JPS6061707A - 光結合方法 - Google Patents

光結合方法

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JPS6061707A
JPS6061707A JP16938383A JP16938383A JPS6061707A JP S6061707 A JPS6061707 A JP S6061707A JP 16938383 A JP16938383 A JP 16938383A JP 16938383 A JP16938383 A JP 16938383A JP S6061707 A JPS6061707 A JP S6061707A
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light
axis
optical
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健治 河野
Osamu Mitomi
修 三冨
Masatoshi Saruwatari
猿渡 正俊
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    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光出射素子からの光を光入射素子へ効率良く結
合させる裏作性の良い光結合方法に関する。
半導体レーザから出射された光を単一モード光ファイバ
へ効率良く結合させる結合法として二つのレンズを用い
て結合する(al従来の共焦点複合レンズ系、三つのレ
ンズを用いて結合する(bl tJ 2レンズ分割型共
焦点複合レンズ系がある。第1図および後述する第4図
にそれぞれの結合系を示す。
第1図(Atは前記(a)の方法を示し、半導体レーザ
1と単一モード光ファイバ2との間に焦点距離の異る二
つのレンズ4.5を配して半導体レーザlからの光を光
ファイバ2のコア8の入射端向に入射させている。また
光ファイバ2の入射端向〇に光ファイバのコア8と気油
折率の近いガラス板7を貼ることにより入射端面6から
の反射光を減少している。
第1図(B)は第1図(A) Kおけろレンズ系の構成
を示している。図中8は半導体レーザの発光面、6は単
一モード光ファイバの入射端向をそれぞれ示す。第ルン
ズ4は半導体レーザの発光面8からほぼ第2レンズ5の
焦点距離f工だけ離れており、第2レンズ5(焦点距離
f、)と第ルンズ4との距離は両者の焦点距離の和(f
工+f2)であり、光ファイバの入射面の位置6は第2
レンズ5とf。
だけ離れている。
このようなレンズ系をとると、半一導体レーザの発光直
径(スポットサイズ)2ivoはレンズ系の焦点距離の
比(f、/f1)だけ拡大され、光ファイバの入射面の
位置6にスポットサイズの直径2Wgが2w、 =:2
woX (fB/fz )の像を結ぶ。そこで光ファイ
バの導波光ビームの直径を2wfとするときwfとw2
がほぼ等しくなるようにf、 /f、を選べばよいこと
になる。
次に従来の共焦点複合レンズ系の軸ずれ特性について説
明する。半導体レーザモジュールを製作するには、まず
第ルンズ4を位置合わせし、次に第2レンズ5を合わせ
、これらのレンズ系によ。
るビーム変換でファイバとマツチングさせるので。
第ルンズ4と嬶2レンズ5にどういうレンズ系を使用し
ても、光ファイバの固定精度は単一モード光ファイバ同
志の接続特性と同等になる。
第2図には、スポットサイズが1μmの半導体レーザと
、5.5μmの単一モード光ファイバを用いた場合につ
いて、横軸に光ファイバ8の光軸に垂直な方向のずれ量
Xをとり、縦軸に結合効率ηをとった図産示す。第2図
かられかるように、光ファイバ8が光軸に垂直に約±2
.5μm動けばldBの結合損失が生じ、光軸に垂直な
方向の許容軸ずれ量は小さく、厳しい固定精度が要求さ
