JPS6046974A - 炭化けい素焼結体 - Google Patents
炭化けい素焼結体Info
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- JPS6046974A JPS6046974A JP58155910A JP15591083A JPS6046974A JP S6046974 A JPS6046974 A JP S6046974A JP 58155910 A JP58155910 A JP 58155910A JP 15591083 A JP15591083 A JP 15591083A JP S6046974 A JPS6046974 A JP S6046974A
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- silicon carbide
- sintered body
- particles
- boron
- ultrafine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化けい素焼給体、特にはメチルハイドロジエ
ンミノラン化合物の気相熱分鰹反応によって作られる炭
化けい素の超微粒状多結晶粒子の焼結体ζ1関するもの
である。
ンミノラン化合物の気相熱分鰹反応によって作られる炭
化けい素の超微粒状多結晶粒子の焼結体ζ1関するもの
である。
灰化けい素(工化学的−物理++”−Jにきわめて安定
なづ生貿をもち、l持C二高l晶における1山酸化性−
耐剣性一熱伝導’l’F−強度にすぐれ一熱膨張係値も
低いということがら−これ(工がスタービン広−自動東
音IS品、腐蝕性液体(気体)用部材、耐火材、高温反
応用部材、各4′lJI電子部材として有用とされてい
る。
なづ生貿をもち、l持C二高l晶における1山酸化性−
耐剣性一熱伝導’l’F−強度にすぐれ一熱膨張係値も
低いということがら−これ(工がスタービン広−自動東
音IS品、腐蝕性液体(気体)用部材、耐火材、高温反
応用部材、各4′lJI電子部材として有用とされてい
る。
しかして、この炭化けい素は焼結体として実用化されて
おり、この焼結体は炭化けい素と炭素との混合成型体i
二溶融けい素を反応させる反応焼結法、けい素化合物を
高温で熱分解させる蒸着法。
おり、この焼結体は炭化けい素と炭素との混合成型体i
二溶融けい素を反応させる反応焼結法、けい素化合物を
高温で熱分解させる蒸着法。
さらには、炭化けい素数粉末にアルミニウムなどの金属
およびその酸化物または炭素とほう素などの併結助剤を
添加して常圧または加圧下に焼結する方法によって製造
されているが、この反応焼結法C二よる場合は、けい累
と反応させる前の仮焼体で成形するので種々の形状のも
のが得られるけれども、成形体中に遊離のけい素を含む
ものなので高温強度、耐アルカリ性がわるいという欠点
があるし、蒸着法によるものl″−は成形体の内部まで
は蒸着されないために強度が劣るという不利があり−さ
らに焼結助剤を使用する方法で得られた焼結体にはこ\
に使用する金属や金属酸化物の融点以上では強度が低下
してしまい、 ?1111素と炭素を添加する場合には
高密度の焼結体が得られるが、このほう累はそれを0.
151i量%以上添加しなければならないので粒界には
う累が存在するようになり一高純度を必要とする半導体
関係などの用途には使用できないという不利があった。
およびその酸化物または炭素とほう素などの併結助剤を
添加して常圧または加圧下に焼結する方法によって製造
されているが、この反応焼結法C二よる場合は、けい累
と反応させる前の仮焼体で成形するので種々の形状のも
のが得られるけれども、成形体中に遊離のけい素を含む
ものなので高温強度、耐アルカリ性がわるいという欠点
があるし、蒸着法によるものl″−は成形体の内部まで
は蒸着されないために強度が劣るという不利があり−さ
らに焼結助剤を使用する方法で得られた焼結体にはこ\
に使用する金属や金属酸化物の融点以上では強度が低下
してしまい、 ?1111素と炭素を添加する場合には
高密度の焼結体が得られるが、このほう累はそれを0.
