JPS6053042A

JPS6053042A - ウェハマップの作成方法

Info

Publication number: JPS6053042A
Application number: JP58161465A
Authority: JP
Inventors: Shizuo Tsukishiro; 築城　静雄
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-09-02
Filing date: 1983-09-02
Publication date: 1985-03-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明はウェハマツプの作成方法に関するものである。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、以下に示す目的のためにウェハマツプを作成して
いる。

０）ウェハ上の不要なチア１部のテストヲ省略する。

■ウェハの限界チップの削除操作。

（■ウェハ内の各チップのテスト結果による良品、不良
品全インクツエツト又はスクラッチで印す代りにマツプ
上に記憶する。

ところで、上述した目的で使用さヵ、るウェハマツプは
従来、次のような方法が採用されていた。すなわち、第
１図に示す如くウェハ１のチップ２・・・のポンディン
グパッド３・・・にニラドル４・・・を接触させてチッ
プ２・・・の電気的な性能をテストすると共に、センサ
ニードル５を用いてウェハマツプを作成するものである
。この場合はセンサニードル５は第２図（５）、（Ｂ）
に示す如くり゛ランドに接続さｆ″Ｌｐ−主二一ドル６
と電源に接続された補助ニードル７と、該補助ニードル
７と電源との間に設けられた出力端子（図示せず）とか
ら構成されている。第２図（５）に示す如く主ニードル
６の先端箇所にウェハ」のチップがない場合には、主ニ
ードル６と補助ニードル７とが互に接触し、出力端子か
らグランドレベルの信号が出力され、チップがないこと
を検出する。

一方、第２図（Ｂ）に示す如く主ニードル６の先端箇所
がウェー・１のチップに当接すると、主ニードル６が上
方に押し上げられ補助ニードル７との接触が断たれ、出
力端子からプルアンプレベルの信号が出力され、チップ
が存在することを検出する。こうしたセンサニードル５
を用いることによって、第３図の斜線で示すチップ２・
・・の領域が検出される。また、この検出から第４図に
示すウェハマツプ８が作成される。しかしながら、開鎖
３図に示す如〈従来のセンサニードルによる方式では、
ウェハ周辺に未検出チップが発生し、これより作成され
たウェハマツプ８は同第４図の如く実ウェハ上のチップ
状態とけ大幅に異なっておシ、後工程（グイボンディン
ダ又はグイマウント）での情報として活用できない。こ
れを防止するためにはウェー・の４隅に１つづつセンサ
ニードルを設ければよいが、センサニードルが増加する
ばかシか、接触不安定要因が増えることになる。

このようなことから、チップの有無の検出をセンサニー
ドルの代りに自動機を用いて行ないウェハマツプが作成
する方法が知られている。

即ち、第５図に示す如く自動機によりウェハ１の中心ａ
を決め、ｂ〜ｅで結ばれる四角の範囲となるように測定
エリア９を設定する。ここで測定エリア９はウェハ去周
辺の欠はチップ２／　・’−。

會カバーする７Ｃめに実ウェハＪより太き目に設定され
る。次いで、こうした測定エリア９に基ツブ１０′（ｉ
ｌ−用いてテス）ｋ行なうと、マツプ領域１１！・・・
にはチップが無いにもかかわらず測定がなされ、かつマ
ツプ領域１ノ□・・・は欠はチップであるにもかかわら
ず同様に測定がなされるため、測定効率上、無駄が生じ
る。しかも、こうｊ−で作成されたウェノ・マツプ１０
は実つェ・・上の状態と異なシ、同じく後工程（アセン
ブリング工程）にてそれを情報として活用することがで
きない。

更に、ウェノ・においては第７図及び同第７図を拡大し
た第８図に示す如く欠はチソｆ　２’・・・に隣接して
限界チップ？・・−が生じる。この限界チップ！・・・
とけ電気的に良品であるが、チップの一部がウェノ・１
外周にかかり欠けている等の不具合があるものをいう。

