JPS6058684A - 光検出器の製造方法 - Google Patents
光検出器の製造方法Info
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- JPS6058684A JPS6058684A JP58167791A JP16779183A JPS6058684A JP S6058684 A JPS6058684 A JP S6058684A JP 58167791 A JP58167791 A JP 58167791A JP 16779183 A JP16779183 A JP 16779183A JP S6058684 A JPS6058684 A JP S6058684A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/1035—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は逆バイアス動作で使用する光検出器の2ンシ・
フォトダイオード(以下APDと呼ぶ)の作り方に関す
るものである。
フォトダイオード(以下APDと呼ぶ)の作り方に関す
るものである。
半導体光検出器のなかでフォトダイオード(以下PDと
呼ぶ)あるいはAPDは高速かつ高感度で光通信システ
ムにおける光検出器として重要視されておシ、光源であ
る半導体レーぜ、発光ダイオードと共にその研死l+1
発が進められている。半導体レーザの発振波長は0.7
pmから1.6μm域のもの、例えばGaAllAg−
GaAs系あるいはInGaAsP−InP系の半導体
レーザがその主流と72っている。
呼ぶ)あるいはAPDは高速かつ高感度で光通信システ
ムにおける光検出器として重要視されておシ、光源であ
る半導体レーぜ、発光ダイオードと共にその研死l+1
発が進められている。半導体レーザの発振波長は0.7
pmから1.6μm域のもの、例えばGaAllAg−
GaAs系あるいはInGaAsP−InP系の半導体
レーザがその主流と72っている。
GaAJAr−GaAs系の王な発振波長08から0.
89 pm域に対する光検出器としてはS+単結晶を用
いたPDあるいはAPDがひろく使われており、製造技
術的にもSiのICやLSI等の技術に支えられ信頼性
も含めてきわめて優れノこ特性を示している。しかしな
がら、Slの光検出器でr、j:Si狗料の吸収係数が
波長xpm以上で急激に減少し、この波長域で光を有効
に電気信号に変換するためには空乏層として数xopm
以上の厚さが必要となシ実用上は製作困難となる。特に
光ファイバーの伝送損失の低い1.1からL6pm波長
域では光検出器としての用をなさない。またこの1,1
から1.5μm波長域の光検出器としてG e −AP
DあるいはPDがあるが、暗電流が大きいGe材料に
よってきまる過剰雑音が比較的大でアシ改良の余地が少
ない、雰囲気温度の変化に対して敏感すぎる等によシ、
これに換わるこの1.1から1.6μm波長域でのI−
V族化合物半導体材料等による商品質なAPD、PDが
要求されている。
89 pm域に対する光検出器としてはS+単結晶を用
いたPDあるいはAPDがひろく使われており、製造技
術的にもSiのICやLSI等の技術に支えられ信頼性
も含めてきわめて優れノこ特性を示している。しかしな
がら、Slの光検出器でr、j:Si狗料の吸収係数が
波長xpm以上で急激に減少し、この波長域で光を有効
に電気信号に変換するためには空乏層として数xopm
以上の厚さが必要となシ実用上は製作困難となる。特に
光ファイバーの伝送損失の低い1.1からL6pm波長
域では光検出器としての用をなさない。またこの1,1
から1.5μm波長域の光検出器としてG e −AP
DあるいはPDがあるが、暗電流が大きいGe材料に
よってきまる過剰雑音が比較的大でアシ改良の余地が少
ない、雰囲気温度の変化に対して敏感すぎる等によシ、
これに換わるこの1.1から1.6μm波長域でのI−
V族化合物半導体材料等による商品質なAPD、PDが
要求されている。
現在、この1.1から1.6μm波長域用光検出器とし
て研究開発が進められている材料としては、I nGa
As 、 I nGaAsP 、GaAJSb 、Ga
AJAsSb 。
て研究開発が進められている材料としては、I nGa
As 、 I nGaAsP 、GaAJSb 、Ga
AJAsSb 。
GaSb等のI−V族化合物半導体結晶、HgCdTe
