JPS6042843A - 半導体ウェファ - Google Patents
半導体ウェファInfo
- Publication number
- JPS6042843A JPS6042843A JP58151871A JP15187183A JPS6042843A JP S6042843 A JPS6042843 A JP S6042843A JP 58151871 A JP58151871 A JP 58151871A JP 15187183 A JP15187183 A JP 15187183A JP S6042843 A JPS6042843 A JP S6042843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- semiconductor wafer
- scribe line
- pellet
- metal coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェア７に関する。
従来、蒸着配線された半導本ウェファは、機械的な接触
探釧を有する、いわゆるマルチプローブ装置によって特
性試験が行なわれる。この特性試験を行なう場合、先ず
最初に半導体ウェファを試験装置による試験位置に設定
することが必要である。そのためには半導体ウェファを
設置した場合、その設置位１冒か読取り可能であること
および読取った位置にしたがってその設置位置が調整自
在であることか必要である。このようにすれば半導体ウ
ェファを所要の試験位置に設置することかでｂ、いった
ん設置されたあとは前記試験装置の自動運転にしたがっ
て個・々のチップにつき、所要の試験か自動的かつ連続
的に可能となる。設置位置の読みとりは、半導体ウェフ
ァ上の任意の基点（又は基線）を選び、これを光学的に
読みとるようにし、この読取り位置の、縦方向及び横方
向の基準線からの位置を知れば可能である。
探釧を有する、いわゆるマルチプローブ装置によって特
性試験が行なわれる。この特性試験を行なう場合、先ず
最初に半導体ウェファを試験装置による試験位置に設定
することが必要である。そのためには半導体ウェファを
設置した場合、その設置位１冒か読取り可能であること
および読取った位置にしたがってその設置位置が調整自
在であることか必要である。このようにすれば半導体ウ
ェファを所要の試験位置に設置することかでｂ、いった
ん設置されたあとは前記試験装置の自動運転にしたがっ
て個・々のチップにつき、所要の試験か自動的かつ連続
的に可能となる。設置位置の読みとりは、半導体ウェフ
ァ上の任意の基点（又は基線）を選び、これを光学的に
読みとるようにし、この読取り位置の、縦方向及び横方
向の基準線からの位置を知れば可能である。
従来から、この基線としてスクライブラインを使用して
いる。このスクライブラインは、半導体ウェファを基盤
目状にスクライブするためのものであり、従来のスクラ
イブラインについて説明する。第１図は従来の半導本ウ
ェファ（Ａ）の平面図であり、スクライブライン（ａ）
が基盤目状に形成されている。第２図（、）は、第１図
の半導体ウェファ（Ａ）の部分拡大図であり、第２図（
ｌ〕）は第２図（ａ）の■−■線に沿う断面図である。
いる。このスクライブラインは、半導体ウェファを基盤
目状にスクライブするためのものであり、従来のスクラ
イブラインについて説明する。第１図は従来の半導本ウ
ェファ（Ａ）の平面図であり、スクライブライン（ａ）
が基盤目状に形成されている。第２図（、）は、第１図
の半導体ウェファ（Ａ）の部分拡大図であり、第２図（
ｌ〕）は第２図（ａ）の■−■線に沿う断面図である。
このスクライブラインａはプラズマエツチングにより形
成されるものであるため、そのｉｂかスクライブライン
方向に対して凹凸が激しい形状となっている。
成されるものであるため、そのｉｂかスクライブライン
方向に対して凹凸が激しい形状となっている。
このようなスクライブラインＥｌに基線検出のために光
を照射し、その反射光によりスクライブラインａを検出
しようとしてもその光が前記凹凸の縁ｌ）により乱反射
が生じ、このためその検出の信号Ｃの波形が第２図（ｃ
）のように変化する。即ち、基線検出信号０の検出中心
位置ｄと、スクライブラインａの中心位置ｅとが一致せ
ず両位置ｄ、 ｅ開に距離ｆの誤差が生じる。したがっ
て従来例で′は基線をスクライブラインによって検出さ
せる場合には、帖線検出信号Ｃによる検出中心位置ｄを
、スクライブラインａの中心位Ｎｅとして検出するとき
に検出ミスが生じ易く、また上記両位置ｄ。
を照射し、その反射光によりスクライブラインａを検出
しようとしてもその光が前記凹凸の縁ｌ）により乱反射
が生じ、このためその検出の信号Ｃの波形が第２図（ｃ
）のように変化する。即ち、基線検出信号０の検出中心
位置ｄと、スクライブラインａの中心位置ｅとが一致せ
ず両位置ｄ、 ｅ開に距離ｆの誤差が生じる。したがっ
て従来例で′は基線をスクライブラインによって検出さ
せる場合には、帖線検出信号Ｃによる検出中心位置ｄを
、スクライブラインａの中心位Ｎｅとして検出するとき
に検出ミスが生じ易く、また上記両位置ｄ。
ｅの差を考慮して両位置の一致を行うようにする。
と検出に長時間要することになる等の難点があった。
本発明は、上述の技術的課題を解決し、半導体ウェファ
のチップの特性試験のための位置検出か容易な半導体ウ
ェファを提供することを目的とする。
本発明は、上述の技術的課題を解決し、半導体ウェファ
のチップの特性試験のための位置検出か容易な半導体ウ
ェファを提供することを目的とする。
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第３図は本発明の一実施例の平面図であり、菓４
図はその一部の拡大した平面図であり、第５図は第２図
に対応した図であり、第５図（、）はスクライブライン
（２）の破線円（Ｂ）の拡大平面図、第５図（１））は
第５図（、）のＶ−Ｖ線に沿う断面図、第５図（ｃ）は
マルチプローブ装置の基線検出信号を示す。
する。第３図は本発明の一実施例の平面図であり、菓４
図はその一部の拡大した平面図であり、第５図は第２図
に対応した図であり、第５図（、）はスクライブライン
（２）の破線円（Ｂ）の拡大平面図、第５図（１））は
