JPS6057692A - 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ - Google Patents
分布ブラッグ反射型半導体レ−ザInfo
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- JPS6057692A JPS6057692A JP58165460A JP16546083A JPS6057692A JP S6057692 A JPS6057692 A JP S6057692A JP 58165460 A JP58165460 A JP 58165460A JP 16546083 A JP16546083 A JP 16546083A JP S6057692 A JPS6057692 A JP S6057692A
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- Japan
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- layer
- semiconductor laser
- wavelength
- type
- active layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回折格子を有する光ガイド層が埋め込み活性層
と直接に結合された半導体レーザ、特に波長制御領域を
有し、軸モードのとびがなく、広い温度範囲にわたって
安定な単一軸モード発振を示す埋め込みへテロ構造の分
布ブラッグ反射型半導体レーザに関する。高速変調時C
ども安定な単一軸モード発振を示し、したがって長距離
大容量伝送の可能な半導体光源として回折格子を有する
分布帰還型半導体レーザ(DFH−LD)、分布ブラッ
グ反射型半導体レーザ(DBR−LD)が種々開発宴れ
ている。これらの半導体レーザは、いずれも適当なピッ
チの回折格子をイイしており、数百メガビット/秒で高
速変調しても箪−波長で発振するという結果が得られて
いる。ところで1)13几−LDにおいては、波長に対
するDBR反射率はブラッグ波長で最も大きくなる曲線
で与えられ、この曲線上に活性領域とDBR領域での位
相が一致するいくつかの共振点が存在する。それらの共
振点のうちDB几反射率が最大となる点で、しきい値利
得はツノ− 最Iとなり、その波長が発振主軸モードとなる。
と直接に結合された半導体レーザ、特に波長制御領域を
有し、軸モードのとびがなく、広い温度範囲にわたって
安定な単一軸モード発振を示す埋め込みへテロ構造の分
布ブラッグ反射型半導体レーザに関する。高速変調時C
ども安定な単一軸モード発振を示し、したがって長距離
大容量伝送の可能な半導体光源として回折格子を有する
分布帰還型半導体レーザ(DFH−LD)、分布ブラッ
グ反射型半導体レーザ(DBR−LD)が種々開発宴れ
ている。これらの半導体レーザは、いずれも適当なピッ
チの回折格子をイイしており、数百メガビット/秒で高
速変調しても箪−波長で発振するという結果が得られて
いる。ところで1)13几−LDにおいては、波長に対
するDBR反射率はブラッグ波長で最も大きくなる曲線
で与えられ、この曲線上に活性領域とDBR領域での位
相が一致するいくつかの共振点が存在する。それらの共
振点のうちDB几反射率が最大となる点で、しきい値利
得はツノ− 最Iとなり、その波長が発振主軸モードとなる。
その主軸モードに対し、2番目にしきい値利得の小さな
点が副軸モードを与える。
点が副軸モードを与える。
温度が変化した場合、活性領域とDBRB域における等
側屈折率が変化し、共振点はこの曲線上を移動する。し
たがって、懸度が変化するとある温度で、しきい値利得
が最小となる共揚点が次の共振点に移ってしまう。′す
なわち発振主軸モードと副軸モードが父代して発振軸モ
ードのとびが生ずる。動作描度範囲内でこのようなモー
ドのとびが来の特性を引き出すことができない。このよ
うな現象をさけるために室温付近の動作蟲度範囲でモー
ドのとびが生じないような波長制御機構を導入すること
が重要である。その−例として東盛氏らは昭和58年度
春、電子通信学会総合全国大会945において報告して
いるように波長制御機能を有する直接結合型分布ブラッ
グ反射型半導体レーザ(BJB−DBRLD)を開発し
た。この半導体レーザは活性層の両側にDBRB域およ
び波長制御領域を有している。波長制御領域においては
出力側光ガイド層に制御電流を注入することによりプラ
とサブモードに対する利得の差を一定に保って常に安定
