JPS6053021A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS6053021A JPS6053021A JP58160351A JP16035183A JPS6053021A JP S6053021 A JPS6053021 A JP S6053021A JP 58160351 A JP58160351 A JP 58160351A JP 16035183 A JP16035183 A JP 16035183A JP S6053021 A JPS6053021 A JP S6053021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- drawn
- pattern
- final stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、′１（電子線描画装置の改良に係υ、的に装
置内での′電子の反射に伴う不必要な電子線照射を減少
する構造に関するものである。
置内での′電子の反射に伴う不必要な電子線照射を減少
する構造に関するものである。
従来電子付描画装置の被描画試料付近の構造を第１図に
示す。電子銃より放射でれた電子＆、１は最終段のレン
ズ２で集束・偏向されて被描画試料３ｖ？−入射する。
示す。電子銃より放射でれた電子＆、１は最終段のレン
ズ２で集束・偏向されて被描画試料３ｖ？−入射する。
この時入射電子の一部は反射して再びレンズ２の方向に
戻っていく。この反射電子は検出器４で検出されて、被
描画試料上のマークの位置検出に用いらねる。しかし、
レンズ２および検出器４のホルダは非磁性材料である燐
青銅で作られることが多く、反射電子のさらに一部５が
再び反射して被描画試料に照射されるという欠点があっ
た。
戻っていく。この反射電子は検出器４で検出されて、被
描画試料上のマークの位置検出に用いらねる。しかし、
レンズ２および検出器４のホルダは非磁性材料である燐
青銅で作られることが多く、反射電子のさらに一部５が
再び反射して被描画試料に照射されるという欠点があっ
た。
本発明の目的は、上述した電子線が描画装置内で多重反
射することによって生じる被描画試料への不要が照射を
低減し得る電子線描画装置を提供するものである。
射することによって生じる被描画試料への不要が照射を
低減し得る電子線描画装置を提供するものである。
上記の目的を達成するために、本発明の電子線描画装置
では、被描画試料に照射された電子線の反射電子線が当
る描画装置の鏡体表面を低原子番号（異本的には原子番
号１３以下）の元素又は化合物で構成された材料で覆う
ことで、鏡体表面からの反射電子を減少する如く構成し
たものである。
では、被描画試料に照射された電子線の反射電子線が当
る描画装置の鏡体表面を低原子番号（異本的には原子番
号１３以下）の元素又は化合物で構成された材料で覆う
ことで、鏡体表面からの反射電子を減少する如く構成し
たものである。
さらに、この低原子番号の利料の表面を電気伝尋度の商
い材料で覆い電気的に接地することで、入射した電子に
よるチギージアツプの悪影響を防止するものである。
い材料で覆い電気的に接地することで、入射した電子に
よるチギージアツプの悪影響を防止するものである。
以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は、本発明の一実施例を示す図である。最終段の
レンズ２の被描画試料に面した部分を、膜厚１１００ｎ
のアルミニウム７で被着式れたハフさ０．５ｖｒｌのア
クリル桐脂板６で覆う構造とした。このアルミニウム７
はアクリル樹ｊ財板６の全表面を覆っているため、最終
段レンズ２に導電性のねじ８により固定することで電気
的に接地することが可能である。７上お、反射電子の検
出器のホルダをアクリル樹脂９で製作し、その表面を膜
厚０．１μｍのアルミニウム１０で覆った。この（炙出
器のホルダも最終段レンズ２に機械的に固定されて電気
的接地を行っている。従来の構造では、２回反射電子に
よる被描画試料への照射が１次の照射鼠の１０％であっ
たものが、この改良の結果３％以下となり、１／３以下
に低減すること力よできた。また、その他の電子光学的
特性は従来構造との差はなかった。
レンズ２の被描画試料に面した部分を、膜厚１１００ｎ
のアルミニウム７で被着式れたハフさ０．５ｖｒｌのア
クリル桐脂板６で覆う構造とした。このアルミニウム７
はアクリル樹ｊ財板６の全表面を覆っているため、最終
段レンズ２に導電性のねじ８により固定することで電気
的に接地することが可能である。７上お、反射電子の検
出器のホルダをアクリル樹脂９で製作し、その表面を膜
厚０．１μｍのアルミニウム１０で覆った。この（炙出
器のホルダも最終段レンズ２に機械的に固定されて電気
的接地を行っている。従来の構造では、２回反射電子に
よる被描画試料への照射が１次の照射鼠の１０％であっ
たものが、この改良の結果３％以下となり、１／３以下
に低減すること力よできた。また、その他の電子光学的
特性は従来構造との差はなかった。
