JPS6059528A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6059528A JPS6059528A JP58166677A JP16667783A JPS6059528A JP S6059528 A JPS6059528 A JP S6059528A JP 58166677 A JP58166677 A JP 58166677A JP 16667783 A JP16667783 A JP 16667783A JP S6059528 A JPS6059528 A JP S6059528A
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- JP
- Japan
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
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- G11B5/7356—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer comprising non-magnetic particles in the back layer, e.g. particles of TiO2, ZnO or SiO2
- G11B5/7358—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer comprising non-magnetic particles in the back layer, e.g. particles of TiO2, ZnO or SiO2 specially adapted for achieving a specific property, e.g. average roughness [Ra]
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- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31609—Particulate metal or metal compound-containing
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31935—Ester, halide or nitrile of addition polymer
Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本釦明は、磁気記録媒体に関する。
−ｍ靜細には、１！を気メッキ、化学メッキ、真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング等によりポリ
エステル婚の支持体上に強磁性金に４薄膜（合金も含む
）を形成させた油展型磁気記録媒体にバック層を形成す
ることにより摩擦係数を低下させ、強磁性薄膜層を内側
とするカールを低減し、ドロップアウト減少を可能にし
た磁気記録媒体及びその製造法に関する。
、スパッタリング、イオンブレーティング等によりポリ
エステル婚の支持体上に強磁性金に４薄膜（合金も含む
）を形成させた油展型磁気記録媒体にバック層を形成す
ることにより摩擦係数を低下させ、強磁性薄膜層を内側
とするカールを低減し、ドロップアウト減少を可能にし
た磁気記録媒体及びその製造法に関する。
現在、磁気テープは、オーディオ、ビデＡ１コンピュー
タ得の分封で広範囲に使用されるようになってきた。そ
れに伴い、媒体に記録する情報嵐も年々増加し、媒体に
は記録＠度の高いことかますます要求されるようになっ
た。
タ得の分封で広範囲に使用されるようになってきた。そ
れに伴い、媒体に記録する情報嵐も年々増加し、媒体に
は記録＠度の高いことかますます要求されるようになっ
た。
ｔｍ気メッキ、化学メッキ、ｊ＆空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーディング等の方法を用いた場合、形成
される強磁性金ｊ４薄展は１００％金属あるいは合金で
あるために高い記録密度を持ち得る。しかし上記の方法
で強磁性金Ｗ４薄膜を形成した場合、支持体の表面状態
が強磁性＊ＰＩ！の表向状態に強く影響を及ぼす。
グ、イオンプレーディング等の方法を用いた場合、形成
される強磁性金ｊ４薄展は１００％金属あるいは合金で
あるために高い記録密度を持ち得る。しかし上記の方法
で強磁性金Ｗ４薄膜を形成した場合、支持体の表面状態
が強磁性＊ＰＩ！の表向状態に強く影響を及ぼす。
磁性向の表面は磁気ヘッドとのスペーシング損失を少な
くするためにできるだけ平滑にすると共に、異物の付着
によるドロップをできるだけ抑えなければならない。金
属薄膜を用いる場合、金属磁性粉をバインダー中に分散
した磁性層よりもはるかに表面性が向上しており、表面
粗度（後述のタリステップによる測定法においてカット
オフＱ、１７ ｎｓｍでＲｈｏ（測定＠２Ｇ個の平均）
の値・・・・・以下同じ）が（Ｌ Ｏ１ｐｔｎ程度とな
っているので、円滑に走行させることが益々困隷になっ
ている。しかも、支持体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリ
アミド等のプラスチックフィルムベースの厚さが益々薄
くなる傾向があり、現在のところ１１μｎ１程度以下の
ものが検討されている。ペースが薄くなると媒体の展が
やわらかくなり過ぎて摩擦が大きくなり、巻きしまり粘
着を生じ、ガイドローラや支持ビンなどへのはりつきを
生じたりする。また金属＃農磁性体は媒体をカールさせ
る◎これのみにとどまらず、表面平滑性が上記のように
すぐれていると、微小な異物の付着による微小なスペー
シングでもドリップアウトの原因となりうる。
くするためにできるだけ平滑にすると共に、異物の付着
によるドロップをできるだけ抑えなければならない。金
属薄膜を用いる場合、金属磁性粉をバインダー中に分散
した磁性層よりもはるかに表面性が向上しており、表面
粗度（後述のタリステップによる測定法においてカット
オフＱ、１７ ｎｓｍでＲｈｏ（測定＠２Ｇ個の平均）
の値・・・・・以下同じ）が（Ｌ Ｏ１ｐｔｎ程度とな
っているので、円滑に走行させることが益々困隷になっ
ている。しかも、支持体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリ
アミド等のプラスチックフィルムベースの厚さが益々薄
くなる傾向があり、現在のところ１１μｎ１程度以下の
ものが検討されている。ペースが薄くなると媒体の展が
やわらかくなり過ぎて摩擦が大きくなり、巻きしまり粘
着を生じ、ガイドローラや支持ビンなどへのはりつきを
生じたりする。また金属＃農磁性体は媒体をカールさせ
る◎これのみにとどまらず、表面平滑性が上記のように
すぐれていると、微小な異物の付着による微小なスペー
シングでもドリップアウトの原因となりうる。
これに―み、本発明は従来の金り４薄展磁性階を用いる
磁気記録媒体の有する欠点を改良し、きわめて有効な効
果ｉ・発揮するバック層を提供する。
磁気記録媒体の有する欠点を改良し、きわめて有効な効
果ｉ・発揮するバック層を提供する。
本発明者は塩化ビニル・詐取ビニル・ビニルアルコール
共重合体と、ポリウレタンと、ポリイソシアネートとか
ら成る熱硬化性配合物、或いはそれにざらにニトロセル
ロースを加えた熱硬化性配合物をバック層として形成し
、或いは、放射線感応樹脂として代表的には゛γクリル
糸、Ｙレイン糸またはアリル糸二京結合を官む放射ｍ硬
化型樹脂をバック層として形成すると、バック層の摩耗
や媒体のカールや粘着性が減じることが分った。
共重合体と、ポリウレタンと、ポリイソシアネートとか
ら成る熱硬化性配合物、或いはそれにざらにニトロセル
ロースを加えた熱硬化性配合物をバック層として形成し
、或いは、放射線感応樹脂として代表的には゛γクリル
糸、Ｙレイン糸またはアリル糸二京結合を官む放射ｍ硬
化型樹脂をバック層として形成すると、バック層の摩耗
や媒体のカールや粘着性が減じることが分った。
バック層を−１−記の熱硬化型又、は放射ｍ硬化型樹脂
物から形成したとき、強磁性金属薄膜の表面粗度がαｏ
１ ｐｍ程度に小ビいことから、バック層の表［用ｍ
＊ｕ極めて嵐賛な因子であり、Ｓ／Ｎ比の改善、走行性
の＆善の面から、バック層の表面粗度を１０５〜ａ４μ
ｍの範囲に選定すべきことが分った。ａ４μｍ以上の表
ＦｋＪ粗度では磁性層の表面性が積用できず８７Ｎ 比
が大幅に低下する。
物から形成したとき、強磁性金属薄膜の表面粗度がαｏ
１ ｐｍ程度に小ビいことから、バック層の表［用ｍ
＊ｕ極めて嵐賛な因子であり、Ｓ／Ｎ比の改善、走行性