151i量%以上添加しなければならないので粒界には
う累が存在するようになり一高純度を必要とする半導体
関係などの用途には使用できないという不利があった。
本発明はこのような不利を解決した炭化けい素焼給体f
二関するものであり、これは結晶子が50A以下からな
る集合体で、平均粒径が0.01〜1μである均一な粒
状形状をもつ炭化けい素の超微粒子状多結晶粒子を不活
性雰囲気下に1,750〜2300℃で焼結してなるこ
とを特徴とするものである。
二関するものであり、これは結晶子が50A以下からな
る集合体で、平均粒径が0.01〜1μである均一な粒
状形状をもつ炭化けい素の超微粒子状多結晶粒子を不活
性雰囲気下に1,750〜2300℃で焼結してなるこ
とを特徴とするものである。
これを説明すると一本発明者らは炭化けい素焼給体の製
造方法z二ついて種々検討した結果、この主原料となる
超微粉末炭化けい素は結晶子が5゛0又以下からなる集
合体で平均粒径が0.O1μ〜1μである超微粒子状多
結晶子とすればよいということを確認して本発明を完成
させた。
造方法z二ついて種々検討した結果、この主原料となる
超微粉末炭化けい素は結晶子が5゛0又以下からなる集
合体で平均粒径が0.O1μ〜1μである超微粒子状多
結晶子とすればよいということを確認して本発明を完成
させた。
本発明の焼結体を得るために使用される炭化けい累超微
粒子は上記した物性をもつものとされるが、これは例え
ば一般式(OH3)aSibHoに層重b=1〜3−2
b+1≧冥b−2’b+1≧C≧1− a−1−c=2
b+2 )で示されるメチルハイドロジエンシラン類
を還元性雰囲気下に750〜1.600℃で気相熱分解
することC二よって得ることができ、これによればその
原料シランがけい累−水素結合は含むがけい素−塩素結
合を含んでいないので、これは比較的低温で急速に熱分
解することができるが、この熱分解時に塩化水素が発生
せず−したがってこの熱分解生成物である炭化けい紫粉
末がこれらの活性ガスと接触しないので表面活性の大き
い−はゾ球状の均一な粒径なもつ超微粒子が得られる。
粒子は上記した物性をもつものとされるが、これは例え
ば一般式(OH3)aSibHoに層重b=1〜3−2
b+1≧冥b−2’b+1≧C≧1− a−1−c=2
b+2 )で示されるメチルハイドロジエンシラン類
を還元性雰囲気下に750〜1.600℃で気相熱分解
することC二よって得ることができ、これによればその
原料シランがけい累−水素結合は含むがけい素−塩素結
合を含んでいないので、これは比較的低温で急速に熱分
解することができるが、この熱分解時に塩化水素が発生
せず−したがってこの熱分解生成物である炭化けい紫粉
末がこれらの活性ガスと接触しないので表面活性の大き
い−はゾ球状の均一な粒径なもつ超微粒子が得られる。
なお、この方法で得られる炭化けい素粒子はその結晶子
が5. OA以下からなる集合体で一平均粒径が0.0
1−1μの多結晶体であり、超微粒子体であるというこ
とからこれを微細化するための粉砕工程が不要であり−
したがつて高純度のものとして得られるという有利性を
もっており1本発明の焼結体はこの超微粒子状の炭化け
い素粉末な成形し一電圧または加圧下g二焼結すること
(二よって得られるので、これは高純度を要求される部
材として有用とされる。
が5. OA以下からなる集合体で一平均粒径が0.0
1−1μの多結晶体であり、超微粒子体であるというこ
とからこれを微細化するための粉砕工程が不要であり−
したがつて高純度のものとして得られるという有利性を
もっており1本発明の焼結体はこの超微粒子状の炭化け
い素粉末な成形し一電圧または加圧下g二焼結すること
(二よって得られるので、これは高純度を要求される部
材として有用とされる。
この成形はセラミック業界で公知の方法で行えばよく、
これは例えばダイブレス法で行なえばよい。この成31
つは添加削を使用せずに行なうことができるが、これ(
二は必要に応じステアリン酸塩単独またはこれをベンゼ
ンなどの溶媒に溶解した潤ft“)剤などを使用しても
よい。また、これをチューブ−ルツボなどの複雑な成形
品とするためにはラバープレスなどを用いて成形すれば
よいが、より精密な成形品を得るためには生の賦形体を
その焼結前に研削するか、あるいはスライスなどの機械
加工を施すことがよい。なお、この゛成形はスリップキ
ャスト法で行なってもよいが、この場合(二G!炭化け
い素粉末シニポリエチレングリコール一低分子mセルロ
ース誘導体−パラフインなどの可塑剤とポリビニルブチ
ラールなどの結合剤を添加し一本中に分散させてから焼
石こう型内ζ1流し込めばよく、成形可能なペーストは
押出成形、射出成ノし、σ〜ル成形で行なってもよい。
これは例えばダイブレス法で行なえばよい。この成31
つは添加削を使用せずに行なうことができるが、これ(
二は必要に応じステアリン酸塩単独またはこれをベンゼ
