JPS6036669A - 無電解銅めつき用触媒 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、力）ζｍｍ銅鋼っき用触媒に関する〇無電解
銅めっさは、印刷配厭扱の分野で、積層板等の絶縁基板
Ｃ（回路葡形成丁心ｆ（めに広ぐ用いられている。

この１合、絶縁基板の無電解銅めっきが施芒ｎ、　６　
ｔｆｉｉに１粘性化１丁なわち無電解銅めっさの７ζめ
の触媒核か形成さｒＬ心。この触媒核忙甲心にして、無
：ｔｔ　所組めっさ成牛のシｌ＋、ｌイオンが析出し。

成長して＠膜となり、　ＩＢ田路となあ。

が１線基板？清件化丁ゐたのに、無市腑鋼めっきの７ｔ
めの触媒となる正〕ｉ４パラジウムτ絶縁示板表面に形
成さ−ぜでいる。

従来、この盆踊パラジウムａ Ｃｌ ＰｄＣ１１＋Ｓｎ（Ｊｉｍ−一→Ｐｄ　＋ＳｎＣ＃４の
反応でｇ＋らｎており、硅深土なとの相体に担持ざｎ１
触媒作用を米子ようｅζ工夫さｎ、ていな。

そのためｓ　Ｓｎ＋（、ｌｙｚとの不純物ｒ多く君−１
ｘ）えに、相体を使用丁ゐため、接盾納混入し、アディ
ティブ印刷配＃Ｍψ用の埃有削（触媒入り）付槓層叡才
Ｎ這１ゐ場合、ぞジ、ねじｎが発」ユし、絶縁付に難点
〃Ｓあり、父、絶縁篭睨の杷緘Ｊ〜中に混入丁０ことは
１馳であっＲ○ と反末い芒せて伶られ、力ｎ熱により金属パラジウムを
生成丁／）晶化合物を塩む無′岨解飼（すめっき用触媒
である。

２１１Ｉｌ］のパラジウム化付物としてハ、増化パラジ
ウム（■）、フッ化パラジウム（■）、臭化パラジウム
（ＩＩＪ　、ヨウ化パラジウム（■υ、硝酸パラジウム
（１１）、硫酸パラジウム（男、酸化パラジウム（男、
値化バラジウム（１■）人び（ｔ′１らの混合物が使用
さｎろ。

ハロゲン化物１時に塩化パラジウム（ＩＩ）が好ましい
。１価、２１曲の銅化合ｊｉりＪとし７ては、墳化網（
１）、塩化鋼（ｉｌ）　ｓ　体醒綱（ＩＩ）及びこノ１
らの混合物か使用さ　ノ１、イコ。

基７ｍ丁ものが使用σｒｌる。

このよう６１アミノシシンとしてｆｉ、５−（２−１ミ
ノエチルアミノズロビル）ジメトキシエテルシラン、５
−Ｃ２−アミンエチルアミノプロピル）メトキシジエチ
ルシラン、３−（２−１ミノエチルアミノグロビル）ト
リエチルシラ／、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン
、ビス（ブチＡアミノ）ジメチルシラン、ヘキサメチル
ジシラザン、　Ｎ、Ｎ’−ビストリメチルシリルウレア
％　１．１．５．５．５．５ヘキサメチルシクロトリシ
ラザン、１．Ｃ３，５，５，５，７，７オクタメテルシ
クロテトランラザン、アミノメチルトリメチルシラン、
ブチルアミノメナルトリメチルシンン、イソプロピルア
ミツメナルトリメチルシラン、２−アミノユナルアミノ
メチルジメテルフェニルシラン、１５ビス（２アミノエ
チルアミンメチル）　１．１．６．５テトラメチルジシ
ロキサン及びこｎらの混合物かあな０ ２１１Ｔｏのパラジウム化合物？アミノシランと反応を
せて錯化合物ケ得るには、例えは、５−（２−アミンエ
チルアミノプロピル）ジメトキシメナル７シンｏ、　ｓ
　ｃｃ　ＩＣメタノールＱ、　５　ｃｃ　ｆ刀１ｊえ、
史に塩化パラジウム（ＩＩ）　ｘ加え２０分間振とつ丁
ゐことにより得ら７′１．ろ。この錯化合物に、１００
℃の加熱で金属パラジウムｒ生成丁ゐ。

