JPS6053457B2 - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6053457B2 JPS6053457B2 JP52138979A JP13897977A JPS6053457B2 JP S6053457 B2 JPS6053457 B2 JP S6053457B2 JP 52138979 A JP52138979 A JP 52138979A JP 13897977 A JP13897977 A JP 13897977A JP S6053457 B2 JPS6053457 B2 JP S6053457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- sputtering
- film
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体工業等の分野で広く利用されている
フォトリソグラフ技術における露光用フォトマスクに関
するものである。
フォトリソグラフ技術における露光用フォトマスクに関
するものである。
フォトリソグラフ技術におけるパターンの密着露光方
式に特に有用なものである。
式に特に有用なものである。
従来から露光用フォトマスクとしては、光遮光部とし
てガラス基板上に銀粒子等を含むエマルジョン、あるい
はクロム、酸化クロム、酸化鉄、シリコン等の薄膜を所
望のパターンに被着したものがi般に用いられている。
てガラス基板上に銀粒子等を含むエマルジョン、あるい
はクロム、酸化クロム、酸化鉄、シリコン等の薄膜を所
望のパターンに被着したものがi般に用いられている。
このような露光用フオトマスクを用いて密着露光を行な
つた場合、次の様な問題が生ずる。
つた場合、次の様な問題が生ずる。
所望の基板上にフォトレジスト被膜を形成し露光用フォ
トマスクを密着した際、フォトレジスト膜がフォトマス
クに付着して剥離がおこる、あるいはフォトマスクと被
加工基板が接着したまま分離できないなどの問題である
。これらは直接に製品の歩留りを低下させるものである
。 一般に、接着とは異なる物質問の相互作用の強さに
よつて支配される現象であるから、接着を弱くするため
には、物質問の界面における相互作用を弱めれば良いわ
けである。
トマスクを密着した際、フォトレジスト膜がフォトマス
クに付着して剥離がおこる、あるいはフォトマスクと被
加工基板が接着したまま分離できないなどの問題である
。これらは直接に製品の歩留りを低下させるものである
。 一般に、接着とは異なる物質問の相互作用の強さに
よつて支配される現象であるから、接着を弱くするため
には、物質問の界面における相互作用を弱めれば良いわ
けである。
その相互作用の強さは界面を構成する物質の表面自由エ
ネルギーおよび界面における安定化自由エネルギーによ
つて評価される。 従来、フォトマスクの表面自由エネ
ルギーを低くしてフォトレジストとの接着を弱める試み
がなされている。
ネルギーおよび界面における安定化自由エネルギーによ
つて評価される。 従来、フォトマスクの表面自由エネ
ルギーを低くしてフォトレジストとの接着を弱める試み
がなされている。
代表的なものとして、フォトマスク表面に有機物被膜を
形成する方法とかフォトマスクの表面の水酸基にアルコ
ールのアルコキシ基とかシラン誘導体たとえばヘキサメ
チルジシラザンを結合する方法がある。これらの方法に
より製造したフォトマスクは、いずれもフォトレジスト
との接着によりフォトレジストを破壊することも著しく
少ないことが知られている。このような公知例として、
例えば、特開昭梠−2227@、特開昭49−1054
6鰐、特開昭50−120975号、特開昭51一13
926号等がある。ところが、上記の方法には次に示す
ような欠点がある。
形成する方法とかフォトマスクの表面の水酸基にアルコ
ールのアルコキシ基とかシラン誘導体たとえばヘキサメ
チルジシラザンを結合する方法がある。これらの方法に
より製造したフォトマスクは、いずれもフォトレジスト
との接着によりフォトレジストを破壊することも著しく
少ないことが知られている。このような公知例として、
例えば、特開昭梠−2227@、特開昭49−1054
6鰐、特開昭50−120975号、特開昭51一13
926号等がある。ところが、上記の方法には次に示す
ような欠点がある。
1 フォトマスク表面に有機物被膜を形成する方法では