な単一軸モード発振が得られることになる。
側屈折率が変化し、共振点はこの曲線上を移動する。し
たがって、懸度が変化するとある温度で、しきい値利得
が最小となる共揚点が次の共振点に移ってしまう。′す
なわち発振主軸モードと副軸モードが父代して発振軸モ
ードのとびが生ずる。動作描度範囲内でこのようなモー
ドのとびが来の特性を引き出すことができない。このよ
うな現象をさけるために室温付近の動作蟲度範囲でモー
ドのとびが生じないような波長制御機構を導入すること
が重要である。その−例として東盛氏らは昭和58年度
春、電子通信学会総合全国大会945において報告して
いるように波長制御機能を有する直接結合型分布ブラッ
グ反射型半導体レーザ(BJB−DBRLD)を開発し
た。この半導体レーザは活性層の両側にDBRB域およ
び波長制御領域を有している。波長制御領域においては
出力側光ガイド層に制御電流を注入することによりプラ
とサブモードに対する利得の差を一定に保って常に安定
な単一軸モード発振が得られることになる。
東盛氏らは、上述の波長制御BJJ3−DBRLDで、
18mAの制御電流注入により1.4A短波長側への波
長シフトを観れ111シている。東盛氏らの開発したス
トライプ構造の波長++X+I侶IBJB−1)13R
LDではストライブ幅20μm、活性領域長350μm
、波長制御領域200μm 、 D、BJl、領域長2
00〜500μnl、活性領域□t(dikと波長制御
領域電極との間隔は100μmとなっている。
18mAの制御電流注入により1.4A短波長側への波
長シフトを観れ111シている。東盛氏らの開発したス
トライプ構造の波長++X+I侶IBJB−1)13R
LDではストライブ幅20μm、活性領域長350μm
、波長制御領域200μm 、 D、BJl、領域長2
00〜500μnl、活性領域□t(dikと波長制御
領域電極との間隔は100μmとなっている。
しかしながら、上述の半導体レーザにおいては結晶成長
の工程が全て終了した恢にj)BP−領域ζこ回折格子
を形成しており、5μln程度のjダ差のついた部分に
レーザ干渉露光を行なっている。
の工程が全て終了した恢にj)BP−領域ζこ回折格子
を形成しており、5μln程度のjダ差のついた部分に
レーザ干渉露光を行なっている。
したがって、′寿にこの構造を埋め込みレーザに適用す
る場合には、幅2μm程度のD B R周光ガイド層の
ストライブがInPの埋め込み半導体層におおわれてお
り、平坦でない部分に7オトレジストを塗布してレーザ
干渉露光を行なうことになる。
る場合には、幅2μm程度のD B R周光ガイド層の
ストライブがInPの埋め込み半導体層におおわれてお
り、平坦でない部分に7オトレジストを塗布してレーザ
干渉露光を行なうことになる。
InPの埋め込み層が光ガイド層よりも盛り上っている
ところにフォトレジス) 4−塗布するとそノ部分で7
オトレジストが厚くなってしまうので、回折格子がうま
く作製できない。埋め込みInP層を少しずつ選択エツ
チングしていって、その謁さが光ガイド層の静さと、は
に同じになってがらレーザ干渉露光を行なうとよいが、
そのエツチングの制御も容易でなく、作製上の歩留りが
悪い。
ところにフォトレジス) 4−塗布するとそノ部分で7
オトレジストが厚くなってしまうので、回折格子がうま
く作製できない。埋め込みInP層を少しずつ選択エツ
チングしていって、その謁さが光ガイド層の静さと、は
に同じになってがらレーザ干渉露光を行なうとよいが、
そのエツチングの制御も容易でなく、作製上の歩留りが
悪い。
さらに活性領域の他にDB几領領域波長制御領域を形成
するために素子も大きくなりすぎ、ヒートシンクにマウ
ントしたりする場合にも茎ましくない。すなわち、回折
格子の作製の点で特に問題がアリ、均一な面に回折格子
を形成することができれば、作製上の歩留りも向上する
。また、素子も大きくなりすぎるので、500μm程度
の長さにすることができればより好ましい。
するために素子も大きくなりすぎ、ヒートシンクにマウ
ントしたりする場合にも茎ましくない。すなわち、回折
格子の作製の点で特に問題がアリ、均一な面に回折格子
を形成することができれば、作製上の歩留りも向上する
。また、素子も大きくなりすぎるので、500μm程度
の長さにすることができればより好ましい。
本発明の目的は上述の欠点を除去すべく、特性の再現性
、素子製造の歩留りが大幅に向上した波長制御機構の形
成された埋め込みへテロ構造の分布ブラッグ反射型半導
体レーザを提供することにある。
、素子製造の歩留りが大幅に向上した波長制御機構の形