得らｎ、Ｌ錯化合物では、塩化パラジウム（ＩＩはアミ
ノソランの７ミノ泰に〜ｆゴＩＺシてＪ、＝　！ｌ）　
、力１］熱丁ゐと、クーイ累に近接丁ゐメチル基の水素
により２愉のパラジウムθ−還元さｎて金塊パラジウム
忙生成丁ゐ〇 力１」熱懸度は例えは、５０〜ｂ く、アミノソランの麺類によｐ遍幅が決めらノコ−匂０ （１）卸化合物忙含む水浴液中に被めっき物勿浸１ｇ　
１．引き上ＩＴｔ加熱丁ゐことにより彼めっき物表１川
に金収槌パラジウムｒ／Ｊ：、成させる。

（２）鰯化曾物？、ゴムーフェノール系等の接盾刑甲に
分散（−１この伝淘剤ケガラス布ＶＣエポキシ紮ち凝Ｌ
　７〕槓層板等の表■に塗布し、加熱乾燥丁７）段階で
釦１＼ラジウム忙生成さぞ４）０ （６）錯仕付物紮、エポキシ情工脂のアセトン溶液中に
分散式せたワニス紫ガラス布等の基材に宮υさぎ、通常
の方法によりＷＩ層板を製造する。ブリグレグの乾保時
、積層板の加熱カロ圧時の熱Ｖ（より金属パラジウムか
生成丁ゐ０（４〕　錆化合物ケ、ポリエステル樹＆のＭ
機浴剤ｍ＃：中に分散させ、流延法でフィルム？つ（ゐ
。有機的ハリの加熱除去中の加熱により金属５− パラジウムが俳戟丁心〇 （５１ｈ−ｒｓｉヒ合９勿葡、ポリイミドのテトラピド
。７ラン浴欲中に分散ぜゼ、銅削ｔＶｃ扱僧丁ゐ○ヅ亮
き付は時の熱により金禍パラジウムが生成し触媒性紮姻
″丁絶縁電線が得ら〕１ゐ。

以上祝り］した１９に、本発明の無電情調めっき用触媒
は５次の利点か遼ゼらｎゐ。

（１）生戟丁ゐ金属パラジウムの粒子力１出かいため、
士ひらｆ′した無′亀ｍめっさの特性が潰ｎ、ゐ〇（２
）硅株土寺のお１体ｒ使用しないで丁むので。

浴液中での使用が可能であり、均−混侶′が容易。

（５）　Ｓｎ、Ｃ１等の不純物オ含まないため、侍ら才
した無電解めっさの特性か良い。

６− −「　♀ダ５　、ト市　ｊｌ−ミ　迂ト１．ごｌｌｉの
表示 昭１１１５８１Ｆｌ比ｉ’ｒｌ領第１４４６３５畳２、
発明の名称 、１１１ζ′Ｉ鵬１゛ｉ１・・１めっき用１ｌｉＪ！媒
３−　１ｄｉ＋Ｌ萄Ｊ゛、ｂ打 “川！、１．の関１糸　１１，７請出！頭人１１所　束
東部新宿区四？１ｒ宿−Ｊ”ｌ−１１番１＋；」名称（
・＋４５）　ｌ１１’７．ｉｌＵ戊千粟株式会ン１１（
−表打横山亮次 ４、代「里人 ■ｌ［ｉ（１ 居所　東京都ｊ“ｆ［イｌ”７区西新宿−Ｔｉ″１１番
１−Ｊ［］屑す戊工業株式会社内 （電話　東原　３４６−３１１１　、　（大代表）’ｉ
、ｔＩＩｉ＋ｌ（の内容 別１シｔ７ｊ通り。

