JPS6039813A - 薄膜コイルの形成方法 - Google Patents
薄膜コイルの形成方法Info
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- JPS6039813A JPS6039813A JP14654783A JP14654783A JPS6039813A JP S6039813 A JPS6039813 A JP S6039813A JP 14654783 A JP14654783 A JP 14654783A JP 14654783 A JP14654783 A JP 14654783A JP S6039813 A JPS6039813 A JP S6039813A
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- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの一部を成す金属薄膜から成る
薄膜コイルの形成方法に関する。
薄膜コイルの形成方法に関する。
近年、磁気記録密度向上の要望が高まっておシ、これに
対応するべく、磁気ヘッドの小形化が図られている。具
体的には、磁気ヘッドを薄膜化して形成するものである
。第１図にこの薄膜磁気ヘッドの一例を示す。図におけ
る薄膜磁気ヘッド（ｌＯ）は、ひとつの磁性体基板（１
）上に複数の磁気ヘッドが形成されて成る、いわゆるマ
ルチヘッドが例示されている。フェライト等の磁性体基
板（１）上には、５ｔＯ２等からなる絶縁層（２）が積
層されており、この絶縁層（２）上には、パーマロイ等
の磁性薄膜（３）が狽層されている。この磁性薄膜（３
）の先端部（３ａ）は前記絶縁層（２）を介しこれを磁
気ギャップとして前記磁性体基板（１）に対向しており
、他端（３ｂ）は基板（１）と直に接触している。この
磁性薄膜（３）ならびに基板（１）とによ多形成される
リング状の磁気コア（４）には、金属薄膜からなる薄膜
コイル（５）が巻回されている。
対応するべく、磁気ヘッドの小形化が図られている。具
体的には、磁気ヘッドを薄膜化して形成するものである
。第１図にこの薄膜磁気ヘッドの一例を示す。図におけ
る薄膜磁気ヘッド（ｌＯ）は、ひとつの磁性体基板（１
）上に複数の磁気ヘッドが形成されて成る、いわゆるマ
ルチヘッドが例示されている。フェライト等の磁性体基
板（１）上には、５ｔＯ２等からなる絶縁層（２）が積
層されており、この絶縁層（２）上には、パーマロイ等
の磁性薄膜（３）が狽層されている。この磁性薄膜（３
）の先端部（３ａ）は前記絶縁層（２）を介しこれを磁
気ギャップとして前記磁性体基板（１）に対向しており
、他端（３ｂ）は基板（１）と直に接触している。この
磁性薄膜（３）ならびに基板（１）とによ多形成される
リング状の磁気コア（４）には、金属薄膜からなる薄膜
コイル（５）が巻回されている。
薄ｗＸ：フイル（５）は図にオイては、コイ＃ （５ａ
）、 （５ｂ）からなる２層巻線となっており、両コイ
ル（５Ｍ）。
）、 （５ｂ）からなる２層巻線となっており、両コイ
ル（５Ｍ）。
（５ｂ）はそれぞれ端部（５Ｃ）、 （５ｄ）において
接続され、全体として２ターンコイルを形成している。
接続され、全体として２ターンコイルを形成している。
コイル（５ａ）、 （５ｂ）は絶縁膜（６ａ）、 （６
ｂ） Ｋ ヨ、９覆ワレテおシ、両コイル相互間および
磁気コア（４）間の絶縁性が保たれている。また、磁性
薄膜（３）の上部は絶縁性の保護膜（力により覆われて
いる。
ｂ） Ｋ ヨ、９覆ワレテおシ、両コイル相互間および
磁気コア（４）間の絶縁性が保たれている。また、磁性
薄膜（３）の上部は絶縁性の保護膜（力により覆われて
いる。
さて、上記の如き構成の薄膜磁気ヘッド（ＩＱにおいて
は、例えばトラックピッチを１００μｍ、 ）ラック幅
を７０μｍに設定した場合、コイル幅は最大でｉｏμｍ
程度とせざるを得ない。また、コイル（５）の材質は加
工のしやすさ、価格の点からＡＬを用いるのが普通であ
