JPS6052062A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

Info

Publication number
JPS6052062A
JPS6052062A JP15981683A JP15981683A JPS6052062A JP S6052062 A JPS6052062 A JP S6052062A JP 15981683 A JP15981683 A JP 15981683A JP 15981683 A JP15981683 A JP 15981683A JP S6052062 A JPS6052062 A JP S6052062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
layer
gaas
channel
impurity concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15981683A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Ogawa
正毅 小川
Toshio Baba
寿夫 馬場
Takashi Mizutani
隆 水谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP15981683A priority Critical patent/JPS6052062A/ja
Priority to US06/624,333 priority patent/US4695857A/en
Priority to EP84304300A priority patent/EP0133342B1/en
Priority to DE8484304300T priority patent/DE3480631D1/de
Publication of JPS6052062A publication Critical patent/JPS6052062A/ja
Priority to US07/043,046 priority patent/US4792832A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
    • H01L29/151—Compositional structures
    • H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
    • H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H01L31/035254—Superlattices; Multiple quantum well structures including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table, e.g. Si-SiGe superlattices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/347—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe- laser

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界効果トランジスタに関する。
電界効果トランジスタ（ＰＥＴ　）の超高速化をはかる
には、ゲート長短縮と同時に、ソース・ゲート間の寄生
抵抗の低減が重要である。
本発明の目的はソース・ゲート間の寄生抵抗が小さく、
シかも基板電流の小さなＦＥＴを提供するところにある
。
本発明のＦＥＴでは、チャネルに対１〜てその長さ方向
に隣接して第１の半導体よりなる第１の高不純物濃度領
域が設けられ、第１の高不純物濃度領域の下方に接して
、第１の半導体より電気陰性度の小さな低不純物濃度の
第２の半導体と高不純物濃度の第１の半導体が交互に積
層された超格子領域が設けられてお秒、電流供給源とな
る電極金属層は第１の高不純物濃度領域表面に形成され
ている。
超格子領域を構成する第１の半導体の厚さをキャリアの
波長程度に選び、第２の半導体の厚さをキャリアがトン
ネル可能な厚さに選べば、キャリアは超格子領域中体に
ひろがり、超格子領域は第１の半導体より小さな電気陰
性度を示す。このため超格子領域中のキャリアは変調ド
ープ効果によりチャネル方向に接した第１の高不純物濃
度領域中に移動するので、第１の高不純物濃度領域のキ
ャリア濃度は不純物ドープ量より増大する。この結果ソ
ース・ゲート間の寄生抵抗が低減できる。
超格子領域の厚さを適当に選べば、第１の高不純物濃度
層中に充分なキャリアを誘起でき、かつ超格子領域中の
キャリアをほとんど空乏化することができる。この結果
、本発明の構造では、チャネル層よりも深い領域まで高
濃度層を形成したにもかかわらず、チャネル層下の基板
を流れる電流を低減できる。したがって本発明の構造は
寄生抵抗の低減と同時に１基板電流も低減できる特長を
有している。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の構造を有した変調ドーグＦＲＴの断
面構造を示す。高抵抗ＧａＡｓ基板１上にｎｆｆ１不純
物濃度１　×１０”　Ｃ’ｎ１−”　＊厚さ５００Ｘの
Ａ７ｏ　、５Ｇａ０．７ＡＳ　Ｎ　２が形成されＡｊ２
ｏ、３０ｍ６５Ａｓと　Ｇ　ａ　Ａ　ｓの電気陰性度の
違いによる変調ドープ効果により高抵抗Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
基板１のＡｌ１ｏ、ｓ　Ｇａ６．７Ａｓ層２に接する界
面に二次元電子層が形成される。第１図で示されたチャ
ネル層３はこの二次元電子によって形成されたものであ
る。チャネル層３の電気伝導度はＡ／！Ｑ、３　Ｇａ０
４Ａｓ上に設けられた昼電極６に印加される電圧によっ
て制御でき、したがってＦＥＴとして動作する。第１図
の実施例ではチャネル１１３およびＡＩＬｏ、５Ｇａ０
１丁Ａｓ層２に接してｎ型不純物濃度２ＸＩＯ”ｆｆ１
−’のＧａＡｓ領域４が設置され、ＧａＡｓ領域４に接
して厚さ２０ＡのノンドープＡＨＡ　ｓ層５１゜２Ｘ１
０”ｍ−墨の８１がドープされた厚さ２０ＡのＧａＡｓ
層５２が交互に積層された、全体の厚さが２８ＯＡの超
格子領域５が形成されている。Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層５２の
厚さは電子波長よ抄短かいので電子のエネルギー準位は
量子化され、しかもＡ１Ａ１５１の厚さは電子がトンネ
ルできる程薄いので０ａｋｓ　５２中の不純物８ｉから
誘起された電子は超格子中に広がってしまうが、この超
格子の電気陰性度はＧａＡｓより小さいため、変調ドー
プ効果により、電子は超格子領域に接したＧ　ａ　Ａ　
ｓ領域４に流れ込み超格子領域５け空乏化する。このた
め、チャネル層３に接した高不純物濃度ＧａＡａ領域４
の電子濃度はドープされた不純物濃度以上の濃度となる
。超格子領域中のＳｉ不純物準位はＡＺ　Ｘ　Ｇａ　１