の＆善の面から、バック層の表面粗度を１０５〜ａ４μ
ｍの範囲に選定すべきことが分った。ａ４μｍ以上の表
ＦｋＪ粗度では磁性層の表面性が積用できず８７Ｎ 比
が大幅に低下する。
また０、０５μｍ以下ではバック面の摩擦が大きく、走
行性が阻簀される。
行性が阻簀される。
バック層はガイドローラとの制振により帯電してゴミを
吸着してドロップアウトを生じたり、また磁気テープの
巻舌を不整にしたり、出力変動を生じたりする傾向があ
る。この欠点はバック層に導電材粒子、例えばカーボン
ブラックを含有させれば改善しうるが、カーボンブラッ
クを用いるとバンク層面が記録・再生系のガイドポスト
などの接触部材により削られたり、テープが巻かれてい
るときの磁性面とバック面とのすり応力により削られて
ドロップアウトの原因となる。これはカーボンブラック
のもろさによるものである。
吸着してドロップアウトを生じたり、また磁気テープの
巻舌を不整にしたり、出力変動を生じたりする傾向があ
る。この欠点はバック層に導電材粒子、例えばカーボン
ブラックを含有させれば改善しうるが、カーボンブラッ
クを用いるとバンク層面が記録・再生系のガイドポスト
などの接触部材により削られたり、テープが巻かれてい
るときの磁性面とバック面とのすり応力により削られて
ドロップアウトの原因となる。これはカーボンブラック
のもろさによるものである。
本発明はバック層中に平均粒子径（電子顕微鏡撮影法に
よる、・・・・以下同じ）が１０〜１５０ｍμのカーボ
ンブラックとモース硬度６以下のＣａＣ０１、カオリン
、ＢａＳＯ４のＦｅ１０ｚ等の１０〜５００ ｔｎμの
無機化合物粉末とを含有させることにより上記の問題時
しこ磁性層及びバック面の削れの少ない磁気記録媒体を
提供することを目的とする。これによりカーボンブラッ
クのもろさの問題は完全に回避されることが分った。カ
ーボンブラックの琳独使用でも温和な条件下では特に問
題が生じないけれども、高温多白下（４０℃ ８０％Ｒ
Ｈなど）では軟かい無機化合物粉末がカーボンブラック
のもろさを補って削れが減少する。またこれらの無機化
合物粉末はカーボンブラックの分散性の恋ざを補ってバ
ック層の表面性及び電磁特性を改善することができる。
よる、・・・・以下同じ）が１０〜１５０ｍμのカーボ
ンブラックとモース硬度６以下のＣａＣ０１、カオリン
、ＢａＳＯ４のＦｅ１０ｚ等の１０〜５００ ｔｎμの
無機化合物粉末とを含有させることにより上記の問題時
しこ磁性層及びバック面の削れの少ない磁気記録媒体を
提供することを目的とする。これによりカーボンブラッ
クのもろさの問題は完全に回避されることが分った。カ
ーボンブラックの琳独使用でも温和な条件下では特に問
題が生じないけれども、高温多白下（４０℃ ８０％Ｒ
Ｈなど）では軟かい無機化合物粉末がカーボンブラック
のもろさを補って削れが減少する。またこれらの無機化
合物粉末はカーボンブラックの分散性の恋ざを補ってバ
ック層の表面性及び電磁特性を改善することができる。
本発明においてポリエステルベース等の薄膜フィルム基
体の裏面に形成するバック層は、大別して２棟のものが
可能で、−万は以下に示す熱硬化性樹脂混合物、他方は
以下に示す放射線（イオン化性）樹脂組成物である。
体の裏面に形成するバック層は、大別して２棟のものが
可能で、−万は以下に示す熱硬化性樹脂混合物、他方は
以下に示す放射線（イオン化性）樹脂組成物である。
バック層に用いる熱硬化性樹脂混合物としては、カーボ
ンブラック及び無機化合物粉末を添加した塩化ビニル・
酢酸ビニル・ビニルアルコール共重合体、ポリウレタン
プレポリマー及びボリイソシアネーシより成る熱硬化性
バインダー、或いはこれにざらにニドｐセルｐ−スを加
えた熱硬化性がＴぐれた作用を有することが分った。バ
ック層に用いる放射ｍ４６Ｉ！化型樹脂混合物は、カー
ボンプラッタ及び無機化合物を添加したアクリル糸、マ
レイン糸またはアリル糸の二重結合を有する樹脂バイン
ダーである。
ンブラック及び無機化合物粉末を添加した塩化ビニル・
酢酸ビニル・ビニルアルコール共重合体、ポリウレタン
プレポリマー及びボリイソシアネーシより成る熱硬化性
バインダー、或いはこれにざらにニドｐセルｐ−スを加
えた熱硬化性がＴぐれた作用を有することが分った。バ
ック層に用いる放射ｍ４６Ｉ！化型樹脂混合物は、カー
ボンプラッタ及び無機化合物を添加したアクリル糸、マ
レイン糸またはアリル糸の二重結合を有する樹脂バイン
ダーである。
本発明で用いるカーボンブラックは平均粒子径１０〜１
５０ｍμのものから選択する。１０ｆｆ１μ以下ではバ
ック層中で偏在する傾向があり、バックｍ表面はかえっ
て粗くなり、それに接触する磁性層の表面に悲影愉を与
え、また導電性が低（なって多電を要する。１５０ｍμ
以上では導電性は良いが上述のバックｍ表面の削れの問
題が増大し、また磁性面に削れくずが付着してドルツブ
アウトを生じる。本発明においてはざらにモース硬度６
以下の無機化合物粉末を用いることによりカーボンブラ
ックのもろさの問題を完全に回避する。好ましいｍ線化
合物にはＣ楓ＣＯ，−、力λリン、Ｂ島Ｓｏ、、α−Ｆ
、１０．などのモース硬ｉｔ ６以下の粉末がある。か
かる粉末１／Ｊ粒千住は１０〜５００ ｐｚｘμのもの
が使用できる。なおり−ボンブラックは常１１！下では
問題を生じないが、上述のようにＣａＣ０，痔を含有さ
せることにより高温多血下（例えば４０℃、８０％Ｉζ
Ｈ）にお＆」るバック面の削れの問題を完全に回避す゛
る。さらに、これにより磁性面の削れの問題も解決され
るものである。またカーボンブラックと無機化合物粉末
の割合は１：９〜９：１（重り比）とし、かつこれらの
バック層全嵐に対する割合は２０〜８０％で用いると良
いことが分った。
５０ｍμのものから選択する。１０ｆｆ１μ以下ではバ
ック層中で偏在する傾向があり、バックｍ表面はかえっ
て粗くなり、それに接触する磁性層の表面に悲影愉を与
え、また導電性が低（なって多電を要する。１５０ｍμ
以上では導電性は良いが上述のバックｍ表面の削れの問
題が増大し、また磁性面に削れくずが付着してドルツブ
アウトを生じる。本発明においてはざらにモース硬度６
以下の無機化合物粉末を用いることによりカーボンブラ
ックのもろさの問題を完全に回避する。好ましいｍ線化
合物にはＣ楓ＣＯ，−、力λリン、Ｂ島Ｓｏ、、α−Ｆ
、１０．などのモース硬ｉｔ ６以下の粉末がある。か
かる粉末１／Ｊ粒千住は１０〜５００ ｐｚｘμのもの
が使用できる。なおり−ボンブラックは常１１！下では
問題を生じないが、上述のようにＣａＣ０，痔を含有さ
せることにより高温多血下（例えば４０℃、８０％Ｉζ
Ｈ）にお＆」るバック面の削れの問題を完全に回避す゛
る。さらに、これにより磁性面の削れの問題も解決され
るものである。またカーボンブラックと無機化合物粉末
の割合は１：９〜９：１（重り比）とし、かつこれらの
バック層全嵐に対する割合は２０〜８０％で用いると良
いことが分った。
金属薄膜磁性＋曽ｃｉγ−Ｆ、、Ｏ，、ｃｏ含含有−Ｉ
Ｉ” 、、 ０゜などと比べ輩膜面がもろい為、モース
硬度６以上の無機化合物粉末をバック層に用いると磁性
面が削れ易いが、本発明のようにモース硬度６以下のも
のを用いることによって、この問題を防止しつる。しか
も、これらのものはカーボンブラックよりも分散性が良
好なため、これらを入れることにより表面粗度が減少し
、磁性面への形状転写現象が避けられ、′螺出特性が同
上する。これはモース硬度６以下のものを用いることに
より適度な柔軟性が得られるためである。
Ｉ” 、、 ０゜などと比べ輩膜面がもろい為、モース
硬度６以上の無機化合物粉末をバック層に用いると磁性
面が削れ易いが、本発明のようにモース硬度６以下のも
のを用いることによって、この問題を防止しつる。しか
も、これらのものはカーボンブラックよりも分散性が良
好なため、これらを入れることにより表面粗度が減少し
、磁性面への形状転写現象が避けられ、′螺出特性が同
上する。これはモース硬度６以下のものを用いることに
より適度な柔軟性が得られるためである。
バンク層が熱硬化型である場合のノ（インダーの各成分
の比率は、広い範囲で櫨々に変えることができるが、塩
化ビニル・＃酸ビール・ビニルアルコール共重合体及び
ポリウレタンについては、前者を１０〜８０慮置囁、後
者を残部とし、ポリイソシアネーＦとして上記樹脂全１
１００として５〜８０点鰍１１■される０ 上記のバインダー組成にさらに二Ｆロセルａ −スを那
える場合には、二ｔロセルロースＩ ５〜６０嵐皺％、
塩化ビール・酢酸ビニル・ビニルアルコール兵庫合体１
５〜６０慮１ｉ％及びポリウレタン１０〜７０慮ｍ％（
ただし全一で１００％）の軸頭で用いつる。〆リイソシ
アネートは上記樹脂全車を１０（Ｊとすると５〜８０重
