JPS6059354A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6059354A JPS6059354A JP58166770A JP16677083A JPS6059354A JP S6059354 A JPS6059354 A JP S6059354A JP 58166770 A JP58166770 A JP 58166770A JP 16677083 A JP16677083 A JP 16677083A JP S6059354 A JPS6059354 A JP S6059354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- gallium
- charge generating
- light
- charge generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に８
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であり、かつ特
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であり、かつ特
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
（従来技術）
従来の感光体は第１図に示すようにアルミニウム等の導
電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１２を真空蒸着法
により形成したものである。このＳｃ感光体は分光感度
が第４図の曲８４１のように５００ ｎｍ以上で急激に
低下する。なお、感度の値は初期電位を２分のＩＫする
のに要する露光量の逆数を使用した。感度の定義は以下
同じである。
電性基板１１の上にセレン（Ｓｅ）膜１２を真空蒸着法
により形成したものである。このＳｃ感光体は分光感度
が第４図の曲８４１のように５００ ｎｍ以上で急激に
低下する。なお、感度の値は初期電位を２分のＩＫする
のに要する露光量の逆数を使用した。感度の定義は以下
同じである。
またＳｅＫテルル（Ｔｅ）を添加し分光感度を長波長に
伸ばした５ｅ−Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この５
ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて表面
電荷の保持特性が不良となり、事実上感光体として使用
できない。そこで、更に他の例として第２図のように導
電性基板２ノの上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設け、
この上に５ｅ−Ｔｅ合金層２３を２〜３μｍ形成して電
荷保持特性を改善した２層型のものがある。この表面層
が５ｅ８５Ｔｅ１５の場合、第４図の曲線４２で示され
るように分光感度は６５０ｎｍ以上では急激に低下し７
００ ｎｍ以上では事実上使用不能なほど感度が低下し
てし捷う。
伸ばした５ｅ−Ｔｅ合金感光体もある。しかし、この５
ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて表面
電荷の保持特性が不良となり、事実上感光体として使用
できない。そこで、更に他の例として第２図のように導
電性基板２ノの上に５０μｍ程度のＳｅ層２２を設け、
この上に５ｅ−Ｔｅ合金層２３を２〜３μｍ形成して電
荷保持特性を改善した２層型のものがある。この表面層
が５ｅ８５Ｔｅ１５の場合、第４図の曲線４２で示され
るように分光感度は６５０ｎｍ以上では急激に低下し７
００ ｎｍ以上では事実上使用不能なほど感度が低下し
てし捷う。
更に、第３図のように導電性基板３１の土にクロログイ
アンプル−またはヌクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この土に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾール捷たはピラゾリン
誘導体とポリカーボネ−１・樹脂との混合物をコーティ
ングして電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体がある。これらの感光体は可視光に対しては十分高
感度であるが６５０ ｎｍ以上の照射光に対しては感光
体として使用できない。
アンプル−またはヌクウアリリウム酸誘導体のコーティ
ングによる電荷発生層３２を形成し、この土に暗時の絶
縁抵抗の高いポリビニルカルバゾール捷たはピラゾリン
誘導体とポリカーボネ−１・樹脂との混合物をコーティ
ングして電荷輸送層３３を形成した２層型機能分離型感
光体がある。これらの感光体は可視光に対しては十分高
感度であるが６５０ ｎｍ以上の照射光に対しては感光
体として使用できない。
一方レーザー光を光源とし、電子写真用感光体ヲ用いた
レーザービームプリンタ等では半導体レーザーを光源に
用いることが試みられており、この光源の発振波長は８
００〜８５０ ｎｍ が一般的である。更に、Ｓ１ドー
プ高出力赤外ＬＥＤを光源とした電子写真方式プリンタ
等では、この光源の発光波長が９２０〜９５０ ｎｍで
ある。
レーザービームプリンタ等では半導体レーザーを光源に
用いることが試みられており、この光源の発振波長は８
００〜８５０ ｎｍ が一般的である。更に、Ｓ１ドー
プ高出力赤外ＬＥＤを光源とした電子写真方式プリンタ
等では、この光源の発光波長が９２０〜９５０ ｎｍで
ある。
しかし、現在８００ ｎｍ以上の光に対し高感度を示す
感光体はほとんど見い出されていない。そこで８００
ｎｍ以上の長波長光に対し感度が高い感光体が要求され
ている。
感光体はほとんど見い出されていない。そこで８００
ｎｍ以上の長波長光に対し感度が高い感光体が要求され
ている。
（発明の目的）
各
本発明は導電性支持体上に有機導電性物質による電荷発
生層を形成した電子写真用感光体において、前記電荷発
生層として、一般式 （式中ＭｅはガリウムＧａ、Ｘはヨウ素Ｉである）にて
表わされるガリウムフタロシアニン（以下ＧａｌＰｃと
略す）を用いたことを特徴とする。
生層を形成した電子写真用感光体において、前記電荷発
生層として、一般式 （式中ＭｅはガリウムＧａ、Ｘはヨウ素Ｉである）にて
表わされるガリウムフタロシアニン（以下ＧａｌＰｃと
