JPS6039536A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPS6039536A JPS6039536A JP58147749A JP14774983A JPS6039536A JP S6039536 A JPS6039536 A JP S6039536A JP 58147749 A JP58147749 A JP 58147749A JP 14774983 A JP14774983 A JP 14774983A JP S6039536 A JPS6039536 A JP S6039536A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- light
- hydrogen
- light absorption
- solid compound
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、触奴企属内に解１ｌｌｌＩ吸着した水素原子
のもつ強い還元作用により微量の水素又は含水素化合物
ガスの存在下に触媒金属に近接して併置した固体化合物
が還元され、その光吸着が変化することを利用したガス
ロンサに関する。
のもつ強い還元作用により微量の水素又は含水素化合物
ガスの存在下に触媒金属に近接して併置した固体化合物
が還元され、その光吸着が変化することを利用したガス
ロンサに関する。
従来のガスセンサ−１よ、接触燃焼式もしくは半導体式
のしのが主流であり、接触燃焼式のガスセンサーはｌ〕
Ｌ、Ｐｄ等の触媒金属をヒータにより加熱し、ガスの接
触にＪこる燃焼で生ずるｉ９？Ｔ２率の変化を電気的に
検出してＪ３つ、また半導体式のガスヒンサにあっても
ガスの選択性、応答性、素子の特性等の種々の理由から
加熱した状態で使用され、ガスの吸着による半導体の電
気特性の変化を検出している。
のしのが主流であり、接触燃焼式のガスセンサーはｌ〕
Ｌ、Ｐｄ等の触媒金属をヒータにより加熱し、ガスの接
触にＪこる燃焼で生ずるｉ９？Ｔ２率の変化を電気的に
検出してＪ３つ、また半導体式のガスヒンサにあっても
ガスの選択性、応答性、素子の特性等の種々の理由から
加熱した状態で使用され、ガスの吸着による半導体の電
気特性の変化を検出している。
しかしながら、このような従来の接触燃焼式および半導
体式のガスセンサは、可燃性、爆発性のガスを検知づる
にも係わらず、加熱燃焼を伴なうものがほとんどであり
、安全性の点で問題があり、更に検知素子を加熱してい
るために素子の劣化が早いと共に特性が不安定になり易
く、信頼性が充分でないという問題があった。
体式のガスセンサは、可燃性、爆発性のガスを検知づる
にも係わらず、加熱燃焼を伴なうものがほとんどであり
、安全性の点で問題があり、更に検知素子を加熱してい
るために素子の劣化が早いと共に特性が不安定になり易
く、信頼性が充分でないという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、検知素子に加熱通電を行１．Ｔわないことから本
質的に安全であり、常温において検知ガスのｔＨＩＵに
応じた検知出力を安定的に１！？られるようにした信頼
性の高いガスセンサを提供りることを目的とづる。
ので、検知素子に加熱通電を行１．Ｔわないことから本
質的に安全であり、常温において検知ガスのｔＨＩＵに
応じた検知出力を安定的に１！？られるようにした信頼
性の高いガスセンサを提供りることを目的とづる。
この目的を達成するため本発明は、水素又は会水免化合
物ガスを吸着解ｍｌする触媒金属と、該金属中に生成し
た水素原子により還元される固体化合物とを近接してＤ
１置した構造とし、ガス吸着による固体化合物の光吸収
