JPS605528A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS605528A JPS605528A JP11320183A JP11320183A JPS605528A JP S605528 A JPS605528 A JP S605528A JP 11320183 A JP11320183 A JP 11320183A JP 11320183 A JP11320183 A JP 11320183A JP S605528 A JPS605528 A JP S605528A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１ン発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは”ｒルミニウ
ム（Ａｔり配線体のドライエツチングの後におりる＾ｐ
配線体の腐蝕を防止する方法に関する。
ム（Ａｔり配線体のドライエツチングの後におりる＾ｐ
配線体の腐蝕を防止する方法に関する。
（２）技術の背景
半導体装置の集積度を高める傾向に対応して、ドライエ
ツチングによって２μｍ程度の幅のへｌ配線体を形成す
ることが行われる。その例を第１図の断面図を参照して
説明すると、例えばウェハ上に成長された燐・シリケー
Ｉ−・ガラス（ＩＩｓＧ ）の絶縁１１央１の上にΔβ
膜を例えば蒸着によっ゛Ｃ１戊長し、この＾ｌ股をパタ
ーニングしてへβ配線体２を形成する。そのためには、
へβ膜上にレジスト膜を例えばスピンコード法（回転塗
布法）で形成し、このレジストＭ）４に露光現像等の処
理（パターニング）を行ってレジスト膜３を形成し、こ
のレジスト膜３をマスクにして塩素系の反応ガス（例え
ば四塩化炭素（ｔＪ！す）、三塩化ホウ素（Ｂｃｚ３）
等のガス）を用いるプラズマエツチングでＡｔ股をエツ
チングして前記した幅のＢ配線体２を形成する。
ツチングによって２μｍ程度の幅のへｌ配線体を形成す
ることが行われる。その例を第１図の断面図を参照して
説明すると、例えばウェハ上に成長された燐・シリケー
Ｉ−・ガラス（ＩＩｓＧ ）の絶縁１１央１の上にΔβ
膜を例えば蒸着によっ゛Ｃ１戊長し、この＾ｌ股をパタ
ーニングしてへβ配線体２を形成する。そのためには、
へβ膜上にレジスト膜を例えばスピンコード法（回転塗
布法）で形成し、このレジストＭ）４に露光現像等の処
理（パターニング）を行ってレジスト膜３を形成し、こ
のレジスト膜３をマスクにして塩素系の反応ガス（例え
ば四塩化炭素（ｔＪ！す）、三塩化ホウ素（Ｂｃｚ３）
等のガス）を用いるプラズマエツチングでＡｔ股をエツ
チングして前記した幅のＢ配線体２を形成する。
（３）従来技術と問題点
上記シたＡ７？のトライエツチングの後にウェハを大気
中に取り出すと、エツチングされたへｌ声線体３の側部
やレジスト中に残留した塩素によっ’（ＦＩＪ蝕バツバ
フル生し、それによっζいわゆるｉの虫食い現象が発生
ずる。これば、水酸化塩化アルミニウムが空気中の湿気
にさらされ加水分解し塩酸となって八！を第１図に斜線
をイ」シて示すように腐蝕する。この虫食いによってＡ
β配線体は２μｍの幅に設計したものが約半分程度の輸
（１μｍ）となり高抵抗のものになる。
中に取り出すと、エツチングされたへｌ声線体３の側部
やレジスト中に残留した塩素によっ’（ＦＩＪ蝕バツバ
フル生し、それによっζいわゆるｉの虫食い現象が発生
ずる。これば、水酸化塩化アルミニウムが空気中の湿気
にさらされ加水分解し塩酸となって八！を第１図に斜線
をイ」シて示すように腐蝕する。この虫食いによってＡ
β配線体は２μｍの幅に設計したものが約半分程度の輸
（１μｍ）となり高抵抗のものになる。
上記したＡＮの虫食いの防止策としてエツチング後に真
空中で四弗化炭素（Ｃｈ ）プラズマ、酸素（０２）プ
ラズマ等の後処理を行い、レジストをはとんと取り去っ
て後にウェハを大気中に出すことかなされる。
空中で四弗化炭素（Ｃｈ ）プラズマ、酸素（０２）プ
ラズマ等の後処理を行い、レジストをはとんと取り去っ