れることがわかる。
ところでスポットサイズの等しい二つのガウスビームの
結合特性は で表わされる(参考文献M、 Saruwatari 
andK、 Nawata * : Sem1cond
uctor fiber coupler :Appl
、0pticB、 vol、 18 、 All 、 
PP、1847〜1856.1979 )。ここでXは
光軸に垂直な方向の軸ずれ、θは二つのビームの角度ず
れ、wはガウスビームのスポットサイズ、λは半導体レ
ーザの発振波長である。この式よりWを大きくするとX
の許容軸ずれ鍬は大きくなるが、許容角度ずれ量は小さ
くなることがわかる。現在使用されている単一モード光
ファイバの場合には、1dB劣下のX、θの値はそれぞ
れ約±2.5μm、約±2.2度となる。モジュールM
伶の際、通〜常、角度ずれは一度以内には抑えられるの
で、このスポットサイズを数倍大きくすれば単一モード
光ファイバの光軸に垂直な方向における許容軸ずれ量が
かなり大きくなることがわかる。
また嬉8図には光ファイバ2の光軸方向における軸ずれ
餠・zを横軸に、結合損失ηを縦軸にとった図を示す。
約60μmの光軸方向のずれによりl clBの劣化が
生じる。
ここでスポットサイズを大きくするため第2レンズ5を
光ファイバ8と一体化した場合を考える。
第ルンズ4により半導体レーザの約1μmのスポットサ
イズW。は、レーザの発振波長λ=1.8μm、第ルン
ズ4の焦点圧#fl =456 μmとして、W=if
□/(πWo )の関係式よりスポットサイズW□=1
89μmに変換される。この値を式(1)に代入すると
、ldBの結合損失の増加に対する許容軸ずれ祈、許容
角度ずれ量X、θはそれぞれ約±87μm、約±8.6
分となり、角度すれか極めて厳しくなることがわかる。
また第1ヒンズ4と半導体レーザlの光軸方向における
固定精度が±10μm程度あると、m2レンズ5を通過
したビームのウェストの位1uは光軸方向で(f/f 
)”X(±10)=±250#m程1 度ハらつくので、絶zレンズ5と光ファイバを一体化し
たのではこのずれを補正しきれない。
さらに角度ずれのない平行ビームが第2レンズ5に入射
するとその光軸上に像を結ぶので、第2レンズ5の光軸
と光ファイバ8の光軸とを完全に同心にして一体化する
必要があるが、これは現在の工作精°度では困難である
したがって第2レンズ5をそのまま光ファイバ8に一体
化したのでは高い結合効率は望めない。
第4図(A)は以上の欠点を除去するためにすでに提案
されている前述の第2レンズ分割型共i 点複合レンズ
系の構成側図である。第ルンズ4としては球レンズを用
い、第2レンズ5としては二つの集束形ロッドレンズ(
以下、ロッドレンズと略−j”’)51.52を用い、
ロッドレンズ52を光7で0.5ピツチとは点光源を点
光源に結像するレンズの長さである)。ロッドレンズ5
2は光ファイバ2と接着剤等を用いて一体化してあり、
光ファイバ2の位置合わせはロッドレンズ52と光ファ
イバ2とを固定した状態で行う。
第4図(B)は第Φ図fA)のレンズ系の構成を示して
いる。このレンズ系の結合特性は、半導体レーザlから
出射され、第1し/ズ4によシスポットサイズがwoに
変換された光線が第10ツドレyズ51のみを通過して
生じた実像のスポットサイズ。
w2□およびその位置と、光ファイバ2のコア誌からス
ポットサイズWfの光線が右からロッドレンズ52に入
射した場合にできる虚像のスポットサイズWf sおよ
びその位置とによりめられる。例えばスポットサイズW
□の光線が二つのロッドレンズ51.52を通過して生
じる光線のスポットサイズW、とWfとが一致する場合
には、実像WilF、と虚像Wfsの大きさと位置が一
致している。
第6図にはロッドレンズ52と一体化した光ファイバ2
(以下レンズ52+光フアイバ2と略す)の光軸に垂直
な方向における軸ずれ量Xを横軸にとり、結合効率ηを