等のfl−Vl族化合物半導体結晶が多数ある。例えば
n”−InP基板上にn型InGaAa層をエピタキシ
ャル成長後、亜鉛あるいはカドミウム等のp型不純物を
全面拡散後、メサエッチングしたメサ型素子、あるいは
選択拡散した単純プレーナ型素子等がある。またp−n
接合f InP層中に形成し、InGaAaあるいはI
nGaAsP層を光吸収層とすることによシ低暗電流、
高増倍化等が達成されてきている。しかしながら前記I
nP層中にpn接合を有しInGaAs層を光吸収層と
するAPDを例にとると、逆バイアス印加電圧ケ上昇す
ると空乏層がInP層中からInGaAs層中へ拡がシ
アバランシ増倍が起きるに充分な逆バイアスが印加され
高電界(例えば200 KV/cm以上)がInGaA
s層中に形成された場合はInGaAsでのアバランシ
増倍が起こる。このときInGaAsでのイオン化率は
電子の方が正孔よシ大きく電子のアバランシ増倍成分に
よる雑音特性劣化をまねく。勿論InP層中でのイオン
化率は正孔の方が電子よシ大きく、正孔のアバランシ増
倍が主体となるべく直針されているが、との増倍に前記
InGaAs層中での電子にょるアバ2/シ増倍が加え
られて、結果としてInPJ−中でのみアバ2ンシ増倍
を行なわしめた場合と比較して雑音特性が悪化する。ま
た前記InGaAs層での電界が例えば100KV/c
11以下とアバ2ンシ増倍をほとんど起こさない様な電
界強度の場合にはInPと工れGaAs層界面でのエネ
ルギー・バンド構造において価電子帯の不連続に起因し
て、光励起によ1) I nGaAs/m中で発生した
正孔かへテロ界面で蓄積されすみやかiCInP層中へ
通過できないために光応答速度の劣化をきたす。これは
、低雑音特性と高速光応答がInGaAs層中での電界
強度として相反する条件下で実現されることを示してお
シ、最適設計が計られた場合においても製造上歩留シ等
が悪い問題点等を含んでお少、低雑音特性と高速応答を
一意的に満足する様な素子及び構造の実現がまたれてい
る。
等のfl−Vl族化合物半導体結晶が多数ある。例えば
n”−InP基板上にn型InGaAa層をエピタキシ
ャル成長後、亜鉛あるいはカドミウム等のp型不純物を
全面拡散後、メサエッチングしたメサ型素子、あるいは
選択拡散した単純プレーナ型素子等がある。またp−n
接合f InP層中に形成し、InGaAaあるいはI
nGaAsP層を光吸収層とすることによシ低暗電流、
高増倍化等が達成されてきている。しかしながら前記I
nP層中にpn接合を有しInGaAs層を光吸収層と
するAPDを例にとると、逆バイアス印加電圧ケ上昇す
ると空乏層がInP層中からInGaAs層中へ拡がシ
アバランシ増倍が起きるに充分な逆バイアスが印加され
高電界(例えば200 KV/cm以上)がInGaA
s層中に形成された場合はInGaAsでのアバランシ
増倍が起こる。このときInGaAsでのイオン化率は
電子の方が正孔よシ大きく電子のアバランシ増倍成分に
よる雑音特性劣化をまねく。勿論InP層中でのイオン
化率は正孔の方が電子よシ大きく、正孔のアバランシ増
倍が主体となるべく直針されているが、との増倍に前記
InGaAs層中での電子にょるアバ2/シ増倍が加え
られて、結果としてInPJ−中でのみアバ2ンシ増倍
を行なわしめた場合と比較して雑音特性が悪化する。ま
た前記InGaAs層での電界が例えば100KV/c
11以下とアバ2ンシ増倍をほとんど起こさない様な電
界強度の場合にはInPと工れGaAs層界面でのエネ
ルギー・バンド構造において価電子帯の不連続に起因し
て、光励起によ1) I nGaAs/m中で発生した
正孔かへテロ界面で蓄積されすみやかiCInP層中へ
通過できないために光応答速度の劣化をきたす。これは
、低雑音特性と高速光応答がInGaAs層中での電界
強度として相反する条件下で実現されることを示してお
シ、最適設計が計られた場合においても製造上歩留シ等
が悪い問題点等を含んでお少、低雑音特性と高速応答を
一意的に満足する様な素子及び構造の実現がまたれてい
る。
本発明の目的は前記InP −I nG5Asの例で示
した様なInGaAg層中での電界が高電界でかつ低雑
音でかつ高速性に優れたAPDを与えるものである。即
ち、本発明の光検出器の製造方法は、電子と正孔とのう
ちでイオン化率の大きい方のキャリアが少数キャリアと
なる第1の半導体層上に、第1の半導体層と同一導電型
でかつ第1の半導体層の禁制帯幅よシも大きな禁制帯幅
