JPS6038345A - 新規ネマチツク液晶化合物 - Google Patents
新規ネマチツク液晶化合物Info
- Publication number
- JPS6038345A JPS6038345A JP14740683A JP14740683A JPS6038345A JP S6038345 A JPS6038345 A JP S6038345A JP 14740683 A JP14740683 A JP 14740683A JP 14740683 A JP14740683 A JP 14740683A JP S6038345 A JPS6038345 A JP S6038345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- liquid crystal
- equatrial
- trans
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学的表示材料として有用なシクロヘキサ
ンカルボン酸誘導体の新規ネマチック液晶化合物に関す
。
ンカルボン酸誘導体の新規ネマチック液晶化合物に関す
。
本発明によって提供される新規ネマチック液晶化合物は
で表わされる 1−()ランス(エカトリアル−エカト
リアル)−4−アルキルシクロヘキシル)−2−()ラ
ンス(エカトリアル−エカトリアル)−4−アルキルシ
クロへキサンカルボニルオキシフェニル)エタンである
。
で表わされる 1−()ランス(エカトリアル−エカト
リアル)−4−アルキルシクロヘキシル)−2−()ラ
ンス(エカトリアル−エカトリアル)−4−アルキルシ
クロへキサンカルボニルオキシフェニル)エタンである
。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャットCM−8
cbadt)等[APPLIED PHYSIC8LE
TTERslB 127〜12B(1971)]によっ
て提案されたMJKJ果型セル(フィールド・エフェク
ト・モード・セル)又はジー・エイチ拳バイルマイヤー
(G11HHeilmeier)等[PROCEED
ING OR−’THE 1.E、E、E、−脹−11
62〜1171(196B))によって提案された動的
光散型セル(ダイミック・スキャツタリング書モードー
セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(GeHHe
ilmeier)等[:APPLIED PHYSIC
8LETTER813,91(196B))あるいはデ
ィーφエル拳ホワイト(DLWhite)等CJoun
NAt OF APPLIED PHY8IC845,
471B(1974))によって提案されたゲスト・ホ
スト型セルなどがある。
cbadt)等[APPLIED PHYSIC8LE
TTERslB 127〜12B(1971)]によっ
て提案されたMJKJ果型セル(フィールド・エフェク
ト・モード・セル)又はジー・エイチ拳バイルマイヤー
(G11HHeilmeier)等[PROCEED
ING OR−’THE 1.E、E、E、−脹−11
62〜1171(196B))によって提案された動的
光散型セル(ダイミック・スキャツタリング書モードー
セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(GeHHe
ilmeier)等[:APPLIED PHYSIC
8LETTER813,91(196B))あるいはデ
ィーφエル拳ホワイト(DLWhite)等CJoun
NAt OF APPLIED PHY8IC845,
471B(1974))によって提案されたゲスト・ホ
スト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルに甲いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、 室温を含む広い温度範囲でネマチック相を有することは
各種表示上ルに共通して要求されている重要な特性であ
る。
特性が要求されるが、 室温を含む広い温度範囲でネマチック相を有することは
各種表示上ルに共通して要求されている重要な特性であ
る。
このような特性を有する実用可能な材料の多くは、通常
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温より高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合することによって調製される
。現在実用的に使用される上官この如き混合液晶の多く
は、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘っ
てネマチック相を有することが要求されている。かかる
要求を満すために、室温よシ高い温度領域にネマチック
相を有する化合物として、4.4’−を換ターフェニル