縦軸にとった図を示す。二つのロッドレンズ51.52
のピッチ長をそれぞれ0.06ピツチ、0.18ピツチ
としたとき、W8、=12.9μmとなり、1 dBの
損失゛増加を与える軸ずれXと角度ずれθはそれぞれ約
±5.9μm、約±56分となる。
また光軸方向におけるレンズ52+光フアイバ2の軸ず
h量2と結合効率ηとの関係を第6図に示す。棺8図と
第6図を比較することにより光軸方向の許容軸ずれ濱に
ついても第2レンズ分割系は極めて緩いことがわかる。
椿2レンズ分割系ではl dBの結合損失増加を与える
2は約400μmと極めてゆるくなっている。
また第2レンズ分割系では、ロッドレンズ5zが反射M
止板の役目をし、光ファイバ2の端面6からの反射光を
抑えるので、従来の共焦点系における光学研磨をしたガ
ラス板6が必要でなくなった。
前述のように、従来の共焦点系では光ファイバ2の許容
軸ずれ鮒が小さいばかりでなく、反射防止の光学研磨ガ
ラス板7が必要であり、これらの点を改良したHzレン
ズ分割系では、レンズの数が従来の共焦点系のものより
一つ増加するという欠点がある。
さらに半導体レーザモジュールを製作する場合、従来の
共焦点系ではレンズ5と光ファイバ2、第2レンズ分割
系ではロッドレンズ51とレンズ52+光フアイバ2の
相互位置を調整する作業が必要である。この位置合わせ
の作業は難しく、昨導体レーザモジュールの製作性を著
しく低下していた。
本発明は第ルンズ出射後の収束または発散光線を第2レ
ンズと一体化した光入射素子に絞り込むことを特徴とし
、その目的は製作性が極めて良く、レンズの数も2個と
少なく、許容軸ずれ鼠が緩(、かつ反射光の少ない半導
体レーザ光結合方法を提供することにある。以下図面に
より本発明の詳細な説明する。
第7図(Alは本発明の一実施例図であり、第7図(B
lはその原理図である。第1図、第4図と対応する部分
には同一符号を付けている。第ルンズ4としては球レン
ズを、第2レンズ9としてロッドレンズを使用している
。なお第2レンズ9として球レンズを用いる場合には、
レンズ9と光ファイバ2との間をあけねばならず、その
間に光学研磨したガラス板、光学接着剤、マツチングオ
イル等を挿入するか、光ファイバ2の端面に反射防止膜
を施す必要がある。以下、第2レンズ9と光ファイバ2
を一体化したものをレンズ9+光フアイバ2と略す。
第7図(A) 、 (Blの実施例は第ルンズ4とLD
の発光面8との距離d。を第ルンズ4の焦点距離f よ
り大きくし、レンズ4出射後に生じた絞りぎみの光線を
、例えば1/4ピツチより短いロッドレンズ9と一体化
した光ファイバ2に絞り込むものである。このレンズ系
の結合特性は、スポットサイズW。の半導体レーザ光を
第ルンズ4によりg侠して作った実像のスポットサイズ
W8□およびその位置と、光ファイバ2のコア8からス
ポットサイズwfの光線が右からレンズ9に入射した場
合にできる虚像のスポットサイズWfsおよびその位置
とによりめられる。
半導体レーザーの発光面8と第ルンズ4との距k[[は
、虚像のスポットサイズWf、と実像のスポットサイズ
W81を一致させる条件から、光線行列(参考文献M、
 Saruwatari and K、 Nawata
 、 :Sem1conduct、or fiber 
coupler : Appl、0ptics 。
vol、 18 、All 、 PP、 184’7〜
1856 、 IQ19)を用いて次式のようにめられ
る。。
例えば第ルンズ4として焦点距離f0がf、 =456
μmの球レンズを使用し、レンズ9として0.18ピツ
チのロンドレンズを用いると、半導体レーザの発振波長
λ=1.8μm、半導体レーザ光のスポットサイズW。
21μm1虚像のスポットサイズw1. =、18μm
として、式(2)よりd。= 491μmとなる。
本発明では、従来の共焦点系におけるレンズ5、第2レ
