JPS6028603A - プリズム式ビ−ムスプリツタ - Google Patents
プリズム式ビ−ムスプリツタInfo
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- JPS6028603A JPS6028603A JP13736883A JP13736883A JPS6028603A JP S6028603 A JPS6028603 A JP S6028603A JP 13736883 A JP13736883 A JP 13736883A JP 13736883 A JP13736883 A JP 13736883A JP S6028603 A JPS6028603 A JP S6028603A
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- Japan
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- dielectric layer
- refractive index
- dielectric
- layer
- beam splitter
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- G02B5/20—Filters
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- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
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- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/142—Coating structures, e.g. thin films multilayers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/144—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using partially transparent surfaces without spectral selectivity
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、TTL測光により露出制御や合焦検出を行う
スチールカメラや、シネカメラなどに用いられるプリズ
ム式ビームスプリッタに関する。
スチールカメラや、シネカメラなどに用いられるプリズ
ム式ビームスプリッタに関する。
従来技術
本願出願人が先に出願−し公開された特開昭56−43
601号公報には、プリズム式ビームスプリッタにおい
て、互いに同屈折率のガラスからなる2個のプリズムの
接合面に、順に、該ガラスよりも低い屈折率の誘電体か
らなる第1誘電体層、Agからなる金属層5及び該ガラ
スよりも高・・い屈折率の誘電体からなる第2誘電体層
の3層を積層し、第1及び第2誘電体層の光学的膜厚を
共にλO/4(λ0:設計波長)としたプリズム式ビー
ムスプリッタが開示されている。しかしながら、このよ
うな構成では、該公報mの表に示されているように、入
射角45°の光に対して透過率も反射率もP成分とS成
分とで20%以上の差があり、従って上述の如きスチー
ルカメラやシネカメラなどビームスプリッタの光半透過
膜への入射角か45°近傍となる場合には偏光の影響が
大きい。
601号公報には、プリズム式ビームスプリッタにおい
て、互いに同屈折率のガラスからなる2個のプリズムの
接合面に、順に、該ガラスよりも低い屈折率の誘電体か
らなる第1誘電体層、Agからなる金属層5及び該ガラ
スよりも高・・い屈折率の誘電体からなる第2誘電体層
の3層を積層し、第1及び第2誘電体層の光学的膜厚を
共にλO/4(λ0:設計波長)としたプリズム式ビー
ムスプリッタが開示されている。しかしながら、このよ
うな構成では、該公報mの表に示されているように、入
射角45°の光に対して透過率も反射率もP成分とS成
分とで20%以上の差があり、従って上述の如きスチー
ルカメラやシネカメラなどビームスプリッタの光半透過
膜への入射角か45°近傍となる場合には偏光の影響が
大きい。
目 的
本発明は」−述の如き点に鑑みてなされたものであり、
その目的は、製造容易で、かつ、入射角45°の光に対
して偏光の影響の少ないプリズム式ビームスプリッタを
提[(することにある。
その目的は、製造容易で、かつ、入射角45°の光に対
して偏光の影響の少ないプリズム式ビームスプリッタを
提[(することにある。
発明の要旨
本発明溝は、上記第11誘電体層の屈折率をガラスより
も高くし、該屈折率が1.55−1.75の物質を用い
ると偏光の影響を少なくすることができ上記目的が達成
されることを見い出し本発明に至ったものである。従っ
て、本発明は、互いに屈折率のほぼ等しいガラスからな
る第1.第2プリズムの間に光半透過膜が形成されるプ
リズム式ビームスプリッタにおいて、該光半透過膜は、
Slプリズム側から第2プリズム側へ順に、誘電体から
なる第1誘電体層、Agからなる金属層、及び誘電体か
らなる第2誘電体層の3層構成であり、かつ、第1プリ
ズムの屈折率をno、第1誘電体層の屈折率を旧、光学
的膜厚をnrdt、第2誘電体層の屈折率を12.光学
的膜厚をnzdz、 4QQnm 〜7QQnm 〕範
囲内で選択される設計波長をλ0とするとき、[11n
o<nt +21 1.55’旧≦1.75 +31 1.85 < nz G 2.45(41n+