、4.4’−置換ビフェニルシクロヘキサン、4.4’
−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フェニルエステルの如
き、約100℃の結晶相−ネマチック相転移温度(C−
N点)を有すると共に約200℃のネマチック相−等方
性液体相転移温度(N−I点)を有する化合物が使用さ
れる場合が多い。しかしながら、これらの化合物は、混
合液晶のN−I点を65℃又はそれ以上の温度とするの
に充分な量を混合した場合、得られる混合液晶の粘度を
上昇せしめ、このことによって応答速度を低下せしめる
好ましからざる性質を有している。
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温より高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合することによって調製される
。現在実用的に使用される上官この如き混合液晶の多く
は、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘っ
てネマチック相を有することが要求されている。かかる
要求を満すために、室温よシ高い温度領域にネマチック
相を有する化合物として、4.4’−を換ターフェニル
、4.4’−置換ビフェニルシクロヘキサン、4.4’
−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フェニルエステルの如
き、約100℃の結晶相−ネマチック相転移温度(C−
N点)を有すると共に約200℃のネマチック相−等方
性液体相転移温度(N−I点)を有する化合物が使用さ
れる場合が多い。しかしながら、これらの化合物は、混
合液晶のN−I点を65℃又はそれ以上の温度とするの
に充分な量を混合した場合、得られる混合液晶の粘度を
上昇せしめ、このことによって応答速度を低下せしめる
好ましからざる性質を有している。
本発明に係る式(I)の化合物は、この性質が改良され
た新規な化合物である。即ち、式(I)+7)化合物は
、他の1種又は2種以上のネマチック液晶化合物と混合
することによって65℃以上のN−I点を有する実用可
能な混合液晶を調製する際、前記公知の液晶化合物に比
べて混合液晶の粘度上昇を遥かに小幅に抑えることがで
きる。更に、式(I)の化合物は、本出願人が特開昭5
4−8’5694号公報の中で時分割駆動特性の優れた
ネマチック液晶材料として報告した4、4’−[換シク
ロヘキシルカルボン酸フェニルエステルと極めて良好な
相溶性を有するから、これらの化合物と混合することに
よって更に優れた混合液晶を得ることができる。
た新規な化合物である。即ち、式(I)+7)化合物は
、他の1種又は2種以上のネマチック液晶化合物と混合
することによって65℃以上のN−I点を有する実用可
能な混合液晶を調製する際、前記公知の液晶化合物に比
べて混合液晶の粘度上昇を遥かに小幅に抑えることがで
きる。更に、式(I)の化合物は、本出願人が特開昭5
4−8’5694号公報の中で時分割駆動特性の優れた
ネマチック液晶材料として報告した4、4’−[換シク
ロヘキシルカルボン酸フェニルエステルと極めて良好な
相溶性を有するから、これらの化合物と混合することに
よって更に優れた混合液晶を得ることができる。
本発明に係る式(r)の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。
製造することができる。
5−
第2段階 l
第3段階 ↓
第1段階−アニソールに二硫化炭素あるいはニトロベン
ゼン中で式(2)の化合物と無水塩化アルミニウムを反
応させて(III)の化合物を製造する。
ゼン中で式(2)の化合物と無水塩化アルミニウムを反
応させて(III)の化合物を製造する。
第2段階−第1段階で製造された式(III)の化合物
にジエチレングリコールあるいはトリエチレングリコ−
□ル中でヒドラジンと水酸化カリウムを反応させて式(
■)の化合物を6− 製造する。
にジエチレングリコールあるいはトリエチレングリコ−
□ル中でヒドラジンと水酸化カリウムを反応させて式(
■)の化合物を6− 製造する。
第3段階−ロー一第2段階で製造された式(IV)の化
合物に水あるいけ酢酸中で臭化水素水あるいはヨウ化水
素水と反応させて式(V)の化合物を製造する。
合物に水あるいけ酢酸中で臭化水素水あるいはヨウ化水
素水と反応させて式(V)の化合物を製造する。
第4段階−−−第3段階で製造された式(V)の化合物
に、エーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活性有機溶
媒中で、ピリジンの如き塩基性化合物を触媒として式(
Vr)の化合物を反応させ本発明に係る式(1)のfヒ
自物を製造する。
に、エーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活性有機溶
媒中で、ピリジンの如き塩基性化合物を触媒として式(