の変化を光学的に検出するようにしたものである。
物ガスを吸着解ｍｌする触媒金属と、該金属中に生成し
た水素原子により還元される固体化合物とを近接してＤ
１置した構造とし、ガス吸着による固体化合物の光吸収
の変化を光学的に検出するようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいてＮ１明する。
第１図は本発明のガスセンザに用いる素子の一実施例を
示した構造説明図である。
示した構造説明図である。
素子１は被検知ガスとしての還元性ガス、例えば水素Ｈ
２，アンモニアガスＮＨ３，硫化ガスト１□８、シラン
ガスＳＺ−＋、が接触したとぎにこれらガス分子の解離
により水素原子を生成する触媒金属２と、触媒金属２申
で生成された水素原子の還元作用により光吸収が変化す
る固体化合物半導体３との積層構造をｌ＃ｉｉえ、ここ
で触媒金属２としてはパラジウムｐｄが用いられ、また
固体化合物３としては三酸化タングステンＷＯ３が用い
られる。
２，アンモニアガスＮＨ３，硫化ガスト１□８、シラン
ガスＳＺ−＋、が接触したとぎにこれらガス分子の解離
により水素原子を生成する触媒金属２と、触媒金属２申
で生成された水素原子の還元作用により光吸収が変化す
る固体化合物半導体３との積層構造をｌ＃ｉｉえ、ここ
で触媒金属２としてはパラジウムｐｄが用いられ、また
固体化合物３としては三酸化タングステンＷＯ３が用い
られる。
この触媒金属２と固体化合物３３のｆ１１層構造でなる
素子１の製造は、透明なガラス基盤の上にＷＯ３でなる
固体化合物３を所定の（９さに蒸着し続い′Ｃ固体化合
物３の上にＰｄでなる触媒金属２を透明性を保つ程度に
薄く蒸着することで素子１を作り出すことができる。こ
の第１図に示した本発明に使用する素子は次のようにし
て光吸収が変化する。
素子１の製造は、透明なガラス基盤の上にＷＯ３でなる
固体化合物３を所定の（９さに蒸着し続い′Ｃ固体化合
物３の上にＰｄでなる触媒金属２を透明性を保つ程度に
薄く蒸着することで素子１を作り出すことができる。こ
の第１図に示した本発明に使用する素子は次のようにし
て光吸収が変化する。
水素ガスが接触すると触媒金属２にＪ、り水素は吸＠解
離して水素原子を触媒金属２中に生成し、この水素原子
が固体化合物３の中に１１人される。
離して水素原子を触媒金属２中に生成し、この水素原子
が固体化合物３の中に１１人される。
触媒金属２によるプロトント１ の注入を受【）た固体
化合物３は還元されて格子欠陥密度が変化し、光吸収が
変化づる。上記の実施例のｊ；うに固体化合物３として
ＷＯ３を使用したどきには固体化合物３は光吸収を増大
さゼ、その増大の度合はガスｍａの増加に応じて強くな
る。勿論、水素ガスがなくなれば固体化合物３に注入さ
れたプロトン１−１＋が再び抜は出し′て固体化合物３
は光吸収を減じ元のより透明な状態に戻る。
化合物３は還元されて格子欠陥密度が変化し、光吸収が
変化づる。上記の実施例のｊ；うに固体化合物３として
ＷＯ３を使用したどきには固体化合物３は光吸収を増大
さゼ、その増大の度合はガスｍａの増加に応じて強くな
る。勿論、水素ガスがなくなれば固体化合物３に注入さ
れたプロトン１−１＋が再び抜は出し′て固体化合物３
は光吸収を減じ元のより透明な状態に戻る。
このような素子１の光吸収現象は水素ガスの他に前記し
たＮ ＋−１，、ｌ−１□８．５ｉｌ−１４等の還元性
ガスの接触に対しても同様である。また、素子１の光吸
収ＩＪ１常渇において数百ｐ １１ ｎ＋の水素ガスに
対し応答を充分に示し、水素ガスの接触後の応答速度も
速いことが実験的に確認されている。更にヒータにより
素子′１を加熱することにより更に応答速度を速めるこ
とができる。
たＮ ＋−１，、ｌ−１□８．５ｉｌ−１４等の還元性