るが、この場合、安定使用電流密度５ ｘ １０’Ａ／
ｃ１ｒＬ”を満足させるためにはＡｌＩ３）厚すヲ３μ
ｍ程度にする必要がある。Ａｊ−薄膜を微細加工し薄膜
コイルとするには、従来、Ａ１薄膜上にフォトレジスト
を塗布し、これを所望のコイル形状にパターン化しマス
クを形成し、ＣＣＵ−、、Ｃｌ−、、１３ｃＬｓ等のガ
スを用いて反応性イオンエツチングでＡＪ−薄膜を所望
のコイル形状に形成するのが一般でおる。
は、例えばトラックピッチを１００μｍ、 ）ラック幅
を７０μｍに設定した場合、コイル幅は最大でｉｏμｍ
程度とせざるを得ない。また、コイル（５）の材質は加
工のしやすさ、価格の点からＡＬを用いるのが普通であ
るが、この場合、安定使用電流密度５ ｘ １０’Ａ／
ｃ１ｒＬ”を満足させるためにはＡｌＩ３）厚すヲ３μ
ｍ程度にする必要がある。Ａｊ−薄膜を微細加工し薄膜
コイルとするには、従来、Ａ１薄膜上にフォトレジスト
を塗布し、これを所望のコイル形状にパターン化しマス
クを形成し、ＣＣＵ−、、Ｃｌ−、、１３ｃＬｓ等のガ
スを用いて反応性イオンエツチングでＡＪ−薄膜を所望
のコイル形状に形成するのが一般でおる。
この手法により、３μｍ厚のＡＪ薄膜を加工した場合に
は、以下の如き問題点が発生する。
は、以下の如き問題点が発生する。
すなわち、上記の反応性イオンエツチングではＡ１と７
オトレジストの選択比は３：１程度であるが、実際には
ＡＬの表面には酸化膜が存在しており、この酸化膜のエ
ツチングレイトが小さいため、３μｍ程度のＡＪをエツ
チングするためには、フォトレジストの厚さは２μｍ程
度が必要とされる。しかしながら、レジストの厚さが２
μｍ程度となると、フォトレジストをパターン化する際
の露光時における光のまわシ込みにより解像度が低下し
てしまい、精度の高いフォトレジストマスクを形成する
のが困難とｋる。
オトレジストの選択比は３：１程度であるが、実際には
ＡＬの表面には酸化膜が存在しており、この酸化膜のエ
ツチングレイトが小さいため、３μｍ程度のＡＪをエツ
チングするためには、フォトレジストの厚さは２μｍ程
度が必要とされる。しかしながら、レジストの厚さが２
μｍ程度となると、フォトレジストをパターン化する際
の露光時における光のまわシ込みにより解像度が低下し
てしまい、精度の高いフォトレジストマスクを形成する
のが困難とｋる。
また、薄膜コイル（５）を第１図のように多ターン化し
て設ける場合には、コイル（５ａ）、 （５ｂ）間には
絶縁膜（５Ｃ）が必要となる。この絶縁膜（５Ｃ）の厚
さは、コイル（５ａ）、 （５ｂ）間の絶縁性を良好に
保つためには３μｍ程度の厚さが必要とされる。この絶
縁膜（５Ｃ）をスパッタリング、 ＣＶＤ等の方法でＳ
ｉｎ、。
て設ける場合には、コイル（５ａ）、 （５ｂ）間には
絶縁膜（５Ｃ）が必要となる。この絶縁膜（５Ｃ）の厚
さは、コイル（５ａ）、 （５ｂ）間の絶縁性を良好に
保つためには３μｍ程度の厚さが必要とされる。この絶
縁膜（５Ｃ）をスパッタリング、 ＣＶＤ等の方法でＳ
ｉｎ、。
５ＩＮ４等を積層して形成するには多大の時間を要する
上映自体も剥離しやすい。このため、絶縁膜（５Ｃ）は
、フォトレジスト、ボリミイド等を塗布、硬イヒさせて
得るのが従来一般の方法である。し力駕しながら、この
ときＡＪ薄膜をエツチングする際マスクとして用いたフ
ォトレジストを完全に取シ去らないと絶縁膜（５Ｃ）と
してのフォトレジスト、ボＩＪミイド等の付着力が劣化
し、剥離を生じやすい。またマスクとしてのフォトレジ
ストを完全にＶＪｉ去するためには、エツチングの時間
を比較的長くすればよいが、均一なエツチングは困難で
あるため長時間のエツチングは、マスク下のＡＪ、薄膜
をも一部除去する結果となる。
上映自体も剥離しやすい。このため、絶縁膜（５Ｃ）は
、フォトレジスト、ボリミイド等を塗布、硬イヒさせて
得るのが従来一般の方法である。し力駕しながら、この
ときＡＪ薄膜をエツチングする際マスクとして用いたフ
ォトレジストを完全に取シ去らないと絶縁膜（５Ｃ）と
してのフォトレジスト、ボＩＪミイド等の付着力が劣化