て後にウェハを大気中に出すことかなされる。
しかし、ＣＦｌ、ｌを用いる後処理においてはレジスト
だけでなく下地のｌｌ５Ｇ ＩＪがエツチングされる問
題があり、他力 ０２を用いる後処理においてはへｌ配
線体上にＡｎ２０３映が形成され後工程でのレジストの
アッシングにおいてレジストが完全に除去されないこと
がある。またはアルゴン（＾ｒ）でたたく後処理におい
ては、レジストを硬くしそれの除去を難しくする。また
以上いずれの方法においても時間がかかりすぎる問題が
ある。
だけでなく下地のｌｌ５Ｇ ＩＪがエツチングされる問
題があり、他力 ０２を用いる後処理においてはへｌ配
線体上にＡｎ２０３映が形成され後工程でのレジストの
アッシングにおいてレジストが完全に除去されないこと
がある。またはアルゴン（＾ｒ）でたたく後処理におい
ては、レジストを硬くしそれの除去を難しくする。また
以上いずれの方法においても時間がかかりすぎる問題が
ある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に漏の、ウェハ」二に成長した
Ａβ膜のトライエツチングによるｉ配線体の形成におい
Ｃ、ウェハを大気中に取り出した後の八βの局蝕を防止
する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
。
Ａβ膜のトライエツチングによるｉ配線体の形成におい
Ｃ、ウェハを大気中に取り出した後の八βの局蝕を防止
する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれは、塩素系の反応ガスを
用いるトライエツチングによりアルミニウムの配線体か
形成されたウェハを、１００℃以上２００℃未満の温度
に加熱し、しかる後にウェハを水で洗浄することを特徴
とする半導体装ｉイの製造方法を提供することによって
達成され、または前記トライエツチングの終ったウェハ
に、１００°Ｃ以上２００°Ｃ未満の水蒸気を吹き付け
て当該ウェハをｂし浄するごとによっ−ζも達成される
。
用いるトライエツチングによりアルミニウムの配線体か
形成されたウェハを、１００℃以上２００℃未満の温度
に加熱し、しかる後にウェハを水で洗浄することを特徴
とする半導体装ｉイの製造方法を提供することによって
達成され、または前記トライエツチングの終ったウェハ
に、１００°Ｃ以上２００°Ｃ未満の水蒸気を吹き付け
て当該ウェハをｂし浄するごとによっ−ζも達成される
。
（６）発明の実施例
以Ｔ本発明実施例を図面により詳説する。
本願発明者は、前記した塩素系の反応ガスを用いるトラ
イエツチングが終った直後における残留塩素量を螢光Ｘ
線分析によって測定し、その量を１００と設定した。
イエツチングが終った直後における残留塩素量を螢光Ｘ
線分析によって測定し、その量を１００と設定した。
同しドライエツチングの終ったウェハを窒素（Ｎ２ ）
ガスを充填した１００℃の炉内に５分間置い゛（残留塩
素量を測定したところ、その量は前記例“（１００であ
ったものに比べ半分の５０に減少した。
ガスを充填した１００℃の炉内に５分間置い゛（残留塩
素量を測定したところ、その量は前記例“（１００であ
ったものに比べ半分の５０に減少した。
続い−Ｃウェハをスピンナー上に載置し、純水で１力間
ウェハを洗浄したとごろ、残留塩素量は前記の設’ＪＪ
Ｉ （ｌｌ’ｉに幻し２０に減少したことと、前記炉内
の温度が１００°Ｃ；４１１：ｉ’！ｉでは前記の効果
が発生しないこととが６（ＩＩ認された。
ウェハを洗浄したとごろ、残留塩素量は前記の設’ＪＪ
Ｉ （ｌｌ’ｉに幻し２０に減少したことと、前記炉内
の温度が１００°Ｃ；４１１：ｉ’！ｉでは前記の効果
が発生しないこととが６（ＩＩ認された。
そこで、本発明の方法においては上記の実験か得られた
原理を応用し、塩素系の反応ガスを用いるトライエツチ
ングの直後に、ウェハをレジストに変化を与えない程度
の温度に熱し、統い゛Ｃウェハを水で洗浄するものであ
る。ウェハのエツチングにマスクとして使用したレジス
トは通常２００℃程度で軟化するくだれる）から、ウェ