ガスの接触に対しても同様である。また、素子１の光吸
収ＩＪ１常渇において数百ｐ １１ ｎ＋の水素ガスに
対し応答を充分に示し、水素ガスの接触後の応答速度も
速いことが実験的に確認されている。更にヒータにより
素子′１を加熱することにより更に応答速度を速めるこ
とができる。
尚、第１図の実施例は触媒金属２としてパラジウムＰ（
１，固（ホ化合物３どしてＷＯ３を例にとるしのであっ
たが、このばかに触媒金属２として（よ白金Ｐｔを使用
づることができ、まＩｃ固体化合物３どしてｔよ三酸化
モリブデンＭＯ３、二酸化ヂタンＴｉｅ２．水酸化イリ
ジウム１１’ （Ｏｆ−Ｉ） ｎ 。
１，固（ホ化合物３どしてＷＯ３を例にとるしのであっ
たが、このばかに触媒金属２として（よ白金Ｐｔを使用
づることができ、まＩｃ固体化合物３どしてｔよ三酸化
モリブデンＭＯ３、二酸化ヂタンＴｉｅ２．水酸化イリ
ジウム１１’ （Ｏｆ−Ｉ） ｎ 。
五酸化バナジウムｖ２０２ を用いても固体化合物３に
より定まる光波長帯域に光吸収の変化を起こ゛り素子１
を４ｑることができる。
より定まる光波長帯域に光吸収の変化を起こ゛り素子１
を４ｑることができる。
第２図は、第１図の素子１を用いた本発明のガスセンサ
の一実施例を示した説明図である。
の一実施例を示した説明図である。
まず、（ｒ４成を説明すると、索子１１ｃＬ外気の流入
が可能なレンサ筐体４の内部に設置され、素子１を間に
介して発光グイΔ−ドを用いた光源５と、）ＡトダイＡ
−ドを用いた受光素子６とを相対して配置し、光源５よ
りの光を素子１を介して受光素子６に大剣させるように
している。光源５には電源７が外部接続され、光源５を
連続発光ししくけパルス発光している。受光素子６は検
出回路１２に接続され、受光素子６で１ｑられた透過光
量の変化に応じた受光出力を電気的に検出し、警報を行
なうＪ：うにしている。
が可能なレンサ筐体４の内部に設置され、素子１を間に
介して発光グイΔ−ドを用いた光源５と、）ＡトダイＡ
−ドを用いた受光素子６とを相対して配置し、光源５よ
りの光を素子１を介して受光素子６に大剣させるように
している。光源５には電源７が外部接続され、光源５を
連続発光ししくけパルス発光している。受光素子６は検
出回路１２に接続され、受光素子６で１ｑられた透過光
量の変化に応じた受光出力を電気的に検出し、警報を行
なうＪ：うにしている。
この第２図の実施例によるガス検出Ｉよ、定常監視状態
にあっては触媒金属２と固体化合物３の積層構造をもつ
素子１は透過した光を受光素子６に入射し、規定の受光
出力が得られる。この状態でセンサ筺体４内に被検知ガ
スが流入すると、素子１の触媒金属２で水素の解離によ
り生成した水素原子が固体化合物を還元し、固体化合物
３として酸化タングステンＷＯ３を使用した場合には、
光吸収が増大し、ガス濃度に対応して透過光量は減少づ
る。このため検出回路１２における受光素子の信号レベ
ルが減少し、予め定めた閾値以下となったときにガス警
報を行なうＪ：うになる。
にあっては触媒金属２と固体化合物３の積層構造をもつ
素子１は透過した光を受光素子６に入射し、規定の受光
出力が得られる。この状態でセンサ筺体４内に被検知ガ
スが流入すると、素子１の触媒金属２で水素の解離によ
り生成した水素原子が固体化合物を還元し、固体化合物
３として酸化タングステンＷＯ３を使用した場合には、
光吸収が増大し、ガス濃度に対応して透過光量は減少づ
る。このため検出回路１２における受光素子の信号レベ
ルが減少し、予め定めた閾値以下となったときにガス警
報を行なうＪ：うになる。
尚、固体化合物３としてＷＯ３を用いた素子１を使用す
る場合には、還元により光波長１．４μｍを中心どした
波長帯域で光を吸収するようになることから、素子１の
光吸収にＪ：る光量変化を充分にとるため、光源５どし