こうした限界チップはダインート工程において電気的な
良、不良の判別し刀ユできないため、良品のチップとし
て扱われた場合でも最終製品では不良となる。しかるに
、前述した第４図、第６図図示のウニノーマツ！８，１
θはいずれも実つェノ・のチップ状態と太［１〕に異な
るため、これらマツプ８．ｌＯからはいずれも限界チッ
プの判別は不可能であり、１’Ｐｃ界チツプに対して不
要なアセンブリング、樹脂封止切の多数の処理を施すこ
とになる。

〔発明の目的〕

本発明は実つェ・・上のチップ状態と同一で、テスト時
の１１゛１報及びグイゲンディング、グイマウント等の
アセンブリング工程の１１１ｊ報として有効に活用でさ
るウニ・・マツプの作成方法全提供しようとするもので
ある。

〔発明の概要〕

不発り」ばＸ、Ｙ方向に動作する移動手段に、二次元的
にグイソングライン全形成したウェハを該ウェハのダイ
シングラインと該移動手段の移動方向とが合致する工う
に固′ＪＪｔする工程ど、Ｉ）ｉｌ記移動手段をＸ方向
及びＹ方向に移動させ、その移動手段上方に位置する第
１のセンサをウェハ上を相対的に走査し、該センサと接
続したル１ｊ御手段によりウェハの中心点を測定する工
程と、前記移動手段を別の領域に拶すと共に、前記制御
手段によシ該領域に位置する第２のセンサの中心とウェ
ハの中心点と全一致させる工程と、前記移動手段’ｌｘ
方向及びＹ方向に移動させ、前記第２のセンサをウニ・
・上音相対的に走査し、ウェハの中心点から最初のＸ方
向及びＹ方向に延びるダイシングラインまでの距離を検
出し、該センサと接続する前記制御手段により前記距離
を測定する工程と、測定した中心点からダイシングライ
ン間での距離及び前記制御手段に記憶されたＸ方向のダ
イシングライン間の寸法、Ｙ方向のダイシングライン間
の寸法により、作成すべきウェハ歳嚢偏状のオリエンテ
ーションフラットヲ有する円にＸ方向に延びるグイシン
ブライン及びＹ方向に延びるダイシングラインを描く工
程とを具備したことを特徴とするウェハマツプの作成方
法である。こうした方法によシ実つェ・・上のチップ状
態と同一のウェハマツプを作成できるため、このマツプ
によりチップのテストを行なう際、チップの検出漏れや
不要な欠はチップの検出を省略でき効率よくテストでき
、更にこのテストによる良、不良の信号をウェハマツプ
に付与（記憶）させれば、アセンブリング工程での情報
として有効【て活用できる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

第９図は本発明方法に用いられるウェハマッシ作成装置
の概略図である。図中の２１−パルスモータ２２により
ＸＹ方向にμｍ単位でピットＴγ理されて移動するステ
ージである。また、図中の２３（ｒ↓ウェハ中心（芙出
ワークゾーン２４のステージ２〕上方に配設された容量
センサでちる。この１．’、：　：ｉ、計センザ２３は
、ステージ２１のイ多動に、Ｋり相対的に走査したウェ
ハ領」戊の長さを検出するものである。なお、この１千
量センサの代りに近接−にンサを用いてもよい。更に、
図中の２５ｄダイシングライン検出ワークゾーン２６の
ステージ２１上方に配設された第２のセンサとしてのレ
ーザ佃ｊ長器である。このレーザ測長器２５はステージ
２ノ上のウニ・・中心点から最初ダイシングラインまで
の長さ全検出するものである。なお、レーザ測長器の代
りにＩＴＶを用いてもよい。