ｉＩｋ部添加され’３る。なお、ニトロセルロースの添
加は粘着性をさらに低下させ、また耐＊耗性をさらに向
上させる。
の比率は、広い範囲で櫨々に変えることができるが、塩
化ビニル・＃酸ビール・ビニルアルコール共重合体及び
ポリウレタンについては、前者を１０〜８０慮置囁、後
者を残部とし、ポリイソシアネーＦとして上記樹脂全１
１００として５〜８０点鰍１１■される０ 上記のバインダー組成にさらに二Ｆロセルａ −スを那
える場合には、二ｔロセルロースＩ ５〜６０嵐皺％、
塩化ビール・酢酸ビニル・ビニルアルコール兵庫合体１
５〜６０慮１ｉ％及びポリウレタン１０〜７０慮ｍ％（
ただし全一で１００％）の軸頭で用いつる。〆リイソシ
アネートは上記樹脂全車を１０（Ｊとすると５〜８０重
ｉＩｋ部添加され’３る。なお、ニトロセルロースの添
加は粘着性をさらに低下させ、また耐＊耗性をさらに向
上させる。
本発明のバック層に放射！ｌｉ１硬化掴のバインダーを
用いる場合の放射−嵐合性二重結合を有するアク！ＪＡ
／Ａ二慮結合、マレイン糸二皇結合、或いはアリル糸二
嵐結合をｉする樹脂としては、次のものを用いつる。
用いる場合の放射−嵐合性二重結合を有するアク！ＪＡ
／Ａ二慮結合、マレイン糸二皇結合、或いはアリル糸二
嵐結合をｉする樹脂としては、次のものを用いつる。
（１）掘化ビニル系共菖合体
塩化ビニル＋酔誦ビニル・ビニルアルコール共−合体、
塩化ビニル・ビニルアルコール共−合体、塩化ビニル・
ビニルアルコール・プロピオン敲ビニル共■合体、塩化
ビニル１１ビニル俸マレイン噛共班合体、塩化ビニル・
酢酸ビニル・末端ＯＨ側鎮アルキル基共瓜合体、たとえ
ばＵＣＣ社ＶＲＯＨ。
塩化ビニル・ビニルアルコール共−合体、塩化ビニル・
ビニルアルコール・プロピオン敲ビニル共■合体、塩化
ビニル１１ビニル俸マレイン噛共班合体、塩化ビニル・
酢酸ビニル・末端ＯＨ側鎮アルキル基共瓜合体、たとえ
ばＵＣＣ社ＶＲＯＨ。
ＶＹＮＣ，、ＶＹｋ２ＧＸ 等ｆ １： Ｕ ＣＣ社ｖ
Ｅｎｉｔ尋カ挙げられる。
Ｅｎｉｔ尋カ挙げられる。
上記共重合体に後に述べる手法により、アクリル糸二嵐
結合、マレイン酸系二嵐結合、γリル糸二ＩＩｔ結合を
導入し放射−感応変性を行ったもの（Ｍ）飽和吐ζリエ
ステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、
マレイン−ａ／４導体、コハク酸、アジピン酸、セバシ
ン酸、のような飽和多環ｊｌｌとエチレングリフール、
ジエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプ
ロパン、ｔ２プロピレングリコール、ｔ６プタンジオー
ル、ジブ四ピレングリコール、１．４ブタンジオール、
ｔ６ヘキサンジオール、ペンタエリスリット、ソルビト
ール、グリセリン、ネオペンチルグリコール、ｔ４シク
ロヘキＶンジメタノールのような多価アルコールとのエ
ステル結合により得られる飽和ポリエステル樹脂又はこ
れらのポリエステル樹脂を５Ｏ１Ｎａ４で変性した樹脂
（バイロン５５Ｂ）。これらを後に述べる手法により放
射線感応変性を行なったもの （置） 不飽和ポリエステル樹脂 分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば第（ＩＩ）項の熱可塑性＋Ｍ脂
として記載の多塩基酸と多価アルコールのエステル結合
から成る飽和ポリエステル化合物で多塩基酸の一部をマ
レイン酸とした放射線硬化性不飽和二重結合を含有する
不飽和ポリエステル樹脂、プレポリマー、オリゴマーを
挙げることができる。
結合、マレイン酸系二嵐結合、γリル糸二ＩＩｔ結合を
導入し放射−感応変性を行ったもの（Ｍ）飽和吐ζリエ
ステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、
マレイン−ａ／４導体、コハク酸、アジピン酸、セバシ
ン酸、のような飽和多環ｊｌｌとエチレングリフール、
ジエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプ
ロパン、ｔ２プロピレングリコール、ｔ６プタンジオー
ル、ジブ四ピレングリコール、１．４ブタンジオール、
ｔ６ヘキサンジオール、ペンタエリスリット、ソルビト
ール、グリセリン、ネオペンチルグリコール、ｔ４シク
ロヘキＶンジメタノールのような多価アルコールとのエ
ステル結合により得られる飽和ポリエステル樹脂又はこ
れらのポリエステル樹脂を５Ｏ１Ｎａ４で変性した樹脂
（バイロン５５Ｂ）。これらを後に述べる手法により放
射線感応変性を行なったもの （置） 不飽和ポリエステル樹脂 分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば第（ＩＩ）項の熱可塑性＋Ｍ脂
として記載の多塩基酸と多価アルコールのエステル結合
から成る飽和ポリエステル化合物で多塩基酸の一部をマ
レイン酸とした放射線硬化性不飽和二重結合を含有する
不飽和ポリエステル樹脂、プレポリマー、オリゴマーを
挙げることができる。
飽和４ζリエステル樹脂の多塩基酸および多価アルコー
ル成分は第（Ｉ）項に記載した各化合物を挙げることが
でき、放射線硬化性不飽和二重結合としてはマレイン酸
、７マル識等を挙げることができる。
ル成分は第（Ｉ）項に記載した各化合物を挙げることが
でき、放射線硬化性不飽和二重結合としてはマレイン酸
、７マル識等を挙げることができる。
放射促硬化性不飽和ざリエステル寅詣の製法は、多塩基
酸成分１植以上と多価アルコール成分１檎以上にマレイ
ン酸、７マル＃等を厘え常法、すなわち＠某存在１８０
〜２００℃窒素雰囲気下脱水あるいは脱アルコール反応
の後、２４０〜２８０℃よで昇温し、０．５〜１藤■ｇ
の減圧下縮合反応によりポリエステル＃脂を得ること
ができる。マレイン虐Ｐフマル虐等の含、ｆｊｔは、製
造時の架橋、放射凍及化性Ｊ！ｉから艇Ｅ分中１〜４０
そル％で好；シ＜は１０〜３０モル％である。
酸成分１植以上と多価アルコール成分１檎以上にマレイ
ン酸、７マル＃等を厘え常法、すなわち＠某存在１８０
〜２００℃窒素雰囲気下脱水あるいは脱アルコール反応
の後、２４０〜２８０℃よで昇温し、０．５〜１藤■ｇ
の減圧下縮合反応によりポリエステル＃脂を得ること
ができる。マレイン虐Ｐフマル虐等の含、ｆｊｔは、製
造時の架橋、放射凍及化性Ｊ！ｉから艇Ｅ分中１〜４０
そル％で好；シ＜は１０〜３０モル％である。
（ｆｆ） ポリビニルアルコール朶ｔｉ１２ダリビニル
アルコール、ブチラール尉；指、アセタールａ士、ホル
マール書出及びこれらの成分の某１合体。これら−ｉ１
全中に含ｉれる水酸基を後に述べる手法により放射性感
応変性２行なったもの。
アルコール、ブチラール尉；指、アセタールａ士、ホル
マール書出及びこれらの成分の某１合体。これら−ｉ１
全中に含ｉれる水酸基を後に述べる手法により放射性感
応変性２行なったもの。
（Ｖ／ エポキシ糸ｆｄ脂、フェノキシａｈビスフェノ
ールムとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリ
ンの反応によるエポキシ甜脂−シエル化学Ｓ（エピコー
ト１５２．１５４．８２８．１００１．１００４．１０
０７）ダウケミカル誤（ＤＥＮｔ５１、ＤＥＥＬ７５２
、ｎｒａｓｌｔ、ＤＥＲ３５１） 、大Ｈ本インキ謳（
エビクロン４０Ｇ、エビクロン−８ｏｏ）、更に上記エ
ポキシのａＸ合度貢賃であるＵＣＣ社裂７エノキシ樹脂
（ＰＫ■ム、ＰＸＨＣ％ＰＫＨＨ）Ｊｌ化ビスフェノー
ルＡとエピクロルヒドリンとの共１合体、大日本インキ
化学工業望（エビクロン１４５．１５２．１５３．１１
２ａ）等） これら−Ｎｊ甲に含よれるエポキシ基を利用して、：Ｊ
Ｌ討嬢感応変性２行ったもの （ＶＩ） 磁、−素誘導本 各１分子盪の１．進鷹糸誘導本も、甲た熱可塑性プラス
チック１分として効果的である。その中でも、特に効果
的なものは硝化諭、セルローズアセトブチレート、エチ
ルセルローズ、ブチルセルローズ、アセチルセルロース
等が好適であり、ｄ１中の水＃基を活性して後に述べる
手法により放射、ｍｓ応変性を行なったもの その他、放射性感応変性に用いることのできる４１［と
しては、多官箋ポリエステル樹脂、〆りエーテルエステ
ル樹脂、ブリビニルピロリドン＃脂及び誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ｌリアミド、！ｉ詣、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水Ｉ
Ｉ’基を含有するアクリルエステル及びメタクリルエス
テルを少くとも一種以上重合成分として含むアクリル糸
膚脂等も有効である。
ールムとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリ
