JPS6037146A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6037146A JPS6037146A JP14496783A JP14496783A JPS6037146A JP S6037146 A JPS6037146 A JP S6037146A JP 14496783 A JP14496783 A JP 14496783A JP 14496783 A JP14496783 A JP 14496783A JP S6037146 A JPS6037146 A JP S6037146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- psg4
- wiring
- semiconductor device
- psg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はタングステン(W)、モリブデン(MO)もし
くはそれらのシリサイドを電極配線に用いた半導体装置
の製造方法に関し、特に高温処理中のW、Moの酸化防
止効果とともに、シリコン<si)の酸化効果のある方
法を提供するものである。
くはそれらのシリサイドを電極配線に用いた半導体装置
の製造方法に関し、特に高温処理中のW、Moの酸化防
止効果とともに、シリコン<si)の酸化効果のある方
法を提供するものである。
W、Moは非常に酸化しやすいため、従来は酸化雰囲気
中で熱処理する仁とができなかった。したがって、PS
Gなどの拡散マスクでW、Moを覆った後に酸化工程を
通すことが行なわれていた。
中で熱処理する仁とができなかった。したがって、PS
Gなどの拡散マスクでW、Moを覆った後に酸化工程を
通すことが行なわれていた。
しかしながら、この場合、酸化雰囲気の一部がPSGな
どを通り抜けW、MOを酸化させるという欠点があった
。
どを通り抜けW、MOを酸化させるという欠点があった
。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、W。
Moは酸化させずにSiを酸化できるような半導体装置
の製造方法を提供することである。
の製造方法を提供することである。
W、Mo電極、配線をPSGで覆った後に、酸化雰囲気
で高温熱処理できれば、PSG膜の緻密化と同時に、電
極・配線周辺のSlzの再成長が可能となり、半導体装
置の信頼性・生産性の向上が期待できる。この場合、W
、Moの酸化が重大な問題であった。(Hz 十Hz
O)雰囲気による熱処理では、W、Moを酸化させずに
3iの酸化が可能であるため、この熱処理をPSGでW
。
で高温熱処理できれば、PSG膜の緻密化と同時に、電
極・配線周辺のSlzの再成長が可能となり、半導体装
置の信頼性・生産性の向上が期待できる。この場合、W
、Moの酸化が重大な問題であった。(Hz 十Hz
O)雰囲気による熱処理では、W、Moを酸化させずに
3iの酸化が可能であるため、この熱処理をPSGでW
。
MOを覆った後に行なった。
以下、本発明を実施例により更に詳細な説明する。
実施例1
第1図(a)に示すように、Si結晶基板3上に形成し
た厚さ20nmO熱酸化膜2の上にWlを厚さ3501
1m蒸着して、パターニングした後、PSG4(r50
0nm程被着し、水を5チ含むH2中で100OU、6
0分間加熱した。その結果、熱処理前には、第1図(a
)に示すように、Wlの加工のためにlO〜15nm程
度まで薄くなったwi周辺部の81022が、熱処理後
では第1図(b)に示すように、40nmまで厚くなっ
た。それに従って、Wゲート部のS i Oxの絶縁耐
圧が2V程度熱処理後大きくなった。また、Wl上に被
着したPSG4の段差形状も熱処理後なだらかとなり、
被覆形状が向上した。(この工程は、通常の半導体プロ
セスではグラスフローと呼ばれる)このことにより、P
SG4上のA4配線の段差部での断線が軽減できる。熱
処理後のPSGを1/10のHF水溶液でエッチすると
、熱処理前に比べてエツチングレートが1/5程度に減
少し、PSG膜が緻密になったことがわかった。
た厚さ20nmO熱酸化膜2の上にWlを厚さ3501
1m蒸着して、パターニングした後、PSG4(r50
0nm程被着し、水を5チ含むH2中で100OU、6
0分間加熱した。その結果、熱処理前には、第1図(a
)に示すように、Wlの加工のためにlO〜15nm程
度まで薄くなったwi周辺部の81022が、熱処理後
では第1図(b)に示すように、40nmまで厚くなっ
た。それに従って、Wゲート部のS i Oxの絶縁耐
圧が2V程度熱処理後大きくなった。また、Wl上に被
着したPSG4の段差形状も熱処理後なだらかとなり、
被覆形状が向上した。(この工程は、通常の半導体プロ
セスではグラスフローと呼ばれる)このことにより、P
SG4上のA4配線の段差部での断線が軽減できる。熱
処理後のPSGを1/10のHF水溶液でエッチすると
、熱処理前に比べてエツチングレートが1/5程度に減
少し、PSG膜が緻密になったことがわかった。
しかし、同様の熱処理をdryQ2中で行なうと、W配
線がすべて酸化してSi基板から剥離してしまった。
線がすべて酸化してSi基板から剥離してしまった。
本発明によれば、W、Mo等の高融点金属ならびにシリ
サイドを電極配線に用いた揚e、psaのグラスフロー
(PSG膜の緻密化2段差形状の向上)と同時に、W、
MO等を酸化させずにPSG下で5jChが形成できる
ために、半導体装置の信頼性、生産性は著しく向上する
。1(2十HtO雰囲気の熱処理は、石英チューブ、電
気炉とパブ2−とからなる通常の加熱装置で容易に実現
できるため、本発明は、量産性、経済性に浸れる。
サイドを電極配線に用いた揚e、psaのグラスフロー
(PSG膜の緻密化2段差形状の向上)と同時に、W、
MO等を酸化させずにPSG下で5jChが形成できる
ために、半導体装置の信頼性、生産性は著しく向上する
。1(2十HtO雰囲気の熱処理は、石英チューブ、電
気炉とパブ2−とからなる通常の加熱装置で容易に実現
できるため、本発明は、量産性、経済性に浸れる。
第1図は、本発明の一実施例を示す図である。
Claims (1)
- タングステン、モリブデンなどの高融点金属、もしくは
それらのシリサイドを用いた半導体装置の電極配線の熱
処理をPSG(,0んガラス)などの絶縁膜で積った後
に、H2+H2O雰囲気で行なうことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14496783A JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14496783A JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037146A true JPS6037146A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15374351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14496783A Pending JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037146A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61268043A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JPH02144941A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14496783A patent/JPS6037146A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61268043A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JPH02144941A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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