前記容量センサ２ｓｌｒｌ−コントローラ２７に接続さ
れており、かつ該コントローラ２７はＣＩ）Ｕ２８に接
続されている。前記コントローラ２７は前記容量センサ
２３からの検出信号によりステージ２１上のウェハの中
心点を測定する機能を有し、その情報は前記ＣＰＵ　２
　Ｂに記憶される。

また、前記コントローラ２７　Ｖｒ、　前記ノｅルスモ
ータ２２に接続しておシ、前記ウェノ・中心検出ワーク
ゾーン２４において、該パルスモータ２２の、駆動制御
を行なうと共に、前記ダイシングライン検出ワークゾー
ン２６にステージ２１が移動された時、前記ＣＰＵ　２
　Ｂからの指令によりステージ２１上のウェハの中心点
を前記レーザ測長器２５の中心・に一致させるよって同
ステージ２ノの位置決めを行なう機能を有する。更に、
前記レーザ測長器２５は前記コントローラ２７に接続さ
れ、該測長器２５からの検出信号はコントローラ２７に
出力されてウェハの中心からＸ方向又はＹ方向に延びｌ
る最初のダイシングラインまでの長さが測定され、かつ
その情報はｒ、ｊ＋記ＣＰＵ　２　Ｆｌに記憶される。

前記ＣＰＵ　２ｓ　ニｖｘ所定の情報を入力するための
ギーが−ド２９が接続されている。寸た、前記ｃＰＵ２
８はそのＦｊ＋憶した情報を表示するためのＣＲＴ　３
０にｊＢ続されている。

次に、前述した第９図図示のウェハマツプ作成装置を用
いて、ウェハマ、７″の作成を説明す（ｉ）　オス、ス
テージ２ノ上にダイシングラインが形成されたウェハユ
を該ステージ２１の農動方向（Ｘ、Ｙ方向）とウニハエ
のＸ、Ｙ方向に延びるダイシングラインとが互に平行と
なるようにイＳ″Ｌ置合せし、固定する。つづいて、キ
ーン」？−ド２９からＣＰＵ　２　Ｂにステージ２１を
移動させるための所定の情報全入力し、ＣＰＵ　２　Ｂ
からの指令にもとづき、コントローラ２７を介して／（
’シスモータ２２をＷ動し、ステージ２１ｆＹ方向に移
動させる。この時、ウェハ中心検出ワークゾーン２４に
位置する容侶−センザ２．９は第１０図に示す如くウェ
ハＬのコース３）上を相対的に移動し、そのコース３１
で容量センサ２３によシ検出され７’（第１１図（Ａ）
の信号Ｓｌがコンｌ−ｏ−ラ２７に出力され、その中心
点Ｐを」１１足し、これにより前記コース３１の中心？
３．　ｐ　。

がＣＰＵ　２　Ｂに記憶される。ひきつづき、ＣＰＵ２
８からの指令に基づき、コントローラ２７金介してパル
スモータ２２を駆動し、ステージ２１ｆｆＸ方向に移動
させる。この時、容量センサ２３は同第１０図に示す如
くウェハ１の前記中心点Ｐ　ｆ＋）通るコース３２上を
相対的に移動１〜そのコース３２で容量センサ２３ＶＣ
、Ｊ：　Ｄ検出された第１：１′図（Ｂ）の信号Ｓ２が
コン）Ｏ−ラ２７に出力され、その中心点ｐ／　全測定
し、これＶＣ工りウニ・・１の中心点Ｐ′がめられると
共に、その情報がＣＰＵ　２　Ｂに記憶される。更に、
ＣＰＵ２８の指令に基づいて、ステージ２１をＹ方向に
移！功させ、容（：ンセンサ２３をウェハ１の前記中心
点Ｐ′を通るコース３３上で相対的に移動させる。ｌ：
うに１７、そのコース３３で”？Ｖ　ｆａｔセンセン３
により検出された第１１図（ｃ）の信シ号Ｓ３’（（コ
ントローラ２７に出力し、該コントローラ２７により本
来のＦりに対してオリエンテーションフラット（以下オ
リフラと略す）０のカット部分のＪ〈さΔｌをめ、これ
をＣＰｏ　２　Ｂに記憶させる。