ンの反応によるエポキシ甜脂−シエル化学Ｓ（エピコー
ト１５２．１５４．８２８．１００１．１００４．１０
０７）ダウケミカル誤（ＤＥＮｔ５１、ＤＥＥＬ７５２
、ｎｒａｓｌｔ、ＤＥＲ３５１） 、大Ｈ本インキ謳（
エビクロン４０Ｇ、エビクロン−８ｏｏ）、更に上記エ
ポキシのａＸ合度貢賃であるＵＣＣ社裂７エノキシ樹脂
（ＰＫ■ム、ＰＸＨＣ％ＰＫＨＨ）Ｊｌ化ビスフェノー
ルＡとエピクロルヒドリンとの共１合体、大日本インキ
化学工業望（エビクロン１４５．１５２．１５３．１１
２ａ）等） これら−Ｎｊ甲に含よれるエポキシ基を利用して、：Ｊ
Ｌ討嬢感応変性２行ったもの （ＶＩ） 磁、−素誘導本 各１分子盪の１．進鷹糸誘導本も、甲た熱可塑性プラス
チック１分として効果的である。その中でも、特に効果
的なものは硝化諭、セルローズアセトブチレート、エチ
ルセルローズ、ブチルセルローズ、アセチルセルロース
等が好適であり、ｄ１中の水＃基を活性して後に述べる
手法により放射、ｍｓ応変性を行なったもの その他、放射性感応変性に用いることのできる４１［と
しては、多官箋ポリエステル樹脂、〆りエーテルエステ
ル樹脂、ブリビニルピロリドン＃脂及び誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ｌリアミド、！ｉ詣、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水Ｉ
Ｉ’基を含有するアクリルエステル及びメタクリルエス
テルを少くとも一種以上重合成分として含むアクリル糸
膚脂等も有効である。
さらに上記放射Ｊ！惑応変性熟町盟性粛詣に熱可塑性エ
ラストマー又はプレポリマーをブレンドすることにより
、１１＃強靭な禽漠と下ることができる◎さらに、下記
に述べるように、これらエラストマーあるいはプレポリ
マーが、同様に放射線感応惟に変性された場合は、より
効果的である。以下に、上記放射線！惑応耐１と組み合
わせることのできるエラストマー又はプレポリマーを挙
げる。
ラストマー又はプレポリマーをブレンドすることにより
、１１＃強靭な禽漠と下ることができる◎さらに、下記
に述べるように、これらエラストマーあるいはプレポリ
マーが、同様に放射線感応惟に変性された場合は、より
効果的である。以下に、上記放射線！惑応耐１と組み合
わせることのできるエラストマー又はプレポリマーを挙
げる。
（Ｉ） ポリウレタンエラストマー及びプレボリマ−及
びテロマー ポリウレタンエラストマーは、耐ｇ耗性、ｐｇ’ｒフィ
ルムへの接着性が良い点で特に有効である０この二つな
ウレタン化合物の例としては、インシアネートとして、
２．４−）ルエンジイソシアネート、２．６−トルエン
ジイソシアネート、１．５−キシレンジイソシアネー）
、＄４−？シレンジイソシアネート、ｔ５−す７タレン
ジイソシアネート、ｍ −ｙエニレンジイソシアネート
、ｐ−フェニレンジイソシアネー）、４５’−ジメチル
−４４１−ジフェニルメタンジイソシアネート、４．４
′−ジフェニルメタンジイソシアネート ｈ ｓ ｌ
−ジメチルビフェニレンジイソシアネー）、４．４’−
ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、イン７オロンジイソシアネート、ジシクロ
へ中シルメタンジイソシアネート、デスモジュールＬ１
デスモジュールＮ等の各１多価インシアネートと、線状
負相ポリエステル（エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、Ｌ４
−ブタンジオール、ｔ６−ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリコール、
１４−シクロヘキサンジメタツールの様な多価アルコー
ルと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイ
ン酸、フハク酸、アジピン酸、セバシン酸、の様な飽和
多塩基酸とのａ重合によるもの）、線状負相ポリエーテ
ル（ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、ポリテトラエチレングリコールンやカブ１ゴラクタ
ム、とドロ千シン含有アクリル酸エステル、ヒドロキシ
含有メタアクリル嬢エステル等の各慮ポリエステル類の
４１合物より収るポリウレタンエラストマー、プレポリ
マー、テロマーが有効である。
びテロマー ポリウレタンエラストマーは、耐ｇ耗性、ｐｇ’ｒフィ
ルムへの接着性が良い点で特に有効である０この二つな
ウレタン化合物の例としては、インシアネートとして、
２．４−）ルエンジイソシアネート、２．６−トルエン
ジイソシアネート、１．５−キシレンジイソシアネー）
、＄４−？シレンジイソシアネート、ｔ５−す７タレン
ジイソシアネート、ｍ −ｙエニレンジイソシアネート
、ｐ−フェニレンジイソシアネー）、４５’−ジメチル
−４４１−ジフェニルメタンジイソシアネート、４．４
′−ジフェニルメタンジイソシアネート ｈ ｓ ｌ
−ジメチルビフェニレンジイソシアネー）、４．４’−
ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、イン７オロンジイソシアネート、ジシクロ
へ中シルメタンジイソシアネート、デスモジュールＬ１
デスモジュールＮ等の各１多価インシアネートと、線状
負相ポリエステル（エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、Ｌ４
−ブタンジオール、ｔ６−ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリコール、
１４−シクロヘキサンジメタツールの様な多価アルコー
ルと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイ
ン酸、フハク酸、アジピン酸、セバシン酸、の様な飽和
多塩基酸とのａ重合によるもの）、線状負相ポリエーテ
ル（ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、ポリテトラエチレングリコールンやカブ１ゴラクタ
ム、とドロ千シン含有アクリル酸エステル、ヒドロキシ
含有メタアクリル嬢エステル等の各慮ポリエステル類の
４１合物より収るポリウレタンエラストマー、プレポリ
マー、テロマーが有効である。
これらのエラストマーを放射＃Ｊ１感応変注の各種熱可
塑性プラスチックスとそのまま組合せても良いが、更に
ウレタンエラストマーの末１のイソシアネート基又は水
酸基と反応するアクリル系二重結合又はアリル系二１請
合等に有する単１体と反応させることにより、放射Ｓ惑
応在に変性することは非常に効果月である。
塑性プラスチックスとそのまま組合せても良いが、更に
ウレタンエラストマーの末１のイソシアネート基又は水
酸基と反応するアクリル系二重結合又はアリル系二１請
合等に有する単１体と反応させることにより、放射Ｓ惑
応在に変性することは非常に効果月である。
（Ｈ） アクリルニトリル−ブタジェン共重合エラスト
マー シンクレアペトロケミカル社≦ぎりＢＤリクイツドレジ
ンとして市販されている末唱水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマー、あるいは日本ゼ
オン社製ハイカー１４５２１等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重普合が放射線によりラジカルを生じ
架橋及び重合させるエラストマー成分として−する。
マー シンクレアペトロケミカル社≦ぎりＢＤリクイツドレジ
ンとして市販されている末唱水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマー、あるいは日本ゼ
オン社製ハイカー１４５２１等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重普合が放射線によりラジカルを生じ
架橋及び重合させるエラストマー成分として−する。
ｆｌ） ポリブタジェンエラストマー
シンクレアベトばケミカル４＋：′ｓざりＢＤリクィツ
ドレジンＲ−１５等の低分子童末膚水虐基分有するプレ
ポリマーが′＃に熱可塑性プラスチックとの相＊ａの点
で好適である。Ｒ−１５ルポリマーにおいては分子禾４
が水酸基となっている為分子ポ端をアクリル系不ａ和二
重ｉ合を付Ｉすることにより放射線、感応性を高めるこ
とが可能であり、バインダーとして更に育利となる。
ドレジンＲ−１５等の低分子童末膚水虐基分有するプレ
ポリマーが′＃に熱可塑性プラスチックとの相＊ａの点
で好適である。Ｒ−１５ルポリマーにおいては分子禾４
が水酸基となっている為分子ポ端をアクリル系不ａ和二