略す）を用いたことを特徴とする。
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
（実施例）
本発明の実施例ではまず、オルトフタ日ノニトロリル１
２ノと純度９９．９９９％のヨウ化ガリウム（Ｇａ Ｔ
ｓ ） １０ Ｆをフラスコ中のキノリン１００ｍ１
中に加え還流しながら６０分間反応させ、ＧａｌＰｃを
合成した。この生成物の元素分析を行った結果元素の比
はＣ３２Ｈ１５，２Ｎ７．６ ■０．８ＧａＯ，９であ
り、１コのＩが中心金属と結合しているほぼＣ３２Ｈ１
６Ｎ８■１Ｇａ１の元素比のフタロシアニンであること
が確認された。
２ノと純度９９．９９９％のヨウ化ガリウム（Ｇａ Ｔ
ｓ ） １０ Ｆをフラスコ中のキノリン１００ｍ１
中に加え還流しながら６０分間反応させ、ＧａｌＰｃを
合成した。この生成物の元素分析を行った結果元素の比
はＣ３２Ｈ１５，２Ｎ７．６ ■０．８ＧａＯ，９であ
り、１コのＩが中心金属と結合しているほぼＣ３２Ｈ１
６Ｎ８■１Ｇａ１の元素比のフタロシアニンであること
が確認された。
このようにして合成し、精製したＧａｌＰｃを真空蒸着
装置中のアルミするつぼに００１２入れ、るつぼ温度５
００℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成
した。この時の形成膜厚は０．０２μｍであった。この
ＧａｌＰｃから作成した薄膜試料の６００〜９００ ｎ
ｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用いて
測定した。この結果を第５図に示した。第５図の曲線の
うち、５ノはこの試料を何も処理しない場合のスペクト
ルであり、７３０〜７７０ｎｍＫ平坦な最大ピークを示
した。
装置中のアルミするつぼに００１２入れ、るつぼ温度５
００℃で抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成
した。この時の形成膜厚は０．０２μｍであった。この
ＧａｌＰｃから作成した薄膜試料の６００〜９００ ｎ
ｍに対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用いて
測定した。この結果を第５図に示した。第５図の曲線の
うち、５ノはこの試料を何も処理しない場合のスペクト
ルであり、７３０〜７７０ｎｍＫ平坦な最大ピークを示
した。
更にこの試料をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の蒸気中
に２０時間曝露すると、曲線５２で示したように吸収ピ
ークが長波長側へすなわち９８０ ｎｍにシフトした。
に２０時間曝露すると、曲線５２で示したように吸収ピ
ークが長波長側へすなわち９８０ ｎｍにシフトした。
次にＧａｌＰｃを抵抗加熱蒸着法により、第６図のよう
に導電性基板６ノ土に電荷発生層６２を０２μｍ形成し
、これをＴＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、ＴＨＦに溶解
した電子写真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティ
ングし、ＴＨＦを充分乾燥させ電荷輸送層６３を８μｍ
厚さに形成し感光体を作成した。
に導電性基板６ノ土に電荷発生層６２を０２μｍ形成し
、これをＴＨＦ蒸気中に２０時間曝露後、ＴＨＦに溶解
した電子写真用ポリビニルカルバゾール樹脂をコーティ
ングし、ＴＨＦを充分乾燥させ電荷輸送層６３を８μｍ
厚さに形成し感光体を作成した。
この感光体の電子写真的特性である分光感度を測定した
結果を第７図の曲線７ノで示した。
結果を第７図の曲線７ノで示した。
第７図の曲線７ノで示したように、本実施例による感光
体は９００ ｎｍにおいても１．３ ｃｍ２／ＩＩＪ
、更に９５０ ｒ＋ｍにおいても１．１ ｃｍ２／μＪ
の現在捷でに知られていない非常に高い感度が認められ
た。一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８
５０ ｎｍにおいては１．１〜１．３ｔｙｎ２／μＪの
高感度を示した。
体は９００ ｎｍにおいても１．３ ｃｍ２／ＩＩＪ
、更に９５０ ｒ＋ｍにおいても１．１ ｃｍ２／μＪ
の現在捷でに知られていない非常に高い感度が認められ
た。一般的な半導体レーザー光の波長である８００〜８
５０ ｎｍにおいては１．１〜１．３ｔｙｎ２／μＪの
高感度を示した。
（発明の効果）
本発明の感光体は以上説明したように８００ ｎｍ以上
で感光するだけではなく、使用する電荷発生層が０．２
μフル程度のごく薄い膜で十分であるので、真空装置を
使用する時間が短時間で済み、感光体の作成が容易で安
価に量産が可能である。また材料が有機物であるので廃
棄が容易である。さらに本発明の感光体はレーザープリ
ンタのみでなく、ファックスまたはＬＥＤを光源とした
フ０リンタ特に半導体レーザーを光源としたその他の記
録デバイスおよび光センサにも応用できる。
で感光するだけではなく、使用する電荷発生層が０．２
μフル程度のごく薄い膜で十分であるので、真空装置を
使用する時間が短時間で済み、感光体の作成が容易で安
価に量産が可能である。また材料が有機物であるので廃
棄が容易である。さらに本発明の感光体はレーザープリ
ンタのみでなく、ファックスまたはＬＥＤを光源とした
フ０リンタ特に半導体レーザーを光源としたその他の記
録デバイスおよび光センサにも応用できる。
第１図は従来のＳｅ感光体の断面図、第２図は従来のＳ
ｅ、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図は
従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４図
１′ｉ該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて
用いられる７タロシアニン顔料の光吸収スペクトル図、
第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発明感光体
の分光感度曲線図である。 ３１．６’ｌ・・導電性基板、３２．６２・・・電荷発
生層、３３．６３・・・電荷輸送層、４１・・Ｓｅ感光
体の分光感度曲線、４２・・・Ｒｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合