（１１）　次いで、ギーＨ？−ド２９を抄作して作成し
、【うとするウェハロ径（ここでは１００脳φを使用）
　％：　ＣＰｏ　２Ｂに入力し、ウェハの円３４と前記
操作でめたオリフラのカッｌ”　ｒＸ１１分Δｇからの
」リノン３５の位置をグラフィック処理してＣＲＴ３ｏ
上てＩく示する（第１２図図示）。実際には、必゛鯰ａ
’＋’ｉ度と１（用ビットを１０μｍとし、］００聴φ
のＪｊＡ合、Ｘ、Ｙ方向共に１００００ビ７トどす／、
）０（ｉｉｉ）　次いで、ＣＰＵ　２　Ｂからの指令にもと
づき、ステージ２１をダイシングライン検出ワークシン
２６に移動させると共に、前述した操作でめたウェｆ１
＼中心点の情報により、該ワークシン２６のレーザ測長
器２５の中心がウェハＪの中心点に一致するよって位置
合せする。つづいて、ＣＰＵ　２８からの指令によりス
テージ２１’ｉ（Ｘ方向に移動させてレーザ測長器２５
を相対的にウエハユ上を走査させ、第１３図及び第１４
図（Ａ）に示す如く、中心点Ｐ′から最初のＹ軸ダイシ
ングラインＬｙブでの距離Ｄｘを、レーザ測長器２５か
らの検出信号が入力されるコントローラ２７で測定し、
これｋ　ＣＰＵ　２ｇに出力し、後は予めＣＰＵ　ＲＢ
に記憶されたチッ７°寸法のメインデックス寸法ＩＤｘ
の情報によりＣＲＴ　３ｏでグラフィック処理して第１
５図（５）に示す如く既に描刀・れたオリフラ３５を有
する円３４にＹ軸ダイシングライン３６ｙ・・・を描く
。ひきつづき、ＣＰＵ２８からの指令に裏システージ２
１をＹ方向に移動させてレーザ測長器２５を相対的にウ
ェノ・Ｌ上を走査させ、第１３図及び第１４Ｌシ１（Ｂ
）に示す如く、中心点Ｐ′から最初のＸ軸ダイシングラ
インＬｘ寸での距離Ｄｙを、ンーザ測長器２５からの検
出信号が入力されるコントローラ２７で測定し、これｉ
　ＣＰＵ　２　Ｂに出力し、後は予めＣＰＵ２８に記憶
されたチップ寸法のＹインデックス寸法ＩＤｙの情報て
よりＣＲＴ　３０でグラフィック処理して第１５図（Ｂ
）に示す如く既に描かれたオリフラ３５を有する円３４
にＸ軸ダイシングライン３６　ｘ・・・を描く、こうし
た操作により、第１６図に示すウェハマノデー罎ｌを作
成する・しかして、本発明によれば第１３図図示の実際
のウニ・・ｌのチップ状態とほぼ一致したウェハマツプ
だ全作成できる。

できる。これを第１７図を参照して説明する。

即ち、ウェハマッシ３７′のマツプ領域３ｓ、。

３８２に対応するウェハのチップ（限界チップ〕はテス
トにおいて１し気的には良品となるが、最終的には不良
品としたい場合、該マツプ領域３８１．３８２の寸法を
任意の長さく３）でＸ、Ｙ共に大きくし、点線で示すマ
ツプ領域３８１’。