ては素子１の吸収間の大ぎい近赤外領域の波長の光を送
出づる光源を使用１−ることか望ましい。また、第２図
の実施例では光源５よりの光を素子１を１回通過さして
受光素子６に人自寸しているが、素子１の光吸収による
光量変化を大きくしでガス検出ｌ♂）度を高めるために
は、ミラー反射により素子゛１に対する光の通過回数を
増加さければよい。
る場合には、還元により光波長１．４μｍを中心どした
波長帯域で光を吸収するようになることから、素子１の
光吸収にＪ：る光量変化を充分にとるため、光源５どし
ては素子１の吸収間の大ぎい近赤外領域の波長の光を送
出づる光源を使用１−ることか望ましい。また、第２図
の実施例では光源５よりの光を素子１を１回通過さして
受光素子６に人自寸しているが、素子１の光吸収による
光量変化を大きくしでガス検出ｌ♂）度を高めるために
は、ミラー反射により素子゛１に対する光の通過回数を
増加さければよい。
第３図は、本発明の他の実施例を示した説明図であり、
遠隔的にガス検出をｔｊなうようにしたことを特徴とす
る。
遠隔的にガス検出をｔｊなうようにしたことを特徴とす
る。
即ち、光源５と受光素子６を受信機１０に段ＬＪ、警戒
区域に素子１を内蔵したセンクー筐体４を設冒し、レン
ザ筐体４に内蔵した素子１に対しては尤ファイバケーブ
ル８によって光源５よりのの光を伝送づると共に、素子
１を通過した光−し同様に光フアイバケーブル８により
伝送して受信機１０の受光素子６に入射さＵるＪ：うに
したものである。
区域に素子１を内蔵したセンクー筐体４を設冒し、レン
ザ筐体４に内蔵した素子１に対しては尤ファイバケーブ
ル８によって光源５よりのの光を伝送づると共に、素子
１を通過した光−し同様に光フアイバケーブル８により
伝送して受信機１０の受光素子６に入射さＵるＪ：うに
したものである。
第４図は、本発明の他の実施例を示した説明図であり、
この実施例は素子１を光フアイバケーブル８を介して入
射する光源５よりの光の反射体として設【ノ、素子１で
反則した光を同じく光フアイバケーブル８を介して受信
機１０の受光素子６に入射させるＪ：うにしたことを特
徴とし、素子１に被検知ガスが接触していない状態では
素子１の光吸収は小さいことから素子１で反射して受光
素子６に入用する受光光■が多く、一方、被検知ガスの
流入で素子１が光吸収を増加さＵると、受光素子６への
反射光量が減少し、この受光出力の減少に基づいてガス
濃度を検出づるようになる。
この実施例は素子１を光フアイバケーブル８を介して入
射する光源５よりの光の反射体として設【ノ、素子１で
反則した光を同じく光フアイバケーブル８を介して受信
機１０の受光素子６に入射させるＪ：うにしたことを特
徴とし、素子１に被検知ガスが接触していない状態では
素子１の光吸収は小さいことから素子１で反射して受光
素子６に入用する受光光■が多く、一方、被検知ガスの
流入で素子１が光吸収を増加さＵると、受光素子６への
反射光量が減少し、この受光出力の減少に基づいてガス
濃度を検出づるようになる。
第５５図は、本発明の他の実施例を示したもので、この
実施例は光ファイバーの端面に心接第１図の素子構造を
蒸着したことを特徴とする。
実施例は光ファイバーの端面に心接第１図の素子構造を
蒸着したことを特徴とする。
即ち、光フアイバーケーブル８の端面にＷＯ３等の固定
化合物３とＰｄ等の触媒金属２を蒸着してＺ４子１を形
成し、光源５からの照射光を光フアイバークープル８を
介してファイバ一端面の素子１に与え、素子１の反射光
を方向性結合器１２で分１１１１１ Ｌ、て受光素子６
に入射させるようにしたもので、被検知ガスにより素子
１の光吸収が増大すると受光素子５の受光量が減少し、
これによってガスｍ麿を検出することができる。まＩこ