し、剥離を生じやすい。またマスクとしてのフォトレジ
ストを完全にＶＪｉ去するためには、エツチングの時間
を比較的長くすればよいが、均一なエツチングは困難で
あるため長時間のエツチングは、マスク下のＡＪ、薄膜
をも一部除去する結果となる。
以上、従来の方法によれば薄膜コイルを精度良く形成す
ることはなかなかに困難であった。
ることはなかなかに困難であった。
本発明は上記の問題点に鑑み、精度良く薄膜コイルを形
成することのできる薄膜コイルの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
成することのできる薄膜コイルの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の薄膜コイルの形成方法は、加工すべき金属薄膜
上に１もしくは２層以上の薄膜層を積１−し、この薄膜
層を順次所望のコイル形状に加工し、最終的に所望のコ
イル形状に前記金属薄膜をエツチングし薄膜コイルを形
成する方法である。
上に１もしくは２層以上の薄膜層を積１−し、この薄膜
層を順次所望のコイル形状に加工し、最終的に所望のコ
イル形状に前記金属薄膜をエツチングし薄膜コイルを形
成する方法である。
以下、第２図を用い、本発明の薄膜コイルの形成方法の
一実施例を説明する。例として第１図に示した薄膜コイ
ル（５ａ）の形成方法について述べる。
一実施例を説明する。例として第１図に示した薄膜コイ
ル（５ａ）の形成方法について述べる。
まず、第２図（ａ）に示す如く磁性体基板（１）上に積
層された絶縁膜（２）上に膜厚３μｍ程度のＡＪ薄膜（
５０）をスパッタ蒸着等の手段により積層し、次いで、
このＡＪ−薄膜（５０）上にＳ ！０１Ｌ膜（８）を０
．６μｍ程度積層する。
層された絶縁膜（２）上に膜厚３μｍ程度のＡＪ薄膜（
５０）をスパッタ蒸着等の手段により積層し、次いで、
このＡＪ−薄膜（５０）上にＳ ！０１Ｌ膜（８）を０
．６μｍ程度積層する。
さらに、 Ｓｉｎ、膜（８）上に７オトレジストを塗布
し、これを露光によシ所望のコイル形状にパターン化し
マスク（９）を形成する。このときのフォトレジスＦの
膜厚は０．３μｍ程度で良い。
し、これを露光によシ所望のコイル形状にパターン化し
マスク（９）を形成する。このときのフォトレジスＦの
膜厚は０．３μｍ程度で良い。
この第２図（ａ）に示す状態で、第１回目の反応性イオ
ンエツチングを行う。このときのエツチングはＳｉｎ、
膜（８）をエツチングするために行われるもので、使用
される反応性ガスはＣＦ、とＨ７の混合ガスである。こ
の反応性ガスによるフォトレジストと８ｉ０．の選択比
は１：３であるため、０．６ｐｍ厚ノ８ｉ０゜膜（８）
がエッチンングされた時点では、０．３μｍ厚のフォト
レジストマスク（９）は消失しており、 ８ｉ０．膜（
８）は所望のコイル形状に形成されている。なお、ＣＦ
４とＨ２の混合ガスはＡＬに対しては極めて不活性であ
るためＡＬ薄膜（５０）はほとんどエツチングされるこ
とはない（第２図の）参照）。
ンエツチングを行う。このときのエツチングはＳｉｎ、
膜（８）をエツチングするために行われるもので、使用
される反応性ガスはＣＦ、とＨ７の混合ガスである。こ
の反応性ガスによるフォトレジストと８ｉ０．の選択比
は１：３であるため、０．６ｐｍ厚ノ８ｉ０゜膜（８）
がエッチンングされた時点では、０．３μｍ厚のフォト
レジストマスク（９）は消失しており、 ８ｉ０．膜（
８）は所望のコイル形状に形成されている。なお、ＣＦ
４とＨ２の混合ガスはＡＬに対しては極めて不活性であ
るためＡＬ薄膜（５０）はほとんどエツチングされるこ
とはない（第２図の）参照）。
次に、この第２図中）に示す状態で第２回目の反応性イ
オンエツチングを行う。このときのエツチングはＡＪ薄
！（５０）を加工するために行われるもので、使用され
る反応性ガスはＣ２，とＢＣＪ、の混合ガスである。ま
た、エツチングに際しては前回のイオンエツチングによ
り所望のコイル形状とされた８４０、膜（８０）がマス
クとなっている。第２回目のエツチングにおけるＡ１と