、フォトマスクのマスクパターンを形成しているクロム
等と有機物被膜との接着が弱いために、くり返しマスク
合せを行なううちに有機物被膜がフォトマスクから剥離
し、大量生産を行なうには不適当である。2 フォトマ
スク表面の水酸基と反応性を有する有機物を結合させる
方法では、フォトマスクのガラス上に存在する水酸基と
、クロム、その他遮光部を形成する物質上に存在する水
酸基の反応性が異なるため全表面に均一に付着基を結合
することが困難である。
、フォトマスクのマスクパターンを形成しているクロム
等と有機物被膜との接着が弱いために、くり返しマスク
合せを行なううちに有機物被膜がフォトマスクから剥離
し、大量生産を行なうには不適当である。2 フォトマ
スク表面の水酸基と反応性を有する有機物を結合させる
方法では、フォトマスクのガラス上に存在する水酸基と
、クロム、その他遮光部を形成する物質上に存在する水
酸基の反応性が異なるため全表面に均一に付着基を結合
することが困難である。
しかもガラス以外の物質上に存在する水酸基は一般に反
応性が乏しく表面の低エネルギー化も充分には行なえな
い。本発明は、上記従来技術の欠点を補い、フォトレジ
ストと接着し難いフォトマスクを製造する新規な技術を
提供するものである。フォトレジストと接着し難いフォ
トマスクとしては次の要件を満すことが望ましい。
応性が乏しく表面の低エネルギー化も充分には行なえな
い。本発明は、上記従来技術の欠点を補い、フォトレジ
ストと接着し難いフォトマスクを製造する新規な技術を
提供するものである。フォトレジストと接着し難いフォ
トマスクとしては次の要件を満すことが望ましい。
すなわち、1 フォトレジストと接触する面全体にわた
つて均一な表面自由エネルギーを持つこと。2表面自由
エネルギーが可能な限り低く、しか;もフォトレジスト
と接触した際に新たな相互作用が誘起されないこと。
つて均一な表面自由エネルギーを持つこと。2表面自由
エネルギーが可能な限り低く、しか;もフォトレジスト
と接触した際に新たな相互作用が誘起されないこと。
3その効果が十分持続できること。
4露光用マスクとしての特性の低下がないこと。
このような目的を達成するため、本発明は次の如き工程
を取る。
を取る。
フォトマスクのマスク●パターンが形成されている面に
透明な誘電体膜をスパッター法で堆積する。第1図はフ
ォトマスクの断面図を示す。1はフォトマスク基板、2
は光遮光部tを形成している薄膜、3はスパッター法に
よつて形成した透明誘電体膜である。
透明な誘電体膜をスパッター法で堆積する。第1図はフ
ォトマスクの断面図を示す。1はフォトマスク基板、2
は光遮光部tを形成している薄膜、3はスパッター法に
よつて形成した透明誘電体膜である。
次いでこの誘電体膜の表面の表面自由エネルギーが、被
加工基板の表面自由エネルギーより低くなるような表面
処理を施こす。さらに具体的には、所定のホトマスク基
板のマスク・パターンが形成されている面上に、酸化物
よりなる透明誘電体膜をスパッター法に依り形成するホ
トマスクの製造方法において、形成される前記透明誘電
体膜の膜厚は10ないし30nWi,とし、その後前記
透明誘電体膜面の表面自由エネルギーを加工基板のホト
レジストに接する表面自由エネルギーより低くする表面
処理をなすことを特徴と”する。
加工基板の表面自由エネルギーより低くなるような表面
処理を施こす。さらに具体的には、所定のホトマスク基
板のマスク・パターンが形成されている面上に、酸化物
よりなる透明誘電体膜をスパッター法に依り形成するホ
トマスクの製造方法において、形成される前記透明誘電
体膜の膜厚は10ないし30nWi,とし、その後前記
透明誘電体膜面の表面自由エネルギーを加工基板のホト
レジストに接する表面自由エネルギーより低くする表面
処理をなすことを特徴と”する。
透明な誘電体膜を形成するためのスパッター用ターゲッ
トとしては、溶融石英、コーニング社の番号0080:
ソーダライム、同社7740:パイレツクス、同社70
59、7913:バイコール、リンガラス、あるいはア
ルミナ等を用いるのが良い。
トとしては、溶融石英、コーニング社の番号0080:
ソーダライム、同社7740:パイレツクス、同社70
59、7913:バイコール、リンガラス、あるいはア
ルミナ等を用いるのが良い。
誘電体膜が可視光あるいは紫外線に対し透明で、且フォ
トマスクとの接着が強いこと、および誘電体膜表面に施