、光フアイバーケーブル８の端面に一体に素子１を蒸着
していることから、コンパクトで遠方監視が可能どなる
素子を得ることができる。
化合物３とＰｄ等の触媒金属２を蒸着してＺ４子１を形
成し、光源５からの照射光を光フアイバークープル８を
介してファイバ一端面の素子１に与え、素子１の反射光
を方向性結合器１２で分１１１１１ Ｌ、て受光素子６
に入射させるようにしたもので、被検知ガスにより素子
１の光吸収が増大すると受光素子５の受光量が減少し、
これによってガスｍ麿を検出することができる。まＩこ
、光フアイバーケーブル８の端面に一体に素子１を蒸着
していることから、コンパクトで遠方監視が可能どなる
素子を得ることができる。
第６図は本発明の他の実施例を示した説明図であり、こ
の実施例は第１図に示した本発明で用いる素子の積層構
造を光フフイバーのクラッドに使用したことを特徴とす
る。
の実施例は第１図に示した本発明で用いる素子の積層構
造を光フフイバーのクラッドに使用したことを特徴とす
る。
すなわら、中心に配置ｆｆｉ した光ファイバー９の外
周に固体化合物３を蒸着し、更に、触媒金属２を蒸着す
ることで光ファイバー９のクラッド層を形成し、光フア
イバー９内に光８京よりの光を通過さｕ１受光素子に入
射さμるようにしている。
周に固体化合物３を蒸着し、更に、触媒金属２を蒸着す
ることで光ファイバー９のクラッド層を形成し、光フア
イバー９内に光８京よりの光を通過さｕ１受光素子に入
射さμるようにしている。
この第６図のガスセンサ構造にあって（よ、被検知ガス
の接触がない状態では、光フッ・イバー９のクラッドを
形成する固体化合物３ ｄ３よび触媒金属２の光吸収が
小さいことから、光）／イム−９内を反射しで進行する
光源よりの光は効率良く伝送され受光素子に十分な先爪
が到達°丈る。一方、被検知ガスが接触すると、触媒金
属２で生成した水素原子が固体化合物内を還元し、固体
化合物３が例えばＷＯ３であるとぎには光吸収が増大し
、クラッドの透過率が低下することで光ファイバー９内
を伝送する光量が減少し、この光フアイバー９内を伝送
される光ｍの減少を受光素子で検出するにうになる。
の接触がない状態では、光フッ・イバー９のクラッドを
形成する固体化合物３ ｄ３よび触媒金属２の光吸収が
小さいことから、光）／イム−９内を反射しで進行する
光源よりの光は効率良く伝送され受光素子に十分な先爪
が到達°丈る。一方、被検知ガスが接触すると、触媒金
属２で生成した水素原子が固体化合物内を還元し、固体
化合物３が例えばＷＯ３であるとぎには光吸収が増大し
、クラッドの透過率が低下することで光ファイバー９内
を伝送する光量が減少し、この光フアイバー９内を伝送
される光ｍの減少を受光素子で検出するにうになる。
第７図は透過方式をどる本発明の他の実施例を示した説
明図であり、第２，３図の実施例では素子１にお１ノる
触媒金属２と固体化合物３の（ＦＩ層方向に光を透過さ
せているが、この実施例では、光ファイバーｊ：りの透
過光を薄膜光導波路を形成覆る固体化合物内を一通過さ
せるようにしたことを特徴とする。
明図であり、第２，３図の実施例では素子１にお１ノる
触媒金属２と固体化合物３の（ＦＩ層方向に光を透過さ
せているが、この実施例では、光ファイバーｊ：りの透
過光を薄膜光導波路を形成覆る固体化合物内を一通過さ
せるようにしたことを特徴とする。
即ら、基板１３上にＷＯ３等の固体化合物３とＰｄ等の
＠媒金属２を蒸着して素子１を作り、固体化合物３は基
板１３おＪ：び触媒金属２をクラッド層どしたｎ Ｒ’
Ａ光轡光路波路成し、固体化合物内英 を固体化合物３でなる薄膜光導波路内を伝搬させるよう
にしたものである。
＠媒金属２を蒸着して素子１を作り、固体化合物３は基
板１３おＪ：び触媒金属２をクラッド層どしたｎ Ｒ’