ンなどの溶媒に溶解した潤ft“)剤などを使用しても
よい。また、これをチューブ−ルツボなどの複雑な成形
品とするためにはラバープレスなどを用いて成形すれば
よいが、より精密な成形品を得るためには生の賦形体を
その焼結前に研削するか、あるいはスライスなどの機械
加工を施すことがよい。なお、この゛成形はスリップキ
ャスト法で行なってもよいが、この場合(二G!炭化け
い素粉末シニポリエチレングリコール一低分子mセルロ
ース誘導体−パラフインなどの可塑剤とポリビニルブチ
ラールなどの結合剤を添加し一本中に分散させてから焼
石こう型内ζ1流し込めばよく、成形可能なペーストは
押出成形、射出成ノし、σ〜ル成形で行なってもよい。
また、このようにして得られた成形体はついで焼結する
ことによって焼結体とされるが−この焼結は常圧または
ガス加汗、プレス加圧などσ)加圧下のいずれで行なっ
てもよい。しかし、この加熱温度についてはこれが低す
ぎると焼結不足となるし一高密度品を得るという目的に
おいてはできるだけ高温とすることがよいが、これを2
,300℃以上とすると粒子の成長l二よって強度が低
下することがあり、また経済的にも不利となるので、こ
れは、1,750〜2,300℃とすることがよい。
ことによって焼結体とされるが−この焼結は常圧または
ガス加汗、プレス加圧などσ)加圧下のいずれで行なっ
てもよい。しかし、この加熱温度についてはこれが低す
ぎると焼結不足となるし一高密度品を得るという目的に
おいてはできるだけ高温とすることがよいが、これを2
,300℃以上とすると粒子の成長l二よって強度が低
下することがあり、また経済的にも不利となるので、こ
れは、1,750〜2,300℃とすることがよい。
また、焼結はこれらを不活性雰囲気下とする必要がある
が、これはアルゴン、窒素−へqクムガスの存在下とす
ればよい。なお−この焼結工程i二先立って前記した成
形品(二ついての切削加工を実施する場合(二は、これ
を必要l1応じ仮焼してもよいが−この温度は1,50
0℃す、」二とすることがよく。
が、これはアルゴン、窒素−へqクムガスの存在下とす
ればよい。なお−この焼結工程i二先立って前記した成
形品(二ついての切削加工を実施する場合(二は、これ
を必要l1応じ仮焼してもよいが−この温度は1,50
0℃す、」二とすることがよく。
この温度を工その機械加工に必要とされる強度に応じて
疋めればよい。
疋めればよい。
他方、本発明の焼結体はこれを上記した炭化げい累の超
微粒子だけで製造すると高価なものとなるので、0れは
市販の平均粒径が5μ以下の炭化けい素粒子を添加して
もよく−これによれば価格面からの工業的な有利性が与
えられる。しかし。
微粒子だけで製造すると高価なものとなるので、0れは
市販の平均粒径が5μ以下の炭化けい素粒子を添加して
もよく−これによれば価格面からの工業的な有利性が与
えられる。しかし。
この種の市販θ)炭化けい素の焼結に当っては前記した
よりな焼結助剤の添加が必要とされ−これについては例
えば0.15〜55〜5重量%累とこの原料粉体中に含
まれる遊離な酸素を除去するための0.1〜5重量%の
炭素の添加が必要とされるのであるが一本発明による場
合C−工上記した炭化けい素の超微粒子100〜50重
v4部に対する市販の炭化げい累添加量を50重量部と
した場合でもこ\に添加すべきは5累量、炭haをそれ
ぞれ0.15矩責係、0.1重量%とすることができ、
これは市販炭化けい素の減量と共(1七の添加量を減じ
ることができるので、この鋤索、炭素の共存l二よる不
利を最少限にすることができるという有利性も与えられ
る。なお、この場合に添加するほう素は金層はう素、は
う素化合物のいずれでもよく。
よりな焼結助剤の添加が必要とされ−これについては例
えば0.15〜55〜5重量%累とこの原料粉体中に含
まれる遊離な酸素を除去するための0.1〜5重量%の
炭素の添加が必要とされるのであるが一本発明による場
合C−工上記した炭化けい素の超微粒子100〜50重
v4部に対する市販の炭化げい累添加量を50重量部と
した場合でもこ\に添加すべきは5累量、炭haをそれ
ぞれ0.15矩責係、0.1重量%とすることができ、
これは市販炭化けい素の減量と共(1七の添加量を減じ
ることができるので、この鋤索、炭素の共存l二よる不
利を最少限にすることができるという有利性も与えられ
る。なお、この場合に添加するほう素は金層はう素、は
う素化合物のいずれでもよく。
またこの炭素吃カーボン粉末あるいは熱分解C二より炭
素を与える有機系高分子化合物のいずれであってもよい
が、その効果的な分散ということからこれは後者のもの
とすることがよく、また、金堕あるいは金庫酸化物を助
剤として使用する場合も通常使用する量より少量の添加
で焼結体となるので、これら助剤の使用による前記した
不都合が改良される。
素を与える有機系高分子化合物のいずれであってもよい