Vr)の化合物を反応させ本発明に係る式(1)のfヒ
自物を製造する。
欺くして製造された式([)の化合物の転移温度を第1
表に掲げる。
表に掲げる。
/
/
第 1 表
、% RR’ 転移温度(℃)
I CzHn n c、H2SO(C−+N) 145
(NnI )2 n C5H7n−CaH2102(
C−+N) 163(NpI )3 n−C4Hg−n
−C3H7−110(C→N)1(So (NOI)4
n−C,H,、−n−CjH7−122(c−+N)
163 (N0I)5 n−C’lH,−C,H,−8
5(C→N)147 (NOI)6 n Cs1(o
CzHB 89(C−’)N) 149(NiI)7
n−C,H,、−C,H!−96(C−+N)148
(NiI)8 n C5H7n c、■、 109 (
C−+N) 157 (N口1 )9 n−C,I(、
、−n−C4H,−115(C−1N)155 (Ni
I)10 n CIH? n CsHo 120(C−
+N) 162(NpI)11 n −C,H,、−n
−C,H,、−131(C−+N) 1<S2 (N
z■)表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、■は等方
性液体相を夫々表わす。
(NnI )2 n C5H7n−CaH2102(
C−+N) 163(NpI )3 n−C4Hg−n
−C3H7−110(C→N)1(So (NOI)4
n−C,H,、−n−CjH7−122(c−+N)
163 (N0I)5 n−C’lH,−C,H,−8
5(C→N)147 (NOI)6 n Cs1(o
CzHB 89(C−’)N) 149(NiI)7
n−C,H,、−C,H!−96(C−+N)148
(NiI)8 n C5H7n c、■、 109 (
C−+N) 157 (N口1 )9 n−C,I(、
、−n−C4H,−115(C−1N)155 (Ni
I)10 n CIH? n CsHo 120(C−
+N) 162(NpI)11 n −C,H,、−n
−C,H,、−131(C−+N) 1<S2 (N
z■)表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、■は等方
性液体相を夫々表わす。
本発明に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方性
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材
料として使用することができ、また強い正の誘電率異方
性を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態
で電界効果型表示セルの材料として使用することができ
る。
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材
料として使用することができ、また強い正の誘電率異方
性を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態
で電界効果型表示セルの材料として使用することができ
る。
このように、式(【)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4,4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’−置換シクロヘ
キサンカルボン酸フェニルエステルJ 4 、4’−置
換シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル、5(4
−flt、換シクロヘキサンカルボニルオキシ)安息香
酸4′−置換フェニルエステル4(4−置換シクロヘキ
シル)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−
置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置9− 換シクロヘキシルエステル、4.4’−ビフェニル、4
.4’−フェニルシクロヘキサン、 4 、4’−fi
1mターフェニル、4.4′−ビフェニルシクロヘキサ
ン、2(4’−f換フェニル)5−置換ビリミジンなど
を挙げることができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4,4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’−置換シクロヘ
キサンカルボン酸フェニルエステルJ 4 、4’−置
換シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル、5(4
−flt、換シクロヘキサンカルボニルオキシ)安息香
酸4′−置換フェニルエステル4(4−置換シクロヘキ
シル)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−
