JPS6028603A - プリズム式ビ−ムスプリツタ - Google Patents
プリズム式ビ−ムスプリツタInfo
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- JPS6028603A JPS6028603A JP13736883A JP13736883A JPS6028603A JP S6028603 A JPS6028603 A JP S6028603A JP 13736883 A JP13736883 A JP 13736883A JP 13736883 A JP13736883 A JP 13736883A JP S6028603 A JPS6028603 A JP S6028603A
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- Japan
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- dielectric layer
- refractive index
- dielectric
- layer
- beam splitter
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ＴＴＬ測光により露出制御や合焦検出を行う
スチールカメラや、シネカメラなどに用いられるプリズ
ム式ビームスプリッタに関する。
スチールカメラや、シネカメラなどに用いられるプリズ
ム式ビームスプリッタに関する。
従来技術
本願出願人が先に出願−し公開された特開昭５６−４３
６０１号公報には、プリズム式ビームスプリッタにおい
て、互いに同屈折率のガラスからなる２個のプリズムの
接合面に、順に、該ガラスよりも低い屈折率の誘電体か
らなる第１誘電体層、Ａｇからなる金属層５及び該ガラ
スよりも高・・い屈折率の誘電体からなる第２誘電体層
の３層を積層し、第１及び第２誘電体層の光学的膜厚を
共にλＯ／４（λ０：設計波長）としたプリズム式ビー
ムスプリッタが開示されている。しかしながら、このよ
うな構成では、該公報ｍの表に示されているように、入
射角４５°の光に対して透過率も反射率もＰ成分とＳ成
分とで２０％以上の差があり、従って上述の如きスチー
ルカメラやシネカメラなどビームスプリッタの光半透過
膜への入射角か４５°近傍となる場合には偏光の影響が
大きい。
６０１号公報には、プリズム式ビームスプリッタにおい
て、互いに同屈折率のガラスからなる２個のプリズムの
接合面に、順に、該ガラスよりも低い屈折率の誘電体か
らなる第１誘電体層、Ａｇからなる金属層５及び該ガラ
スよりも高・・い屈折率の誘電体からなる第２誘電体層
の３層を積層し、第１及び第２誘電体層の光学的膜厚を
共にλＯ／４（λ０：設計波長）としたプリズム式ビー
ムスプリッタが開示されている。しかしながら、このよ
うな構成では、該公報ｍの表に示されているように、入
射角４５°の光に対して透過率も反射率もＰ成分とＳ成
分とで２０％以上の差があり、従って上述の如きスチー
ルカメラやシネカメラなどビームスプリッタの光半透過
膜への入射角か４５°近傍となる場合には偏光の影響が
大きい。
目 的
本発明は」−述の如き点に鑑みてなされたものであり、
その目的は、製造容易で、かつ、入射角４５°の光に対
して偏光の影響の少ないプリズム式ビームスプリッタを
提［（することにある。
その目的は、製造容易で、かつ、入射角４５°の光に対
して偏光の影響の少ないプリズム式ビームスプリッタを
提［（することにある。
発明の要旨
本発明溝は、上記第１１誘電体層の屈折率をガラスより
も高くし、該屈折率が１．５５−１．７５の物質を用い
ると偏光の影響を少なくすることができ上記目的が達成
されることを見い出し本発明に至ったものである。従っ
て、本発明は、互いに屈折率のほぼ等しいガラスからな
る第１．第２プリズムの間に光半透過膜が形成されるプ
リズム式ビームスプリッタにおいて、該光半透過膜は、
Ｓｌプリズム側から第２プリズム側へ順に、誘電体から
なる第１誘電体層、Ａｇからなる金属層、及び誘電体か
らなる第２誘電体層の３層構成であり、かつ、第１プリ
ズムの屈折率をｎｏ、第１誘電体層の屈折率を旧、光学
的膜厚をｎｒｄｔ、第２誘電体層の屈折率を１２．光学