が、その効果的な分散ということからこれは後者のもの
とすることがよく、また、金堕あるいは金庫酸化物を助
剤として使用する場合も通常使用する量より少量の添加
で焼結体となるので、これら助剤の使用による前記した
不都合が改良される。
この市販の炭化けい素を併用する場合の成形。
暁I!jは上記した方法と同じでよいが−この焼結温度
についてはその表面活性の違いl二よって焼結開始温1
隻が高くなるということから1,800〜2.300と
することがよい。
についてはその表面活性の違いl二よって焼結開始温1
隻が高くなるということから1,800〜2.300と
することがよい。
これは要するに1本発明は炭化けい素として特にその結
晶子が50X以下の集合体で粒径が0.01〜1μの超
微粒子状多結晶粒子を使用し。
晶子が50X以下の集合体で粒径が0.01〜1μの超
微粒子状多結晶粒子を使用し。
これを焼結してなるものであるが−これC二よれば密度
が2.4g/c、o、(理論密度の75%)以上のもの
が谷昌C二得られるので、これは強度が必要とされるが
スダーピン翼、自動止用部品として使用できるはか−こ
れはまた特に強度を必要としない放熱用IOi板−各押
反応管などに利用することができる。
が2.4g/c、o、(理論密度の75%)以上のもの
が谷昌C二得られるので、これは強度が必要とされるが
スダーピン翼、自動止用部品として使用できるはか−こ
れはまた特に強度を必要としない放熱用IOi板−各押
反応管などに利用することができる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例1〜9
内径52噛−長さ1.0004Il+のアルミナ製炉心
管を備えた縦型管状電気炉を1,350℃に加熱し。
管を備えた縦型管状電気炉を1,350℃に加熱し。
こ\にテトラメチルジシラン((OH,)4Si□H2
)2容fi%を含む水素を4 Q O,G、7分で導入
して気相熱分解させたところ、第1図(電子顕微鏡の明
視野像)、第2図(第1図の明視野像に対応するβ−8
in(111)回折による電子顕微鏡の暗視野像)に示
した炭化けい素の超微粒子が得られ−この粒子は電子顕
微鏡写真からその結晶子が40久以下であり−その粒径
が0.1〜0.3μの集合体で、37.3rr?/、l
i+の比表面積をもつものであった。
)2容fi%を含む水素を4 Q O,G、7分で導入
して気相熱分解させたところ、第1図(電子顕微鏡の明
視野像)、第2図(第1図の明視野像に対応するβ−8
in(111)回折による電子顕微鏡の暗視野像)に示
した炭化けい素の超微粒子が得られ−この粒子は電子顕
微鏡写真からその結晶子が40久以下であり−その粒径
が0.1〜0.3μの集合体で、37.3rr?/、l
i+の比表面積をもつものであった。
つぎにこの炭化けい累超微粒子15gをこれに何らの焼
結助剤を添加することなしに直径40wnグのホットプ
レス用カーボン型に入れて減圧脱気し、ついでこの系内
なアルゴンガス雰囲気下としてから、 i 00 Kq
/a/lの加圧下(二2,300℃で30分間加熱して
焼結させ一冷却後取り出して。
結助剤を添加することなしに直径40wnグのホットプ
レス用カーボン型に入れて減圧脱気し、ついでこの系内
なアルゴンガス雰囲気下としてから、 i 00 Kq
/a/lの加圧下(二2,300℃で30分間加熱して
焼結させ一冷却後取り出して。
得られた焼結体の密度を測定したところ、これは3.0
0111C,C,(却論密度の93係)で、このもσ】
の比抵抗は100mであった。また、この焼結体の電子
顕微鏡写真は第3図に示したとおりであり−これよ二よ
れば粒の成長もなく、きれいに焼結していることがfN
8’lされる。
0111C,C,(却論密度の93係)で、このもσ】
の比抵抗は100mであった。また、この焼結体の電子
顕微鏡写真は第3図に示したとおりであり−これよ二よ
れば粒の成長もなく、きれいに焼結していることがfN
8’lされる。
なお、上記の炭化けい累超微粉(β−8in)を使用し
、第1表に示したような条件下で焼結したところ、第1
表に併記したとおりの結果が得られ、これらはいずれも
高密度r二焼結された。
、第1表に示したような条件下で焼結したところ、第1
表に併記したとおりの結果が得られ、これらはいずれも
高密度r二焼結された。
また、比較σ)ため市販のβ型炭化けい素〔イビデン(
株)製、比表面積t6i/、li’)およびα型炭化叶
い累〔昭和電工(株)製、比表面積11イ/g〕につい
て、上記第1表に示した条件で焼結したが、この場合に
は高密度の焼結体を得ることができなかった。
株)製、比表面積t6i/、li’)およびα型炭化叶
い累〔昭和電工(株)製、比表面積11イ/g〕につい
て、上記第1表に示した条件で焼結したが、この場合に
は高密度の焼結体を得ることができなかった。
(註)
下記第1表中
BN ・・・ 昭和電工社製−窒化はう累B40 ・・