第５図（、）のＶ−Ｖ線に沿う断面図、第５図（ｃ）は
マルチプローブ装置の基線検出信号を示す。
本発明に従う半導体ウェファ（１）には、溝状のスクラ
イブライン（２）に沿って、かつスクライブライン（２
）の中央部（２ａ）を除いてアルミニウムなどの金属被
膜（３）がたとえばフォトエツチングなどの手法によっ
て形成されている。この金属被膜（３）は、第５図（ｂ
）に示されるようにスクライブライン（２）から半導体
チップ（４）の周縁まで延在する。この金属被膜（３）
は、スクライブライン（２）に沿って基盤目状に形成さ
れる。
イブライン（２）に沿って、かつスクライブライン（２
）の中央部（２ａ）を除いてアルミニウムなどの金属被
膜（３）がたとえばフォトエツチングなどの手法によっ
て形成されている。この金属被膜（３）は、第５図（ｂ
）に示されるようにスクライブライン（２）から半導体
チップ（４）の周縁まで延在する。この金属被膜（３）
は、スクライブライン（２）に沿って基盤目状に形成さ
れる。
このように本発明に従う半導体ウェファ（１）では、ス
クライブライン（２）の中央部（２ａ）を除いて金属被
膜（３）を形成したので、スクライブライン（２）を半
導体ウェア７上の基線としてマルチプローブ装置によっ
て特性試験を行なう場合にスクライブライン（２）で光
が乱反射することがない。その結果第５図（’Ｃ）に示
されるように基線検出信号（７）が示す検出中心（９）
と真の中心（８）とは正確に一致し、これにより位置検
出が確実に行われることになる。なお、この金属被膜（
３）が形成篩た部分に一定の表示、たとえばコード番号
や、フェイルマークの表示を行なうことが可能となる。
クライブライン（２）の中央部（２ａ）を除いて金属被
膜（３）を形成したので、スクライブライン（２）を半
導体ウェア７上の基線としてマルチプローブ装置によっ
て特性試験を行なう場合にスクライブライン（２）で光
が乱反射することがない。その結果第５図（’Ｃ）に示
されるように基線検出信号（７）が示す検出中心（９）
と真の中心（８）とは正確に一致し、これにより位置検
出が確実に行われることになる。なお、この金属被膜（
３）が形成篩た部分に一定の表示、たとえばコード番号
や、フェイルマークの表示を行なうことが可能となる。
また、この金属被膜（３）は、外部からのイオン注入を
防１１−する力−ドにもなる。さらに金属被膜（３）を
全面に形成した場合にはシールド効果も有することにな
る。
防１１−する力−ドにもなる。さらに金属被膜（３）を
全面に形成した場合にはシールド効果も有することにな
る。
前述の実施例では、金属被膜（３）としてアルミニウム
について述べたけれども、本発明の飢の実施例として、
タンタルを蒸着して形成してもよく、これによって半導
体ウェア７（１）をスクライブすると外のダイサの目詰
まりを防ぐことが可能となる。この蒸着の代わりにスパ
ッタリングによって金属被膜（３）を形成してもよい。
について述べたけれども、本発明の飢の実施例として、
タンタルを蒸着して形成してもよく、これによって半導
体ウェア７（１）をスクライブすると外のダイサの目詰
まりを防ぐことが可能となる。この蒸着の代わりにスパ
ッタリングによって金属被膜（３）を形成してもよい。
なお、スクライブラインの認識手段としては、レーザを
用いたものがあるが、テレビやＣ，Ｃ，Ｄ、を用いるこ
ともできる。
用いたものがあるが、テレビやＣ，Ｃ，Ｄ、を用いるこ
ともできる。
以上のように本発明によれば、スクライブラインに沿っ
て、かつ該スクライブラインの中央部を除いて金属被膜
を形成したので、スクライブラインに照射された光が乱
反射することかなく、これによって半導体ウェア７のチ
ップの特性試験の位置検出が確実に、しかも容易に可能
となる。さらに金属被膜の部分に、一定のマークを表示
することが可能となる。
て、かつ該スクライブラインの中央部を除いて金属被膜
を形成したので、スクライブラインに照射された光が乱
反射することかなく、これによって半導体ウェア７のチ
ップの特性試験の位置検出が確実に、しかも容易に可能
となる。さらに金属被膜の部分に、一定のマークを表示
することが可能となる。
第１図および第２図は従来例を示し、第１図は平面図、
第２図（ａ）は第１図の部分拡大図、第２図（１））は
第２図（８）の■−■線に沿う断面図、第２図（Ｃ）は
基線検出信号を示す波形図、第３図〜第５図は本発明の
一実施例を示し、第３図は平面図、第４図は第３図の部
分拡大図、第５図は第２プ 出願人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士 岡 １）和 秀 第１図 第３図 第２図 第４ＩＡ ９七
第２図（ａ）は第１図の部分拡大図、第２図（１））は
第２図（８）の■−■線に沿う断面図、第２図（Ｃ）は
基線検出信号を示す波形図、第３図〜第５図は本発明の
一実施例を示し、第３図は平面図、第４図は第３図の部
分拡大図、第５図は第２プ 出願人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士 岡 １）和 秀 第１図 第３図 第２図 第４ＩＡ ９七
Claims (1)
- （１）スクライブラインに沿って、かつ該スクライブラ
インの中央部を除いて金属被膜を形成してなる半導１本
・ンエフ７゜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151871A JPS6042843A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウェファ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151871A JPS6042843A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウェファ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042843A true JPS6042843A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15528034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151871A Pending JPS6042843A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウェファ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042843A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297994A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-12-05 | ボルジヒ ゲーエムベーハー | 分解ガスを冷却するための熱交換器 |