置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置9− 換シクロヘキシルエステル、4.4’−ビフェニル、4
.4’−フェニルシクロヘキサン、 4 、4’−fi
1mターフェニル、4.4′−ビフェニルシクロヘキサ
ン、2(4’−f換フェニル)5−置換ビリミジンなど
を挙げることができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶((転)の80]i1
%と第1表に示し要式(【)の化合物/I61乃至41
1の各々の20重量%とから成る各混合液晶について測
定されたN−I点と粘度を掲示し、比較のために母体液
晶(A)自体について測定されたN−I点と粘度を掲示
したものである。尚、母体液晶(A)は、 及び 10− 第 2 表 N−I点 粘度 (℃) (センチボイズ/20℃) (A) 42.5 21.2 (A)土層1 62.9 23.5 (4)+A2 67.2 23.5 ()、”)−4−46”) 65.9 23.8(A)
土層4 67.5 24.0 (A)−1−4565,423,5 (A)+I66 63.7 23.7 (A)−1476五6 24.2 (A) +/16B 65.325.8(A) +49
65.0 24.2 (A)→−AIO67,124,0 (A)十、%11 67.1 24.5第2表に掲示し
たデータから、式(I)の化合物は、混合液晶の粘度を
大幅上昇せしめることなく、混合液晶のN−1点を実用
上充分なまでに上昇せしめ得ることが理解できるであろ
う。約24センチボイズ/20℃なる粘度値は、現在の
平均的実用水準にある65℃以上のN−I点をもつ各種
の混合液晶の粘度値を比較してかなり低い値である。
して現在汎用されている母体液晶((転)の80]i1
%と第1表に示し要式(【)の化合物/I61乃至41
1の各々の20重量%とから成る各混合液晶について測
定されたN−I点と粘度を掲示し、比較のために母体液
晶(A)自体について測定されたN−I点と粘度を掲示
したものである。尚、母体液晶(A)は、 及び 10− 第 2 表 N−I点 粘度 (℃) (センチボイズ/20℃) (A) 42.5 21.2 (A)土層1 62.9 23.5 (4)+A2 67.2 23.5 ()、”)−4−46”) 65.9 23.8(A)
土層4 67.5 24.0 (A)−1−4565,423,5 (A)+I66 63.7 23.7 (A)−1476五6 24.2 (A) +/16B 65.325.8(A) +49
65.0 24.2 (A)→−AIO67,124,0 (A)十、%11 67.1 24.5第2表に掲示し
たデータから、式(I)の化合物は、混合液晶の粘度を
大幅上昇せしめることなく、混合液晶のN−1点を実用
上充分なまでに上昇せしめ得ることが理解できるであろ
う。約24センチボイズ/20℃なる粘度値は、現在の
平均的実用水準にある65℃以上のN−I点をもつ各種
の混合液晶の粘度値を比較してかなり低い値である。
このように低い粘度の混合液晶が得られるところに式(
Dの化合物の実用上の高い価値がある。
Dの化合物の実用上の高い価値がある。
本発明の効果は、下記の比較実験によっても明らかにさ
れる。化学構造が本発明に係る式(【)の化合物に類似
しており、且つ混合液晶のN−I点を高める目的で広く
使用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶(A)に種々の割合で混
合した。
れる。化学構造が本発明に係る式(【)の化合物に類似
しており、且つ混合液晶のN−I点を高める目的で広く
使用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶(A)に種々の割合で混
合した。
同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式(42)
の化合物を母体液晶(Alに種々の割合で混合した。斯
くして得られた2種類の混合液晶について、夫々のN−
I点と粘 ′度を測定した。これらの測定結果に基いて
、添付図面の第1図にN−I点と添加量の関係を、第2
図に粘度と添加量の関係を、第3図にはN−I点と粘度
の関係を示した。
くして得られた2種類の混合液晶について、夫々のN−
I点と粘 ′度を測定した。これらの測定結果に基いて
、添付図面の第1図にN−I点と添加量の関係を、第2
図に粘度と添加量の関係を、第3図にはN−I点と粘度
の関係を示した。
これらの事実から、本発明に係る式(I)の化合物は代
表的な公知の類似化合物に比べてN−I点の上昇に伴う
粘度の上昇が遥かに小さいことが理解できるであろう。
表的な公知の類似化合物に比べてN−I点の上昇に伴う
粘度の上昇が遥かに小さいことが理解できるであろう。
実施例に
硫化炭素1QQaj中に無水塩化アルミニウム16.0
g(0,120mol)を加え室温で攪拌しながら、こ