重ｉ合を付Ｉすることにより放射線、感応性を高めるこ
とが可能であり、バインダーとして更に育利となる。
また、ポリブタジェンの卓化物日本合或ゴム・ＡＣＢＲ
−Ｍ２Ｏ３も熱可塑性プラスチックスとの組合せにより
丁ぐれ２性おを発揮する。特に、環化されたポリブタジ
ェンは、ポリブタジエン不米の有する不飽和ｉ合のラジ
カルにより放射通による架＠重合の効率が良く、バイン
ダーとして蓋れｚｌ！！。
−Ｍ２Ｏ３も熱可塑性プラスチックスとの組合せにより
丁ぐれ２性おを発揮する。特に、環化されたポリブタジ
ェンは、ポリブタジエン不米の有する不飽和ｉ合のラジ
カルにより放射通による架＠重合の効率が良く、バイン
ダーとして蓋れｚｌ！！。
質を有している。
その他熱可塑性エラストマー及びそのプレポリマーの糸
で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム、ｆ
ｉ化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化
物（Ｈ本合成ゴム＠ＣｌＲ７０１）、エポキシ変性ゴム
、内部町夏１ヒ電ｓ嬢状ポリニスｆｌ（東洋紡バイロン
＃３ａａ）、等のエラストマーも下記に述べる放射、ｉ
感応変性逃場をはとこ次に、放射門惑応性バインダー合
属例を説明する。
で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム、ｆ
ｉ化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化
物（Ｈ本合成ゴム＠ＣｌＲ７０１）、エポキシ変性ゴム
、内部町夏１ヒ電ｓ嬢状ポリニスｆｌ（東洋紡バイロン
＃３ａａ）、等のエラストマーも下記に述べる放射、ｉ
感応変性逃場をはとこ次に、放射門惑応性バインダー合
属例を説明する。
トリレンジイソシアネートのアダクトの３ｉ法＆）層化
ビニル昨酸ビニル共１合系有脂（放射譲ＩＩＡ応変性１
旧のアクリル変性体の合成ビニライトＶＡＧＨ７５０部
とトルエン１２５０部シク四へキサノン５００部Ｅ５！
４つロフラスコに仕込み［熱溶解し、８０°Ｃ昇温後ト
リレンジイソシアネートの２−ヒドコキシエチルメタア
クリレートアダクトを６ｔ４＋Ｆ％Ｊ７１１１え、更に
オクチル酸スズＣ１，０１２邪、ハイドロキノンα０１
２品加え８０℃でＮ２気流中ＮＧＯ反応準が９０％とな
るまで反応せしめる。叉応基丁表冷却し、メチルエチル
ケトン１２５０部を渾え稀釈する〇※ トリレンジイソ
シアネート（ＴＤＩ）の２−とドロキシエチルメタアク
リレート（２ＥＴＥＭＡ）アダクトの爵決 トリレンジイソシアネート６４８部をＮ、気流中１ノの
４つロ７ラスフ内で８０℃にｉｓａ、２−へキサエチレ
ンメタアクリレート２６０部、オクチル酸スズ０．０７
ａ、ハイドルキノン１０５部を反応・立回の温度が８
０〜８５°Ｃとなるように冷却フントロールしながら滴
下終了後８０℃で５時間攪拌し反応を完侍させる。反応
終了後取り出してＣ令却後白色ペースト状のＴＤＩの２
ＨＥＭＡを得た０ｂ） ブチラール書画アクリル変性
体の合成（放射線感応変性４ｔ＃） ブチラール粛脂遣水化学裂ＢＭ−８１００部にトルエン
１９１２部、シクロヘキサノン７１４Ｍに５ノ４つロフ
ラスコに仕込みＢＩＩＩ熱溶解し８０“Ｃ４温後トリレ
ンジイソシアネートの２−ヒトロチジエチルメタアクリ
レートアダクト” ５： ７．４３Ｊえ、更にオクチル
酸スズＣＬｌ］１５ｆｉ、ハイドロキノンＣＬＯ１５ｇ
Ｅｆｆｉ、ｔ、８０°ＣｒＮ、気流干ＮＣＯ，ｘ応率が
９０％以上となるよで反応せしめる。反６４了後冷却し
メチルエチルケトンにて浦択するっ−） 飽和ポリエス
テル謝コ旨アクリル変注・本の合成（７射ａ藤応変注重
脂） 東＄紡・農バイロンＲ”／−２００１００品をトルエン
１１６品、メチルエチルケトン１１６部に′：Ａｆｆｉ
溶］弄し８０”Ｃ昇温後ＴＤＩの２ ＨＥ Ｊ（λアダ
クト を工５５部」え、オクチル酸スズ１００７ｍ、ハ
イドロキノンＣＬＯＯ７都を添服し、Ｎ！気流甲８０℃
でＮＧＯ反応半９０％以上となるｉで反ｒｉ５せしめる
。
ビニル昨酸ビニル共１合系有脂（放射譲ＩＩＡ応変性１
旧のアクリル変性体の合成ビニライトＶＡＧＨ７５０部
とトルエン１２５０部シク四へキサノン５００部Ｅ５！
４つロフラスコに仕込み［熱溶解し、８０°Ｃ昇温後ト
リレンジイソシアネートの２−ヒドコキシエチルメタア
クリレートアダクトを６ｔ４＋Ｆ％Ｊ７１１１え、更に
オクチル酸スズＣ１，０１２邪、ハイドロキノンα０１
２品加え８０℃でＮ２気流中ＮＧＯ反応準が９０％とな
るまで反応せしめる。叉応基丁表冷却し、メチルエチル
ケトン１２５０部を渾え稀釈する〇※ トリレンジイソ
シアネート（ＴＤＩ）の２−とドロキシエチルメタアク
リレート（２ＥＴＥＭＡ）アダクトの爵決 トリレンジイソシアネート６４８部をＮ、気流中１ノの
４つロ７ラスフ内で８０℃にｉｓａ、２−へキサエチレ
ンメタアクリレート２６０部、オクチル酸スズ０．０７
ａ、ハイドルキノン１０５部を反応・立回の温度が８
０〜８５°Ｃとなるように冷却フントロールしながら滴
下終了後８０℃で５時間攪拌し反応を完侍させる。反応
終了後取り出してＣ令却後白色ペースト状のＴＤＩの２
ＨＥＭＡを得た０ｂ） ブチラール書画アクリル変性
体の合成（放射線感応変性４ｔ＃） ブチラール粛脂遣水化学裂ＢＭ−８１００部にトルエン
１９１２部、シクロヘキサノン７１４Ｍに５ノ４つロフ
ラスコに仕込みＢＩＩＩ熱溶解し８０“Ｃ４温後トリレ
ンジイソシアネートの２−ヒトロチジエチルメタアクリ
レートアダクト” ５： ７．４３Ｊえ、更にオクチル
酸スズＣＬｌ］１５ｆｉ、ハイドロキノンＣＬＯ１５ｇ
Ｅｆｆｉ、ｔ、８０°ＣｒＮ、気流干ＮＣＯ，ｘ応率が
９０％以上となるよで反応せしめる。反６４了後冷却し
メチルエチルケトンにて浦択するっ−） 飽和ポリエス
テル謝コ旨アクリル変注・本の合成（７射ａ藤応変注重
脂） 東＄紡・農バイロンＲ”／−２００１００品をトルエン
１１６品、メチルエチルケトン１１６部に′：Ａｆｆｉ
溶］弄し８０”Ｃ昇温後ＴＤＩの２ ＨＥ Ｊ（λアダ
クト を工５５部」え、オクチル酸スズ１００７ｍ、ハ
イドロキノンＣＬＯＯ７都を添服し、Ｎ！気流甲８０℃
でＮＧＯ反応半９０％以上となるｉで反ｒｉ５せしめる
。
ｄ）工メ千シ、Ｎｉ上アクリル変性体の合成（放射線感
応変性腐詣） シェル化部−エビコート１００７ ４００Ｂｉｔトル工
ン５０部、ＭＥＫ５ａｒｙｆｈにＸＩ Ｍ Ｊ 屏庚Ｎ
、 Ｎ−ジメチルベンジルアミンａｕｏ６部、ハイド
ロキノン（ＬＯ０３ｇを添即し８０゛Ｃとし、アクリル
酸６９部を滴下し８０℃で淡化５以下となるまで反応せ
しめる。
応変性腐詣） シェル化部−エビコート１００７ ４００Ｂｉｔトル工
ン５０部、ＭＥＫ５ａｒｙｆｈにＸＩ Ｍ Ｊ 屏庚Ｎ
、 Ｎ−ジメチルベンジルアミンａｕｏ６部、ハイド
ロキノン（ＬＯ０３ｇを添即し８０゛Ｃとし、アクリル
酸６９部を滴下し８０℃で淡化５以下となるまで反応せ
しめる。
Ｓ） ウレタンエラストマーアクリル変性体の金工（放
Ｂ襟、舷尤エラストマー） 末１イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト（ＭＤＩ）糸ウレタンプレポリマー（日本ｄワウレタ
ン１ニフボラン４０４０）２５０部、２ＨＦＭＡ３１５
部、ハイド四キノンα０７部、オクチル眠スズ１００９
部を反応世に入れ、８０℃に即燕ｍｓ後でＤＩＡ工５部
を反応缶への温度が８ｄ〜９０゛Ｃとなる様に冷却しな
から濶下し、滴下終了後８０°Ｃ″ＣＮ ＣＯ反応率９
５％以上となる２で反応せしめる。
Ｂ襟、舷尤エラストマー） 末１イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト（ＭＤＩ）糸ウレタンプレポリマー（日本ｄワウレタ
ン１ニフボラン４０４０）２５０部、２ＨＦＭＡ３１５
部、ハイド四キノンα０７部、オクチル眠スズ１００９
部を反応世に入れ、８０℃に即燕ｍｓ後でＤＩＡ工５部
を反応缶への温度が８ｄ〜９０゛Ｃとなる様に冷却しな
から濶下し、滴下終了後８０°Ｃ″ＣＮ ＣＯ反応率９
５％以上となる２で反応せしめる。
１） ポリエーテル系禾遍つレタン変性エラストマーア
クリル変性体の金工（放射ＭＡ感応エラストマー） Ｂ本ポリウレタン社農ポリエーテルＰＴＧ−５００２５
０部、２ ＥＩＩＭＡ３１５部、ハイドロキノン１００
７部、オクチル酸スズＣＬＯＯＰ部を又応缶に入れ８０
℃に加熱溶屏後ＴＤＩ４乙５部を反応缶内の温度が８０
〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下終了後
８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応せしめ
る。