こす表面処理を有効ならしめるための有用さの点からシ
リコン酸化物が特に有用である。スパッターの方法は周
知の方法に従がえば良いが、その雰囲気中に少量の酸素
(02)を含有させておくことが肝要である。スパッタ
ーの雰囲気ガスは希ガスが良くたとえばアルゴン(Ar
)、クリプトン(Kr)等を多用し5×10−1Pa〜
5×10)Pa程度導入する。この場合、02ガスはA
rガスに対し0.1〜10%が適切な割合である。酸素
ガスを添加する理由は誘電体ターゲット材料が膜に堆積
する場合、酸素の欠落を防ぐためである。透明誘電体膜
の膜厚は10〜30nTr1,とするのが好ましい。
トマスクとの接着が強いこと、および誘電体膜表面に施
こす表面処理を有効ならしめるための有用さの点からシ
リコン酸化物が特に有用である。スパッターの方法は周
知の方法に従がえば良いが、その雰囲気中に少量の酸素
(02)を含有させておくことが肝要である。スパッタ
ーの雰囲気ガスは希ガスが良くたとえばアルゴン(Ar
)、クリプトン(Kr)等を多用し5×10−1Pa〜
5×10)Pa程度導入する。この場合、02ガスはA
rガスに対し0.1〜10%が適切な割合である。酸素
ガスを添加する理由は誘電体ターゲット材料が膜に堆積
する場合、酸素の欠落を防ぐためである。透明誘電体膜
の膜厚は10〜30nTr1,とするのが好ましい。
この理由は、膜厚を厚くすると、透明誘電体膜の表面が
、あれ乱反射を生じたり、膜厚によつては、干渉効果を
生じるためである。誘電体膜の表面の表面自由エネルギ
ーが、被加工基板の表面自由エネルギーより低くせしめ
る表面処理の方法としては次の様な方法がある。
、あれ乱反射を生じたり、膜厚によつては、干渉効果を
生じるためである。誘電体膜の表面の表面自由エネルギ
ーが、被加工基板の表面自由エネルギーより低くせしめ
る表面処理の方法としては次の様な方法がある。
(1)試料基板をシラン誘導体の蒸気にさらす方法であ
る。シラン誘導体としては、ヘキサメチルジシラザン(
(CH3)3SiNHSi(CH3)3、)トリメチル
クロロシラン((CH3)3SiCり、ジメチルジクロ
ロシラン((C凡)2SiC12)、メチルトリクロロ
シラン((CH3)SiCl3)、など、R,SiNH
SiR,およびRnSiCl4−。ここでRはアルキル
基CnH2n+1を示す。なる一般式で示される化合物
がある。雰囲気温度は20〜200℃、また処理時間は
3〜3紛程度が適切である。(2)所定の有機物の蒸気
、あるいはガスを含むプラズマ雰囲気に試料基板をさら
す方法。
る。シラン誘導体としては、ヘキサメチルジシラザン(
(CH3)3SiNHSi(CH3)3、)トリメチル
クロロシラン((CH3)3SiCり、ジメチルジクロ
ロシラン((C凡)2SiC12)、メチルトリクロロ
シラン((CH3)SiCl3)、など、R,SiNH
SiR,およびRnSiCl4−。ここでRはアルキル
基CnH2n+1を示す。なる一般式で示される化合物
がある。雰囲気温度は20〜200℃、また処理時間は
3〜3紛程度が適切である。(2)所定の有機物の蒸気
、あるいはガスを含むプラズマ雰囲気に試料基板をさら
す方法。
具体例としては1級、2級、3級アルコール、フッ化ア
ルコール、フレオン等を用いると著しい効果を示す。(
3)アルコールによる還流処理を施こす方法。
ルコール、フレオン等を用いると著しい効果を示す。(
3)アルコールによる還流処理を施こす方法。
本発明の目的に特に著しい効果を持つアルコールとして
は、炭素数4以上の1級アルコール、炭素数3以上の2
級アルコール、あるいは1・1●1●3●3●3−ヘキ
サフルオロー2−プロパノールなどの側鎖にフッ素原子
を含むアルコール等があげられる。(4)更に試料基板
に透明誘電体膜をスパッター法で形成し、次いでフッ素
を含む有機化合物で処理を行なつても目的を達成し得る
。
は、炭素数4以上の1級アルコール、炭素数3以上の2
級アルコール、あるいは1・1●1●3●3●3−ヘキ
サフルオロー2−プロパノールなどの側鎖にフッ素原子
を含むアルコール等があげられる。(4)更に試料基板
に透明誘電体膜をスパッター法で形成し、次いでフッ素
を含む有機化合物で処理を行なつても目的を達成し得る
。
フッ素を含む有機化合物としては、たとえば住友諦社製
の製品番号FC72l、FC7O6等のコーティング剤
、製品番号FCl34.FCl7濤の界面活性剤がある
。本発明の製造方法は次の如き特徴を有し、要求される