れにトランス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸ク
ロライド20.510.100mol)を滴下し、更に
室温で攪拌しな13− がらア二ンール10.8IC0,100mol)を滴下
し、これらを30℃から35℃の間で5時間反応させた
。反応混合物を、それから二硫化炭素を留去した後、氷
水中に加え、これらを60℃で1時間攪拌した。冷却後
、反応生成物をエーテルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からエーテルを留去した。得られた反応生成
物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合物1
9.8g(0,0722mol)この化合物にトリエチ
レングリコール12011ξ80%ヒドラジンハイドラ
イド12.61 (0,202mol)及び85%水酸
化カリウム16.51 (0,247mol)を加え、
これらを攪拌しながら温度を徐々に上げ、これらを16
0℃で5時間反応させた。冷却後に水200−を加えた
後、反応生成物をベンゼンで抽出した。抽出液を水で洗
浄後、14− この液からベンゼンを留去し、これに氷酢酸150g+
/!及び47%臭化水素水27ccを加え、これらを8
時間還流温度で反応させた。反応終了後冷却し、水30
0ccを加えた後に反応生成物をエーテルで抽出した。
g(0,120mol)を加え室温で攪拌しながら、こ
れにトランス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸ク
ロライド20.510.100mol)を滴下し、更に
室温で攪拌しな13− がらア二ンール10.8IC0,100mol)を滴下
し、これらを30℃から35℃の間で5時間反応させた
。反応混合物を、それから二硫化炭素を留去した後、氷
水中に加え、これらを60℃で1時間攪拌した。冷却後
、反応生成物をエーテルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からエーテルを留去した。得られた反応生成
物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合物1
9.8g(0,0722mol)この化合物にトリエチ
レングリコール12011ξ80%ヒドラジンハイドラ
イド12.61 (0,202mol)及び85%水酸
化カリウム16.51 (0,247mol)を加え、
これらを攪拌しながら温度を徐々に上げ、これらを16
0℃で5時間反応させた。冷却後に水200−を加えた
後、反応生成物をベンゼンで抽出した。抽出液を水で洗
浄後、14− この液からベンゼンを留去し、これに氷酢酸150g+
/!及び47%臭化水素水27ccを加え、これらを8
時間還流温度で反応させた。反応終了後冷却し、水30
0ccを加えた後に反応生成物をエーテルで抽出した。
抽出液を水で洗浄し、無水硫酸す) IJウムで乾燥し
た後、この液からエーテルを留去し得られた反応生成物
をn−ヘキサンから再結晶させて精製し、下記化合物1
2.5g(0,050[1mol)を得た。
た後、この液からエーテルを留去し得られた反応生成物
をn−ヘキサンから再結晶させて精製し、下記化合物1
2.5g(0,050[1mol)を得た。
rro−(55)−crt、cr+φつn−c、H7m
、p、 98℃上記化合物12.5g (0,0500
mol)をトルエン100dに溶解させ、これにピリジ
ン7.90I C0,0750mol)を加え、室温で
攪拌しながらトランス−4−n−エチルシクロヘキサン
カルボニルクロライド9.43g(0,0500mol
)を滴下した。滴下終了後2時間還流温度で反応させ、
反応終了後反応生成物をトルエンで抽出した。抽出液を
水洗、乾燥後、この液からトルエンを留去し、得られた
反応生成物をメタノール−エタノールから再結晶させて
下記化合物15.61 (0,0407mol )を得
た。
、p、 98℃上記化合物12.5g (0,0500
mol)をトルエン100dに溶解させ、これにピリジ
ン7.90I C0,0750mol)を加え、室温で
攪拌しながらトランス−4−n−エチルシクロヘキサン
カルボニルクロライド9.43g(0,0500mol
)を滴下した。滴下終了後2時間還流温度で反応させ、
反応終了後反応生成物をトルエンで抽出した。抽出液を
水洗、乾燥後、この液からトルエンを留去し、得られた
反応生成物をメタノール−エタノールから再結晶させて
下記化合物15.61 (0,0407mol )を得
た。
収率 40.7%
転移温度 80℃(C−+N)
145℃(Nxl)
実施例2
実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 43.8%
転移温度 102℃(C−+N )
163℃(NgI)
実施例3
実施例1と同様の要領で下記化合物を得た収率 41.