的膜厚をｎｚｄｚ、 ４ＱＱｎｍ 〜７ＱＱｎｍ 〕範
囲内で選択される設計波長をλ０とするとき、［１１ｎ
ｏ＜ｎｔ ＋２１ １．５５’旧≦１．７５ ＋３１ １．８５ ＜ ｎｚ Ｇ ２．４５（４１ｎ＋
ｄｔ ＝ ｎｚｄｚ ＝ Ｑ、２５λ０なる条件を満足
することを特徴とするものである。
も高くし、該屈折率が１．５５−１．７５の物質を用い
ると偏光の影響を少なくすることができ上記目的が達成
されることを見い出し本発明に至ったものである。従っ
て、本発明は、互いに屈折率のほぼ等しいガラスからな
る第１．第２プリズムの間に光半透過膜が形成されるプ
リズム式ビームスプリッタにおいて、該光半透過膜は、
Ｓｌプリズム側から第２プリズム側へ順に、誘電体から
なる第１誘電体層、Ａｇからなる金属層、及び誘電体か
らなる第２誘電体層の３層構成であり、かつ、第１プリ
ズムの屈折率をｎｏ、第１誘電体層の屈折率を旧、光学
的膜厚をｎｒｄｔ、第２誘電体層の屈折率を１２．光学
的膜厚をｎｚｄｚ、 ４ＱＱｎｍ 〜７ＱＱｎｍ 〕範
囲内で選択される設計波長をλ０とするとき、［１１ｎ
ｏ＜ｎｔ ＋２１ １．５５’旧≦１．７５ ＋３１ １．８５ ＜ ｎｚ Ｇ ２．４５（４１ｎ＋
ｄｔ ＝ ｎｚｄｚ ＝ Ｑ、２５λ０なる条件を満足
することを特徴とするものである。
各条件ｉｌｌ〜（４）について説明すると、条件（月及
び（２）は、第１誘電体層とガラスとの屈折率の大小関
係及び第１誘電体層の屈折率範囲を規定するものであり
、条件（１１をはすれると偏光に対する影響が大きくな
る。更に、条件＋２１の下限を越えると条件（１）を満
たす為にはプリズムの屈折率をもっと低くせねばならず
実現困難となるし、条件（２）の上限を越えると第２誘
電体層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影
響が大きぐなる。条件（３］は第２誘電体層の屈折率範
囲を規定するものであり、上限を越えると適用物質が存
在せず実現不可能となるし、下限を越えると第１誘電体
層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影響が
小さくなる。条件（４１は！１ 、’ｉ４２誘電体層の
光学的膜厚を規定するものであり、これをはずれると各
層真空蒸着時の膜厚モニタが複雑になり、製造に手間が
かかる。
び（２）は、第１誘電体層とガラスとの屈折率の大小関
係及び第１誘電体層の屈折率範囲を規定するものであり
、条件（１１をはすれると偏光に対する影響が大きくな
る。更に、条件＋２１の下限を越えると条件（１）を満
たす為にはプリズムの屈折率をもっと低くせねばならず
実現困難となるし、条件（２）の上限を越えると第２誘
電体層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影
響が大きぐなる。条件（３］は第２誘電体層の屈折率範
囲を規定するものであり、上限を越えると適用物質が存
在せず実現不可能となるし、下限を越えると第１誘電体
層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影響が
小さくなる。条件（４１は！１ 、’ｉ４２誘電体層の
光学的膜厚を規定するものであり、これをはずれると各
層真空蒸着時の膜厚モニタが複雑になり、製造に手間が
かかる。
実施例
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明一実施例に係るプリズム式ビームスプリ
ッタを示す図で、同図において、＋２１４１はそれぞれ
同一のガラスからなる同一形状の直角二等辺三角形プリ
ズムからなる第１及び第２プリズムで、両プリズム＋２
１ ＋４］の接合面に光半透過膜（ＨＭ）が形成されて
いる。光半透過膜（ＨＭ）は、第１プリズム＋２１側か
′ら第２プリズム（４）側へ順に、プリズムｔ２１ｔ４
１の屈折率より高い中屈折率の誘電体からなる第１誘電
体層（Ｍｌ 、 Ａｇからなる金属層（Ａｇ）、及び高
屈折率の誘電体からなる第２誘電体層四の３層構成を有
し、第１・＠２誘電体層ｆｌｙ１１四の光学的膜厚は、
設計波長をλ０として、それぞれ０．２５λＯとされて
いる。（Ｃ１は接着剤層である。金属層（Ａｇ）の幾何