を有する第3の半導体層と前記第1の半導体層の禁制帯
幅よりも小さい禁制帯幅を有する第4の半導体層とを交
互に複数積層した多層構造を形成し、さらにこの多層構
造上に前記M1の半導体層と同一導電型で前記第4の半
導体層の禁制帯幅よシも大きな禁制帯幅を有し、かつ、
イオン化率の大きい方のキャリアが多数キャリアとなる
第2の半導体層を形成して積層構造を作る工程と、前記
第1の半導体層中にpn接合を形成する工程と、前記積
層構造を700℃以上の温度で熱処理する工程とを有す
る構成となっている。
した様なInGaAg層中での電界が高電界でかつ低雑
音でかつ高速性に優れたAPDを与えるものである。即
ち、本発明の光検出器の製造方法は、電子と正孔とのう
ちでイオン化率の大きい方のキャリアが少数キャリアと
なる第1の半導体層上に、第1の半導体層と同一導電型
でかつ第1の半導体層の禁制帯幅よシも大きな禁制帯幅
を有する第3の半導体層と前記第1の半導体層の禁制帯
幅よりも小さい禁制帯幅を有する第4の半導体層とを交
互に複数積層した多層構造を形成し、さらにこの多層構
造上に前記M1の半導体層と同一導電型で前記第4の半
導体層の禁制帯幅よシも大きな禁制帯幅を有し、かつ、
イオン化率の大きい方のキャリアが多数キャリアとなる
第2の半導体層を形成して積層構造を作る工程と、前記
第1の半導体層中にpn接合を形成する工程と、前記積
層構造を700℃以上の温度で熱処理する工程とを有す
る構成となっている。
次に本発明の優れた利点について一実施例にもとすいて
説明する。第1図は本発明のへテロ多重接合型光検出器
の横断概略図である。本実施例ではInP−InGaA
s材料を用いたものであシ、まず(100)面を有する
n+型InP基板11の上にエピタキシャル成長法(例
えば気相エピタキシャル成長法)によシ3μmn程度の
?−InP層12を層成2た後、膜厚2μm1不純物濃
度5X10 0K On型I n 4165 G &
(L47 A 1層13を形成する。次に膜厚600X
、不純物濃度5XIQ”c−’のn型InP層14と膜
厚400A、不純物濃度5X10 cm のn型I n
CL57 G a CL47 A 8層15、を谷々
lO層ずつ交互に形成した後、膜厚3μm1不純物濃度
8X10”α−6のn型InP層16を形成し、最後に
膜厚2μm、不純物濃度3X1015菌−6のn型In
P層17を形成する。ここで、前記半導体層1は1.n
P層16と17に、半導体層2はI no、6S G
& u47 A 8層13に、半導体層3はInP層1
4に、半導体層4はInassGa+14.AB層15
になっている。このウェハをリンと共に排気した閉管中
に配し、約750℃2時間の熱処理をほどこす。次に、
この様にして作製したウェーハの表面に気相成長法ある
いはスパッタ法等によりSin、あるいはSi、N4膜
を形成した後、フォトレジスト目金せ工程によシ前記S
t、、 I>るいはS s lN4 rmを選択的にリ
ング状に除去する。次に上記ウェーハを亜鉛金属を拡散
源として排気した閉管中に配し、約350℃の熱処理を
ほどこすことによシ亜鉛の選択拡散を行ない亜鉛の拡散
領域18を得る。ここで熱拡散処理時間は100時間時
間性ない亜鉛の拡散されたp型子鈍物領域18記亜鉛拡
散領域18C+リング状外周以内の領域の上記Slo、
a3るいはSiNgを選択的に除去する。
説明する。第1図は本発明のへテロ多重接合型光検出器
の横断概略図である。本実施例ではInP−InGaA
s材料を用いたものであシ、まず(100)面を有する
n+型InP基板11の上にエピタキシャル成長法(例
えば気相エピタキシャル成長法)によシ3μmn程度の
?−InP層12を層成2た後、膜厚2μm1不純物濃
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(L47 A 1層13を形成する。次に膜厚600X
、不純物濃度5XIQ”c−’のn型InP層14と膜
厚400A、不純物濃度5X10 cm のn型I n
CL57 G a CL47 A 8層15、を谷々
lO層ずつ交互に形成した後、膜厚3μm1不純物濃度
8X10”α−6のn型InP層16を形成し、最後に
膜厚2μm、不純物濃度3X1015菌−6のn型In
P層17を形成する。ここで、前記半導体層1は1.n
P層16と17に、半導体層2はI no、6S G
& u47 A 8層13に、半導体層3はInP層1
