるので、ステム組立
てを行なう際に同時組込みが可能となυ、前述したよう
な溶接のための治工具を用いる予備加工組立ておよび溶
接工程が不要となるので、マグネトロン陰極ｔ１ｑ体の
製作工数を大幅に低減することができる。
示すような金属リング１０を溶接するととなく、単に挿
通して嵌合配置されているのみであるので、ステム組立
てを行なう際に同時組込みが可能となυ、前述したよう
な溶接のための治工具を用いる予備加工組立ておよび溶
接工程が不要となるので、マグネトロン陰極ｔ１ｑ体の
製作工数を大幅に低減することができる。
第４図は本発明によるマグネＩ・ロン陰極構体の他の実
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同一部分
は同一符号をイリシその説明は省略する。同図において
、サイドリード５には、スペーサ９と電力供給端子６と
の間に肉厚の薄いステンレス製のスリーブ１２が溶接せ
ずに挿通配置され。
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同一部分
は同一符号をイリシその説明は省略する。同図において
、サイドリード５には、スペーサ９と電力供給端子６と
の間に肉厚の薄いステンレス製のスリーブ１２が溶接せ
ずに挿通配置され。
さらにこのスリーブ１２の電力供給端子６側がステムセ
ラミックＴの孔部７ ａ Ｋ １ｆｆｌ自配置されてい
る。
ラミックＴの孔部７ ａ Ｋ １ｆｆｌ自配置されてい
る。
このような構成によれば、スリーブ１２はスペーサ９を
支持して位置決めするとともに、このスリーブ１２によ
シサイドリー ド５を実質的に太くしたことに等しくな
シ、したがって、センターリード４およびサイドリード
５自体の剛性が増大し、フィラメント１の断線に対する
補強効果を向上させることができる。ｉだ、このスリー
ブ１２はサイドリード５へ同時組込みが可能となるので
、前述と同様にその製作工程を大幅に低減させることが
できる。
支持して位置決めするとともに、このスリーブ１２によ
シサイドリー ド５を実質的に太くしたことに等しくな
シ、したがって、センターリード４およびサイドリード
５自体の剛性が増大し、フィラメント１の断線に対する
補強効果を向上させることができる。ｉだ、このスリー
ブ１２はサイドリード５へ同時組込みが可能となるので
、前述と同様にその製作工程を大幅に低減させることが
できる。
第５図は本発明によるマグネトロン陰極構体のさらに他
の実施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同一
部分は同一符号を伺しその説明は省略する４、同図にお
いては、スリーブ１２の先端部、つまシスペーサ９と当
接する部分には漏斗状の開口部１２ａが一体的に形成さ
れ、スペーサ９を安定性良く支持し位置決めすることが
できるとともに、前述と同様の効果が得られる。
の実施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同一
部分は同一符号を伺しその説明は省略する４、同図にお
いては、スリーブ１２の先端部、つまシスペーサ９と当
接する部分には漏斗状の開口部１２ａが一体的に形成さ
れ、スペーサ９を安定性良く支持し位置決めすることが
できるとともに、前述と同様の効果が得られる。
第６図は本発明によるマグネトロン陰極構体の他の実施
例を示す要部断面第１￥成ｌであシ、前述のｎと同一部
分は同一符号を付しその説明は省略する。同図において
は、前述したスペーサ９を除去し、センターリード４お
よびサイドリード５の両者にスリーブ１２を挿通配置す
るとともに、センターリード４に挿通配置したスリーブ
１２の先端部、つま多フィラメント１側にはｈ形漏斗状
の開口部１２ｂ′が一体形成され、この開口部１２ｂの
管軸方向の長さｔがマイクロ波の発振波長のλ／４電気
長となるように形成されている。
例を示す要部断面第１￥成ｌであシ、前述のｎと同一部
分は同一符号を付しその説明は省略する。同図において
は、前述したスペーサ９を除去し、センターリード４お
よびサイドリード５の両者にスリーブ１２を挿通配置す
るとともに、センターリード４に挿通配置したスリーブ
１２の先端部、つま多フィラメント１側にはｈ形漏斗状
の開口部１２ｂ′が一体形成され、この開口部１２ｂの
管軸方向の長さｔがマイクロ波の発振波長のλ／４電気
長となるように形成されている。
このような構成によれば、センターリード４およびサイ
ドリード５は線径が実質的にさらに太くなり、センター
リード４およびサイドリード５自体の剛性がさらに増大
し、フィラメント１に対する補強効果がさらに向上でき
るとともに、発振波長のλ／４電気長を有する開口部１
２ｂを殴りたことによ）、マイクロ波が陰極ｔ７を体を
伝搬し、管球外−＼放射される、いわゆる不要輻射を大
幅に減少させるチョーク効果が同時に得られることにな
る１、なお、前述した実施例においては、サイドリード
５のみにスリーブ１１．１２を挿通配置した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、センターリード４のみおよび両サポート４，５にスリ
ーブ１１．１２を挿通配置しても前述と同様の効果が得
られることは勿論である。
ドリード５は線径が実質的にさらに太くなり、センター
リード４およびサイドリード５自体の剛性がさらに増大
し、フィラメント１に対する補強効果がさらに向上でき
るとともに、発振波長のλ／４電気長を有する開口部１
２ｂを殴りたことによ）、マイクロ波が陰極ｔ７を体を
伝搬し、管球外−＼放射される、いわゆる不要輻射を大
幅に減少させるチョーク効果が同時に得られることにな
る１、なお、前述した実施例においては、サイドリード
５のみにスリーブ１１．１２を挿通配置した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、センターリード４のみおよび両サポート４，５にスリ
ーブ１１．１２を挿通配置しても前述と同様の効果が得
られることは勿論である。
以上説すコしたように本発明によるマグネ、トロン陰４
７ｆｉ４’ｆｔ体によれば、センターリードおよびサイ
ドリードの少なくとも一方にスリーブを挿通配置したこ
とにより、陰極構体が外部からの振動および秒Ｉ Ｌ’
に対し°［１ｉｉ１振性〃−向上し、ひいて“はフィラ
メントの強度を低下させることなく、高ｆＪＩｉなモリ
ブデン製センターリ−ドおよびザイドリー ドを細くす
ることができるとともに、従来の如き予備加工組立て卦
よび溶接工程が不要と戒ることによる製り：■工（−が
短７＋ａできるので、より安ｆ曲なマグネトロンが得ら
れるという極めて優れた効果を有するっ
７ｆｉ４’ｆｔ体によれば、センターリードおよびサイ
ドリードの少なくとも一方にスリーブを挿通配置したこ