学的膜厚は、１０〜５Ｑｎｍの範囲内で所望の反射率及
び透過率に応じて選択される。
ッタを示す図で、同図において、＋２１４１はそれぞれ
同一のガラスからなる同一形状の直角二等辺三角形プリ
ズムからなる第１及び第２プリズムで、両プリズム＋２
１ ＋４］の接合面に光半透過膜（ＨＭ）が形成されて
いる。光半透過膜（ＨＭ）は、第１プリズム＋２１側か
′ら第２プリズム（４）側へ順に、プリズムｔ２１ｔ４
１の屈折率より高い中屈折率の誘電体からなる第１誘電
体層（Ｍｌ 、 Ａｇからなる金属層（Ａｇ）、及び高
屈折率の誘電体からなる第２誘電体層四の３層構成を有
し、第１・＠２誘電体層ｆｌｙ１１四の光学的膜厚は、
設計波長をλ０として、それぞれ０．２５λＯとされて
いる。（Ｃ１は接着剤層である。金属層（Ａｇ）の幾何
学的膜厚は、１０〜５Ｑｎｍの範囲内で所望の反射率及
び透過率に応じて選択される。
以上の如き構成からなるビームスプリッタは、頓１プリ
ズム（２）の接合面上に中屈折率誘電体、Ａｇ。
ズム（２）の接合面上に中屈折率誘電体、Ａｇ。
高屈折率誘電体を順にそれぞれ各所定膜厚となるまで真
空蒸着し、その上に接着剤を塗布して′？＠′Ｊ２プリ
ズム（４）を接合すれば良い。尚、通に接着剤層ｔｅｌ
を第１プリズム（２）と第１誘電体層＋Ｍｌとの間に設
けても良い。
空蒸着し、その上に接着剤を塗布して′？＠′Ｊ２プリ
ズム（４）を接合すれば良い。尚、通に接着剤層ｔｅｌ
を第１プリズム（２）と第１誘電体層＋Ｍｌとの間に設
けても良い。
上記ビームスプリッタは、第１プリズム（２）の側から
光が入射し、この入射光＋ＩＩが反射光（Ｒ１と透過光
ｆＴｌとに二分割される。逆に、第２プリズム（４）の
側から光が入射するように用いても良いが、ビームスプ
リッタによる光の吸収が若干大きくなり、光損失が若干
大きくなる。
光が入射し、この入射光＋ＩＩが反射光（Ｒ１と透過光
ｆＴｌとに二分割される。逆に、第２プリズム（４）の
側から光が入射するように用いても良いが、ビームスプ
リッタによる光の吸収が若干大きくなり、光損失が若干
大きくなる。
以下、各実施例の具体的構成を表に示す。
実施例１
スＯ＝ ５５Ｑｎｍ
本実施例の分光特性を第２図に示す。第２図において、
ＲｓはＳ波成分の反射率、 ＲｐはＰ波成分の反射率、
ＴｓははＳ波成分の透過率・ＴｐはＰ波成分の透過率
をそれぞれ示す。第２図から明らかなように、本実施例
によれば、反射率も透過率も１−ＩＪ視波長全域におい
て比較的フラットであるとともに、ＲｓとＲｐ及びＴＳ
とＴｐとの差が数％以下と少ないので偏光の影響も少な
く、吸収による光損失も少ない。更に、本実施例によれ
ば、両誘電体層岡（川の光学的膜厚は互いに等し、く設
計波長のＶ４であるので、真空蒸着特にモニタさ１１．
る反射率力≦極値となったときに蒸着を停止させ；！Ｌ
ｃ工良＜ −ＩＩＫ厚制御が簡単で製造が容易である
。
ＲｓはＳ波成分の反射率、 ＲｐはＰ波成分の反射率、
ＴｓははＳ波成分の透過率・ＴｐはＰ波成分の透過率
をそれぞれ示す。第２図から明らかなように、本実施例
によれば、反射率も透過率も１−ＩＪ視波長全域におい
て比較的フラットであるとともに、ＲｓとＲｐ及びＴＳ
とＴｐとの差が数％以下と少ないので偏光の影響も少な
く、吸収による光損失も少ない。更に、本実施例によれ
ば、両誘電体層岡（川の光学的膜厚は互いに等し、く設
計波長のＶ４であるので、真空蒸着特にモニタさ１１．
る反射率力≦極値となったときに蒸着を停止させ；！Ｌ
ｃ工良＜ −ＩＩＫ厚制御が簡単で製造が容易である
。
実施例２゜
λｏ ＝ ４８Ｑｎｎ１
本実施例の分光特性を、第２図と同様にして第３図に示
す。第３図から明らかなように、本実施例においても分
光特性が可視波長全域にわたってフラットでかつ光損失
も少なく、偏光の影響も少ない。更に、両誘電体層が）
町の光学的膜厚は共にλ０／４であるので膜厚制御か簡
単で製造が容易である。
す。第３図から明らかなように、本実施例においても分
光特性が可視波長全域にわたってフラットでかつ光損失
も少なく、偏光の影響も少ない。更に、両誘電体層が）
町の光学的膜厚は共にλ０／４であるので膜厚制御か簡
単で製造が容易である。
第４図は、本発明に係るプリズム式ビームスプリッタ（
ＢＳ）をシネカメラに用いた例を示しており、撮影レン