・ レアメタリック社製−炭化はう素 B ・・・・・・ レアメタリック社製−はう素C・・
・・・・ 群栄化学社製、フエンール朴1脂(炭化収率
55チン をそれぞれ衣す。
・ レアメタリック社製−炭化はう素 B ・・・・・・ レアメタリック社製−はう素C・・
・・・・ 群栄化学社製、フエンール朴1脂(炭化収率
55チン をそれぞれ衣す。
実施例10
実施例1と同じ縦型電気炉を1,050’c+二加熱し
−こ\にテトラメチルジシランlo容雇チを含む水素ガ
スを400 a、c、7分で導入して気相熱分解させた
ところ、結晶子の大きさが20λ以下で粒径が0.5〜
0.6μの球状形状の炭化けい素超微粉末が得られ、こ
れ(汞化表面積が14.2 +n’ / gのものであ
った。
−こ\にテトラメチルジシランlo容雇チを含む水素ガ
スを400 a、c、7分で導入して気相熱分解させた
ところ、結晶子の大きさが20λ以下で粒径が0.5〜
0.6μの球状形状の炭化けい素超微粉末が得られ、こ
れ(汞化表面積が14.2 +n’ / gのものであ
った。
つぎ(ニーこれを実施例1と同極に1.00h/car
の加H二下に1.900℃で30分間加熱して焼結させ
たところ一密1yが2.96(対理論密度92チ)の焼
結体が得られた。
の加H二下に1.900℃で30分間加熱して焼結させ
たところ一密1yが2.96(対理論密度92チ)の焼
結体が得られた。
実方也例11〜15
実施例1で得た炭化けい素のMA微粒子5gに一市販の
β型炭化けいA(イビデン(株)製、比表rff+し’
i 16 rr? / g) 5 g−金属はう素〔レ
アメタリック(株)製)0.0151 フェノール樹脂
〔群栄化学(株)製、炭化収率55%)0.019gお
よびヘギサン70gを加え−これらをポリエチレン製の
ボールミル中で24時間混合したのち−a媒な蒸発除去
し、解砕した。
β型炭化けいA(イビデン(株)製、比表rff+し’
i 16 rr? / g) 5 g−金属はう素〔レ
アメタリック(株)製)0.0151 フェノール樹脂
〔群栄化学(株)製、炭化収率55%)0.019gお
よびヘギサン70gを加え−これらをポリエチレン製の
ボールミル中で24時間混合したのち−a媒な蒸発除去
し、解砕した。
つぎに、これを金型中(二人れて40 X 50 X4
50咽の棒状体に成型し、ラバープレスで1.5Ky
/ caの加圧処理をしたσ〕ち一窒素ガス雰囲気中で
800℃ベニ一時間加熱してフェノール樹脂の炭化処刑
を行なったところ−これに1.57 g/ c、a。
50咽の棒状体に成型し、ラバープレスで1.5Ky
/ caの加圧処理をしたσ〕ち一窒素ガス雰囲気中で
800℃ベニ一時間加熱してフェノール樹脂の炭化処刑
を行なったところ−これに1.57 g/ c、a。
の密度をもつものとなった。
ついで−こθ)試料をカーボンダイス中に入れ。
アルゴンガスr、J%’−囲気に2,000℃で1時間
加熱焼結させたところ、密度が2.63 ji/C’、
、0. (対理論密度82%)の焼結体が得られ、これ
は比抵、抗が1o Qcrnでル)った。
加熱焼結させたところ、密度が2.63 ji/C’、
、0. (対理論密度82%)の焼結体が得られ、これ
は比抵、抗が1o Qcrnでル)った。
また、上記において炭化けい素超微粒子(んとβ型炭化
けいtlBlの配合比を変えた場合、またこのβや炭化
けい素をα型炭化けい素(C)〔昭和゛「八工(株)製
、比表面積11m’/g〕とした場合について、上記と
同じよう(二して焼結体を作ったところ一つぎの第2表
に示したとおりの結果が優られた。
けいtlBlの配合比を変えた場合、またこのβや炭化
けい素をα型炭化けい素(C)〔昭和゛「八工(株)製
、比表面積11m’/g〕とした場合について、上記と
同じよう(二して焼結体を作ったところ一つぎの第2表
に示したとおりの結果が優られた。
:優
謙
なお、比較のため上記の実施例1oにおいて、炭化けい
素超微粒子を使用せず、炭化けい素として市販のβ型炭
化けい素のみを使用して一同一の条件で成形し、加圧加
熱したところ−この場合に得られたものはその密度がx
、8011/a、a、であり。
素超微粒子を使用せず、炭化けい素として市販のβ型炭
化けい素のみを使用して一同一の条件で成形し、加圧加
熱したところ−この場合に得られたものはその密度がx
、8011/a、a、であり。
焼結体とはならなかった。
4゜
実施例16
実施例1(二おけるテトラメチルジシランをジメチJL
v −7ン((Of(3)281H2) に代え一同様
に処坤して得た結晶子が40’A以下の集合体で粒径が
0.2〜0.8μ、比表面積が43.9rr?/9であ
る炭化ケい素の超微粒子30gを、メチルセルロースM
O−400(当社製、商品名〕1gとグリセリン1gと
を水6gに溶解した溶液中に分散させて3本ロールで混
合し、シート状体として取り出した。
v −7ン((Of(3)281H2) に代え一同様