dt = nzdz = Q、25λ0なる条件を満足
することを特徴とするものである。
も高くし、該屈折率が1.55−1.75の物質を用い
ると偏光の影響を少なくすることができ上記目的が達成
されることを見い出し本発明に至ったものである。従っ
て、本発明は、互いに屈折率のほぼ等しいガラスからな
る第1.第2プリズムの間に光半透過膜が形成されるプ
リズム式ビームスプリッタにおいて、該光半透過膜は、
Slプリズム側から第2プリズム側へ順に、誘電体から
なる第1誘電体層、Agからなる金属層、及び誘電体か
らなる第2誘電体層の3層構成であり、かつ、第1プリ
ズムの屈折率をno、第1誘電体層の屈折率を旧、光学
的膜厚をnrdt、第2誘電体層の屈折率を12.光学
的膜厚をnzdz、 4QQnm 〜7QQnm 〕範
囲内で選択される設計波長をλ0とするとき、[11n
o<nt +21 1.55’旧≦1.75 +31 1.85 < nz G 2.45(41n+
dt = nzdz = Q、25λ0なる条件を満足
することを特徴とするものである。
各条件ill〜(4)について説明すると、条件(月及
び(2)は、第1誘電体層とガラスとの屈折率の大小関
係及び第1誘電体層の屈折率範囲を規定するものであり
、条件(11をはすれると偏光に対する影響が大きくな
る。更に、条件+21の下限を越えると条件(1)を満
たす為にはプリズムの屈折率をもっと低くせねばならず
実現困難となるし、条件(2)の上限を越えると第2誘
電体層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影
響が大きぐなる。条件(3]は第2誘電体層の屈折率範
囲を規定するものであり、上限を越えると適用物質が存
在せず実現不可能となるし、下限を越えると第1誘電体
層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影響が
小さくなる。条件(41は!1 、’i42誘電体層の
光学的膜厚を規定するものであり、これをはずれると各
層真空蒸着時の膜厚モニタが複雑になり、製造に手間が
かかる。
び(2)は、第1誘電体層とガラスとの屈折率の大小関
係及び第1誘電体層の屈折率範囲を規定するものであり
、条件(11をはすれると偏光に対する影響が大きくな
る。更に、条件+21の下限を越えると条件(1)を満
たす為にはプリズムの屈折率をもっと低くせねばならず
実現困難となるし、条件(2)の上限を越えると第2誘
電体層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影
響が大きぐなる。条件(3]は第2誘電体層の屈折率範
囲を規定するものであり、上限を越えると適用物質が存
在せず実現不可能となるし、下限を越えると第1誘電体
層との屈折率差が小さくなりすきで偏光に対する影響が
小さくなる。条件(41は!1 、’i42誘電体層の
光学的膜厚を規定するものであり、これをはずれると各
層真空蒸着時の膜厚モニタが複雑になり、製造に手間が
かかる。
実施例
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明一実施例に係るプリズム式ビームスプリ
ッタを示す図で、同図において、+2141はそれぞれ
同一のガラスからなる同一形状の直角二等辺三角形プリ
ズムからなる第1及び第2プリズムで、両プリズム+2
1 +4]の接合面に光半透過膜(HM)が形成されて
いる。光半透過膜(HM)は、第1プリズム+21側か
′ら第2プリズム(4)側へ順に、プリズムt21t4
1の屈折率より高い中屈折率の誘電体からなる第1誘電
体層(Ml 、 Agからなる金属層(Ag)、及び高
屈折率の誘電体からなる第2誘電体層四の3層構成を有
し、第1・@2誘電体層fly11四の光学的膜厚は、
設計波長をλ0として、それぞれ0.25λOとされて
いる。(C1は接着剤層である。金属層(Ag)の幾何
学的膜厚は、10〜5Qnmの範囲内で所望の反射率及
び透過率に応じて選択される。
ッタを示す図で、同図において、+2141はそれぞれ
同一のガラスからなる同一形状の直角二等辺三角形プリ
ズムからなる第1及び第2プリズムで、両プリズム+2
1 +4]の接合面に光半透過膜(HM)が形成されて
いる。光半透過膜(HM)は、第1プリズム+21側か
′ら第2プリズム(4)側へ順に、プリズムt21t4
1の屈折率より高い中屈折率の誘電体からなる第1誘電
体層(Ml 、 Agからなる金属層(Ag)、及び高
屈折率の誘電体からなる第2誘電体層四の3層構成を有
し、第1・@2誘電体層fly11四の光学的膜厚は、
設計波長をλ0として、それぞれ0.25λOとされて
いる。(C1は接着剤層である。金属層(Ag)の幾何
学的膜厚は、10〜5Qnmの範囲内で所望の反射率及
び透過率に応じて選択される。
以上の如き構成からなるビームスプリッタは、頓1プリ
ズム(2)の接合面上に中屈折率誘電体、Ag。
ズム(2)の接合面上に中屈折率誘電体、Ag。
高屈折率誘電体を順にそれぞれ各所定膜厚となるまで真
空蒸着し、その上に接着剤を塗布して′?@′J2プリ
ズム(4)を接合すれば良い。尚、通に接着剤層tel
を第1プリズム(2)と第1誘電体層+Mlとの間に設
けても良い。
空蒸着し、その上に接着剤を塗布して′?@′J2プリ
ズム(4)を接合すれば良い。尚、通に接着剤層tel
を第1プリズム(2)と第1誘電体層+Mlとの間に設
けても良い。
上記ビームスプリッタは、第1プリズム(2)の側から
光が入射し、この入射光+IIが反射光(R1と透過光
fTlとに二分割される。逆に、第2プリズム(4)の