第３図は、本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例では、低原子番号の材料として炭素（原子番号
６）を用いた。さらに具体的には、ブラフアイトラ用い
て厚さ２胡の板１１と反射電子の検出器１２を製作した
。本実施例に用いたグラファイトは、比抵抗が数オーム
・センチメートルであるため、その全表面を高電気伝導
材料で覆う必要はない。グラファイトが被描画試料に面
している領域に、膜厚２０ｎｍのアルミニウム１３を被
着することで、表面を接地電位に抑えること力１」ヒで
あった。本実施例による改良の効果は、前述の実施例と
ほぼ同一であった。
６）を用いた。さらに具体的には、ブラフアイトラ用い
て厚さ２胡の板１１と反射電子の検出器１２を製作した
。本実施例に用いたグラファイトは、比抵抗が数オーム
・センチメートルであるため、その全表面を高電気伝導
材料で覆う必要はない。グラファイトが被描画試料に面
している領域に、膜厚２０ｎｍのアルミニウム１３を被
着することで、表面を接地電位に抑えること力１」ヒで
あった。本実施例による改良の効果は、前述の実施例と
ほぼ同一であった。
第４図は、本発明のさらに他の実施例を示す図である。
本実施例では、比較的原子番号は太きいが高電気伝導度
を有するアルミニウム（原子番号１３）を用いて厚さ１
咽の板１５と反射電子の検出器１４を製作した。この場
合には単一材料で反射防市とチャージアップ防止の効果
を有する。この時の２回の反射電子による被照射試料へ
の照射は、従来構造の約１７２であった。
を有するアルミニウム（原子番号１３）を用いて厚さ１
咽の板１５と反射電子の検出器１４を製作した。この場
合には単一材料で反射防市とチャージアップ防止の効果
を有する。この時の２回の反射電子による被照射試料へ
の照射は、従来構造の約１７２であった。
以上説明したごとく、本発明によれば、被描画試料から
の反射電子を低原子材料で作られた核いにより吸収し、
またその表面電位は接地電位に保たれているため、電子
光学特性に悪影響を与えることなく、２回反射電子によ
る被描画試料への寄生照射を１７２以下に低減すること
ができた。
の反射電子を低原子材料で作られた核いにより吸収し、
またその表面電位は接地電位に保たれているため、電子
光学特性に悪影響を与えることなく、２回反射電子によ
る被描画試料への寄生照射を１７２以下に低減すること
ができた。
第１図は、従来の電子線描画装置の被描画試料付近の構
造を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例になる電
子線描画装置の被描画試料付近の構造を示す断面図、第
３図は、本発明の他の実施例を示す断面図、第４図は、
本発明のきらに他の実施例を示す断面図である。
造を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例になる電
子線描画装置の被描画試料付近の構造を示す断面図、第
３図は、本発明の他の実施例を示す断面図、第４図は、
本発明のきらに他の実施例を示す断面図である。
Claims (1)
- １、電子線描画装置において、被描画試料に照射された
′電子線の反射電子が当る鏡体表面が、原子番号が１３
以下の元素または原子番号１３以下の元素を主構成元素
とする材料により構成された第１の材料で覆われ、さら
に該第１の材料が電気伝導度の高い第２の利料により覆
われ、該第２の材料は電気的に接地でれてなることを特
徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160351A JPS6053021A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160351A JPS6053021A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053021A true JPS6053021A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15713095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160351A Pending JPS6053021A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014143393A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビーム描画装置 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160351A patent/JPS6053021A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014143393A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビーム描画装置 |
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