4に、半導体層4はInassGa+14.AB層15
になっている。このウェハをリンと共に排気した閉管中
に配し、約750℃2時間の熱処理をほどこす。次に、
この様にして作製したウェーハの表面に気相成長法ある
いはスパッタ法等によりSin、あるいはSi、N4膜
を形成した後、フォトレジスト目金せ工程によシ前記S
t、、 I>るいはS s lN4 rmを選択的にリ
ング状に除去する。次に上記ウェーハを亜鉛金属を拡散
源として排気した閉管中に配し、約350℃の熱処理を
ほどこすことによシ亜鉛の選択拡散を行ない亜鉛の拡散
領域18を得る。ここで熱拡散処理時間は100時間時
間性ない亜鉛の拡散されたp型子鈍物領域18記亜鉛拡
散領域18C+リング状外周以内の領域の上記Slo、
a3るいはSiNgを選択的に除去する。
このウェーハを次にCd、P、を拡散源として排気した
閉管中に配し約570℃の高温で熱処理することによシ
カドミウムの選択拡散を行ないカドミウムの拡散された
p”−InP領域19を得る。さらに前記5insある
いはStN膜20を形成した後、電極域)出し窓21を
7オトレジスト・目合せ工程技術等を用いて形成した後
、p型電極22を図に示すごとく前記窓21をおおい、
かつ光の入射窓を除くように形成する。最後にn型電極
23をInP基板11に形成することにより第1図に示
した光検出器が得られる。
閉管中に配し約570℃の高温で熱処理することによシ
カドミウムの選択拡散を行ないカドミウムの拡散された
p”−InP領域19を得る。さらに前記5insある
いはStN膜20を形成した後、電極域)出し窓21を
7オトレジスト・目合せ工程技術等を用いて形成した後
、p型電極22を図に示すごとく前記窓21をおおい、
かつ光の入射窓を除くように形成する。最後にn型電極
23をInP基板11に形成することにより第1図に示
した光検出器が得られる。
次に、この発明の優れた特徴について説明する。
前述の光検出器において570℃でCd、P、を拡散源
としたカドミウムの熱拡散によって得られるpn接合の
深さ約35μmで拡散の直径約1100pの検出器にお
いて暗電流1nA以下でブレークダウン電圧120v前
後できわめて急峻なブレークダウン特性を示した。また
アバランシ増倍100倍以上を示し、増倍率10での過
剰雑音が7dB程度で光応わ 答速度は1.6GHz以上に/L71Cシ顕著な劣化は
示さなかった。これらの優れた特性は次に示す理由によ
シ理解できる。すなわちInP −I nGaAs−I
nGaAsP系を用いたAPDとしてpn接合をInP
層中に形成しかつ逆バイアス印加によシ空乏層を光吸収
層であるI nG aA sあるいはInGaAsP層
中に拡げる例は、例えば特願昭54−39169.特願
昭54−124975等にあシ、低暗電流化するために
優れた構造であるが、2つの問題点を有していることが
判ってきた。勿論、最適設計し製作すれば問題とならな
い可能性を有しているが、生産性等に問題が残シそうで
ある。問題点の1つはInPのイオン化率は正孔の方が
電子よシ大きく、InGaAgあるいはInGaAsP
では電子の方が正孔よシイオン化率が大きいことに起因
し、前記した空乏層がInGaAsPるいはInGaA
sP層に拡がシ高電界が形成されInGaAsあるいは
I nG tAs P層内でアバランシ増倍が起きる状
況になるとI nP−I nGaAsのAPDあるいは
I nP−I nGaAgP等のAPDでは過剰雑音特
性が悪化する。即ち、イオン化率の大きな方のキャリア
が増倍の主成分となる様にならないと低雑音APDが得
られないという基本概念からはずれることになる。第2
の問題点はI nGaAs(あるいはInGaAsP
)層内での電界強度が小さいと、逆バイアス印加によl
) InGaAs (InGaAsP)層中で光励起さ
れた正孔はpn接合を有するInPの方向へ進むが、I
nP−I nGaAs (I nGaAsP )バン
ド構造における価電子帯の不連続によF) InPと接
するInGaAs界面に一旦蓄積し、電子と再結合して
消滅するかあるいは応答速度の遅い成分として外部回路
に取力出され観測される。これを回避する方法としては
I nP−I nGaAs界面での電界強度を大きくす
ることによシ回避できるが、前記第1の問題点から低雑
音なAPDが得られなくなる。
としたカドミウムの熱拡散によって得られるpn接合の
深さ約35μmで拡散の直径約1100pの検出器にお