側から光が入射するように用いても良いが、ビームスプ
リッタによる光の吸収が若干大きくなり、光損失が若干
大きくなる。
光が入射し、この入射光+IIが反射光(R1と透過光
fTlとに二分割される。逆に、第2プリズム(4)の
側から光が入射するように用いても良いが、ビームスプ
リッタによる光の吸収が若干大きくなり、光損失が若干
大きくなる。
以下、各実施例の具体的構成を表に示す。
実施例1
スO= 55Qnm
本実施例の分光特性を第2図に示す。第2図において、
RsはS波成分の反射率、 RpはP波成分の反射率、
TsははS波成分の透過率・TpはP波成分の透過率
をそれぞれ示す。第2図から明らかなように、本実施例
によれば、反射率も透過率も1−IJ視波長全域におい
て比較的フラットであるとともに、RsとRp及びTS
とTpとの差が数%以下と少ないので偏光の影響も少な
く、吸収による光損失も少ない。更に、本実施例によれ
ば、両誘電体層岡(川の光学的膜厚は互いに等し、く設
計波長のV4であるので、真空蒸着特にモニタさ11.
る反射率力≦極値となったときに蒸着を停止させ;!L
c工良< −IIK厚制御が簡単で製造が容易である
。
RsはS波成分の反射率、 RpはP波成分の反射率、
TsははS波成分の透過率・TpはP波成分の透過率
をそれぞれ示す。第2図から明らかなように、本実施例
によれば、反射率も透過率も1−IJ視波長全域におい
て比較的フラットであるとともに、RsとRp及びTS
とTpとの差が数%以下と少ないので偏光の影響も少な
く、吸収による光損失も少ない。更に、本実施例によれ
ば、両誘電体層岡(川の光学的膜厚は互いに等し、く設
計波長のV4であるので、真空蒸着特にモニタさ11.
る反射率力≦極値となったときに蒸着を停止させ;!L
c工良< −IIK厚制御が簡単で製造が容易である
。
実施例2゜
λo = 48Qnn1
本実施例の分光特性を、第2図と同様にして第3図に示
す。第3図から明らかなように、本実施例においても分
光特性が可視波長全域にわたってフラットでかつ光損失
も少なく、偏光の影響も少ない。更に、両誘電体層が)
町の光学的膜厚は共にλ0/4であるので膜厚制御か簡
単で製造が容易である。
す。第3図から明らかなように、本実施例においても分
光特性が可視波長全域にわたってフラットでかつ光損失
も少なく、偏光の影響も少ない。更に、両誘電体層が)
町の光学的膜厚は共にλ0/4であるので膜厚制御か簡
単で製造が容易である。
第4図は、本発明に係るプリズム式ビームスプリッタ(
BS)をシネカメラに用いた例を示しており、撮影レン
ズ(TL)を透過した光はビームスプリッタ(BS)で
二分割され、透過光はフィルム面例に導かれ反射光はフ
ァインダ系(FS)に導かれろ。
BS)をシネカメラに用いた例を示しており、撮影レン
ズ(TL)を透過した光はビームスプリッタ(BS)で
二分割され、透過光はフィルム面例に導かれ反射光はフ
ァインダ系(FS)に導かれろ。
尚、本発明において、第2誘電体層(川は実施例の如(
Zr0z及びTiO2に限定されるものではなく、Ce
O2,ZnSなど屈折率が1.85〜2.45の誘電体
であれば良く、また、第1誘電体層(財))も屈折率1
.55〜1.75の誘電体で構成されれば良い。
Zr0z及びTiO2に限定されるものではなく、Ce
O2,ZnSなど屈折率が1.85〜2.45の誘電体
であれば良く、また、第1誘電体層(財))も屈折率1
.55〜1.75の誘電体で構成されれば良い。
効 果
り、]二のように、本発明は、」二連の如き条件を満足
することを特徴とするものであり、これによって、+j
J視波長波長全域いて反射率・透過率ともフラットな分
光特性とtXす、偏光の影響も少なく光損失も少ない」
二に、両誘電体層の光学的膜厚が共にλO/4であるの
で製造か容易な3層構成のプリズム式ビームスプリッタ
を得るこまかできる。
することを特徴とするものであり、これによって、+j
J視波長波長全域いて反射率・透過率ともフラットな分
光特性とtXす、偏光の影響も少なく光損失も少ない」
二に、両誘電体層の光学的膜厚が共にλO/4であるの
で製造か容易な3層構成のプリズム式ビームスプリッタ
を得るこまかできる。
第1図は本発明実施例のプリズム式ビームスプリッタを
示す図、第2図及び第3図は実施例1及び2の入射角4
5°の光に対する分光特性を示すグラフ、第4図は本発
明に係るビームスプリッタをシネカメラに用いた例を示
す図である。 (21;第1プリズム、 [4) ;第2プリズム、
(HM)。 光半透過膜、 [M+ +第1誘電体層+ (Ag);
金属層。 叫;第2誘電体層。 以」二 出願人 ミノルタカメラ株式会社
示す図、第2図及び第3図は実施例1及び2の入射角4
5°の光に対する分光特性を示すグラフ、第4図は本発
明に係るビームスプリッタをシネカメラに用いた例を示
す図である。 (21;第1プリズム、 [4) ;第2プリズム、
(HM)。 光半透過膜、 [M+ +第1誘電体層+ (Ag);
金属層。 叫;第2誘電体層。 以」二 出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α、いに屈折率のほぼ等しいガラスからなる第1゜第2
プリズムの間に光半透過膜が形成されるプリズム式ビー
ムスプリッタにおいて、該光半透過膜は、第1プリズム
側から第2プリズム側へ順に、誘「11体からなる第1
誘電体層、Agからなる金属層及び誘電体からなる第2
誘電体層の3層構成であり、かつ、次の条件を潤足する
ことを特徴とするプリズム式ビームスプリッタ; 110<旧 1.55’G旧≦1.75 ] 、 35 % n 2 ≦ 2.45n+d+ =