成された埋め込みへテロ構造の分布ブラッグ反射型半導
体レーザを提供することにある。
本発明による分布ブラッグ反射型半導体レーザの構成は
、半導体基板上に少くとも活性層と前記活性層よりもエ
ネルギーギヤツブが大きく、かつ一方の面に周期がn・
λ/2(但しnは整数、λは前記活性層中の発振波長)
の回折格子がノ1成された光ガイド層とを有する分布ブ
ラッグ反射型半A体レーザにおいて、前記活性層J?よ
び前記光力41層がレーザ共振軸に平行な方向に賦接に
結合され前記光ガイド層の上部に′lj制御′藏極がル
成されていることを特徴としている。
、半導体基板上に少くとも活性層と前記活性層よりもエ
ネルギーギヤツブが大きく、かつ一方の面に周期がn・
λ/2(但しnは整数、λは前記活性層中の発振波長)
の回折格子がノ1成された光ガイド層とを有する分布ブ
ラッグ反射型半A体レーザにおいて、前記活性層J?よ
び前記光力41層がレーザ共振軸に平行な方向に賦接に
結合され前記光ガイド層の上部に′lj制御′藏極がル
成されていることを特徴としている。
以下、実施例を示す図面を用いて本発明をより詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明による埋め込みへテロ構造の分布ブラッ
グ反射型半導体レーザ(Bl−I−DBI(、−L4)
)の一実施例の製作工程を示す斜視図である。このよう
なりH−DBR−LDを得るには、まず第1図(a)に
示したようにn−InP基板1上に回折格子2をノrk
成し、その上に発光波長1,2μmに相当するP −1
no、?llGao、22Aso0g po、52光ガ
イド層3. n −■nn−78 G−4,A恥、4゜
−P。、、2光ガイド層4をいずれも厚さ0.2μm、
p−InP層5を厚さ1μm順次積層させる。回折格子
2は(10D)面方位を有するn−InP基板1上にユ
11>結晶方位にをル成した。エツチングはフォトリソ
グラフィの手法とHBr系の混合エツチング液を用いて
行なった。
グ反射型半導体レーザ(Bl−I−DBI(、−L4)
)の一実施例の製作工程を示す斜視図である。このよう
なりH−DBR−LDを得るには、まず第1図(a)に
示したようにn−InP基板1上に回折格子2をノrk
成し、その上に発光波長1,2μmに相当するP −1
no、?llGao、22Aso0g po、52光ガ
イド層3. n −■nn−78 G−4,A恥、4゜
−P。、、2光ガイド層4をいずれも厚さ0.2μm、
p−InP層5を厚さ1μm順次積層させる。回折格子
2は(10D)面方位を有するn−InP基板1上にユ
11>結晶方位にをル成した。エツチングはフォトリソ
グラフィの手法とHBr系の混合エツチング液を用いて
行なった。
液相成長時の尚湛保持、メルトバック等による回折格子
2の消失を防ぐためにり−b、7BGa1.22AS4
0.1)(1,52光ガイド層3は600℃前後の低い
温度で成長を行なった。特にメルトバックを防止するた
めに10”C程度の過飽和度をとったスーパークーリン
グ溶液を用いて成長を行なった。このようにして作製し
た半導体へテロ構造ウェファに第1図(b)に示したよ
うにS io2膜6をマスクとしてn−InP基板ト表
山】まで選択的にエツチングを行ない、5in2膜6を
残したまま2回目の液相成長を行ない、n−InPバッ
ファ層7を厚さ0.2μm2発光波長1.3μm相当の
ノンドープIr1o、フ2’ao、ta ”6I、、6
1 ”o、n活性層8を厚さO,1μm 、 p−fn
Pクラッド層9を厚さ約1μm積層する。SiO□膜6
は<01.1>方向に平行に形成し、p−InPクラッ
ドIA9の表面がp−InPIi5とほぼ同じ高さとな
るようりこ納品成長を行なった。このときの成長r′晶
度17−i650℃前後と通常の成長温度でよく、n−
InP%yファ層7の成長時には回折格子2はメルトバ
ックあるいは熱的に消失し、活性層8 !(を平坦り半
導体1商上に成長することになる。続いて5i02膜6
を除去した後、第1図(C)に示すように<01.1>
方向に平行な2本のエツチング溝10.12.およびそ
れらによってはさまれるメサストライプ11を形成し、
3回目の液相成長工程において埋め込み成長を行なう。
2の消失を防ぐためにり−b、7BGa1.22AS4
0.1)(1,52光ガイド層3は600℃前後の低い
温度で成長を行なった。特にメルトバックを防止するた
めに10”C程度の過飽和度をとったスーパークーリン
グ溶液を用いて成長を行なった。このようにして作製し
た半導体へテロ構造ウェファに第1図(b)に示したよ
うにS io2膜6をマスクとしてn−InP基板ト表