特性を満足する露光用フォトマスクを製造することがで
きる。
の製品番号FC72l、FC7O6等のコーティング剤
、製品番号FCl34.FCl7濤の界面活性剤がある
。本発明の製造方法は次の如き特徴を有し、要求される
特性を満足する露光用フォトマスクを製造することがで
きる。
(1)透明誘電体膜はスパッター法によつて形成する。
したがつてホトマスクは、膜形成中高々15C)C程度
にしか加熱されないので、一般にホトマスク基板として
使用されているソーダライムガラス等の低溶点ガラスに
も適用可能である。(2)前記透明誘電体膜の膜厚を1
0nTT1,〜30nmとすることにより、特に露光用
の光の吸収、干渉が実用上問題とならない。
にしか加熱されないので、一般にホトマスク基板として
使用されているソーダライムガラス等の低溶点ガラスに
も適用可能である。(2)前記透明誘電体膜の膜厚を1
0nTT1,〜30nmとすることにより、特に露光用
の光の吸収、干渉が実用上問題とならない。
このため後の表面処理を行なつてもマスクとしての特性
を低下させない。(3)製造工程に使用する材料、雰囲
気ガス等も人体への危険、毒性をおよぼすものはなく、
十分安全である。
を低下させない。(3)製造工程に使用する材料、雰囲
気ガス等も人体への危険、毒性をおよぼすものはなく、
十分安全である。
実施例1ガラス基板上に光遮断部としてクロム薄膜を設
けた通常のクロムマスクを用意する。
けた通常のクロムマスクを用意する。
これを有機溶媒および水で洗浄した。この基板をRF(
Ra−DiOFrequency)スパッター装置の基
板ホールダに装着する。基板ホールダは通常行なわれて
いる如く、基板の温度上昇を防ぐため、冷却水を通し冷
却する。スパッターに用いる誘電体ターゲットは溶融石
英を用いた。このターゲット裏面を水冷した金属電極が
接着されており、この電極を通して高周波を供給するこ
とができる。基板を装着した後、真空排気系(拡散ポン
プとロータリポンプの補助排気又はターボモレキユラと
ロータリポンプなどで排気系を構成する)で5×10−
10rr′以下に排気する。次にスパッタガスをリーク
バルブを通してスパッタ室に導入し、真空度を6×10
−1Pa〜3×10)Pa範囲の一点たとえば9×10
−1Paに固定する。スパッタの雰囲気ガスの成分はア
ルゴン(Ar)と酸素(02)の混合ガスとした。この
時のArに対する02ガスは圧力で0.1〜10%の割
合とする。本例では1%とした。高周波電源から高周波
パワーを金属電極を通して供給する。この時の高周波パ
ワー密度は1〜3W1c1iとする。この状態で予備ス
パッター(Pre−SpuLter)を行う。この場合
、マスク基板上にはシャッタをかけるか又は、直接透明
誘電体膜が堆積されない位置に基板をターゲット直下か
ら離しておく、予備スパッター終了後、シャッタを開く
か又は、基板をターゲット直下位置にセットし、膜厚に
して20r1m堆積する。スパッタ堆積時のターゲット
と基板ホールダの間隔は40m〜6iが適当である。堆
積したSiO2膜面をシラン誘導体であるHMDS(ヘ
キサメチルジシラザン((CHG)3SiNHSi(C
H3)3))蒸気に150′Cで10分間さらした。
Ra−DiOFrequency)スパッター装置の基
板ホールダに装着する。基板ホールダは通常行なわれて
いる如く、基板の温度上昇を防ぐため、冷却水を通し冷
却する。スパッターに用いる誘電体ターゲットは溶融石
英を用いた。このターゲット裏面を水冷した金属電極が
接着されており、この電極を通して高周波を供給するこ
とができる。基板を装着した後、真空排気系(拡散ポン
プとロータリポンプの補助排気又はターボモレキユラと
ロータリポンプなどで排気系を構成する)で5×10−
10rr′以下に排気する。次にスパッタガスをリーク
バルブを通してスパッタ室に導入し、真空度を6×10
−1Pa〜3×10)Pa範囲の一点たとえば9×10
−1Paに固定する。スパッタの雰囲気ガスの成分はア
ルゴン(Ar)と酸素(02)の混合ガスとした。この
時のArに対する02ガスは圧力で0.1〜10%の割
合とする。本例では1%とした。高周波電源から高周波
パワーを金属電極を通して供給する。この時の高周波パ
ワー密度は1〜3W1c1iとする。この状態で予備ス
パッター(Pre−SpuLter)を行う。この場合
、マスク基板上にはシャッタをかけるか又は、直接透明