クリル変性体の金工（放射ＭＡ感応エラストマー） Ｂ本ポリウレタン社農ポリエーテルＰＴＧ−５００２５
０部、２ ＥＩＩＭＡ３１５部、ハイドロキノン１００
７部、オクチル酸スズＣＬＯＯＰ部を又応缶に入れ８０
℃に加熱溶屏後ＴＤＩ４乙５部を反応缶内の温度が８０
〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下終了後
８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応せしめ
る。
ｇ） ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合
成（放射ｓ５惑応エラストマー） シンクレアベトロケミカル社Ｍ４低’ｔ＋千１＊Ｕ水酸
基ポリブタジエンボリＢＤリクィットレジンＲ−１５２
５０部、２ ＨＥＭＡ３２．５墨、ハイドロキノン１０
０７部、オクチル酸スズ（１００９部を反応缶に入れ、
８０゛ＣにＷ熱溶屏後ＴＤＩＡ乙５部を又応計内の温度
が８０〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下
終了後８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応
せしめる。
成（放射ｓ５惑応エラストマー） シンクレアベトロケミカル社Ｍ４低’ｔ＋千１＊Ｕ水酸
基ポリブタジエンボリＢＤリクィットレジンＲ−１５２
５０部、２ ＨＥＭＡ３２．５墨、ハイドロキノン１０
０７部、オクチル酸スズ（１００９部を反応缶に入れ、
８０゛ＣにＷ熱溶屏後ＴＤＩＡ乙５部を又応計内の温度
が８０〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下
終了後８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応
せしめる。
また１分子には放射ａ点射により崩壊する５のと分子間
に架橋を起すものが知られている。分子間に架橋な起工
ものとしては、ポリエチレン、ぼりプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ぎリアクリルアミド
、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリド
ンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがあ
る。この様な架ｌｓ型ポリマーであれば上記のような変
性を特に施さなくても、架橋反応が起るので、そのま乏
放射線栗僑用バックフートａ詣として使用可能であろう さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型のｔ１Ｆ詣であっても短Ｊ＃間で硬化することができ
るので、この様なｍＭをバックコート用として用いるこ
ともできる。
に架橋を起すものが知られている。分子間に架橋な起工
ものとしては、ポリエチレン、ぼりプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ぎリアクリルアミド
、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリド
ンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがあ
る。この様な架ｌｓ型ポリマーであれば上記のような変
性を特に施さなくても、架橋反応が起るので、そのま乏
放射線栗僑用バックフートａ詣として使用可能であろう さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型のｔ１Ｆ詣であっても短Ｊ＃間で硬化することができ
るので、この様なｍＭをバックコート用として用いるこ
ともできる。
：！た、本発明のバックコートの架看に使用する活性エ
ネルギー線としては、放射謹皿速器ｆ−線源とした１子
薇、Ｃ□＠＠ ヲＨ源とし７：ｒ−＊ｂＳｒ＊ａを線源
としたβ−ｇ、Ｘ、ｉｉ！！発生器を線源としたＸ−ｍ
専が使用される。
ネルギー線としては、放射謹皿速器ｆ−線源とした１子
薇、Ｃ□＠＠ ヲＨ源とし７：ｒ−＊ｂＳｒ＊ａを線源
としたβ−ｇ、Ｘ、ｉｉ！！発生器を線源としたＸ−ｍ
専が使用される。
特に照射葆源としては吸収葆瀘の制御、羨遣工程ライン
への導入、ｔ、Ｉｉ放射線のしゃ閉等の見地から放射線
ＨＯ熱器により放射線を使用する方法が有利である。
への導入、ｔ、Ｉｉ放射線のしゃ閉等の見地から放射線
ＨＯ熱器により放射線を使用する方法が有利である。
バック層を硬化する際に使用する放射！！特性としては
、透過力の面？らＩ逮電圧１００〜７５０ＫＶ好ましく
は１５０〜３００ＫＶの放射線工速器を用い吸収部１を
１５〜２０メガラツドになるように照射するのが好都合
である。
、透過力の面？らＩ逮電圧１００〜７５０ＫＶ好ましく
は１５０〜３００ＫＶの放射線工速器を用い吸収部１を
１５〜２０メガラツドになるように照射するのが好都合
である。
本発明のバック層硬化に際しては、米国エナージーサイ
エンス社にてａＸされている低１［量タイプのｉ射線［
！器（エレクトスカーテンシステム）等がチーブー−テ
ィング皿エラインへの導入、加Ｍ器内部の２次Ｘ線のｉ
ｔ蔽等に極めて有利である。
エンス社にてａＸされている低１［量タイプのｉ射線［
！器（エレクトスカーテンシステム）等がチーブー−テ
ィング皿エラインへの導入、加Ｍ器内部の２次Ｘ線のｉ
ｔ蔽等に極めて有利である。
勿倫、従来より放射Ｓ」速材として広く活用されている
ところのファンデグラフＭＩ逮器を吏泪しても良い。
ところのファンデグラフＭＩ逮器を吏泪しても良い。
また、放射腺架礪に朦しては、Ｎ、ガスＥ＠ガス等の不
活性ガス気流中で放射線にバック、１に照射することが
１１であり、空気中で放射１に照射することは、バイン
ダー成分の架橋に系し放射逼雇射により生じた０、等の
影響でｌリマー中に生じ゛たラジカルが有利に架橋反応
に働く事を阻害するので極めて不利である。
活性ガス気流中で放射線にバック、１に照射することが
１１であり、空気中で放射１に照射することは、バイン
ダー成分の架橋に系し放射逼雇射により生じた０、等の
影響でｌリマー中に生じ゛たラジカルが有利に架橋反応
に働く事を阻害するので極めて不利である。
従って、活性エネルギー線を照射する部分の雰囲気は、
特に酸素１度が最大で１％のＮ、 、 ７１！・、ＣＯ
２等の不活性ガス雰囲気に保つことがｊｉ要となる。
特に酸素１度が最大で１％のＮ、 、 ７１！・、ＣＯ
２等の不活性ガス雰囲気に保つことがｊｉ要となる。
また、バインダー成分の一′ｆ！Ｍにはアクリル酸、メ
タクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド等の放
射Ｓ硬化性単量体を含んでも良い。
タクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド等の放
射Ｓ硬化性単量体を含んでも良い。
放射線硬化性樹脂には耐ＳＳ性及び多着性及び梁構性を
改善するために、さらにポリウレタンエラスートマー及
びポリウレタンプレポリマー、アクリロニトリルブタジ
ェン共重合体エラストマー、ポリブタジェンエラストマ
ー、エポキシ樹脂、フェノキシａ脂、繊遣素、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体等を＃用することもできる。
改善するために、さらにポリウレタンエラスートマー及
びポリウレタンプレポリマー、アクリロニトリルブタジ
ェン共重合体エラストマー、ポリブタジェンエラストマ
ー、エポキシ樹脂、フェノキシａ脂、繊遣素、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体等を＃用することもできる。
バック層が放射ａ硬化型であると、熱硬化型よりも均一
で強じんなバック層が形成できる。
で強じんなバック層が形成できる。
バック層の存在はシフターを増大させる順向がある。こ
こにジッターとは記豫周波を中心として微少な位相変調
を受けることである。この現象はテープの走行の円滑性
＆：関連するものと思われる。
こにジッターとは記豫周波を中心として微少な位相変調
を受けることである。この現象はテープの走行の円滑性
＆：関連するものと思われる。
かかるジッターは、脂肪ｍ！Ｅたは脂肪酸エステル系の
潤滑剤を頂く少量存在させれば屏決できる〇これらの酸
またはエステルは炭素微１０〜２２のものが好ましく、
例えばラウリン酸、ステアリン酸、ミリスチン酸等或い
はそれらの混合物が使用できる。またその使用１にはバ
ック層の全重量の３％以下含有させれば十分である。
潤滑剤を頂く少量存在させれば屏決できる〇これらの酸