山】まで選択的にエツチングを行ない、5in2膜6を
残したまま2回目の液相成長を行ない、n−InPバッ
ファ層7を厚さ0.2μm2発光波長1.3μm相当の
ノンドープIr1o、フ2’ao、ta ”6I、、6
1 ”o、n活性層8を厚さO,1μm 、 p−fn
Pクラッド層9を厚さ約1μm積層する。SiO□膜6
は<01.1>方向に平行に形成し、p−InPクラッ
ドIA9の表面がp−InPIi5とほぼ同じ高さとな
るようりこ納品成長を行なった。このときの成長r′晶
度17−i650℃前後と通常の成長温度でよく、n−
InP%yファ層7の成長時には回折格子2はメルトバ
ックあるいは熱的に消失し、活性層8 !(を平坦り半
導体1商上に成長することになる。続いて5i02膜6
を除去した後、第1図(C)に示すように<01.1>
方向に平行な2本のエツチング溝10.12.およびそ
れらによってはさまれるメサストライプ11を形成し、
3回目の液相成長工程において埋め込み成長を行なう。
エツチング溝10.12はいずれも深さ3μTn 、幅
10μmとし、メサストライプ11は1古性層8の部分
で幅1.5μmとした。埋め込み成長に9いてp−1n
P′市流tブロツクf@ 13. n−InP電流ブロ
ック層14ヲいずれもメサストライプ11の上面のみを
除いて、さらにp−InP埋め込み層151発光波長1
2μm相当の1) ’Ino、?8 Ga6.22 A
SQ、48 Po、62’m、D層16を全曲にわたっ
て積層する。最後に素子表面全体にAuZn電極を形成
したのち電気的な絶縁をとるための分離溝17をエツチ
ングして形成し、活性領域電4if 18.制御電極1
9.また基板側には全面にn形オーミック電極20を形
成する。分離溝17は電気的な絶縁を良好にとればよく
、活性層8の深さにまで達しないようにする必要がある
。以上のようにして作製−シた所望のBE(−DB几−
T、Dにお(ρて活性領域長200μmη、 DB几制
御領域長200μmの長さに切り出し、室温yでの発振
しきい値鴫流40+nA 、微分量子効率20%、 5
00Mb/sの尚連装調時にも安定な単一軸モード発振
を示すものが再現性よく得られた。
10μmとし、メサストライプ11は1古性層8の部分
で幅1.5μmとした。埋め込み成長に9いてp−1n
P′市流tブロツクf@ 13. n−InP電流ブロ
ック層14ヲいずれもメサストライプ11の上面のみを
除いて、さらにp−InP埋め込み層151発光波長1
2μm相当の1) ’Ino、?8 Ga6.22 A
SQ、48 Po、62’m、D層16を全曲にわたっ
て積層する。最後に素子表面全体にAuZn電極を形成
したのち電気的な絶縁をとるための分離溝17をエツチ
ングして形成し、活性領域電4if 18.制御電極1
9.また基板側には全面にn形オーミック電極20を形
成する。分離溝17は電気的な絶縁を良好にとればよく
、活性層8の深さにまで達しないようにする必要がある
。以上のようにして作製−シた所望のBE(−DB几−
T、Dにお(ρて活性領域長200μmη、 DB几制
御領域長200μmの長さに切り出し、室温yでの発振
しきい値鴫流40+nA 、微分量子効率20%、 5
00Mb/sの尚連装調時にも安定な単一軸モード発振
を示すものが再現性よく得られた。
この実施例に示した素子によ?いては、D B 1:(
、制御頭載において正の′成用を印加すると、光ガイド
層部分でp−n接合部に逆バイアスが形成されることに
なり、空乏層が両側に拡がることになる。2〜3×10
程度にドーピングされた光ガイド層に正O解圧を印加す
ることにより空乏層が形成され、そこでのキャリア濃度
が、はとんどゼロとなるためにプラズマ振動効果による
比較的大きな屈折率変化が得られる。すなわち、DBR
制御領域に印加する電圧を変化させることにより光ガイ
ド局の屈折率が変化するため、共振波長とブラッグ波長
とを合わせることができ、より広い温度範囲にわたって
モードのとびのない安定な単一軸モード発振を得ること
ができる。実際にば5vの′電圧を印加することにより
発振波長が3Aだけ長波−良1i(tjにシフトするこ
とが1規測された。また、罪制御′峨圧を印+10しな
い」賜金には10°Cから40℃まで、および40°O
から65°Cの範囲で革−軸モード発振を示し、40°
C付近で軸モードのとびがを1111された。こILに
肩し1間御1屯圧を7v程度まで印刀目するとと1.こ
より、D IJ R領域の屈折率を変化させることがで
と、したlがって共振波長とブラッグ波長とを臼・わせ
ることl)1叶能となったので15°Cから65°Cま