３８２′を描く。そして、こり、らマツプ領域３８．’
。

３８２′のコーナ部とウニ・・マツプνの外周３９との
クロスの有無をチェックすることにより判別できる。こ
の場合、マツプ領域３８１　。

３８２のコーナ部はウェハマツプぜの外周３９とクロス
するため限界チップとして判定される。一方、マツプ領
域３８３の寸法を同様に大きくした点線で示すマツプ領
域３８３′はそのコーナ部がウェハマツプ土スの外周３
９とクロスしんいため限界チップとは判定されない。こ
の限Ｌ−’ｔ＝＝、　ｒの検出方法として、Ｉｎｄｅｘ
＋αにて、チップ領域が７ｚｌ＼外周にかかるか否かの
検出するやり方以外に、Ｉｎｄｅｘ＋ｄ　ｆ行なわず、
７−ｔ＼口径を任意に縮少して、％＝、７領域が縮少さ
れたフ、へ外周にかかるか否の検出による限界外７゜判
別手段も限界外ガ判別方法として使用出来る。

更に、ウェノ・マツプをチップのテスト及びグイビンデ
ィング、ダイマウント等のアセンフ′１ノング工程の情
報として有効に活用できる。これを、第１８図′ｆｒ：
参照して説明する。寸ず、前述した方法と同様な方法に
より作成されたウエノ・マツプ３７“の上端と下端（オ
リフラがない場合の位置）に夫々Ｘ軸と平行々線を描く
と共にＸ軸ダイシングライン３６ｘ・・・を延出させて
、これらの間をｙｏ−Ｙ９のアドレスとする。一方、ウ
ニ・・マツプシスの右、左端に夫々Ｙ軸と平行な線を描
くと共に、Ｙ軸ダイシングライン３６ｙ・・を延出させ
て、これらの間をＸＯ〜Ｘ９のアドレスとする。つづい
てｓＸｏ　とＹＯ＋Ｘｏ　とＹ　ｌ＋ＸＯとＹ８　ｌＸ
ＯとＹ　ｇ　＋　Ｘ　１　とＹ　Ｏ＋　Ｘ　ｌ　とＹ　
ｇ　＋　Ｘ　８　とＹ。、ＸＢとｙｏ　、ｘ、とＹＯＩ
Ｘ９とＹ、、Ｘｓ　とＹ８及びＸｓとＹ９のアト９レス
で選択される１２個の番地に夫々チップ無しのデータ゛
′０”・・を記憶させると４１５に、これ番地ｊ′丈外
の８８　Ｇ！ｊの番地１１Ｃ夫々チ、７°有りのデータ
“′１′″・全訳１（Ｓさせる。貰た、ＸＯとＹ２〜Ｙ
７ｉｘ、とＹ　ｌ＋　Ｘ　＋　とＹ　８＊　Ｘ　２　と
Ｙｔｌ＋Ｘ２とＹｇ＋Ｘ３とＹＯＩＸ３　とｙｇ、ｘ４
　とＹ　ｏ　＋　Ｘ　４　とＹｇ＋Ｘ５　とＹ、、Ｘ５
　とＹ　９　＊　Ｘ　６　とＹｏ　。

Ｘ６とＹｇ、Ｘ７　とＹＯＸ７　とＹｇ、ＸＢ　とＹ１
＋Ｘ８とＹ９及びＸｓとＹ２〜Ｙ７のアドレスで選択さ
れる２８個の番地に夫々欠はチップの情報″２″・・・
全記憶させる。更に、前述した欠はチップに隣接する限
界チップの判定方法によってＸ□とＹ２　＋　Ｘｌ　と
Ｙ７＋Ｘ２　とＹ　ｒ　＋　Ｘ　２とＹＢ＋Ｘ７　とＹ
ｌ　１　Ｘ　７　とＹ８．ＸＢ　とＹ２＋及びＸＢとＹ
ｌのアドレスで選択される８個の番地に夫々限界チップ
の情報“３”・・・を記憶させる。更に、ｘｌ　とＹ３
〜Ｙ６１Ｘ２　とＹ２〜Ｙ７・ＸＢとＹ１〜Ｙ８．Ｘ４
とＹｔ　−Ｙｅ　＋　ＸｓとＹ！〜ＹＢｏＸ６　とｙｌ
−Ｙ、、ｘ、　と￥２〜Ｙ７−　及びＸＢとＹ３〜Ｙ６
のアドレスで選択される５２個の番地に夫々良チップの
情報′°４＃・・・を記憶させる。