またはエステルは炭素微１０〜２２のものが好ましく、
例えばラウリン酸、ステアリン酸、ミリスチン酸等或い
はそれらの混合物が使用できる。またその使用１にはバ
ック層の全重量の３％以下含有させれば十分である。
以下、本発明の実施例を詳しく説明する。以下の英１列
では、磁性層として真空蒸着法によりコバル） ８０
ｖｔ％及びニッケル２０ ｗｔ％の斜め蒸着合金磁性層
コポリエチレンテレフタレート涙の表面に７ｆ＃１１５
００．ｉの厚さとなるように蒸着したち１７） ヲ用イ
ｅ。表面粗度は約１０１μｍであった。
では、磁性層として真空蒸着法によりコバル） ８０
ｖｔ％及びニッケル２０ ｗｔ％の斜め蒸着合金磁性層
コポリエチレンテレフタレート涙の表面に７ｆ＃１１５
００．ｉの厚さとなるように蒸着したち１７） ヲ用イ
ｅ。表面粗度は約１０１μｍであった。
実、ｔｉ例１
バック層として次の樹脂ｉｉ成を混合した。
１盪部
カーボンブラック（８０ｘμ）２５
ｃａｃｏ、（４部ｍμ） ２５
メチルエチＡ−ナトン ２００
この混合物にポリイソシアネート（デスモジュール■、
）を３０重話一部加えて混合し、上記の磁性層を設けた
ポリエステルフィルムの裏面に厚さ１．５μに塗布し、
乾燥し、カレンダー加工をし、そして熱硬化し、裁断し
てビデオテープとした。
）を３０重話一部加えて混合し、上記の磁性層を設けた
ポリエステルフィルムの裏面に厚さ１．５μに塗布し、
乾燥し、カレンダー加工をし、そして熱硬化し、裁断し
てビデオテープとした。
上記ハック層の表面粗度はカレンダー加工を種々に調整
することにより０．０５〜０．４μｍのものを得た。
することにより０．０５〜０．４μｍのものを得た。
実施例２
実施例１において、バック層の組成を次のようにした他
は、同じ工程及び条件下でビデオテープを製造した。
は、同じ工程及び条件下でビデオテープを製造した。
重量部
塩化ビニル・酢甑ニル・ビニル
アルコール共知 （ＶＡＧＨ） ２０
カーボンブラツク（１００μｍ） ３０Ｂａ８０４ （
８０ｘμ） ２０ 実施例５ カーボンブラック（２０１１μ） ２０部カオリン（５
００凱μ） ２５部 アクリル変性ポリウレタンエラストマーｅ） ２０部混
合溶剤（ＭＩ ＢＫ／ ）ルエン＝１／１ ） ５ Ｑ
（１部上記混合物をボールミル中５時間分散させ、磁
性面が形成されているポリエステルフィルムの裏面に乾
燥厚１５μになるように塗布し、エレクトｐカーテンタ
イプ電子線加速装置を用いて加速電圧１５０ＫｅＶ、電
極電流１０ｍＡ、吸収線量５Ｍｒａｄ。
８０ｘμ） ２０ 実施例５ カーボンブラック（２０１１μ） ２０部カオリン（５
００凱μ） ２５部 アクリル変性ポリウレタンエラストマーｅ） ２０部混
合溶剤（ＭＩ ＢＫ／ ）ルエン＝１／１ ） ５ Ｑ
（１部上記混合物をボールミル中５時間分散させ、磁
性面が形成されているポリエステルフィルムの裏面に乾
燥厚１５μになるように塗布し、エレクトｐカーテンタ
イプ電子線加速装置を用いて加速電圧１５０ＫｅＶ、電
極電流１０ｍＡ、吸収線量５Ｍｒａｄ。
Ｎ２ガス中で電子線をバック層に照射し、硬化を行なっ
た後カレンダー加工して巻き取り、１／２“ビデオ中に
切断した。
た後カレンダー加工して巻き取り、１／２“ビデオ中に
切断した。
実施例４
カーボンブラック（２０ｍｌμ） ２５部ｃａｃｏ、
（１ｏｏｍμ） ２５部 アクリル変性ポリエステル樹脂ｃ） ６０部混合溶剤
３００部 上記混合物を実施例３と同様に調製しサンプルを得た。
（１ｏｏｍμ） ２５部 アクリル変性ポリエステル樹脂ｃ） ６０部混合溶剤
３００部 上記混合物を実施例３と同様に調製しサンプルを得た。
実施例５
カーボンブラック（６０ｘμ） ２０部カオリン（８０
μｍ） ２０部 ＣａＣ０，（１００μｍ） ２０部 アクリル変性ポリウレタンエラストマーｅ） ｓａ部混
合溶剤 ３００部 上記混合物を実施例３と同様に調製し、サンプルを得た
。
μｍ） ２０部 ＣａＣ０，（１００μｍ） ２０部 アクリル変性ポリウレタンエラストマーｅ） ｓａ部混
合溶剤 ３００部 上記混合物を実施例３と同様に調製し、サンプルを得た
。
比較例１．２．３
実施例１においてＣａＣ０，を同量のカーボンブラック
と置換したもの、及び実施例１においてカーボンブラッ
クを同量のｃａｃｏ＠と置換したもの、及び実施例１に
おいてカーボンブラック及びＣａＣ０＠を同量のＡＩ、
Ｏ，粉末（６ｏｏｍμ）と置換したものをそれぞれ比較
例１，２．５とした。
と置換したもの、及び実施例１においてカーボンブラッ
クを同量のｃａｃｏ＠と置換したもの、及び実施例１に
おいてカーボンブラック及びＣａＣ０＠を同量のＡＩ、
Ｏ，粉末（６ｏｏｍμ）と置換したものをそれぞれ比較
例１，２．５とした。
結果を下表に示す。
常温走行では明確に出来なかった。顔料系の差が明確に
なった。４０℃８０％の高温多湿下で走行試験を行なっ
たところ、比較例１はカーボンプラッタのため塗膜がも
ろくノミツク面のケズレを発生 ′した。また電気抵抗
が低く且つ強磁性薄膜面も電気抵抗が低いので、巻きし
まりにくい。両面とも電気抵抗が低いので巻径内ですべ
りやすく不安定となり、巻ぎみだれ（シンチング）を発
生した。
なった。４０℃８０％の高温多湿下で走行試験を行なっ
たところ、比較例１はカーボンプラッタのため塗膜がも
ろくノミツク面のケズレを発生 ′した。また電気抵抗
が低く且つ強磁性薄膜面も電気抵抗が低いので、巻きし
まりにくい。両面とも電気抵抗が低いので巻径内ですべ
りやすく不安定となり、巻ぎみだれ（シンチング）を発
生した。
比較例２，３のようにｃａｃｏｌ、 Ａｔ、ｏ、は電気
抵抗が高いのでドロップアウトを発生しやすい。強磁性
薄膜面が電気抵抗が低いので、バック面が電気抵抗が高
くてもシンチングを発生しない。ＣａＣ０Ｂは硬度が６
以下のため強磁性薄膜面への影響はないが、Ａｉ、ｏｓ
は硬度が高いため磁性面への影響があられれ、磁性面の
ケズレを発生した。
抵抗が高いのでドロップアウトを発生しやすい。強磁性
薄膜面が電気抵抗が低いので、バック面が電気抵抗が高
くてもシンチングを発生しない。ＣａＣ０Ｂは硬度が６
以下のため強磁性薄膜面への影響はないが、Ａｉ、ｏｓ
は硬度が高いため磁性面への影響があられれ、磁性面の
ケズレを発生した。
上記の実施例１で得られた磁気記録媒体をビデオテープ
の幅に裁断し、これをビデオレコーダで５．６ｍ／ｓｅ
ｃで駆動し、中心周波数５ ＭＨｚで記録再生した場合
の８／Ｎ比をめたところノ之ツタ層の表面粗度が［１４
μ講以上になると出力低下が太き（Ｓ／Ｎ比が１ｄＢ以
上低下する。一方［１０５μｍ以下ではバック層の摩擦
が大きくなり走行が円滑に行かないことが分った。
の幅に裁断し、これをビデオレコーダで５．６ｍ／ｓｅ
ｃで駆動し、中心周波数５ ＭＨｚで記録再生した場合
の８／Ｎ比をめたところノ之ツタ層の表面粗度が［１４
μ講以上になると出力低下が太き（Ｓ／Ｎ比が１ｄＢ以
上低下する。一方［１０５μｍ以下ではバック層の摩擦
が大きくなり走行が円滑に行かないことが分った。
なお上記の測定は次のようにして行なった。
摩擦係数
４０℃、８０％ＲＩ（でＶＴ’−Ｉｓ方式ＶＴＲで１０
０回走行の前後の測定である。
０回走行の前後の測定である。
直径４ ｍｍの表面を研磨したアルミ円柱に磁気テープ
の〕虞ツク面を内側にして１８０°の抱き角で巻きつけ
、２側／秒で走行し送り出し側と巻き取り側のテンショ
ンを測定し計算よりめた。
の〕虞ツク面を内側にして１８０°の抱き角で巻きつけ
、２側／秒で走行し送り出し側と巻き取り側のテンショ
ンを測定し計算よりめた。
シンチング現象
一般市販のＶＨ８方式ＶＴＲを用いて、テープを４０℃
、８０％ＲＨで１００回走行した後、テープの巻き状態
を目視により観察した。テープ層間にすき間がなく巻き
状態が良好な場合を良好としそしてテープ層間にすき間
が発生した場合を不良とした。
、８０％ＲＨで１００回走行した後、テープの巻き状態
を目視により観察した。テープ層間にすき間がなく巻き
状態が良好な場合を良好としそしてテープ層間にすき間
が発生した場合を不良とした。
バック層及び磁性層の削れ
一般市販のｖｎｓ方式ＶＴＲを用い、４０℃の３
温度及び８０％相対湿度の環境下で１００回走行させた
後の削れを観察した。
後の削れを観察した。
電磁特性
■ 中心周波数５ＭＨ！で記録・再生した場合の８／Ｎ
比（相対値）を示す。
比（相対値）を示す。
ＶＨ８のＶＴＲを改造し、５五ＩＨｚ迄測定出来るよう
にした。
にした。
■ ド田ツブアウトは１５μｓでの値であり、個／ｍ
ｉ ｎである。
ｉ ｎである。
電顕撮影法
■ 透過電顕により、テープからの抽出法による。
それにより平均粒子径を測定する。
■ 走査型電顕により、断面写真法による。この場合、
粒子が凝集している場合があるので１．１ラツキが大の
場合は最小粒子径を平均粒子径とする。