誘電体膜が堆積されない位置に基板をターゲット直下か
ら離しておく、予備スパッター終了後、シャッタを開く
か又は、基板をターゲット直下位置にセットし、膜厚に
して20r1m堆積する。スパッタ堆積時のターゲット
と基板ホールダの間隔は40m〜6iが適当である。堆
積したSiO2膜面をシラン誘導体であるHMDS(ヘ
キサメチルジシラザン((CHG)3SiNHSi(C
H3)3))蒸気に150′Cで10分間さらした。
この処理により前記SiO2膜表面にlは、トリメチル
シリル基((CH3)3Si−)が化学結合する。この
ためホトマスクの表面エネルギが24mJIdになつた
。ホトレジストと被加工基板との接着強度は通常707
nJIdである。前述のマスクの表面自由エネルギ24
TrI.JIイはホトレジストと被7加工基板との接着
強度70mJIイより十分小さいため、フォトマスクと
フォトレジストとの付着強度が減少するものと考えられ
る。上記の方法で製造したフォトマスクを使用してマス
ク合せ現象を行つた結果、3inchウェハの全フ面に
わたつてフォトマスクとフォトレジストの接着によるフ
ォトレジストの欠損は見出せなかつた。
シリル基((CH3)3Si−)が化学結合する。この
ためホトマスクの表面エネルギが24mJIdになつた
。ホトレジストと被加工基板との接着強度は通常707
nJIdである。前述のマスクの表面自由エネルギ24
TrI.JIイはホトレジストと被7加工基板との接着
強度70mJIイより十分小さいため、フォトマスクと
フォトレジストとの付着強度が減少するものと考えられ
る。上記の方法で製造したフォトマスクを使用してマス
ク合せ現象を行つた結果、3inchウェハの全フ面に
わたつてフォトマスクとフォトレジストの接着によるフ
ォトレジストの欠損は見出せなかつた。
また連続10徹ウェハをマスク合せ現象してもその効果
は保持できた。これまで溶融石英をターゲットに用いた
例を説明したが、コーニング社の番号、0080:ソー
ダライム、7740:パイレツクス、7059:半導体
用基板ガラス、7913:バイコール、リンガラスおよ
びアルミナ等をターゲットに用いて堆積したスパッタ膜
等も同様に有効であつた。
は保持できた。これまで溶融石英をターゲットに用いた
例を説明したが、コーニング社の番号、0080:ソー
ダライム、7740:パイレツクス、7059:半導体
用基板ガラス、7913:バイコール、リンガラスおよ
びアルミナ等をターゲットに用いて堆積したスパッタ膜
等も同様に有効であつた。
この場合、上記0080ガラス、7740ガラス、70
59ガラス等のガラスをターゲットに用いた場合には、
スパッタガスの02の分圧を溶融石英の場合より増加さ
せた方が有効である。たとえば0.1%〜10%がより
好ましい範囲である。本発明はホトレジスト材料として
は、実施例に示したMl35OJ以外のホトレジスト材
料にも、全く同様に適用できる。
59ガラス等のガラスをターゲットに用いた場合には、
スパッタガスの02の分圧を溶融石英の場合より増加さ
せた方が有効である。たとえば0.1%〜10%がより
好ましい範囲である。本発明はホトレジスト材料として
は、実施例に示したMl35OJ以外のホトレジスト材
料にも、全く同様に適用できる。
すなわち、ネガタイプホトレジストとしては、KTFR
..KODAK747(以上コダツク社製)、HUNT
−HR2OO(八ント社製)、0MR(東京応化製)、
ポジタイプホトレジストとしては、上記AZl35OJ
の他、1350、1350H1303、111などAZ
系列(シツプレイ社製)、WAYCOAT295.39
5(ハント社製)、0FPR(東京応化製)、G,AF
′102、105(GAF社製)、KODAK8O9(
コダツク社製)に対して同様の効果が認められた。実施
例2 ガラス基板上に光遮断部として酸化クロム薄膜を設けた
フォトマスクを用意する。
..KODAK747(以上コダツク社製)、HUNT
−HR2OO(八ント社製)、0MR(東京応化製)、
ポジタイプホトレジストとしては、上記AZl35OJ
の他、1350、1350H1303、111などAZ
系列(シツプレイ社製)、WAYCOAT295.39
5(ハント社製)、0FPR(東京応化製)、G,AF
′102、105(GAF社製)、KODAK8O9(
コダツク社製)に対して同様の効果が認められた。実施
例2 ガラス基板上に光遮断部として酸化クロム薄膜を設けた
フォトマスクを用意する。