−　ｘ　Ａ　ｓ混晶中よりもはるかに浅いので、本発明
の構造ではＧ　ａＡ　ｓ領域４中に効果的に電子を誘起
でさる特長をもつ。
Ａｕ　−Ｇｃ　合金膜は（１ａ　Ａ　ｓ領域４表面に形
成され、それぞれソース電極７．ドレイン電極８に写真
蝕刻法により整形されてい２．ｏ第１図の実施例ではチ
ャネル層３に接した高不純物濃度ＧａＡｓ領域４の電子
濃度が超格子領域５の効果により高められているため、
ソース・ゲート電極間およびドレイン・ゲート１！礪間
の寄生抵抗は低減されている。
このため本実施例の変調ドープＦＥＴは高速で動作する
。さらに本実施例では高不純物濃度ＧａＡｓ領域４の下
の超格子領域５は空乏化しているためソース電極７から
注入された電子は基板１を通ってドレイン１！極８に流
れ込むことがない。このため、ＦＥＴの飽和特性に優れ
、高速動作するという特長が発揮される。超格子領域５
％　ＧａＡｓ領域４を形成するには、膜厚制御性に優れ
た分子線エビクギシー法あるいは有機金層化学気相成長
法による選択代長技術看・用いるのが有利である。
５− 第２図は本発明の第２の実施例であるショットキゲート
型電界効果ト２ンジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）の断面構造を
示す。高抵抗Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１上にｎ型不純物濃度
２Ｘ１０”ｍ−”　、厚さ２０００ＡのＧａＡ　ｓ層が
形成され、その表面ＫＡｌ／ゲート電極６が設置され−
Ｃ−イる。Ａｌ２とＧａＡｓ間のシ四ットキ障壁特性に
より該Ｇ　ａ　Ａ　ｓけ空乏層９とチャネル層３１に分
割されている。ゲート電極６に印加する電圧によりこの
分割比が変化し、チャネル層３１の電気伝導度は制御さ
れ、ＭＦｔ８ＦＦＴ　として動作する。第２図の実施例
では、チャネル層３１に接してｎ型不純物一度２Ｘ１０
”ｃＩｎ−”のＧａ　Ａ　ｓ領域４が設置され、このＧ
ａＡｓ領域４の下に厚さ２ＯＡのノンドープＡＪＡａ層
５１　、２Ｘ１０”副−島の別がドープされた厚さ２Ｏ
ＡのＧ　ａ　Ａ　ｓ層５２が交互に積層された厚さ２８
０人の超格子領域５が設置されている。Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
層５２の厚さは電子波長より短かぐ、ＡＡＡｓ５１の厚
さは電子がトンネルできる程薄いので、ＧａＡｓ５２中
の不純物から誘起された電子は超格子中に広がってしま
うが、この超格子の電気陰性度は６一 ＧａＡｓより小さいため、変調ドープ効果により、電子
は超格子領域５に接したＧａＡｓ領域４に流れ込み、超
格子領域５は空乏化してしまう。このため、チャネル層
３に接した高不純物濃度Ｇ　ａ　Ａ　ｓ領域４の電子濃
度はドープされた不純物濃度以上の濃度となる。とくに
超格子領域中の８＋不純物準位はＡＪｘＧ　ａ　１−　
ｘＡｓ混晶中よりもはるかに浅いので、本発明の構造で
は、ＧａＡｓ領域４中に効果的に電子を誘起できる特長
をもつ。このため、チャネル層３に接した高不純物濃度
ＧａＡｓ領域４の電子濃度はドープされた不純物濃度以
上の濃度となる。
Ａ　ｕ　−Ｇ　ｅ合金膜けＧ　ａ　Ａ　ｓ領域４表面に
形成され、それぞれソース電極７．ドレイン電極８に写
真蝕刻法によシ整形されている。第２図の実施例ではチ
ャネル層３１に接した高不純物濃度ＧａＡｓ領域４の電
子濃度が超格子領域５の効果により高められてｈるため
、ソース・ゲート電極間およびドレイン・ゲート電極間
の寄生抵抗は低減されている。
このため、本実施例のＭＥＳＦＥＴは高速で動作する。
さらに本実施例では高不純物濃度Ｇ　ａＡ　ｓ領域４の
下の超格子領域５は空乏化しているためソース電極７か
ら注入された電子は基板１を通ってドレイン電極８に流
れ込むことがない。このため、ＦＥＴの飽和特性に優れ
、高速動作するという特長が発揮される。
以上本発明の実施例として、変調ドーグＦＥＴ。
ＭＢＳＦＢＴについて説明したが、他のＰＥＴ例えば接
合ゲート型ＦＢＴ、絶縁ゲート型Ｆ’ＥＴ等にも適用で
きることは云うオでも々い。オた半導体材料としてｒｎ
（）ａＡｓ混晶とＩｎ人ノ＾ｓ　／ｆｆ、品、あるいは
ＴｎＧａＡｓ混晶とｒｎＰ等の組み合わせでつくられた
種々のＦＥＴＫも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例である変調ドープＦＥＴ
の断面構造を示す図、第２図は第２の実施例であるＭＥ
ＳＦ’ＥＴの断面構造を示す図。図中１は高抵抗（］ａ
Ａｓ基板、２はｎ型訂ｏ、５Ｇａｏ４Ａｓ層、３は高抵
抗Ｇ　ａ　Ａ　＠基板界面に形成されたチャネル層、３
１けｎ型ＧａＡ　ｓ層中に形成されたチャネル層、４は
高不純物濃度のＧａＡｙｓ領域、５１はノンドープＡｌ
Ａａ層、５２はＳ＋ドープＧ　ａ　Ａ　ｓ層、５はＡＪ
２ＡｓとＧａＡｓが交互に積層された超格子層、６けゲ
ート電極間 ドレインＡｕ−Ｇｅ　電極、９はｎ型ＧａＡｓ　＠中に
形成された空乏層である。 ９− ７１　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電界効果トランジスタのチャネルに対しその長さ方向に
    隣接して第１の半導体よりなる第１の高不純物濃度領域
    が設けられ、第１の高不純物濃度領域の下方に接して第
    １の半導体より電気陰性度の小さな低不純物濃度の第２
    の半導体と、高不純物濃度の第１の半導体が交互に積層
    された超格子領域が設けられ、該＠１の高不純物濃度領
    域表面上に、金属層が設置されていることを特徴とした
    電界効果トランジスタ。
JP15981683A 1983-06-24 1983-08-31 電界効果トランジスタ Pending JPS6052062A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15981683A JPS6052062A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 電界効果トランジスタ
US06/624,333 US4695857A (en) 1983-06-24 1984-06-25 Superlattice semiconductor having high carrier density
EP84304300A EP0133342B1 (en) 1983-06-24 1984-06-25 A superlattice type semiconductor structure having a high carrier density
DE8484304300T DE3480631D1 (de) 1983-06-24 1984-06-25 Halbleiterstruktur mit uebergitter hoher traegerdichte.
US07/043,046 US4792832A (en) 1983-06-24 1987-04-24 Superlattice semiconductor having high carrier density