粒子が凝集している場合があるので１．１ラツキが大の
場合は最小粒子径を平均粒子径とする。
表面粗度
タリステップ（ＴＡＹＬＯＲ−Ｔ（ＯＢ８ＯＮ社製）を
用いて得たチャートから２０点平均法でめた。カットオ
フｏ、１７ｍｍ、針圧２ｗＩｇ、針（１１Ｘ２．５μ藁
を用いた。
用いて得たチャートから２０点平均法でめた。カットオ
フｏ、１７ｍｍ、針圧２ｗＩｇ、針（１１Ｘ２．５μ藁
を用いた。
丁・続袖正Ｊ１
昭和５９年 ７１’１ ６ Ｅｌ
特許庁長官 志 賀 学 殿
事件の表示 昭和５８年特 願第１６６６７７’ｊ発明
の名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （３０６）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補１１：、の対象 ・１婢ｌ州か俳１１−一 明細書の発１升分台称→輔酬青求の範押＝発明の詳細な
説明の欄補正の内容 別紙の通り ｔ 明細書第２７瓜第５行に「メチルエチルケトン ２
００」とある次に、改行して次の通り加入する。
の名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （３０６）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補１１：、の対象 ・１婢ｌ州か俳１１−一 明細書の発１升分台称→輔酬青求の範押＝発明の詳細な
説明の欄補正の内容 別紙の通り ｔ 明細書第２７瓜第５行に「メチルエチルケトン ２
００」とある次に、改行して次の通り加入する。
「 ステアリンｆＭ ｓ
ミリＸチン酸ミリスチル ２」
２ 明細書第２８頁第４行Ｃｒ ＢＩＬ８０４ （ＥＩ
Ｑｍμ）２０−１とある次に、改行して次の通り加入す
る。
Ｑｍμ）２０−１とある次に、改行して次の通り加入す
る。
「 ステアリン酸 ５
ミリスチン酸ミリスチル ２
メチルエチルケトン ２００」
Claims (1)
- ｔ プラスチックフィルムベース の表面に金属薄Ｍｆ
ｍ性層を形成した磁気記録媒体において、前記ベースの
裏面には塩化ビニル・酢酸ビニル・ビニルアルコール共
重合体、ポリウレタンプレポリマー及びポリイソシアネ
ートまたはこれらとニド田セ）ｈｌｍ−スとから成る熱
硬化バック層または放射線感応性樹脂より成る双射線硬
化バッタ層であって、内部に電子顕微鏡撮影にて平均粒
子径１０〜１５０ｍμのカーボンブラックとモース硬度
６以下の無機化合物粉末１０〜５００ｍμとを均一に分
散含有し、前記カーボンブラック対無機化合物粉末の比
が１：９〜９：１にし、且つ表面粗度が１０５〜０．．
４ｐｍである当該バック層が設けられている磁気記録媒
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166677A JPS6059528A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体 |
| US06/642,208 US4618535A (en) | 1983-09-12 | 1984-08-20 | Magnetic recording medium |
| DE3433326A DE3433326C2 (de) | 1983-09-12 | 1984-09-11 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166677A JPS6059528A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059528A true JPS6059528A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0572647B2 JPH0572647B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15835674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166677A Granted JPS6059528A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4618535A (ja) |
| JP (1) | JPS6059528A (ja) |
| DE (1) | DE3433326C2 (ja) |
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| DE3502852C2 (de) * | 1984-02-01 | 1999-06-24 | Tdk Corp | Magnetisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS6126933A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-06 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0650563B2 (ja) * | 1984-07-24 | 1994-06-29 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS6192425A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| KR900006305B1 (ko) * | 1985-07-22 | 1990-08-28 | 니뽕 빅터 가부시끼가이샤 | 자기 기록 매체 |
| JPS62124624A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Sumitomo Suriim Kk | 磁気記録媒体 |
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| US5236738A (en) * | 1989-06-19 | 1993-08-17 | Fuji Photo Film Co. Ltd. | Method for making magnetic recording media by kneading, dilution kneading, and dispersing a mixture of inorganic grains, binders, and solvents |
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| JPH08512075A (ja) * | 1993-06-30 | 1996-12-17 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 新規の架橋剤を含む磁気記録媒体 |
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| JPS57169929A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-19 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and its manufacture |
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| JPS57208637A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS583132A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166677A patent/JPS6059528A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-20 US US06/642,208 patent/US4618535A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-11 DE DE3433326A patent/DE3433326C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3433326C2 (de) | 1996-01-11 |
| JPH0572647B2 (ja) | 1993-10-12 |
| DE3433326A1 (de) | 1985-03-28 |
| US4618535A (en) | 1986-10-21 |
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