これを実施例1で説明した如くRFスパッター装置の基
板ホールダに装着する。誘電体ターゲットはソーダライ
ム・ガラス(コーニング社の番号:0080)を用いた
。スパッタ室内の真空度を7刈0−1Pa程度となす様
にアルゴンと酸素の混合ガスを導入する。酸一素は5%
とした。この様にして上記フォトマスク上に、膜厚15
11TrLのソーダライム●ガラス膜をスパッタ法によ
つて形成する。次いで高周波プラズマ装置の反応容器内
に上述の如く透明誘電体膜を形成したホトマスクを設置
;し、反応容器を2×10−3T0rrに減圧したのち
、2●2●2−トリフルオロエタノール蒸気を0.5r
0rr導入した。
板ホールダに装着する。誘電体ターゲットはソーダライ
ム・ガラス(コーニング社の番号:0080)を用いた
。スパッタ室内の真空度を7刈0−1Pa程度となす様
にアルゴンと酸素の混合ガスを導入する。酸一素は5%
とした。この様にして上記フォトマスク上に、膜厚15
11TrLのソーダライム●ガラス膜をスパッタ法によ
つて形成する。次いで高周波プラズマ装置の反応容器内
に上述の如く透明誘電体膜を形成したホトマスクを設置
;し、反応容器を2×10−3T0rrに減圧したのち
、2●2●2−トリフルオロエタノール蒸気を0.5r
0rr導入した。
次いで、高周波電極に25Wの入力を印加し、反応容器
内に2・2・2−トリフルオロエタノールを含むプラズ
マを形成した。こtの状態で、1紛間保持することによ
り、ホトマスク表面は、表面自由エネルギ9.6erg
1ciとなつた。本例は表面処理として2・2・2−ト
リフルオロエタノールを用いた場合である。
内に2・2・2−トリフルオロエタノールを含むプラズ
マを形成した。こtの状態で、1紛間保持することによ
り、ホトマスク表面は、表面自由エネルギ9.6erg
1ciとなつた。本例は表面処理として2・2・2−ト
リフルオロエタノールを用いた場合である。
その他、例を掲げればシラン化合物であるトリメチルク
ロロシラン、1級アルコールであるブタノール、2級ア
ルコールであるイソプロパノール、3級アルコールであ
るTertブタノール、フレオンであるオクタフルオロ
プAIぐン等の有機物の蒸気を用いても同等の効果を得
ることができた。実施例3 ガラス基板上に光遮光部としてクロム薄膜を設jけたフ
ォトマスクを用意する。
ロロシラン、1級アルコールであるブタノール、2級ア
ルコールであるイソプロパノール、3級アルコールであ
るTertブタノール、フレオンであるオクタフルオロ
プAIぐン等の有機物の蒸気を用いても同等の効果を得
ることができた。実施例3 ガラス基板上に光遮光部としてクロム薄膜を設jけたフ
ォトマスクを用意する。
誘電体ターゲットとして溶融石英を用い、実施例と同様
の方法で膜厚20r1TrLの透明誘電体膜を形成する
。ホトマスク表面の低エネルギ化の方法として、アルコ
ールによる還流処理による表面処理を用い・た。通常の
還流装置内にホトマスクを設置し、このホトマスクを十
分に液中に浸漬させることができる量のn−オクタノー
ルとn−テトラデカンの混合液を加えた。
の方法で膜厚20r1TrLの透明誘電体膜を形成する
。ホトマスク表面の低エネルギ化の方法として、アルコ
ールによる還流処理による表面処理を用い・た。通常の
還流装置内にホトマスクを設置し、このホトマスクを十
分に液中に浸漬させることができる量のn−オクタノー
ルとn−テトラデカンの混合液を加えた。
次いで、混合液を徐々に加熱し、一23rcで還流させ
た。この状態で、1紛間保つことにより、ホトマスク表
面に、n−オクトキシ基(n−C8Hl,O−)が化学
結合し、ホトマスクの表面自由エネルギは、15erg
′dとなつた。全く同様な方法によつて、他のアルコー
ルによる表面処理を行うことができるが、本発明の目的
に特に著しい効果を持つアルコールとして次の如きもの
があげられる。炭素数4以上の1級アルコールとしてた
とえば、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、デ
カノール、テトラデカノール、炭素数3以上の2級アル
コールとしてはたとえば、イソプロパノール、Sec−
ブタノール、へキガノールー3、オクタノ−ルー3、デ
カノールー3、3級アルコールとしてはたとえば、Te
rtブタノール、2メチルヘキサノール2、3−メチル
デカノールー3などが例としてあげられる。実施例4実