に処坤して得た結晶子が40’A以下の集合体で粒径が
0.2〜0.8μ、比表面積が43.9rr?/9であ
る炭化ケい素の超微粒子30gを、メチルセルロースM
O−400(当社製、商品名〕1gとグリセリン1gと
を水6gに溶解した溶液中に分散させて3本ロールで混
合し、シート状体として取り出した。
つぎにこのシー)を50X2X50mの形状に切断して
から窒素ガス中1.200℃で1時間仮焼し一ついでこ
のび素ノ、tス雰囲気中で1時間。
から窒素ガス中1.200℃で1時間仮焼し一ついでこ
のび素ノ、tス雰囲気中で1時間。
2.300℃で7ハ1十現結を打なったところ、密度が
2、65 、iil / 0.0. (’jq理論密度
83チ)のシートが得られた。
2、65 、iil / 0.0. (’jq理論密度
83チ)のシートが得られた。
第1図−第2図は本発明の焼結体の原料とされる炭化け
い累超依粒子の76子顧徽鏡写真を示したもので、第1
図はその明視野像−第2因はそのβ−8in(111)
回折シニよる暗視野像であり。 第3図は本発明の焼結体の電子顕微鏡写真像を示したも
のである。 第1図 第2図 第3 図・ 第1頁の続き 0発 明 者 銘木 仁一部 武生市北府2ゴ料技術研
究所− 0発 明 者 戸 出 孝 武生市北府2ゴ料技術研究
所V 411− 一目1番5号 信越化学工業株式会社磁性材一目1番5
号 信越化学工業株式会社磁性材手続補正書 昭和58年1:)9月7日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ]、事件の表示 昭和58年特許願第155910号 2、発明の名称 炭化けい素焼給体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 理
人 1)明佃個@10頁18行の「水素を400.0.7分
で」乞「水素3000.0.7分を窒素100QC1,
7分と共に」と補正する。 2)明fIHN第11頁6行の「0.1〜0.3μ」を
rO,01〜0.3μJと補正する。 3)図面の「第1図」および「第2図」を別紙のとおり
に補正する。 手続補正書 昭和58年11J]141」 特許庁長官若杉和夫 殿 昭和58年特許願第155910号 2、発明の名称 炭化けい素焼 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 〕l
j 人 3、補正の月象 明細書 l)明細N第1〜2ページにおける特許請求の範囲の欄
を別紙のとSりに補正する。 2)明細書第4ベー、)10行C二おける「2,300
℃」をl’−2,500’CJと補正する。 3)明ηむj書第7ページの12行および15行ζ:8
ける「2,300℃」をそれぞれ12,500℃」と補
正する。 4)明細書第9ページ25行の「遊離な酸素」を「遊離
の酸素」と補正する。 5)明細書第9ページ2行(二おける「0.15重量%
、()、1取量%」を「0.15爪量%以下、0.1取
量%以下」と補正する。 6)明細!!10ページ2行におけるl’−2,300
°C」をr2.’500℃」と補正する。 7)明仙溌第12ページ2行(二おける[(μm5iO
月を[(β−5ic月と補正する。 特許請求の範囲 16 結晶子が50A以下からなる集合体で、平均粒径
が0.01〜1μである球状形状をもつ炭化けい素の超
微粒状多結晶粒子を不活性雰囲気下C1,750〜2,
500″Cの温1狭で゛廃酸してなることを特徴とする
炭化けい素焼粘体。 2、炭化けい素の超微粒状多結晶粒子が一般式%式% +2)で示されるメチルハイドロジエンシラン類を75
0〜1,600℃の/Q度で気相熱分解させて得られた
ものである特許請求の・亀門第1項記載の炭化けい素焼
粘体。 3、結晶子が50A以下からなる集合体で、平均粒下の
炭化けい素数粉末0,5〜50重欲部、b)0.15a
量部以下の硼素または硼素電として0.15爪惧部思下
に相当する1の硼素化合物、clo、1重量部以下の炭
素または炭素量として0.1−東1硅部以下に相当°r
る量の炭素化合物を添加したものを不活性雰囲気下にl
、 750〜2.500℃の温度で焼成してなることを
特徴とする炭化けい素焼粘体。
い累超依粒子の76子顧徽鏡写真を示したもので、第1
図はその明視野像−第2因はそのβ−8in(111)
回折シニよる暗視野像であり。 第3図は本発明の焼結体の電子顕微鏡写真像を示したも
のである。 第1図 第2図 第3 図・ 第1頁の続き 0発 明 者 銘木 仁一部 武生市北府2ゴ料技術研
究所− 0発 明 者 戸 出 孝 武生市北府2ゴ料技術研究
所V 411− 一目1番5号 信越化学工業株式会社磁性材一目1番5
号 信越化学工業株式会社磁性材手続補正書 昭和58年1:)9月7日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ]、事件の表示 昭和58年特許願第155910号 2、発明の名称 炭化けい素焼給体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 理