Ｓ ｉＯ２の選択比性はぼ５：１であり、３μｍ厚のＡ
Ｊ−薄膜（５０）がエツチングされた時点では、””
Ｏｔ Ｉｌｌ （８０）はわずかに薄膜コイル（５ａ）
上に残存した状態となる（第２図（Ｃ）参照）。
オンエツチングを行う。このときのエツチングはＡＪ薄
！（５０）を加工するために行われるもので、使用され
る反応性ガスはＣ２，とＢＣＪ、の混合ガスである。ま
た、エツチングに際しては前回のイオンエツチングによ
り所望のコイル形状とされた８４０、膜（８０）がマス
クとなっている。第２回目のエツチングにおけるＡ１と
Ｓ ｉＯ２の選択比性はぼ５：１であり、３μｍ厚のＡ
Ｊ−薄膜（５０）がエツチングされた時点では、””
Ｏｔ Ｉｌｌ （８０）はわずかに薄膜コイル（５ａ）
上に残存した状態となる（第２図（Ｃ）参照）。
以上で薄膜コイル（５ａ）が形成されたのであるが、上
記の薄膜コイル（５り上にわずか残存するｓ ｉｏ、膜
（８０）は敢えて全てを除去する必ｇはない。薄膜コイ
ル（５ａ）上には次いで薄膜コイル（５ｂ）が形成され
るが、両コイル（５ａ）、 （５ｂ）間は絶縁されてな
ければ々らず、また両コイル（５ａ）、 （５ｂ）はそ
れぞれ端部（５Ｃ）、 （５ｄ）においてのみ接触して
いればよいからである。
記の薄膜コイル（５り上にわずか残存するｓ ｉｏ、膜
（８０）は敢えて全てを除去する必ｇはない。薄膜コイ
ル（５ａ）上には次いで薄膜コイル（５ｂ）が形成され
るが、両コイル（５ａ）、 （５ｂ）間は絶縁されてな
ければ々らず、また両コイル（５ａ）、 （５ｂ）はそ
れぞれ端部（５Ｃ）、 （５ｄ）においてのみ接触して
いればよいからである。
第３図は、第２図（Ｃ）のＡ−Ａ線断面部における絶縁
膜（６ａ）の塗布状態を示す図である。薄膜コイル（５
ａ）は、Ｓｉｎ、膜（８０）を残在させたままフォトレ
ジスト、ボリミイド等からなる絶縁膜（６ａ）により覆
われ、その後、薄膜コイル（５ｂ）と接触する端部（５
Ｃ）部分のみ絶縁膜（６ａ）が除去され開口部（６Ｃ）
が形成される。その後、ＣＦ、、Ｈ，の混合ガスによυ
反応性イオンエツチングを行えば、開口部（６Ｃ）の８
１０、膜は消滅し、この開口部（６Ｃ）において薄膜コ
イル（５ａ）、 （５ｂ）の接触が可能となる。
膜（６ａ）の塗布状態を示す図である。薄膜コイル（５
ａ）は、Ｓｉｎ、膜（８０）を残在させたままフォトレ
ジスト、ボリミイド等からなる絶縁膜（６ａ）により覆
われ、その後、薄膜コイル（５ｂ）と接触する端部（５
Ｃ）部分のみ絶縁膜（６ａ）が除去され開口部（６Ｃ）
が形成される。その後、ＣＦ、、Ｈ，の混合ガスによυ
反応性イオンエツチングを行えば、開口部（６Ｃ）の８
１０、膜は消滅し、この開口部（６Ｃ）において薄膜コ
イル（５ａ）、 （５ｂ）の接触が可能となる。
本発明の薄膜コイルの形成方法は、金属薄膜をエツチン
グし薄膜コイルとするに際し、従来１段階であった反応
性イオンエツチングを２段階以上にし行なうものである
（上記実施例では２段階）。
グし薄膜コイルとするに際し、従来１段階であった反応
性イオンエツチングを２段階以上にし行なうものである
（上記実施例では２段階）。
これにより、エツチングの選択比を増大させ精度の高い
薄膜コイルを形成することに成功している。
薄膜コイルを形成することに成功している。
すなわち、従来の方法では、上述の例で言えばＡ１と７
オトレジストのエツチングの選択比はせいぜい３：１で
あったのが、上述の本発明の一実施例によれば、 ＡＩ
−薄膜（５０）を加工する際の最終的なマスクはｓｉｏ
、膜（８０）であシ、選択比は５：１とすることができ
る。これは、エツチングの際のマスクの厚みを薄くする
ことができることを示しておシ、精度の高いエツチング
が保証されることになる。
オトレジストのエツチングの選択比はせいぜい３：１で
あったのが、上述の本発明の一実施例によれば、 ＡＩ
−薄膜（５０）を加工する際の最終的なマスクはｓｉｏ
、膜（８０）であシ、選択比は５：１とすることができ
る。これは、エツチングの際のマスクの厚みを薄くする