金２層型感光体の分光感度曲線、５１・・・未処理試料
の光吸収スペクトル、５２・・・ＴＨＦ溶媒蒸気処理試
料の光吸収スペクトル、７ノ・・・実施例の感光体の分
光感度。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第６図 」 第４図 ４００ ５ＱＱ ６００ ７００ 照射九め波長（ｎｍ） 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６６７７０号２、発明の名
称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１
２号５、補正命令の日付 昭和５９年１月３１日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および［
発明７、補正の内容 （１）明細書、第１頁第４行から第１６行にゎたる「特
許請求の範囲」の欄を別紙の通り浄書する。（内容に変
更なし） （２）同、第４頁全文（「示す感光体・・」から「 ・
（以下ＧａｌＰｃ Ｊまで）を別紙の通り浄書する。（
内容に変更なし） ２、特許請求の範囲 導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷発生層を
形成した電子写真用感光体において、前記電荷発生層と
して、一般式 （式中ＭｅはガリウムＧａ、Ｘはヨウ素Ｉである）にて
表わされるガリウムフタロ／アニンを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体。 （明細書箱４貞全文） １泉す感光体はほとんど見い出されていない。そこで８
００ｎｍ以上の長波長光に対し感度が高い感光体が要求
されている。 （発明の目的） 本発明の目的は８００ｎｍ以上の波長にも感光する電子
写真用感光体を提供することにある。 （発明の構成） 本発明は導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷
発生層を形成した電子写真用感光体において、前記電荷
発生層として、一般式
ｅ、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第３図は
従来の機能分離型の電子写真用感光体の断面図、第４図
１′ｉ該感光体の分光感度曲線図、第５図は本発明にて
用いられる７タロシアニン顔料の光吸収スペクトル図、
第６図は本発明感光体の断面図、第７図は本発明感光体
の分光感度曲線図である。 ３１．６’ｌ・・導電性基板、３２．６２・・・電荷発
生層、３３．６３・・・電荷輸送層、４１・・Ｓｅ感光
体の分光感度曲線、４２・・・Ｒｅ 、 ５ｅ−Ｔｅ合
金２層型感光体の分光感度曲線、５１・・・未処理試料
の光吸収スペクトル、５２・・・ＴＨＦ溶媒蒸気処理試
料の光吸収スペクトル、７ノ・・・実施例の感光体の分
光感度。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第６図 」 第４図 ４００ ５ＱＱ ６００ ７００ 照射九め波長（ｎｍ） 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６６７７０号２、発明の名
称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１
２号５、補正命令の日付 昭和５９年１月３１日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および［
発明７、補正の内容 （１）明細書、第１頁第４行から第１６行にゎたる「特
許請求の範囲」の欄を別紙の通り浄書する。（内容に変
更なし） （２）同、第４頁全文（「示す感光体・・」から「 ・
（以下ＧａｌＰｃ Ｊまで）を別紙の通り浄書する。（
内容に変更なし） ２、特許請求の範囲 導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷発生層を
形成した電子写真用感光体において、前記電荷発生層と
して、一般式 （式中ＭｅはガリウムＧａ、Ｘはヨウ素Ｉである）にて
表わされるガリウムフタロ／アニンを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体。 （明細書箱４貞全文） １泉す感光体はほとんど見い出されていない。そこで８
００ｎｍ以上の長波長光に対し感度が高い感光体が要求
されている。 （発明の目的） 本発明の目的は８００ｎｍ以上の波長にも感光する電子
写真用感光体を提供することにある。 （発明の構成） 本発明は導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷
発生層を形成した電子写真用感光体において、前記電荷
発生層として、一般式
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷発土層を
形成した電子写真用感光体において、前記電荷発生層と
して、一般式 （式中Ｍｅはガ゛リウムにａ、Ｘはヨウ素■である）に
て表わされるガリウムフタロシアニンを用いたことを特
徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166770A JPS6059354A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166770A JPS6059354A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059354A true JPS6059354A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15837368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166770A Pending JPS6059354A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059354A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01221459A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | ガリウムフタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