人 1)明佃個@10頁18行の「水素を400.0.7分
で」乞「水素3000.0.7分を窒素100QC1,
7分と共に」と補正する。 2)明fIHN第11頁6行の「0.1〜0.3μ」を
rO,01〜0.3μJと補正する。 3)図面の「第1図」および「第2図」を別紙のとおり
に補正する。 手続補正書 昭和58年11J]141」 特許庁長官若杉和夫 殿 昭和58年特許願第155910号 2、発明の名称 炭化けい素焼 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 〕l
j 人 3、補正の月象 明細書 l)明細N第1〜2ページにおける特許請求の範囲の欄
を別紙のとSりに補正する。 2)明細書第4ベー、)10行C二おける「2,300
℃」をl’−2,500’CJと補正する。 3)明ηむj書第7ページの12行および15行ζ:8
ける「2,300℃」をそれぞれ12,500℃」と補
正する。 4)明細書第9ページ25行の「遊離な酸素」を「遊離
の酸素」と補正する。 5)明細書第9ページ2行(二おける「0.15重量%
、()、1取量%」を「0.15爪量%以下、0.1取
量%以下」と補正する。 6)明細!!10ページ2行におけるl’−2,300
°C」をr2.’500℃」と補正する。 7)明仙溌第12ページ2行(二おける[(μm5iO
月を[(β−5ic月と補正する。 特許請求の範囲 16 結晶子が50A以下からなる集合体で、平均粒径
が0.01〜1μである球状形状をもつ炭化けい素の超
微粒状多結晶粒子を不活性雰囲気下C1,750〜2,
500″Cの温1狭で゛廃酸してなることを特徴とする
炭化けい素焼粘体。 2、炭化けい素の超微粒状多結晶粒子が一般式%式% +2)で示されるメチルハイドロジエンシラン類を75
0〜1,600℃の/Q度で気相熱分解させて得られた
ものである特許請求の・亀門第1項記載の炭化けい素焼
粘体。 3、結晶子が50A以下からなる集合体で、平均粒下の
炭化けい素数粉末0,5〜50重欲部、b)0.15a
量部以下の硼素または硼素電として0.15爪惧部思下
に相当する1の硼素化合物、clo、1重量部以下の炭
素または炭素量として0.1−東1硅部以下に相当°r
る量の炭素化合物を添加したものを不活性雰囲気下にl
、 750〜2.500℃の温度で焼成してなることを
特徴とする炭化けい素焼粘体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、結晶子が50X以−トからなる集合体で一平均粒径
が0.01〜1μである球状形状をもつ炭化けい素σ)
超微粒状多結晶粒子を不活+!1.存囲気下に]、、7
50〜2.コ300℃σ〕温川で焼成し用なることを特
徴とする/、Q化けい素IJ’il起体。 2、炭化けい素の超微粒状多結晶粒子が一般式%式% 十2)で示されるメチルハイドロジエンシラン類を75
0〜1..600℃の温度で気相熱分解させて得られた
ものである”4許請求の範囲第1項記載の炭化けい素焼
給体。 3、灰化けい素の超微粒状多結晶粒子100〜50重墳
部Ca)平均粒径5μ以)の炭化けい素倣粉0〜50車
量部−b)硼素)ilとして()〜0.15市尾部の硼
素または硼素化合物およびC)炭抛0〜01事量部を添
加したものである特許請求の範囲第1項記載の炭化叶い
!/:焼結体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155910A JPS6046974A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 炭化けい素焼結体 |
EP83112256A EP0143122A3 (en) | 1983-08-26 | 1983-12-06 | An ultrafine powder of silcon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155910A JPS6046974A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 炭化けい素焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6046974A true JPS6046974A (ja) | 1985-03-14 |