ンズ分割系におけるレンズ51に対応したレンズは不要
であり、レンズ4を封入した半導体レーザパッケージを
用いた場合、調4!箇所はレンズ5z十光フアイバ2の
みであり、モジュール0製作性が著しく向上する。また
レンズ4の設定ずれは比較的小さいので、レンズ9+光
フアイノ<2を平行移動して位置ずれを補正した後に残
る角度ずれに起因する結合効率の劣下は小さい。従来の
共焦点系においてレンズ5と光コアイノく2を一体化し
た場合に比べて角度ずれに結合効率の劣下が小すいのは
、レンズ4出射後n光のスポットサイズが従来の共焦点
系では189μm、本発明では12.9μmと1/18
以下の大きさになるためである。
なお前述の角度ずれをも補正したい場合には、レンズ9
+光フアイバ2を傾ければよい。この場合にもスポット
サイズが12.9μm程度の大きさであるから1.iF
M整は比較的容易である。
第8図には、レンズ9+光フアイ”バ2の光軸に垂直な
方向における軸ずれ量Xを横軸に、結合効至ηを縦軸に
とった図を示す。ここでレンズ9としては0.18ピツ
チのロンドレンズを仮定している。このとき1 dBの
損失増加を与える軸ずれXと角度ずれθはそれぞれ約±
6.8μm、約±52分となる。
また光軸方向におけるレンズ9+光フアイバ2の軸ずれ
餓zと結合効率ηとの関係を第9図に示′す。1 dB
の損失増加を与える2は約420 /1mとなる。この
ように許容軸ずれ鴬は、レンズが一つ少ないにもかかわ
らず光軸方向、光軸に垂面な方向とも、第2レンズ分割
系すなわち第4図のものと同程度であり、従来の共焦点
系すなわち第1図のものより極めて緩くなっている。
また本発明では第ルンズ4の光軸方向における固定誤差
のため生じた第2レンズ通過後のビームウェストw2Q
の位置のばらつきは、第ルンズ4と第2レンズ9との間
隔を調整することKより、1容易に補正できることを確
認している。
さらに本発明では、第2レンズ9を光ファイバに一体化
する構造をとっているので、光コアイノく入射端面では
屈折率差が小さく反射が少なくなる。
このように、従来の共焦点系に必要であった反射防止の
ための光学研磨したガラス板7が不必要となった。
以上の実施例では、半導体レーザ■の発光面8、と第ル
ンズ4との距離d。を、第ルンズ4の焦点距離f□より
大きくとり、第2レンズ9のピッチ数が1/′4ピツチ
より短い場合について述べた。
しかしな違らd。をfoより小さくとり、植2レンズ9
のピッチ数を署より長めにとることも可能である。この
場合は、第ルンズ4を出射した後のスポットサイズW8
□が虚像のものとなり、光ファイバ?のコアBから第2
レンズ9に入射して生じたスポットサイズW8□が実像
のものとなる。結合効率ηはこの二つのスポットサイズ
の結合として計算できる。このときのd。は次式から算
出される。
第1O図は第7図の実施例におけるレンズ90代わりに
、レンズ4と同様の球レンズ10を用い、光ファイバ2
の代わりに半導体レーザ11を用いた実施例図であり、
光直接増幅器を実現できる。
第11図は第10図の実施例における半導体レーザ1の
代わりに、光出射用の光ファイバ12を、球レンズ4の
代わりにロッドレンズ18を用いた実施例図であり、光
直接増幅器を実現できる。
なお第10図、第11図においては、球レンズ10と光
入射用半導体レーザ11を固定治具を用いて一体化する
第12図は第11図の実施例における球レンズIOの代
わりに、ロッドレンズ9を用い、半導体レーザ11の代
わりに光ファイバ2を用いた実施例図であり、光の受動
回路を実現できる。゛なお第11図、第12回において
、光ファイバ12とロッドレンズ18を活着させてもよ
い。まtこ第11図の実施例において球レンズIOとロ
ッドレンズ18を入れかえてもよい。
YIG球を用いたアイソレータ内献のLDモジュール(
猿渡・活性、昭和57年度゛dt子通信学会光・重液部
門全国大会816番)の場合、YIGは屈折率が高く、