2% 転移温度 110℃(C→N) 160℃(N口■) 実施例4 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
2% 転移温度 110℃(C→N) 160℃(N口■) 実施例4 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 43.5%
転移温度 122℃(C−+N)
163℃(N口I)
実施例5
実施例1と同様の要領で下肥の化合物を得た。
収率 40.3%
転移温度 83℃(C−+N)
147℃(N口■)
17−
実施例6
実施例1と同様の要領で下記の化合物を得た。
収率 597%
転移温度 89℃(C−+N)
149℃(NOI)
実施例7
実施例1と同様の要領で下記の化合物をイ#た。
収率 41.2%
転移温度 96℃(C−+N)
148℃(N口I)
実施例日
実施例1と同様の要領で下記の化合物を得た。
収率 43.0%
転移温度 109℃(C−+N)
157℃(N口I)
18−
実施例9
実施例1と同様の要領で下記の化合物を得た。
収率 42.4%
転移温度 115℃(C−+N )
155℃(N襲■)
実施例10
実施例1と同様の要領で下記の化合物を得た。
収率 41.1%
転移温度 120℃(C→N)
162℃(N口■)
実施例11
実施例1と同様の要領で下記の化合物を得た収率 40
,9% 転移温度 131℃(C−+N) 162℃(N口I)
,9% 転移温度 131℃(C−+N) 162℃(N口I)
第1図、第2図及び第3図は、本発明化合物(*1)及
び公知化合物(a)を母体液晶fA1に夫々添加して得
られる各混合液晶における、添加量とN−I点、添加量
と粘度、N−1点と粘度の各関係図表を夫々示している
。 代理人 弁理士 高 橋 勝 利 第1図 、 (A)+ (No2 )、+:対する( No2ン
R1,f(A)+ ((1−) t=j’n4 ((L
) f)重量2ζ殆2図 io 20
び公知化合物(a)を母体液晶fA1に夫々添加して得
られる各混合液晶における、添加量とN−I点、添加量
と粘度、N−1点と粘度の各関係図表を夫々示している
。 代理人 弁理士 高 橋 勝 利 第1図 、 (A)+ (No2 )、+:対する( No2ン
R1,f(A)+ ((1−) t=j’n4 ((L
) f)重量2ζ殆2図 io 20
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14740683A JPS6038345A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14740683A JPS6038345A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6038345A true JPS6038345A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15429572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14740683A Pending JPS6038345A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6038345A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57135744A (en) * | 1980-12-16 | 1982-08-21 | Karuto E Shirisu Sa | Optical waveguide cable |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14740683A patent/JPS6038345A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57135744A (en) * | 1980-12-16 | 1982-08-21 | Karuto E Shirisu Sa | Optical waveguide cable |
JPH03338B2 (ja) * | 1980-12-16 | 1991-01-07 | Karuto E Shirisu Sa |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4480117A (en) | Nematic liquid crystalline compounds | |
US4455443A (en) | Nematic halogen Compound | |
US4558151A (en) | Nematic liquid crystalline compounds | |
JPS5933565B2 (ja) | 1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルビフエニルエタン誘導体 | |
JPS6038345A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JPS6033411B2 (ja) | 1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルフエニルエタン誘導体 | |
JPS615031A (ja) | 新規トラン系炭化水素化合物 | |
EP0198714B1 (en) | Liquid cristalline compositions containing cyclohexylcyclohexene derivatives, and their use | |
JPS5933566B2 (ja) | 1,4−ジ−(シクロヘキシルエチル)ビフエニル誘導体 | |
JPS6124382B2 (ja) | ||
JP2743518B2 (ja) | エーテル系しきい値電圧低下剤 | |
JPS59110631A (ja) | 1,4−ジ−(シクロヘキシルエチル)ビフエニル誘導体 | |
JPH0247971B2 (ja) | ||
JPS5921649A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JPS5980635A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JPS58203943A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JPS59110630A (ja) | 1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルビフエニルエタン誘導体 | |
JP2663534B2 (ja) | フェニルビシクロヘキサノールエステル誘導体 | |
JP2822529B2 (ja) | エーテル系減粘性液晶 | |
JPS5910533A (ja) | 新規ネマチツクハロゲン化合物 | |
JPS5910551A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JP2819645B2 (ja) | ピリミジン誘導体およびそれを含有する液晶組成物 | |
JPS62286943A (ja) | 4′−置換ビフエニルクロチルエ−テル誘導体 | |
JP2508166B2 (ja) | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
JPH0339051B2 (ja) |