次いで、第１８図図示のウェノ・マツプ土！の情報゛１
″、′°４”が記憶された属地に対応するボンディング
パッドの形べが完了したウェノ・のヂノゾにニードル等
により電気的なテストを行なう。その結果を、ウェハの
チップにインクジェットやスクラッチにより印を付与せ
ず、ウェハマツプｊプの番地にフィードパ、りさぜる。

即ち、電ケ、的なテストの結果、ある複数のチップが不
良品として判定された場合、これらチップに対応する情
報′°１”、　”４’が記憶された番地、例えばＸ２と
Ｙ　２　１　Ｘ　４　とＹ　１＋　Ｘ　４　とＹ７　。

Ｘ６とＹ３＋及びＸ８とＹ６のアドレスで選択される・
丁゛・地に夫々不良品の情報”Ｎ″を記憶させろ。その
他のテストしたチップが良品ならば、そ膚−＋、に対「
６するウェハマツプの番地に夫々良品の・目（報“Ｑｌ
ｌ　＝記（：ｉ：ｉ：させる。

次いＴ、テスト全終了しにウェハをダイシングジインに
沿ってチップを分割し、リードフレームへのダイアｊ゛
ンディング栃のアセンブリング工程へ１，６行させる際
（ｌこに鎮１８図のウェハマツプ旦１で１１１用して”
］”　、　”４”、　”Ｇ”の情報（Ｇ”だけの情報で
も可）が記・世された番ｔｌ：ｘに対応するチップのみ
ヲ選び出し、これらをアセンブリング工程を移行させる
。

したがって、本発明によれば以下に列挙する効果を奏す
る。

■実つェハのチップ状態とほぼ一致したウニ・・マツプ
を簡単に作成できる。

■ウェハマツプより欠はチップに隣接した限界チップの
有無を簡単に判別できる。その結果、チップの電気的テ
ストにおいて第１８図に示１、た如く限界チップに予め
不要部分として削除できるため、テスト時間の効率アッ
プを図ることができるばかりか、限界チップへの不要な
アセンブを解消でき、コストの低減化を達成できる。

■ウェハマツプは実ウェハ上のチップ状態とほぼ一致し
ているため、この情報に基づいてチップの電気的テスト
ｉ行なうに際し、第１８図に示した如く、欠はチップは
もとよシ限界チップを予め削除し、良チップのみをテス
トすればよいたの、テスト効率を著しく向上できる。

（４ノウェハマ、プからの情報に基づいて、欠は等のな
い良チップの電気的テストヲ行なった後、そのテスト結
果をチップ上にインクジェット等により印することなく
、良品、不良品の情報をウニ・・マツプにフィードバッ
クできる。