いて暗電流1nA以下でブレークダウン電圧120v前
後できわめて急峻なブレークダウン特性を示した。また
アバランシ増倍100倍以上を示し、増倍率10での過
剰雑音が7dB程度で光応わ 答速度は1.6GHz以上に/L71Cシ顕著な劣化は
示さなかった。これらの優れた特性は次に示す理由によ
シ理解できる。すなわちInP −I nGaAs−I
nGaAsP系を用いたAPDとしてpn接合をInP
層中に形成しかつ逆バイアス印加によシ空乏層を光吸収
層であるI nG aA sあるいはInGaAsP層
中に拡げる例は、例えば特願昭54−39169.特願
昭54−124975等にあシ、低暗電流化するために
優れた構造であるが、2つの問題点を有していることが
判ってきた。勿論、最適設計し製作すれば問題とならな
い可能性を有しているが、生産性等に問題が残シそうで
ある。問題点の1つはInPのイオン化率は正孔の方が
電子よシ大きく、InGaAgあるいはInGaAsP
では電子の方が正孔よシイオン化率が大きいことに起因
し、前記した空乏層がInGaAsPるいはInGaA
sP層に拡がシ高電界が形成されInGaAsあるいは
I nG tAs P層内でアバランシ増倍が起きる状
況になるとI nP−I nGaAsのAPDあるいは
I nP−I nGaAgP等のAPDでは過剰雑音特
性が悪化する。即ち、イオン化率の大きな方のキャリア
が増倍の主成分となる様にならないと低雑音APDが得
られないという基本概念からはずれることになる。第2
の問題点はI nGaAs(あるいはInGaAsP
)層内での電界強度が小さいと、逆バイアス印加によl
) InGaAs (InGaAsP)層中で光励起さ
れた正孔はpn接合を有するInPの方向へ進むが、I
nP−I nGaAs (I nGaAsP )バン
ド構造における価電子帯の不連続によF) InPと接
するInGaAs界面に一旦蓄積し、電子と再結合して
消滅するかあるいは応答速度の遅い成分として外部回路
に取力出され観測される。これを回避する方法としては
I nP−I nGaAs界面での電界強度を大きくす
ることによシ回避できるが、前記第1の問題点から低雑
音なAPDが得られなくなる。
そこで本発明では、この2つの問題点をInPとInG
aAsの多重接合を形成し、高温で熱処理する増大する
ことで回避されている。即ち、第2図に第1図に示した
実施例の概略エネルギーバンド図を逆バイアス印加状態
として示したが、InGaAs中で光励起によ多発生し
た正孔は高電界下で比較的なだらかなCれは高温で熱処
理したため、多重接合を形成する各層の境かにやけ、そ
の結果として層界面におけるエネルギーバンドがなだら
かな曲線となるため。)I nP−I nGaAs界面
を通過しInP層中に達し、次にInGaAs −In
P界面を通過する過程でInGaAsとInPの価電子
帯の不連続に起因した差分のエネルギーを受けと少、正
孔のイオン化する確率がInGaAs層中を走行する場
合よりも増加するものと説明される。以上説明した様に
本発明によると前記第1と第2の問題点を同時に解決で
きることが判シ、本発明の利点が理解できる。なお本実
施例では光吸収層としてInGaAsを用いた実施例に
ついて述べたが、InGaAsP層を用いた場合及び光
吸収層をInGaAgとし、ペテロ多重接合なInPと
InGaAsP層で構成する場合等について適用できる
のは言うまでもない。
aAsの多重接合を形成し、高温で熱処理する増大する
ことで回避されている。即ち、第2図に第1図に示した
実施例の概略エネルギーバンド図を逆バイアス印加状態
として示したが、InGaAs中で光励起によ多発生し
た正孔は高電界下で比較的なだらかなCれは高温で熱処
理したため、多重接合を形成する各層の境かにやけ、そ
の結果として層界面におけるエネルギーバンドがなだら
かな曲線となるため。)I nP−I nGaAs界面
を通過しInP層中に達し、次にInGaAs −In
P界面を通過する過程でInGaAsとInPの価電子
帯の不連続に起因した差分のエネルギーを受けと少、正
孔のイオン化する確率がInGaAs層中を走行する場
合よりも増加するものと説明される。以上説明した様に
本発明によると前記第1と第2の問題点を同時に解決で
きることが判シ、本発明の利点が理解できる。なお本実
施例では光吸収層としてInGaAsを用いた実施例に
ついて述べたが、InGaAsP層を用いた場合及び光
吸収層をInGaAgとし、ペテロ多重接合なInPと