Ａ光轡光路波路成し、固体化合物内英 を固体化合物３でなる薄膜光導波路内を伝搬させるよう
にしたものである。
この４１４造にＪ：れば、被検知ガスにＪ：る固体化合
物内ブ 透過光ｍを減少させることができる。
物内ブ 透過光ｍを減少させることができる。
第８図は本発明の他の実施例を示したもので、この実施
例はｍ７図の実施例における光ラへ１イ八−による光の
伝送の代わりに発光ダイオード等の光源５と）第１〜ダ
イＡ−ド等の受光系子６を直接素子１に設け、光源５よ
りの光を素子１の固体化合物３で形成される薄膜光ン９
波路を伝搬して受光系子６へ入射させるようにしたもの
であり、素子、光源、受光素子を一体化でさる利Ｊｊλ
を有する。
例はｍ７図の実施例における光ラへ１イ八−による光の
伝送の代わりに発光ダイオード等の光源５と）第１〜ダ
イＡ−ド等の受光系子６を直接素子１に設け、光源５よ
りの光を素子１の固体化合物３で形成される薄膜光ン９
波路を伝搬して受光系子６へ入射させるようにしたもの
であり、素子、光源、受光素子を一体化でさる利Ｊｊλ
を有する。
次に、本発明の詳細な説明りると、触媒金属で吸着解離
された水素原子により還元される固体化合物を用い１．
：素子における光吸収の変化を光学的に検出するように
したため、電気（９号の供給や加熱が不要であるために
可燃性、爆発性の被検知ガスに対し木質的に安全構造を
もち、また素子自体のもつ水素の還元作用による光吸収
の変化を利用していることから電気的特性に左右されず
、加熱も不要（・あることから安定したガス検知を行な
うことができ、耐久性も極めて高い。更に、光〕７１イ
バーによる光伝送を用いることによりガス爆発の誘因と
なる電気入出力のない状態で遠隔的なガス検知を容易に
行なうことかでき、このためガス漏れ警報段高Ａゝ）ガ
ス濃度測定設備に用いるガスセンサとして極めて優れた
検出特性を実現することができる。
された水素原子により還元される固体化合物を用い１．
：素子における光吸収の変化を光学的に検出するように
したため、電気（９号の供給や加熱が不要であるために
可燃性、爆発性の被検知ガスに対し木質的に安全構造を
もち、また素子自体のもつ水素の還元作用による光吸収
の変化を利用していることから電気的特性に左右されず
、加熱も不要（・あることから安定したガス検知を行な
うことができ、耐久性も極めて高い。更に、光〕７１イ
バーによる光伝送を用いることによりガス爆発の誘因と
なる電気入出力のない状態で遠隔的なガス検知を容易に
行なうことかでき、このためガス漏れ警報段高Ａゝ）ガ
ス濃度測定設備に用いるガスセンサとして極めて優れた
検出特性を実現することができる。
第１図は本発明で用いる素子の易本構造を示した説明図
、第２図は本発明の一実施例を示した説明図、第３．４
，５．６，７．８図は本発明の他の実施例を示した説明
図である。 １：素子 ２ ： ＦＦ１！媒金属 ３：同体化合物 ４：セン４ノ一筐体 ５：光源 ６：受光素子 ７：電源 ８：光フアイバーケーブル ９：光ファイバー １０：受信機 １２：検出回路 。 １４：方向性結合器 １６二基板 特許出願人 ホーチキ株式会礼 代理人 弁理士 竹 内 進 第１図 第２図 第３図 第５図 第７図 手続ネｒｒＪ正円（１允） 昭和５８年９月１２日 昭和５８年待ｎ願第１４７７４９号 ２、発明の名称 ガスセンサ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 イ１所 東京部品用区」二人崎二丁目１０１４３号名称
（３４０）ホーチキ株式会社 ４、代理人 ０所 東京都港区西新橋三丁目１５番８号西新橋中央ビ
ル４階 ゴー 摩ブ８ ネｉｌｌ ｉＪ：二 τ声］ 〈 自
ざ遣 ）昭和５９年８月９日 特ｎ庁長官志賀掌紋 ２、光用の名称 ノｆスｅン（） ３ 、 ン１１ｉ 、ｉｌＸイ（１Ｊ る当事イ′１ど