ズ（ＴＬ）を透過した光はビームスプリッタ（ＢＳ）で
二分割され、透過光はフィルム面例に導かれ反射光はフ
ァインダ系（ＦＳ）に導かれろ。
ＢＳ）をシネカメラに用いた例を示しており、撮影レン
ズ（ＴＬ）を透過した光はビームスプリッタ（ＢＳ）で
二分割され、透過光はフィルム面例に導かれ反射光はフ
ァインダ系（ＦＳ）に導かれろ。
尚、本発明において、第２誘電体層（川は実施例の如（
Ｚｒ０ｚ及びＴｉＯ２に限定されるものではなく、Ｃｅ
Ｏ２，ＺｎＳなど屈折率が１．８５〜２．４５の誘電体
であれば良く、また、第１誘電体層（財））も屈折率１
．５５〜１．７５の誘電体で構成されれば良い。
Ｚｒ０ｚ及びＴｉＯ２に限定されるものではなく、Ｃｅ
Ｏ２，ＺｎＳなど屈折率が１．８５〜２．４５の誘電体
であれば良く、また、第１誘電体層（財））も屈折率１
．５５〜１．７５の誘電体で構成されれば良い。
効 果
り、］二のように、本発明は、」二連の如き条件を満足
することを特徴とするものであり、これによって、＋ｊ
Ｊ視波長波長全域いて反射率・透過率ともフラットな分
光特性とｔＸす、偏光の影響も少なく光損失も少ない」
二に、両誘電体層の光学的膜厚が共にλＯ／４であるの
で製造か容易な３層構成のプリズム式ビームスプリッタ
を得るこまかできる。
することを特徴とするものであり、これによって、＋ｊ
Ｊ視波長波長全域いて反射率・透過率ともフラットな分
光特性とｔＸす、偏光の影響も少なく光損失も少ない」
二に、両誘電体層の光学的膜厚が共にλＯ／４であるの
で製造か容易な３層構成のプリズム式ビームスプリッタ
を得るこまかできる。
第１図は本発明実施例のプリズム式ビームスプリッタを
示す図、第２図及び第３図は実施例１及び２の入射角４
５°の光に対する分光特性を示すグラフ、第４図は本発
明に係るビームスプリッタをシネカメラに用いた例を示
す図である。 （２１；第１プリズム、 ［４） ；第２プリズム、
（ＨＭ）。 光半透過膜、 ［Ｍ＋ ＋第１誘電体層＋ （Ａｇ）；
金属層。 叫；第２誘電体層。 以」二 出願人 ミノルタカメラ株式会社
示す図、第２図及び第３図は実施例１及び２の入射角４
５°の光に対する分光特性を示すグラフ、第４図は本発
明に係るビームスプリッタをシネカメラに用いた例を示
す図である。 （２１；第１プリズム、 ［４） ；第２プリズム、
（ＨＭ）。 光半透過膜、 ［Ｍ＋ ＋第１誘電体層＋ （Ａｇ）；
金属層。 叫；第２誘電体層。 以」二 出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α、いに屈折率のほぼ等しいガラスからなる第１゜第２
プリズムの間に光半透過膜が形成されるプリズム式ビー
ムスプリッタにおいて、該光半透過膜は、第１プリズム
側から第２プリズム側へ順に、誘「１１体からなる第１
誘電体層、Ａｇからなる金属層及び誘電体からなる第２
誘電体層の３層構成であり、かつ、次の条件を潤足する
ことを特徴とするプリズム式ビームスプリッタ； １１０＜旧 １．５５’Ｇ旧≦１．７５ ］ 、 ３５ ％ ｎ ２ ≦ ２．４５ｎ＋ｄ＋ ＝
ｒ＋ｚｄ２＝ Ｑ、２５λ０但し、ここで、 １１０；第１プリズムの屈折率。 １１１；第１誘電体層の屈折率２ ｎ２；第２誘電体層の屈折率。 Ｈｔｄｔ ； 第１誘電体層の光学的膜厚。 ｒ＋ｚｄ２；第２誘電体層の光学的膜厚。 λＯ； ４ＱＱｎｍ〜７００ｎｍの範囲内で選択される
設計波長。 である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137368A JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137368A JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028603A true JPS6028603A (ja) | 1985-02-13 |