明　＃Ｉ　簀 １、発明の名称 無゛１１解網めっさ用触媒 ２、％Ｂ１〜請求の範回 １．２１曲のパラジウム化合物又は１．２１曲のシ同化
合物τアミノシランと反応させて侍ら扛、カロ熱により
金属パラジウム又は金稿餉釦生成丁＾うｈ化合物盆せむ
焦１ば溶鋼めっさ用触媒。

５、発明の１１・相なｓｙ、明 不発明は％無１１鯛鋼めっき用触媒に関１−ゐ○無ｙｔ
解瑞めっさは、印桐耐１劇仮の分野で、積層似等の絶縁
基板に回路ケ形成するために広く用いら扛ている。

この場曾、絶縁基板の無電ｍ餉めっきが施される而げ活
性化、丁なゎち無亀屏銅めっきのための触媒核が形成さ
ｔしる。この触媒核τ中心にして、無電）＠銅めっさ液
中の餉イオンが伯’ｔＪＩＩ、、成長して＠膜とな９５
回路となる。

絶縁基板を活性化するにめに、無電屑餉めっさの／こ々
）’／Ｊ触々￥となる金［１パラジウム又ＶＪ金属１− 銅盆杷醇基似表面に形成させている。

従来、例えはこの金属パラジウムれＩ ＩＣｌ ＰｄＣ６−十５ｒＣ１−−タＰｄ　＋ＳｎＣ／！４の反
比）で何ら釘、ておジ、姓朦土などのＪ′目体にｊＵ付
ちれ、触媒作用τ未了ように＝ｌ失されている。

そのため、Ｓｎ、にＪ７ｊ：とＯ不純物を多く富むうえ
に、子１４体ｔ１更川丁ゐ几め、接７４酌に混入し、ア
ディナイズ印刷ｒ＃ｒ〜メ叡用の接看剤（触媒入り）何
槓層板）６：装造丁ゐ場合、そり、ねじ扛が発生し、絶
縁性に熱点ρ・あり、又、絶縁′Ｉ４２：鞄の開成層中
ＶＣ混入することは困難″′ｒ：あった。

不発明はこのような点に４みてなさ７’Ｌ　７でもので
、２１曲のパラジウム化合物又は１１曲、２１曲の銅化
什物ケ、アミノシランと反応させて得られ、加配により
金鵜パラジウム又は金属距忙１成する卸化合物を片む無
′岨牌納めっき用触媒である。

２１１ＩＩＩのパラジウム化付物としてに、増化パラジ
ウム（ｆｉｌ　１　フッ化パラジウム（男、臭化パラジ
ウム（１）、ヨウ化パラジウム（Ｉす、硝酸パラジウム
（ＩＩ）、Ｗｃ　ｌ＆パラジウム（１１）％　酸化パラ
ジウム（ｎ）、硫化バ２− ラジウム（ＩＩ）及びこれらの混合管が使用さ針な。

ハロゲン化物、％Ｖｃ塩化パラジウム（川が好ましい。

１価、２価の銅化付物）としては、塩化銅（１）、塩化
鋼（川、硫ｊ襄ｍ（１１）及びこれらの混合管か使用さ
７’Ｌる。

アミノシランとしては、塩化パラジウム（ｎ）等の２価
のパラジウム化刊物吟と錯体を形成丁ゐ、アずノ基、イ
ミノ革紫自し、かつ、２１曲のパラジウム等を金へパラ
ジウム等に還元するこのようｙ（アミノシランとしては
、３−（２−アミノエテルアミノプロビル）ジメトキシ
エチルシラン、５−（２−アミノエテルアミノプロビル
）メトキシジエチルシラン、５−（２−アミノエテルア
ミノプロビル）トリエナルシ７ン、ビス（エナルアミノ
）ジメチルシラン、ビス（ブチルアミノ）ジメチル７ラ
ン、ヘキサメチルジシラザン、　Ｎ、Ｎ’−ビストリメ
チルンリルウレア、１ｉ、、５．５．５．５へキサメテ
ルシクロトリ６− シラザン、１．１．３．５．５．５．７．７オクタメチ
ルシクロテトラシラザン、アミンメチルトリメナルシラ
ン、ブチルアミノメチルトリメチルシラン、イングロビ
ルアｉツメチルトリメチルシラン。