の関１系 特ｎ出願人 イ１所 ｊｌ、Ｉｊ；ミ部品用区上人崎二］−［１１０
笛４３月名Ｋｉ＋１（３／ＩＯ＞小−１−１株式会ン１
４、代理人 住所 東京都港区西新橋三丁目１５ ｍ ８０西１ｉ
４ｎ中央ビル４１！４へ ／ 、 Ｍｌｉ正の内容 （１）明ｍ鶴第１頁第１４１ｊ口「−での光吸ン゛ｉが
」を、「その光吸収が」に補正する。 （２）同第４頁第４行目「ガラス１．１盤」を、［ガラ
ス基板ｊに補正する。 （３）同第４頁第１４行目「格子欠陥密ｔ−ｖ、 Ｊを
、「色中心密度」に補正する。 （／ｌ）同第５頁第５行１」〜第６１コ［］［）υ几１
（ｌガス」を、「含水素化合物ガス」１、ｌ補止Ｊる。 ２（５）同ｆＪ″５ Ｊ頁第１６行］］に酸化１４リブ
ー１゛ンｈ−＋０３１を、ｒ 三酸化Ｅ’Ｊ ７テンＭ
ｏ Ｏ３１１Ｊｒｉｌｌｉｌ”づる、１ （６）同第５頁第１８行目「力０９化バナジウムｖ２０
２ Ｊを、［五酸化バナジウムＶ２０． Ｊに補１丁ツ
：７）同第１１ ｍ’ｊｓ １６ｂｌＴＨ’ヒｆｆ＋
１８行［］１基【１３」を、それぞれ［１４板１６１に
補止りる。 以上
、第２図は本発明の一実施例を示した説明図、第３．４
，５．６，７．８図は本発明の他の実施例を示した説明
図である。 １：素子 ２ ： ＦＦ１！媒金属 ３：同体化合物 ４：セン４ノ一筐体 ５：光源 ６：受光素子 ７：電源 ８：光フアイバーケーブル ９：光ファイバー １０：受信機 １２：検出回路 。 １４：方向性結合器 １６二基板 特許出願人 ホーチキ株式会礼 代理人 弁理士 竹 内 進 第１図 第２図 第３図 第５図 第７図 手続ネｒｒＪ正円（１允） 昭和５８年９月１２日 昭和５８年待ｎ願第１４７７４９号 ２、発明の名称 ガスセンサ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 イ１所 東京部品用区」二人崎二丁目１０１４３号名称
（３４０）ホーチキ株式会社 ４、代理人 ０所 東京都港区西新橋三丁目１５番８号西新橋中央ビ
ル４階 ゴー 摩ブ８ ネｉｌｌ ｉＪ：二 τ声］ 〈 自
ざ遣 ）昭和５９年８月９日 特ｎ庁長官志賀掌紋 ２、光用の名称 ノｆスｅン（） ３ 、 ン１１ｉ 、ｉｌＸイ（１Ｊ る当事イ′１ど
の関１系 特ｎ出願人 イ１所 ｊｌ、Ｉｊ；ミ部品用区上人崎二］−［１１０
笛４３月名Ｋｉ＋１（３／ＩＯ＞小−１−１株式会ン１
４、代理人 住所 東京都港区西新橋三丁目１５ ｍ ８０西１ｉ
４ｎ中央ビル４１！４へ ／ 、 Ｍｌｉ正の内容 （１）明ｍ鶴第１頁第１４１ｊ口「−での光吸ン゛ｉが
」を、「その光吸収が」に補正する。 （２）同第４頁第４行目「ガラス１．１盤」を、［ガラ
ス基板ｊに補正する。 （３）同第４頁第１４行目「格子欠陥密ｔ−ｖ、 Ｊを
、「色中心密度」に補正する。 （／ｌ）同第５頁第５行１」〜第６１コ［］［）υ几１
（ｌガス」を、「含水素化合物ガス」１、ｌ補止Ｊる。 ２（５）同ｆＪ″５ Ｊ頁第１６行］］に酸化１４リブ
ー１゛ンｈ−＋０３１を、ｒ 三酸化Ｅ’Ｊ ７テンＭ
ｏ Ｏ３１１Ｊｒｉｌｌｉｌ”づる、１ （６）同第５頁第１８行目「力０９化バナジウムｖ２０
２ Ｊを、［五酸化バナジウムＶ２０． Ｊに補１丁ツ
：７）同第１１ ｍ’ｊｓ １６ｂｌＴＨ’ヒｆｆ＋
１８行［］１基【１３」を、それぞれ［１４板１６１に
補止りる。 以上
Claims (1)
- 水素又は含水素化合物ガスを吸着解離する金属と、該金
属中の水素原子により還元される固体化合物どの積層構
造を備えた素子と、還元にＪ：る前記固体化合物の光吸
収の変化を検出覆る光学手段とを備えたことを特徴と覆
るガスセンサ。
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