ハは２００°Ｃ未１４ｉ、好ましくは１８０°Ｃ程度に
熱すればよいごとが実証された。
原理を応用し、塩素系の反応ガスを用いるトライエツチ
ングの直後に、ウェハをレジストに変化を与えない程度
の温度に熱し、統い゛Ｃウェハを水で洗浄するものであ
る。ウェハのエツチングにマスクとして使用したレジス
トは通常２００℃程度で軟化するくだれる）から、ウェ
ハは２００°Ｃ未１４ｉ、好ましくは１８０°Ｃ程度に
熱すればよいごとが実証された。
本発明の第１実施例においては、Ｉ・ライエツチングが
終ったウェハを、 Ｎ２カスを充填し、１８０℃に保た
れた炉内に、１分〜５分間入れ′Ｃおき、続いて辿當の
スピンナーを用い１分権度ウェハを純水で洗浄する。
終ったウェハを、 Ｎ２カスを充填し、１８０℃に保た
れた炉内に、１分〜５分間入れ′Ｃおき、続いて辿當の
スピンナーを用い１分権度ウェハを純水で洗浄する。
炉内でのウェハの加熱は、１分ではやや短いので１分を
若干超える時間継続する。水洗に１分を要するとして残
留塩素の除去には２分をやや超える時間で足り、このこ
とは従来技術において必要とされた時間に比べると大幅
な短縮である。しかも、ウェハの残留塩素量を測定した
とごろ、前記の１００の設定値に比べ１５であること、
ずなわら１／６以上も残留塩素量が少ないことが確認さ
れた。
若干超える時間継続する。水洗に１分を要するとして残
留塩素の除去には２分をやや超える時間で足り、このこ
とは従来技術において必要とされた時間に比べると大幅
な短縮である。しかも、ウェハの残留塩素量を測定した
とごろ、前記の１００の設定値に比べ１５であること、
ずなわら１／６以上も残留塩素量が少ないことが確認さ
れた。
本願発明者は第１実施例から、ウェハを前記範囲の温度
に熱した後に純水で洗って残留塩素量を減少しうる効果
があるのであれば、処理の終ったウェハにＯ１ｊ記什囲
の水蒸気を噴射すれば（１００℃以上２００℃未満の温
水は６４られないから）同様の効果か発生ずるのではな
いかと嵩え、かかる考えに従って実験を行ったところ、
第１実施例の場合と同様に好結果を得た。かくして、本
発明の第２実施例においては、１８０℃の炉内にウェハ
を置く代りに、ｉｊｉ＋記したドライエツチングの終了
したウェハ１１を第２図に示すスピンナー１２上に直ち
に載１がする。スピンナー１２は図示しない１００°Ｃ
〜２００°Ｃの加熱容量をもつヒータを内蔵するもので
あっＣ、ウェハを保温する。スピンナーを例えば１１０
００ｒｐで回転し、ノスル１３から１００℃以上２００
℃未ｌ＆ｉの範囲内の温度に加熱された水蒸気をウェハ
１１に向けζ吹き付ける。この高温水非気を１分吹きイ
１けた後にウェハの残留塩素量を測定したところ、１）
１１記した１００の設定値に対し−（１５の値が観測さ
れ、第１実施例同様残留塩素量か大幅に減少しているこ
とか裏イ」けられた。
に熱した後に純水で洗って残留塩素量を減少しうる効果
があるのであれば、処理の終ったウェハにＯ１ｊ記什囲
の水蒸気を噴射すれば（１００℃以上２００℃未満の温
水は６４られないから）同様の効果か発生ずるのではな
いかと嵩え、かかる考えに従って実験を行ったところ、
第１実施例の場合と同様に好結果を得た。かくして、本
発明の第２実施例においては、１８０℃の炉内にウェハ
を置く代りに、ｉｊｉ＋記したドライエツチングの終了
したウェハ１１を第２図に示すスピンナー１２上に直ち
に載１がする。スピンナー１２は図示しない１００°Ｃ
〜２００°Ｃの加熱容量をもつヒータを内蔵するもので
あっＣ、ウェハを保温する。スピンナーを例えば１１０
００ｒｐで回転し、ノスル１３から１００℃以上２００
℃未ｌ＆ｉの範囲内の温度に加熱された水蒸気をウェハ
１１に向けζ吹き付ける。この高温水非気を１分吹きイ
１けた後にウェハの残留塩素量を測定したところ、１）
１１記した１００の設定値に対し−（１５の値が観測さ
れ、第１実施例同様残留塩素量か大幅に減少しているこ
とか裏イ」けられた。
引続き次工程で通當のアノシンク技術でレンストを除去
し、絶縁膜形成等の上程を行う。 へｅ配線体の形成に