２−アミノエテルアミノメチルジメテルンエニルシラン
、１．５ビス（２アミノエテルアミツメｆｋ）　Ｌｌ、
３．３テトラメチルジシロキサン及ヒこ扛らの混合物が
ある。

２１曲のパラジウム化合物ｔアミノシランと反末６塾せ
て錯化合物Ｉ’ｘ得るには１例えは、６−（２−アミン
エチルアミノプロピル）ジメトキシメチルシランｏ、　
ｓ　ｅｃ　ｖｃメタノールＱ、５ｃｃｉ刀口λ−１史に
塩化パラジウム（ｆｆ）τ苅Ｊえ２０分間撮とうするこ
とにより得られる。この錯化合物は、１００℃のカロ熱
で金禍パラジウムを生成する。

侍られた錯化付物で１Ｊ％塩化パラジウム（１すａアミ
ノシランのアミノ示に配位しており、加熱すると、ケイ
素に近接するメチル基の水素によｔ）２１曲のパラジウ
ムは還元き才ｔて金属パラジウムケ生成する。

加勢搗友汀列λ＆、Ｉ：、　５０〜２００℃が好沓しぐ
、アばフシランの神類１ｃより４湖が決めらイする０ 本発明の錯化合物（ｌ）４蜜月例τ胱明する。使用石は
Ｐｄ、Ｃｕ０社で１取部％以下が好ましい。

（１）錯化合物ｔハ゛む水浴故中に機めっき物〒凝潰し
引き上け、力ｌｌＩ熱−１”、１．）ことにより被めっ
き！ｌ勿表向に金掬パラジウム又は金属銅盆午ノ戎訟ぜ
る０ （２）錯化・汁物ｔ１ゴムーフェノール系等の接后刑甲
に分散し、この１表有ハリ缶カラス布ＶＣエポキシを含
υしｌζ槓層板寺の異聞に塗布し、力１１熱乾燥する段
南で金属パラジウム又は金楠釧司荀生成させる。

（６）＠化合物ケ、エボキシイ立１月旨のアセトン浴液
中に分散させたソニス電ガラス布等の卑：材ＶＣ含伏さ
忙ｍｕｌｔ１：吊（１）力１’Ａにより積層板を製造す
る。プリプレグの乾片時、槓層板の加熱加圧時Ｑ熱によ
Ｖ金属パラジウム又げ金楠銅が生成する〇 （４）錯化付物ｔ１ポリエステル側哨のＭ磯浴剤溶液中
に分散させ、流延法でフィルムンつ（る。１機溶剤の加
熱除去中の加熱によ、０＠属パラジウム又は金）ｉｉ４
銅が生成丁＾０（５）錯化曾ｑ勿ｒ、ポリイミドのテト
ラビトロフランｍ欣申に分散さ、ぜ、銅線に伏樟する０
焼き付は時の熱により金駒パラジウム又は金属相か生成
し触媒性を市丁絶縁…５勝が傅ら扛る。

以上吠明しｋよ’）ＶＣＳ本発明の無電解銅めっき用触
媒は、次の利点が達ゼら扛る。

（１）生成する金属パラジウム又は金Ｍ銅の粒子が＃Ｉ
ｌ＋　ｉ＞いため、イむらｎた無電解めっきの特性が優
ｊＬる〇 （２）硅深土等の担体を使用しないで丁むので、浴液中
での使用が可能Ｔ″おり、均−庇付が谷筋０ （５１Ｓｎ、Ｃ／寺の不純物を含１ないため、侍らｎた
無動゛、解めっさの１時性が艮い〇

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．２１曲のパラジウム化合１勿又は１．２１曲の＝＝
   ｈ化合化合物足アミンシラン応させて倚ら扛、力０熱（
   （より金欄パラジウム葡生成丁ゐ鈍化合物γ含む無地、
   ＃組めっさ用触媒。