r+zd2= Q、25λ0但し、ここで、 110;第1プリズムの屈折率。 111;第1誘電体層の屈折率2 n2;第2誘電体層の屈折率。 Htdt ; 第1誘電体層の光学的膜厚。 r+zd2;第2誘電体層の光学的膜厚。 λO; 4QQnm〜700nmの範囲内で選択される
設計波長。 である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58137368A JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58137368A JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6028603A true JPS6028603A (ja) | 1985-02-13 |
JPH0619482B2 JPH0619482B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=15197046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58137368A Expired - Lifetime JPH0619482B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0619482B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6394201A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Ricoh Co Ltd | ビ−ムスプリツタ |
EP1227358A3 (en) * | 2001-01-25 | 2004-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and liquid crystal projector and camera using the same |
WO2011048875A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | シグマ光機株式会社 | プレート型の広帯域無偏光ビームスプリッター |
EP3516448B1 (en) | 2016-09-22 | 2022-08-24 | Lightforce USA, Inc., D/B/A/ Nightforce Optics | Optical targeting information projection system for weapon system aiming scopes and related systems |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101859728B1 (ko) * | 2018-04-18 | 2018-05-18 | 주식회사 경신 | 분리형 멀티퓨즈 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643601A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Semipermeable mirror |
JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP58137368A patent/JPH0619482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643601A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Semipermeable mirror |
JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
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JPS6394201A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Ricoh Co Ltd | ビ−ムスプリツタ |
EP1227358A3 (en) * | 2001-01-25 | 2004-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and liquid crystal projector and camera using the same |
WO2011048875A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | シグマ光機株式会社 | プレート型の広帯域無偏光ビームスプリッター |
EP3516448B1 (en) | 2016-09-22 | 2022-08-24 | Lightforce USA, Inc., D/B/A/ Nightforce Optics | Optical targeting information projection system for weapon system aiming scopes and related systems |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0619482B2 (ja) | 1994-03-16 |
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