での広い?晶度範囲にわたって同一の単一軸モード発倣
助作が(!)しれた。
、制御頭載において正の′成用を印加すると、光ガイド
層部分でp−n接合部に逆バイアスが形成されることに
なり、空乏層が両側に拡がることになる。2〜3×10
程度にドーピングされた光ガイド層に正O解圧を印加す
ることにより空乏層が形成され、そこでのキャリア濃度
が、はとんどゼロとなるためにプラズマ振動効果による
比較的大きな屈折率変化が得られる。すなわち、DBR
制御領域に印加する電圧を変化させることにより光ガイ
ド局の屈折率が変化するため、共振波長とブラッグ波長
とを合わせることができ、より広い温度範囲にわたって
モードのとびのない安定な単一軸モード発振を得ること
ができる。実際にば5vの′電圧を印加することにより
発振波長が3Aだけ長波−良1i(tjにシフトするこ
とが1規測された。また、罪制御′峨圧を印+10しな
い」賜金には10°Cから40℃まで、および40°O
から65°Cの範囲で革−軸モード発振を示し、40°
C付近で軸モードのとびがを1111された。こILに
肩し1間御1屯圧を7v程度まで印刀目するとと1.こ
より、D IJ R領域の屈折率を変化させることがで
と、したlがって共振波長とブラッグ波長とを臼・わせ
ることl)1叶能となったので15°Cから65°Cま
での広い?晶度範囲にわたって同一の単一軸モード発倣
助作が(!)しれた。
そのときの発振波長の流Il(変化L/4は/、 I
A/d e gであった。
A/d e gであった。
本発明の実咽例においてはHll」剃領、1表をもつ1
3JトDBR−LDにおいて、平坦なl+ u++をも
ツn−fnPJ板1上に回折格子2をル成することθ3
Cき、特性の再現性素子製造の歩留りが大幅に向上した
。
3JトDBR−LDにおいて、平坦なl+ u++をも
ツn−fnPJ板1上に回折格子2をル成することθ3
Cき、特性の再現性素子製造の歩留りが大幅に向上した
。
同時にDBR領域に波長制御機構を導入したことにより
、素子の長さも従来の1 mm近い長さから400〜5
00μm程度とすることができ、ヒートシンクへのマウ
ント等に際する素子のとりあつがいも十分容易になった
。
、素子の長さも従来の1 mm近い長さから400〜5
00μm程度とすることができ、ヒートシンクへのマウ
ント等に際する素子のとりあつがいも十分容易になった
。
なお、本発明の実唯例においてはDBR制御領域をP−
N−P−N構造とし、電圧印加による空乏層の拡がりを
利用して屈折率を変化させる方法をとったが、これは従
来例と同様、P−N構造としてキャリア注入による屈折
率変化の効果を利用してもかまわない。その場合には電
流(キャリア)注入により屈折率は小さくなるので、発
振波長は短波長にシフトすることになる。また、横モー
ド制御の構造も実施例においてはメサストライプを2本
のエツチング溝がはさむ形状のものを採用したが、もち
ろん、これに限ることなく埋め込み構造であればすべて
含む。さらに用いる半導体材料もInPを基板、InG
aAsPを活性層、光ガイド層とする波長1μmの材料
を示したが、もちろんこれに限るものではなく、GaA
JAs/GaAs、 InGaAsP/GaAS等の材
料で何らさしつかえない。
N−P−N構造とし、電圧印加による空乏層の拡がりを
利用して屈折率を変化させる方法をとったが、これは従
来例と同様、P−N構造としてキャリア注入による屈折
率変化の効果を利用してもかまわない。その場合には電
流(キャリア)注入により屈折率は小さくなるので、発
振波長は短波長にシフトすることになる。また、横モー
ド制御の構造も実施例においてはメサストライプを2本
のエツチング溝がはさむ形状のものを採用したが、もち
ろん、これに限ることなく埋め込み構造であればすべて
含む。さらに用いる半導体材料もInPを基板、InG
aAsPを活性層、光ガイド層とする波長1μmの材料
を示したが、もちろんこれに限るものではなく、GaA
JAs/GaAs、 InGaAsP/GaAS等の材
料で何らさしつかえない。
本発明の特徴は波長制御機能を有するB I−f−1)
BR−LDにおいて、平坦な半導体表1mに回折格子を
ル成したこと、およびDBR用回折格子の上部に制御電
極を形成したことである。これによって素子の長さも通
常のLDと同程度にすることができ、特性の再現性、素
子構造の歩留りが大幅に向上した。
BR−LDにおいて、平坦な半導体表1mに回折格子を
ル成したこと、およびDBR用回折格子の上部に制御電
極を形成したことである。これによって素子の長さも通
常のLDと同程度にすることができ、特性の再現性、素