ことができることを示しておシ、精度の高いエツチング
が保証されることになる。
また、第１回目の反応性イオンエツチングを行うに際し
てのマスク（９）はフォトレジストからなるものである
が、このマスク（９）はフォトレジストを所望のコイル
形状のパターンに露光し、現像して形成される。このと
き従来の方法では、エツチングが一段階であるためこの
フォトレジストマスクが直にＡＬ薄膜と接しておシ、こ
のため、マスクを現像して形成する際、現像液（アルカ
リ性）がＡＬ薄膜を溶解してしまうことがあった。しか
し、本発明の方法によれば、ＡＪ−薄膜（５０）は、Ｓ
ｉｎ、膜（８０）によシ保護されておシ、現像液中にＡ
ｔが溶融してしまうことがない。また、とのＳｔＯ，膜
（８０）はＡＬ薄膜（５０）の表面酸化の防止にも役立
っている。さらに、第３図に示した如く、コイル形状に
加工され九Ａ１薄膜（５０） （薄膜コイル（５ａ））
は、フォトレジスト、ボリミイド等の絶縁膜（６ａ）に
よシ覆われるが、この際薄膜コイル（５ａ）上にはＳ
ｉＯ，膜（８０）が残存しているのみであシ、従来の如
くマスクとして使用されたフォトレジストは一切付着し
ていない。したがって、絶縁膜（６ａ）の付着力は劣る
ことなく緊密に薄膜コイル（５ａ）を覆うことになる。
てのマスク（９）はフォトレジストからなるものである
が、このマスク（９）はフォトレジストを所望のコイル
形状のパターンに露光し、現像して形成される。このと
き従来の方法では、エツチングが一段階であるためこの
フォトレジストマスクが直にＡＬ薄膜と接しておシ、こ
のため、マスクを現像して形成する際、現像液（アルカ
リ性）がＡＬ薄膜を溶解してしまうことがあった。しか
し、本発明の方法によれば、ＡＪ−薄膜（５０）は、Ｓ
ｉｎ、膜（８０）によシ保護されておシ、現像液中にＡ
ｔが溶融してしまうことがない。また、とのＳｔＯ，膜
（８０）はＡＬ薄膜（５０）の表面酸化の防止にも役立
っている。さらに、第３図に示した如く、コイル形状に
加工され九Ａ１薄膜（５０） （薄膜コイル（５ａ））
は、フォトレジスト、ボリミイド等の絶縁膜（６ａ）に
よシ覆われるが、この際薄膜コイル（５ａ）上にはＳ
ｉＯ，膜（８０）が残存しているのみであシ、従来の如
くマスクとして使用されたフォトレジストは一切付着し
ていない。したがって、絶縁膜（６ａ）の付着力は劣る
ことなく緊密に薄膜コイル（５ａ）を覆うことになる。
以上の如く、本発明の薄膜コイルの形成方法によれば、
精度良く薄膜コイルを形成することができ、量産時にお
ける歩留シを飛躍的に向上させるととができるものであ
る。
精度良く薄膜コイルを形成することができ、量産時にお
ける歩留シを飛躍的に向上させるととができるものであ
る。
なお、上述してきた実施例では、 ＡＪ−薄膜の加工を
例としたが、他の金属薄膜を加工する際には、金属薄膜
上に′積層される薄膜（実施例におけるＳｉｎ。
例としたが、他の金属薄膜を加工する際には、金属薄膜
上に′積層される薄膜（実施例におけるＳｉｎ。
膜（８））の種類、ならびにこの薄膜と金属薄膜とのエ
ツチングの選択比が高い反応ガスとを適宜選定すること
により、精度の高い加工を果すことができる。
ツチングの選択比が高い反応ガスとを適宜選定すること
により、精度の高い加工を果すことができる。
また、本発明の本旨とするところは、反応性イオンエツ
チングを複数回繰シ直すことにより、最終的な金属薄膜
のエツチングの際のマスクとのエツチングの選択比を高
めることにあるのである。
チングを複数回繰シ直すことにより、最終的な金属薄膜
のエツチングの際のマスクとのエツチングの選択比を高
めることにあるのである。
したがって、上述の実施例では金属薄膜（Ａｌ−薄膜（
５０） ）上に積層される薄膜層（Ｓｉｎ２膜（８））
は一層のみであったがさらに他の薄膜層を複数積層し、
順次反応性イオンエツチングを繰返し、最終的に金属薄
膜をＦｌｆ望のコイル形状に加工するようにしても良い
。
５０） ）上に積層される薄膜層（Ｓｉｎ２膜（８））
は一層のみであったがさらに他の薄膜層を複数積層し、