施例1に示したと同様な効果を得るための他のフォトマ
スクの表面処理の方法として、フッ素原子を含む有機化
合物を使用する方法がある。
た。この状態で、1紛間保つことにより、ホトマスク表
面に、n−オクトキシ基(n−C8Hl,O−)が化学
結合し、ホトマスクの表面自由エネルギは、15erg
′dとなつた。全く同様な方法によつて、他のアルコー
ルによる表面処理を行うことができるが、本発明の目的
に特に著しい効果を持つアルコールとして次の如きもの
があげられる。炭素数4以上の1級アルコールとしてた
とえば、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、デ
カノール、テトラデカノール、炭素数3以上の2級アル
コールとしてはたとえば、イソプロパノール、Sec−
ブタノール、へキガノールー3、オクタノ−ルー3、デ
カノールー3、3級アルコールとしてはたとえば、Te
rtブタノール、2メチルヘキサノール2、3−メチル
デカノールー3などが例としてあげられる。実施例4実
施例1に示したと同様な効果を得るための他のフォトマ
スクの表面処理の方法として、フッ素原子を含む有機化
合物を使用する方法がある。
たとえば住友諦社製のFC72l、FC7O6などのコ
ーティング剤、FCl詠FCl76などの界面活性剤溶
液を使用する方法がある。これらの材料はすべてフッ素
原子を含む有機化合物である。ここではFC72lを使
用した場合を例にして説明する。
ーティング剤、FCl詠FCl76などの界面活性剤溶
液を使用する方法がある。これらの材料はすべてフッ素
原子を含む有機化合物である。ここではFC72lを使
用した場合を例にして説明する。
実施例1と同様クロムマスクを有機洗浄した後、SiO
2膜を20nWL1スパッタ法によつて形成する。次い
でFC72lをフレオンπで希釈した溶液に、室温で1
分間浸漬した。次に赤外加熱装置を用いて100℃、1
紛間ベーキングした。この処理によりマスク表面の表面
自由エネルギは、9.5erg1c11になつた。ホト
マスク表面の低エネルギ化の方法として、上記1〜4の
実施例で示した方法を組合せることも有効である。
2膜を20nWL1スパッタ法によつて形成する。次い
でFC72lをフレオンπで希釈した溶液に、室温で1
分間浸漬した。次に赤外加熱装置を用いて100℃、1
紛間ベーキングした。この処理によりマスク表面の表面
自由エネルギは、9.5erg1c11になつた。ホト
マスク表面の低エネルギ化の方法として、上記1〜4の
実施例で示した方法を組合せることも有効である。
たとえば、実施例1に示した方法によりホトマスク表面
を処理した後、コーティング剤による被膜を形成する方
法がある。この場合、ホトマスク表面の自由エネルギは
、最終工程の表面処理によつて決定される。本発明の目
的のために特に有効な表面処理の組合せを第1表に列挙
する。
を処理した後、コーティング剤による被膜を形成する方
法がある。この場合、ホトマスク表面の自由エネルギは
、最終工程の表面処理によつて決定される。本発明の目
的のために特に有効な表面処理の組合せを第1表に列挙
する。
以上説明したように、本発明によれば、ホトマスクの表
面自由エネルギを9.5〜15ergIcI1まで低下
させることができる。
面自由エネルギを9.5〜15ergIcI1まで低下
させることができる。
通常半導体素子を製造するために使用される材料(ホト
エッチング加工の際の加工基板)は、単結晶Sil多結
晶Si..SiO2、PSG(リンガラス)、Si3N
,、に、A1−Si合金、MOなどでこれらの材料はす
べて表面自由エネルギの大なるものである。したがつて
実施例で示した如く表面処理によりホトマスク表面を低
エネルギ化(好ましくは3(ト)Rglcrl以下程度
)しておけば、ホトマスクとホトレジストの粘着は完全
に防止できる。
エッチング加工の際の加工基板)は、単結晶Sil多結
晶Si..SiO2、PSG(リンガラス)、Si3N
,、に、A1−Si合金、MOなどでこれらの材料はす
べて表面自由エネルギの大なるものである。したがつて
実施例で示した如く表面処理によりホトマスク表面を低
エネルギ化(好ましくは3(ト)Rglcrl以下程度
)しておけば、ホトマスクとホトレジストの粘着は完全
に防止できる。
第1図は本発明のフォトマスクの断面図である。
1・・・・・フォトマスク基板、2・・・・・・光遮光
部を形成する薄膜、3・・・・・・透明誘電体膜。