| EP0480775A2 (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-15 | Seiko Instruments Inc. | An image sensor and a method of inspecting image sensors |
| JPH07305975A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Schmidt Sche Heissdampf Gmbh | 熱交換器 |
| JP2016018952A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152248A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pellet |
| JPS57188844A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58151871A patent/JPS6042843A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152248A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pellet |
| JPS57188844A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297994A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-12-05 | ボルジヒ ゲーエムベーハー | 分解ガスを冷却するための熱交換器 |
| EP0480775A2 (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-15 | Seiko Instruments Inc. | An image sensor and a method of inspecting image sensors |
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
| JPH07305975A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Schmidt Sche Heissdampf Gmbh | 熱交換器 |
| JP2016018952A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7213447B2 (en) | Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates | |
| JP2003060120A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003060119A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20080072388A (ko) | 식별 영역을 이용하여 정상 다이를 선별하는 방법 | |
| JPH0442944A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6042843A (ja) | 半導体ウェファ | |
| KR20070070485A (ko) | 국부적 결함 발생 웨이퍼 검출 방법 | |
| JP3346744B2 (ja) | メッキ成長装置及びメッキ成長方法 | |
| JP2003318335A (ja) | 半導体装置、その製造方法、及び半導体装置の位置測定方法 | |
| KR20050067992A (ko) | 웨이퍼의 파티클 검출 장치 및 방법 | |
| JPH0595034A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62105438A (ja) | 半導体ウエ−ハ表面検査方法 | |
| JPS5828862A (ja) | テ−プキヤリア | |
| JPH0684755A (ja) | アライメントマークの検出装置とその検出方法 | |
| KR200177315Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 표면검사장치 | |
| KR100478200B1 (ko) | 피크 타입의 결함표준시료 | |
| KR20050060177A (ko) | 웨이퍼의 표면 검사 방법 | |
| JPH04130643A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0424937A (ja) | 欠陥検査装置およびそれを備えたプローバ | |
| CN116705640A (zh) | 一种测试方法 | |
| JP2001345369A (ja) | 基板センサおよび基板検知方法 | |
| KR20040022588A (ko) | 웨이퍼 측면부 손상 검출기 | |
| JPS6235541A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR20060002338A (ko) | 막 두께 측정장비의 웨이퍼 스테이지 | |
| JPH05259021A (ja) | ウエハアライメントマークの形成方法 |