子構造の歩留りが大幅に向上した。
第1図(aHbHc)は、本発明の一実施例であるB)
I−DBR−LDの製作工程を示す斜視図である。図中
1はn−InP基板、2は回折格子、3はp−Ina、
7a Gao、22−kso、43 PO,52光ガイ
ド層、4はn−In676Ga6,22Aso、。−P
Q、52光カイ)一層、5 tti p−InP 層、
6uSiO,膜、7はn−InPバッファ層、8はIn
o−72Ga0828Aso、、、Po・、9活性層1
,9はp−InPクラッド層、10.1.2はエツチン
グ溝、11はメサストライプ、13はp−InP電流電
流ブラフ2層4はn−InP電流電流ブラフ2層5はp
−InP埋め込み層、16はI)−Ino、7a Ga
0.22 kso、aP6..2@極層、17は分離溝
、18は活性領域電極、19は制御電極、20はn形オ
ーミック電極をそれぞれあられす。 I′を埋人弁理士内原 エ
I−DBR−LDの製作工程を示す斜視図である。図中
1はn−InP基板、2は回折格子、3はp−Ina、
7a Gao、22−kso、43 PO,52光ガイ
ド層、4はn−In676Ga6,22Aso、。−P
Q、52光カイ)一層、5 tti p−InP 層、
6uSiO,膜、7はn−InPバッファ層、8はIn
o−72Ga0828Aso、、、Po・、9活性層1
,9はp−InPクラッド層、10.1.2はエツチン
グ溝、11はメサストライプ、13はp−InP電流電
流ブラフ2層4はn−InP電流電流ブラフ2層5はp
−InP埋め込み層、16はI)−Ino、7a Ga
0.22 kso、aP6..2@極層、17は分離溝
、18は活性領域電極、19は制御電極、20はn形オ
ーミック電極をそれぞれあられす。 I′を埋人弁理士内原 エ
Claims (1)
- 少くとも活性層と前記活性1層よねもエネルギーギャッ
プが大きく、かつ一方の面に周期力Sn・IA(但しn
は整数、λは前記活性層中の発振波長)の回折格子が°
形成された光ガイド層とを有し、前記活性層および前記
光ガイド層がレーザ共振軸の方向で光学的に結合され、
かつ、ストライブ状活性領域における1活性層が当該活
性層よりもエネルギーギャップの大きな半導体層中に埋
め込まれている積層構造を有し、さらに前記、光ガイド
層の上部に制御電極が形成されていることを待機とする
分布ブラッグ反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58165460A JPS6057692A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58165460A JPS6057692A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6057692A true JPS6057692A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15812835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58165460A Pending JPS6057692A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6057692A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62229990A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子の製造法 |
US4751710A (en) * | 1984-07-26 | 1988-06-14 | Nec Corporation | Semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58165460A patent/JPS6057692A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751710A (en) * | 1984-07-26 | 1988-06-14 | Nec Corporation | Semiconductor laser device |
JPS62229990A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子の製造法 |
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