おいて第１と第２実施例のいずれを実施するかはウェハ
にそれまでに施行されたウェハプロセス、半導体装置の
種類等に応して定め、またヒータの加ｊ１％温度、水蒸
気の温度等も１１１記したドライエツチングの種類等に
ｊ心して適宜選足する。
し、絶縁膜形成等の上程を行う。 へｅ配線体の形成に
おいて第１と第２実施例のいずれを実施するかはウェハ
にそれまでに施行されたウェハプロセス、半導体装置の
種類等に応して定め、またヒータの加ｊ１％温度、水蒸
気の温度等も１１１記したドライエツチングの種類等に
ｊ心して適宜選足する。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明の力演によれば、従来
技術に比べ、より短い時間で、ウエノ１の残留塩素量を
大幅に減少することが可能となり、微細化が要求される
半導体装置製造の歩留りと製品の信頼性向上にすＪ果大
である。
技術に比べ、より短い時間で、ウエノ１の残留塩素量を
大幅に減少することが可能となり、微細化が要求される
半導体装置製造の歩留りと製品の信頼性向上にすＪ果大
である。
第１図はへβ配線体の虫食いを示す断面図、第２図は本
発明の力演を実施するスピンナーを示す斜視図である。 １−−絶縁ｊ挨、２− へβ配線体、３−レジスト映、
１１− ウェハ、１２− スピンナー、■３− ノスル 第１１ 第２図 二二二二：Ａ 酋 、＋２
発明の力演を実施するスピンナーを示す斜視図である。 １−−絶縁ｊ挨、２− へβ配線体、３−レジスト映、
１１− ウェハ、１２− スピンナー、■３− ノスル 第１１ 第２図 二二二二：Ａ 酋 、＋２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１塩素系の艮応ガスを用いるトライエツチングによ
りアルミニウムの配線体が形成されたウェハを、１００
℃以上２００℃未満の温度に加熱し、しかる後にウェハ
を水で洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法
。 （２）前記トライエツチングの終ったウェハに、１００
“Ｃ以上２００°Ｃ未満の水蒸気を吹き付けて当該ウェ
ハを洗浄することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11320183A JPS605528A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11320183A JPS605528A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605528A true JPS605528A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14606112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11320183A Pending JPS605528A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224233A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 試料処理方法及び装置 |
| JPH08335571A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11320183A patent/JPS605528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224233A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 試料処理方法及び装置 |
| JPH08335571A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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