とにより、陰極構体が外部からの振動および秒Ｉ Ｌ’
に対し°［１ｉｉ１振性〃−向上し、ひいて“はフィラ
メントの強度を低下させることなく、高ｆＪＩｉなモリ
ブデン製センターリ−ドおよびザイドリー ドを細くす
ることができるとともに、従来の如き予備加工組立て卦
よび溶接工程が不要と戒ることによる製り：■工（−が
短７＋ａできるので、より安ｆ曲なマグネトロンが得ら
れるという極めて優れた効果を有するっ
第１図、第２図は従来のマグネトロン陰極構体の一例を
示す要部断面構成図、第３図は本発明によるマグネトロ
ン陰極構体の一実施例を示ず要部断面４１り成因、第４
図ないし第６図は本発明によるマグネトロン陰極構体の
他の実施例を示す要部断面構成図である。 １・・・・フィラメント、２＠・・・上エンドシールド
、３＠１１・−下エンドシールド、３ａ・ゆ・Ｓ円形孔
、４・・・ｅセンター Ｉルート、５・・・０サイドリ
ード、６１１・・―電力供給端子、Ｉ・・・ｅステムセ
ラミック、７Ｂ＊ｓ・・孔部、８ｅ・・Φシール部ｔｊ
？＋、９ 書・・・スベー１．１１ 。 １２・−＊−スリーブ、１２ａ 、 １２Ｌ＋ −−−
―開口部、。 第１図 第２図 Ａ□Ａ′ 第３図 第４図 Ａ婿−□□−Ａ ’ Ａ ４−ｍ−−Ａ ’第５図 Ａ Ａ’ 沖６図 Ａ Ａ’
示す要部断面構成図、第３図は本発明によるマグネトロ
ン陰極構体の一実施例を示ず要部断面４１り成因、第４
図ないし第６図は本発明によるマグネトロン陰極構体の
他の実施例を示す要部断面構成図である。 １・・・・フィラメント、２＠・・・上エンドシールド
、３＠１１・−下エンドシールド、３ａ・ゆ・Ｓ円形孔
、４・・・ｅセンター Ｉルート、５・・・０サイドリ
ード、６１１・・―電力供給端子、Ｉ・・・ｅステムセ
ラミック、７Ｂ＊ｓ・・孔部、８ｅ・・Φシール部ｔｊ
？＋、９ 書・・・スベー１．１１ 。 １２・−＊−スリーブ、１２ａ 、 １２Ｌ＋ −−−
―開口部、。 第１図 第２図 Ａ□Ａ′ 第３図 第４図 Ａ婿−□□−Ａ ’ Ａ ４−ｍ−−Ａ ’第５図 Ａ Ａ’ 沖６図 Ａ Ａ’
Claims (1)
- 熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメントの
上下端に固定配置された上エンドシールドおよび下エン
ドシールドと、前記上エンドシールドに接続固定された
センターリードと、前記下エンドシールドに接続固定さ
れたサイドリードと、前記センターリードおよびサイド
リードの他端部が植設されたステムセラミックとを備え
たマグネトロン陰極構体において、前記センターリード
およびサイドリードの少なくとも一方にスリーブを挿通
配置したことを特徴とするマグネトロン陰極構体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177905A JPH0616380B2 (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | マグネトロン陰極構体 |
| KR1019840005807A KR890002132B1 (ko) | 1983-09-28 | 1984-09-21 | 마그네트론 음극구체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177905A JPH0616380B2 (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | マグネトロン陰極構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070636A true JPS6070636A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0616380B2 JPH0616380B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16039107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177905A Expired - Lifetime JPH0616380B2 (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | マグネトロン陰極構体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616380B2 (ja) |
| KR (1) | KR890002132B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021015669A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 新日本無線株式会社 | マグネトロン |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52102667A (en) * | 1976-02-24 | 1977-08-29 | Japan Radio Co Ltd | Structure of magnetron cathode |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58177905A patent/JPH0616380B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-09-21 KR KR1019840005807A patent/KR890002132B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52102667A (en) * | 1976-02-24 | 1977-08-29 | Japan Radio Co Ltd | Structure of magnetron cathode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021015669A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 新日本無線株式会社 | マグネトロン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890002132B1 (ko) | 1989-06-20 |
| KR850002657A (ko) | 1985-05-15 |
| JPH0616380B2 (ja) | 1994-03-02 |
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