部を形成する薄膜、3・・・・・・透明誘電体膜。
Claims (1)
- 1 所定のホトマスク基板のマスク・パターンが形成さ
れている面上に、酸化物よりなる透明誘電体膜をスパッ
ター法に依り形成するホトマスクの製造方法において、
スパッターの雰囲気中に酸素を含有させ、形成させる前
記透明誘電体膜の膜厚は10ないし30nmとし、その
後前記透明誘電体膜面の表面自由エネルギーを加工基板
のホトレジストに接する表面自由エネルギーより低くす
る表面処理をなすことを特徴とするホスマスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52138979A JPS6053457B2 (ja) | 1977-11-21 | 1977-11-21 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52138979A JPS6053457B2 (ja) | 1977-11-21 | 1977-11-21 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5471987A JPS5471987A (en) | 1979-06-08 |
JPS6053457B2 true JPS6053457B2 (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=15234633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52138979A Expired JPS6053457B2 (ja) | 1977-11-21 | 1977-11-21 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053457B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63113940U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-22 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652421B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1994-07-06 | シャープ株式会社 | フォトマスク |
EP0971270B1 (en) * | 1998-07-08 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corporation | Process for the removal of resist material |
WO2017131499A1 (ko) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 주식회사 엘지화학 | 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴 |
WO2017131497A1 (ko) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 주식회사 엘지화학 | 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102138960B1 (ko) | 2016-01-27 | 2020-07-28 | 주식회사 엘지화학 | 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴 |
-
1977
- 1977-11-21 JP JP52138979A patent/JPS6053457B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63113940U (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-22 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5471987A (en) | 1979-06-08 |
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