| JPH0619482B2 JPH0619482B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=15197046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137368A Expired - Lifetime JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619482B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394201A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Ricoh Co Ltd | ビ−ムスプリツタ |
| EP1227358A3 (en) * | 2001-01-25 | 2004-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and liquid crystal projector and camera using the same |
| WO2011048875A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | シグマ光機株式会社 | プレート型の広帯域無偏光ビームスプリッター |
| EP3516448B1 (en) | 2016-09-22 | 2022-08-24 | Lightforce USA, Inc., D/B/A/ Nightforce Optics | Optical targeting information projection system for weapon system aiming scopes and related systems |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101859728B1 (ko) * | 2018-04-18 | 2018-05-18 | 주식회사 경신 | 분리형 멀티퓨즈 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643601A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Semipermeable mirror |
| JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP58137368A patent/JPH0619482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643601A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Semipermeable mirror |
| JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394201A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Ricoh Co Ltd | ビ−ムスプリツタ |
| EP1227358A3 (en) * | 2001-01-25 | 2004-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and liquid crystal projector and camera using the same |
| WO2011048875A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | シグマ光機株式会社 | プレート型の広帯域無偏光ビームスプリッター |
| EP3516448B1 (en) | 2016-09-22 | 2022-08-24 | Lightforce USA, Inc., D/B/A/ Nightforce Optics | Optical targeting information projection system for weapon system aiming scopes and related systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619482B2 (ja) | 1994-03-16 |
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