順次反応性イオンエツチングを繰返し、最終的に金属薄
膜をＦｌｆ望のコイル形状に加工するようにしても良い
。
第１図は薄膜磁気ヘッドの一部切欠斜視図、第２図は本
発明の薄膜コイルの形成方法の一実施例を説明するだめ
の工程図、第３図は第２図（Ｃ）に示すＡ−Ａ、１１に
おける断面図である。 １・・・磁性体基板、 ５．５ａ、 ５ｂ・・・薄膜コ
イル、８．８０・・・ｓｉｏ！膜、 ９・・・マス り
、ｌＯ・・・薄膜磁気ヘッド。 代理人 弁理士 則近憲佑 （ほか１名）軍 １ 図 Ｔ ３ 口 冨 ２ 図
発明の薄膜コイルの形成方法の一実施例を説明するだめ
の工程図、第３図は第２図（Ｃ）に示すＡ−Ａ、１１に
おける断面図である。 １・・・磁性体基板、 ５．５ａ、 ５ｂ・・・薄膜コ
イル、８．８０・・・ｓｉｏ！膜、 ９・・・マス り
、ｌＯ・・・薄膜磁気ヘッド。 代理人 弁理士 則近憲佑 （ほか１名）軍 １ 図 Ｔ ３ 口 冨 ２ 図
Claims (1)
- 磁性体基板上に薄膜を積層し形成される薄膜磁気ヘッド
の一部を成す薄膜コイルを金属薄膜を微細加工し得るに
際し、前記金属薄膜上にｎ層（ｎ層１の異なる薄膜層を
形成し、ｎ層目の薄膜層上に７オトレジストを塗布しこ
れを所望のコイル形状にパターン化し、このフォトレジ
ストをマスクとして前記ｎ層目の薄膜層を第１の反応性
ガスによりイオンエツチングし、このエツチングにより
所望のコイル形状とされたｎ層目の薄膜層を今度はマス
クとしｎ −１層目の薄膜層を第２の反応性ガスによシ
イオンエツチングし、以下同様に順次ｎ−１回の反応イ
オンエツチングを繰シ返すことにより前記金属薄；漠を
所望のコイル形状に加工し薄膜コイルを得ることを特徴
とする薄膜コイルの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654783A JPS6039813A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜コイルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654783A JPS6039813A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜コイルの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039813A true JPS6039813A (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15410122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654783A Pending JPS6039813A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜コイルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331495A (en) * | 1990-06-11 | 1994-07-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head and methods for producing same |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14654783A patent/JPS6039813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331495A (en) * | 1990-06-11 | 1994-07-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head and methods for producing same |
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