| JPH0240661A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-02-09 | Tsuaitowanfuaarenkoniejishiyuu Ienjiouyuen | 銅フタロシアニン感光体及びその製造方法 |
| JPH02200882A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Iwashina Seisakusho:Kk | 損紙処理機 |
| US5360475A (en) * | 1992-10-09 | 1994-11-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for preparing hydroxymetal phthalocyanine pigment |
| US5516609A (en) * | 1993-04-02 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Methoxy gallium phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using it |
| US5545733A (en) * | 1993-08-12 | 1996-08-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptor using the crystals |
| US5643703A (en) * | 1993-03-25 | 1997-07-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystal, process for preparing same, and electrophotographic photoreceptor comprising same |
| US5756247A (en) * | 1994-09-30 | 1998-05-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystal, and electro-photographic photoreceptor containing the same |
| US5834149A (en) * | 1994-06-06 | 1998-11-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptors using same |
| EP0902331A3 (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166770A patent/JPS6059354A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| JPH0560865B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1993-09-03 | Tsuaitowanfuaarenkoniejishu Ie | |
| JPH02200882A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Iwashina Seisakusho:Kk | 損紙処理機 |
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| US5516609A (en) * | 1993-04-02 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Methoxy gallium phthalocyanine compound and electrophotographic photoreceptor using it |
| US5545733A (en) * | 1993-08-12 | 1996-08-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptor using the crystals |
| US5834149A (en) * | 1994-06-06 | 1998-11-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptors using same |
| US5756247A (en) * | 1994-09-30 | 1998-05-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine crystal, and electro-photographic photoreceptor containing the same |
| EP0902331A3 (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
| US6245472B1 (en) | 1997-09-12 | 2001-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
| US6472524B2 (en) * | 1997-09-12 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
| EP1887047A1 (en) | 1997-09-12 | 2008-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
| EP1721940A3 (en) * | 1997-09-12 | 2009-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine compounds, process for production therefore and electrophotographic photosensitive member using the compounds |
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