JPS6055111U - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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Publication number
JPS6055111U
JPS6055111U JP14497783U JP14497783U JPS6055111U JP S6055111 U JPS6055111 U JP S6055111U JP 14497783 U JP14497783 U JP 14497783U JP 14497783 U JP14497783 U JP 14497783U JP S6055111 U JPS6055111 U JP S6055111U
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JP
Japan
Prior art keywords
bias circuit
circuit
bias
gate
bias voltage
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Pending
Application number
JP14497783U
Other languages
English (en)
Inventor
和正 岡村
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Priority to JP14497783U priority Critical patent/JPS6055111U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は、本考案によるバイアス回路を含む高周波増幅回路
の一実施例を示す図である。 １ａ・・・入力端子、１ｂ・・・出力端子、１ｃ・・・
電源端子、２・・・デュアルゲートＭＯ５−ＦＥＴ、３
・・・ツェナーダイオード、４・・・サーミスタ、５ａ
及び５ｂ・・・抵抗、６・・・チョークコイル、７・・
・高周波変成器、８ａ〜８ｃ・・・コンデンサ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１のゲートに入力信号が印加され、第２のゲートにバ
    イアス用電圧が印加されるＭＯＳ−ＦＥＴのバイアス回
    路において、前記第２のケートニバイアス用電圧を印加
    する回路に、抵抗及びサーミスタの並列回路を設けたこ
    とを特徴とするバイアス回路。
JP14497783U 1983-09-21 1983-09-21 バイアス回路 Pending JPS6055111U (ja)

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JP14497783U JPS6055111U (ja) 1983-09-21 1983-09-21 バイアス回路

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JP14497783U JPS6055111U (ja) 1983-09-21 1983-09-21 バイアス回路

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Publication Number Publication Date
JPS6055111U true JPS6055111U (ja) 1985-04-18

Family

ID=30323148

Family Applications (1)

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JP14497783U Pending JPS6055111U (ja) 1983-09-21 1983-09-21 バイアス回路

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JP (1) JPS6055111U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01137701A (ja) * 1987-11-24 1989-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 温度補償装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01137701A (ja) * 1987-11-24 1989-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 温度補償装置

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