JPS63392B2 JPS63392B2 (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15616181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58155910A Granted JPS6046974A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 炭化けい素焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6046974A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046912A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 超微粒子状炭化けい素の製造方法 |
JPS61251572A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社日立製作所 | 炭化珪素焼結体およびその製法 |
JPS62472U (ja) * | 1985-06-19 | 1987-01-06 | ||
JPS62260772A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高純度炭化珪素焼結体の製造方法 |
JPS638263A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-14 | 新技術事業団 | SiC超微粉焼結体の製造法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57170877A (en) * | 1975-06-30 | 1982-10-21 | Gen Electric | Substantially homogeneous submicron particle mixture for silicon carbide sintered body manufacture |
JPS57183369A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-11 | Sumitomo Electric Industries | Manufacture of non-oxide ceramics |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58155910A patent/JPS6046974A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57170877A (en) * | 1975-06-30 | 1982-10-21 | Gen Electric | Substantially homogeneous submicron particle mixture for silicon carbide sintered body manufacture |
JPS57183369A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-11 | Sumitomo Electric Industries | Manufacture of non-oxide ceramics |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046912A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 超微粒子状炭化けい素の製造方法 |
JPH0121090B2 (ja) * | 1983-08-26 | 1989-04-19 | Shinetsu Chem Ind Co | |
JPS61251572A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社日立製作所 | 炭化珪素焼結体およびその製法 |
JPS62472U (ja) * | 1985-06-19 | 1987-01-06 | ||
JPS62260772A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高純度炭化珪素焼結体の製造方法 |
JPH0455142B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1992-09-02 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | |
JPS638263A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-14 | 新技術事業団 | SiC超微粉焼結体の製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63392B2 (ja) | 1988-01-06 |
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