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15981683A JPS6052062A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 電界効果トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6052062A true JPS6052062A (ja) 1985-03-23

Family

ID=15701870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15981683A Pending JPS6052062A (ja) 1983-06-24 1983-08-31 電界効果トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6052062A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263282A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Agency Of Ind Science & Technol 二次元電子電界効果型トランジスタの製造方法
EP0607729A2 (en) * 1992-12-22 1994-07-27 International Business Machines Corporation High performance MESFET with multiple quantum wells
WO2023243245A1 (ja) * 2022-06-15 2023-12-21 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263282A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Agency Of Ind Science & Technol 二次元電子電界効果型トランジスタの製造方法
JPH0328064B2 (ja) * 1985-05-17 1991-04-17 Kogyo Gijutsuin
EP0607729A2 (en) * 1992-12-22 1994-07-27 International Business Machines Corporation High performance MESFET with multiple quantum wells
EP0607729A3 (en) * 1992-12-22 1995-02-22 Ibm High performance MESFET with multiple quantum wells.
WO2023243245A1 (ja) * 2022-06-15 2023-12-21 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0144242B1 (en) Compound semiconductor integrated circuit device
JP2500063B2 (ja) 電界効果トランジスタ
KR100542963B1 (ko) 전계 효과 트랜지스터
JPS5922367A (ja) 半導体装置
JPS62274783A (ja) 半導体装置
JPH01186683A (ja) 半導体装置
JPH0697463A (ja) 静電誘導型半導体装置
EP0200933A1 (en) Heterojunction transistor having bipolar characteristics
JPS6052062A (ja) 電界効果トランジスタ
JPS61147577A (ja) 相補型半導体装置
JPS59181069A (ja) 半導体装置
JPH0359579B2 (ja)
JP2688678B2 (ja) 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JPH0797638B2 (ja) 電界効果トランジスタ
JP2643890B2 (ja) トンネルトランジスタ
JPS5931072A (ja) 高移動度電界効果トランジスタ
JP3054216B2 (ja) 半導体装置
JPH0620142B2 (ja) 半導体装置
JPS6050969A (ja) 電界効果トランジスタ
JPS62268165A (ja) 電界効果トランジスタ
JP2754944B2 (ja) ２次元電子ガス電界効果トランジスタの製造方法
JP3237459B2 (ja) 半導体ウェハ及び半導体装置
JP2722849B2 (ja) 共鳴トンネル電界効果トランジスタ
JP2964625B2 (ja) 化合物半導体電界効果トランジスタ
JPH01125985A (ja) 半導体装置