球レンズの焦点が球の中に入るので、第18図(Alに
示すように、YIG球14から出射された光線は平行光
線にならず、絞りぎみとなる。
このため従来の共焦点系のレンズ構成はとれない。
なお18図(A)において、15は磁石、16は偏光子
である。
本発明では、屈折率の高いレンズを第ルンズとして使用
しても、構成が可能となる。この場合の構成を第18図
(Blに示す。これによりYIG球を用いたアイソレー
タの場合にも、製作性の数置と、第2レンズを一体化し
た光ファイバ2の許容軸スれ菫を大きくすることが可能
となる。
以上説明したように、本発明の方法によれば、従来の共
焦点系の同じレンズの数で、t/ンズの数が多い第2レ
ンズ分割系と同程唯の許容軸ずれ門が得られるので、信
頼性の高い光結合装置を構成することができるとともに
、その製゛作性が著しく向上する。
なお従来の共焦点系には必要であった反射防止板が不必
要となる。
また本発明の方法を多モード光ファイバ用半導体レーザ
結合装置の構成に適用することが可能で、その製作性の
向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
Ml(財)fAl 、 (B)は従来の共焦点系複合レ
ンズ系の構成例とその原理の説明図、第2図と第8図は
従来の共焦点系につめて光@に垂直な方向と光軸方向に
おける軸ずれ特性を説明する図、第4図(Al 、 。 (B)は第2レンズ分割型共焦点複合レンズ系の構成例
とその原理の説明図、第5図と第6図は第2レンズ分割
系について光軸に垂直な方向と光軸方向における中11
Iずれ特性を説明する図、Ml図(A) 、 (Blは
本発明の一実施例とその原理の説明図、第8図と第9図
は光軸に垂直な方向と光軸方向における軸ずれ特性をM
S?明する図、第10図、第11図、第12図は本発明
の他の実施例図、第18図(Alは従来のLDモジュー
ルの構成図、第18図(Blは本発明を適用した場合の
LDモジュールの構成図である。 l・・・光出射用半導体レーザ、 2・・・光入射用光ファイバ、8・・・光ファイバのコ
ア、番・・・第ルンズ、5・・・従来の共焦点系におけ
る第2レンズ、51・・・第zレンズ分割系の第1集束
形ロンドレンズ、52・・・第2レンズ分割系の第2集
東形ロツドレンズ、6・・・光ファイバの端面、?・・
・反射防止板、8・・・半導体レーザの発光面、9・・
・本発−明の一実施例における第2レンズ(集束形ロッ
ドレンズ)、lO・・・本発明の央倫例における第2レ
ンズ(球レンズ)、11・・・光入射用半導体レーザ(
光増幅器)、12・・・光出射用光ファイバ、1B・・
・本発明の実施例における6ルンズ、14・・・YIG
球、15・・・磁石、16・・・圏光子。 第1図 第2図 軸す【χ(メgI) 第3図 〃V 第4図 第7図 、 第8図 軸fれχ(/II?71) 第9図 @イ戚2(メ慴) 第1O図 第11図 第12図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 光出射素子、第ルンズ、第2レンズと一体化した
    光入射素子をこの順序に配列し、前記光出射素子と前記
    第ルンズとの距離を前記第ルンズの焦点距離よりも大ま
    たは小とすることにより、前記光出射素子から出射した
    光線を前記第ルンズ出射後に収束または発散させ、かつ
    この光線が前記光入射素子の端面に像を結ぶように前記
    第2レンズの位置を設定することにより、前記光出射素
    子から出射した光線を前記入射素子に入射させることを
    特徴とする光結合方法。
JP16938383A 1983-09-16 1983-09-16 光結合方法 Granted JPS6061707A (ja)

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