その結果、チ・プの良品、不良品の判定指示繰作を著し
く簡単にできる。また、こうしたチップの良品、不良品
の情報が記憶さえしたウニ・・マツプをアセンブリング
工程での情報として利用することによって、良品として
判定されたチップのみを簡単な操作でかつ簡単にアセン
ブリングできる。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く、本発明によれば実ウェハ上のチップ
状態と同一で、テスト時の１１７報及びダイアｊ？ンデ
ィング、グイマウント等のアセンブリング工程の情報と
して有効に活用できるウェハマツプに簡単に作成でき、
ひいて（」、テスト、アセンブリングの効率アップ、コ
ストの低減化ｖｒ　ＬＫＩることかできる等顕著な効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ｄセンサニードルのウェハへの設置Ｉ態を示す
説明図、第２図（、Ａ）、（Ｂ）はセンサニードルによ
るチップ有無の検出を説明するための概略図、第３図は
一点センザニートゝルにウェハのチップの検出箇所を示
す説明図、第４図は同第３図により作成されたウェハマ
ツプの平面図、第５図は自動機ＶＣ、Ｃる測定エリアを
示す説明図、第６図は測定エリアに基づいて作成された
ウニ・・マツプの説明図、第７図は限界チップ全治する
ウェハの説明図、第８図は同第７図の限界チップの拡大
図、第９図は本発明方法に用いられるウェハマツプ作成
装置の概略図、第１０図、第１１図囚〜（Ｃ）、第１２
図、第１３図、第１４図、第１５図（５）、ＣＢ）及び
第１６図は本発明の実施例におけるウェハマツプの作成
工程を示す説明図、第１７図は本発明のウェハチップに
より限界チップの判定を示す説明図、第１８図はウェハ
マツプの情報例を示す説明図である。Ｌ・・ウェハ、２　チップ、２′・・欠はチップ、２“
・・限界チップ、２ノ・・・ステージ、２２・・・／Ｐ
ルスモーク、２，７・・・容量センサ（第１のセンサ）
、２４・・・ウェハ中”Ｌ’　ｔ＊出ワークゾーン、２
５・・・レーザ測長器（第２のセンサ）、２６・・・ダ
インングライン検出ワークゾーン、２７・・・コントロ
ーラ、２８・・ＣＰＵ、２９・・・キーボード、３０・
・・ＣＲＴ、３４・円、３５・・・オリフラ、３６Ｘ・
・・Ｘ軸ダインングライン、３６ｙ・Ｙ　１ｈｉ１グイ
シンシライン、Ｍ、工ｆ、３ヱ　ウェハマツプ、Ｐ’・
・ウェハの中心点。出願入代ν［１人　弁理士　鈴　江　武　彦第５図第６図第８図第９図２７第１０図第１１図第１７図第１８図Ｘ７ドレス３５Ｙ　３ｅ：ｉｙ　′、３Ｄｙ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｘ、Ｙ方向に動作する移動手段に、二次元的にダ
イシングラインを形成したウェハを該ウェハのダイシン
グラインと該移動手段の移動方向とが合致するように固
定する工程と、前記移動手段をＸ方向及びＹ方向に移動
させ、その移動手段上方に位置する第１のセンサをウェ
ノ・上を相対的に走査し、該センサと接続した制御手段
によりウェハの中心点を測定する工程と、前記移動手段
を別の領域に移すと共に、前記制御手段により該領域に
位置する第２のセンサの中心とウェハの中心点とを一致
させる工程と・前記移動手段をＸ方向及びＹ方向に移動
させ、前記第２のセンサをウェハ上を相対的に走査し、
ウェハの中心点から最初のＸ方向及びＹ方向に延びるダ
イシングライン間での距餅１を検出し、１１（センサと
接続する前記制御手段により前記距離を測定する工程と
、測定した中心点からダイシングラインまでの距離及び
前記制御手段に記憶されたＸ方向のダイシングライン間
の寸法、Ｙ方向のダイシングライン間の寸法により、作
成すべきウェハね同形状のオリエンテーションフラット
ヲ有する円にＸ方向に延びるダイシングライン及びＹ方
向に延びるダイシングラインを描く工程とを具備したこ
とを特徴とするウェハマツプの作成方法。
（２）移動手段がステージであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウェハマッシの作成方法。
（３）第１のセンサが容量センサであること全特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のウェハマツプの作成方法
。
（４）　第１のセンサが近１でセンサであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のウェハマツプの作成
方法。
（５）　第２のセンサがし〜ザ測長器であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のウェハマップの作成
方法。
（６）Ωす２のセンサがＩＴＶであることを特徴とする
特ルγシｊ求の範囲第１項言ｉ″札のウェハマツプの作
成方法。