InGaAsP層で構成する場合等について適用できる
のは言うまでもない。
第1図は本発明の一実施例によシ得られたAPDの横断
面図であシ、11は1型InP基板、12はn+−In
Pエピタキシャル層、13はn型In156Gaa47
As層、14はn型InP層、15はn型Ing、65
Gs(147As層、16はn型InP層、17は。 −型InP層、18はガードリングとしての用をなすp
型InP領域、19はp+型InP領域、20はSs’
、あるいはSsN薄膜、21はp型電極取シ出しのため
の前記SIO,あるいはSIN除去領域、22はp型電
極、23はn型電極である。 第2図は本発明の第1図実施例における逆バイアス印加
時におけるバンド・エネルギーの簡易モデル図であシ、
正孔が禁制帯幅の広い領域から狭い領域へ走行する場合
にほぼ価電子帯の不連続に対応したエネルギーを得るこ
とを示している。 門人弁理士内側 y
面図であシ、11は1型InP基板、12はn+−In
Pエピタキシャル層、13はn型In156Gaa47
As層、14はn型InP層、15はn型Ing、65
Gs(147As層、16はn型InP層、17は。 −型InP層、18はガードリングとしての用をなすp
型InP領域、19はp+型InP領域、20はSs’
、あるいはSsN薄膜、21はp型電極取シ出しのため
の前記SIO,あるいはSIN除去領域、22はp型電
極、23はn型電極である。 第2図は本発明の第1図実施例における逆バイアス印加
時におけるバンド・エネルギーの簡易モデル図であシ、
正孔が禁制帯幅の広い領域から狭い領域へ走行する場合
にほぼ価電子帯の不連続に対応したエネルギーを得るこ
とを示している。 門人弁理士内側 y
Claims (1)
- 電子と正孔とのうちでイオン化率の大きい方のキャリア
が少数キャリアとなる第1の半導体層上に、第1の半導
体層と同一導電型でかつ第1の半導体層の禁制帯幅よシ
も大きな禁制帯幅を有する第3の半導体層と前記第1の
半導体層の禁制帯幅よシも小さい禁制帯幅を有する第4
の半導体層とを交互に複数積層した多層構造を形成し、
さらにこの多層構造上に前記第1の半導体層と同一導電
型で前記第4の半導体層の禁制帯幅よルも大きな禁制帯
幅を有し、かつ、イオン化率の大きい方のキャリアが多
数キャリアとなる第2の半導体層を形成して積層構造を
作る工程と、前記第1の半導体層中にpn接合を形成す
る工程と、前記積層構造を高温で熱処理する工程とを有
することを特徴とする光検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58167791A JPS6058684A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58167791A JPS6058684A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光検出器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6058684A true JPS6058684A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15856174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58167791A Pending JPS6058684A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光検出器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6058684A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274366A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58167791A patent/JPS6058684A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274366A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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