JPS6028238A - 半導体基板の保持装置 - Google Patents
半導体基板の保持装置Info
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- JPS6028238A JPS6028238A JP58137180A JP13718083A JPS6028238A JP S6028238 A JPS6028238 A JP S6028238A JP 58137180 A JP58137180 A JP 58137180A JP 13718083 A JP13718083 A JP 13718083A JP S6028238 A JPS6028238 A JP S6028238A
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の属する技術分野
本発明は半導体基板を炉内で熱処理するための半導体基
板の保持装置に関する。
板の保持装置に関する。
（ロ）従来技術とその問題点
化合物半導体基板の熱処理をする場合、当該化合物の一
部構成元素の蒸気圧が高いため熱処理中にその元素が基
板から蒸発し、基板表面の組成が変化することがある。
部構成元素の蒸気圧が高いため熱処理中にその元素が基
板から蒸発し、基板表面の組成が変化することがある。
この変化によって生じる電気特性の変化を防ぐため、従
来第１図に示すように２枚の同一半導体基板１，２を互
いに対向して重ね合わせて支持台乙に載せ電気炉内で熱
処理を行なっていた。
来第１図に示すように２枚の同一半導体基板１，２を互
いに対向して重ね合わせて支持台乙に載せ電気炉内で熱
処理を行なっていた。
しかしながら上記従来の方法では基板１゜２が鏡面どう
しを対向して重ね合わされているため、基板を載せた支
持台３を炉内に挿入する際に基板１，２が滑ってずれる
ことがある。ずれが生ずると、ずれて露出した基板表面
からは蒸気圧の高い構成元素が蒸発し、その部分の電気
特性が著しく劣化する。これにより、基板上に形成した
半導体素子の歩留りが低下させられることになる。
しを対向して重ね合わされているため、基板を載せた支
持台３を炉内に挿入する際に基板１，２が滑ってずれる
ことがある。ずれが生ずると、ずれて露出した基板表面
からは蒸気圧の高い構成元素が蒸発し、その部分の電気
特性が著しく劣化する。これにより、基板上に形成した
半導体素子の歩留りが低下させられることになる。
（ハ）発明の目的
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたものであって熱
処理時に半導体基板表面からの構成元素の蒸発を防止で
きる半導体基板保持装置を提供することを目的とする。
処理時に半導体基板表面からの構成元素の蒸発を防止で
きる半導体基板保持装置を提供することを目的とする。
に）発明の要点
本発明による半導体基板の保持装置は互いに対向して重
ね合わされた２枚の半導体基板を収容するための概ね円
形でかつ垂直に延伸する凹部を備えた支持台であって上
記凹部が上記凹部外周上に配置された切欠溝と上記支持
台外部と連通ずる孔とを有する支持台と、上記凹部に収
容された上記２枚の半導体基板を押圧するための上記凹
部に嵌合可能な概ね円板状のおもり手段であって上記切
欠溝と係合可能な外周上の突起と上記おもり手段の厚さ
方向に延伸する貫通路とを備えたおもり手段とからなる
。
ね合わされた２枚の半導体基板を収容するための概ね円
形でかつ垂直に延伸する凹部を備えた支持台であって上
記凹部が上記凹部外周上に配置された切欠溝と上記支持
台外部と連通ずる孔とを有する支持台と、上記凹部に収
容された上記２枚の半導体基板を押圧するための上記凹
部に嵌合可能な概ね円板状のおもり手段であって上記切
欠溝と係合可能な外周上の突起と上記おもり手段の厚さ
方向に延伸する貫通路とを備えたおもり手段とからなる
。
これにより、互いに重ね合わされた２枚の半導体基板は
互いにずれを生ずることなく押圧保持された状態で熱処
理されるので基板表面からの構成元素の蒸発が防止され
る。
互いにずれを生ずることなく押圧保持された状態で熱処
理されるので基板表面からの構成元素の蒸発が防止され
る。
（ホ）発明の実施例
以下図面を参照して本発明の好ましい実施例について説
明する。
明する。
第２図は本発明による保持装置に互いに対向して重ね合
わされた２枚の半導体基板を保持させた状態を示す側面
断面図である。支持台４は第４図に上面図を示すように
半導体基板６，７の直径よりも若干大きな直径をもちか
つ垂直方向に延伸する円形凹部５を有する。
わされた２枚の半導体基板を保持させた状態を示す側面
断面図である。支持台４は第４図に上面図を示すように
半導体基板６，７の直径よりも若干大きな直径をもちか
つ垂直方向に延伸する円形凹部５を有する。
円形凹部５は円形凹部５外周上に傾斜底面を持つ切欠部
８と円形凹部外周に沿い底面上に配置された複数の孔９
とを有する。複数の孔９は支持台４の内部空間１０を通
じて炉内ガスと連通ずることができる。また底面上の他
の複数の孔１６は支持台の熱容量低減をはかるために設
けられている。
８と円形凹部外周に沿い底面上に配置された複数の孔９
とを有する。複数の孔９は支持台４の内部空間１０を通
じて炉内ガスと連通ずることができる。また底面上の他
の複数の孔１６は支持台の熱容量低減をはかるために設
けられている。
おもり手段１１は第６図に上面図を示すように、支持台
４０円形凹部５にほとんどすきまをもたない関係で嵌合
しうる直径を有する概ね円板状の部材であるが、円周上
１箇所には支持台４の切欠部８と係合する突起部１２を
備えている。おもり手段１１はまた外周上を厚さ方向に
延伸する複数の半円形断面の弧状溝１ろと中央部上面上
の把手１５と把手１５の周囲に配設された厚さ方向に延
伸する複数の貫通孔１４とを備えている。弧状溝１６は
炉内ガス連通用、貫通孔１４はおもり手段の熱容量低減
をはかるためのものである。
４０円形凹部５にほとんどすきまをもたない関係で嵌合
しうる直径を有する概ね円板状の部材であるが、円周上
１箇所には支持台４の切欠部８と係合する突起部１２を
備えている。おもり手段１１はまた外周上を厚さ方向に
延伸する複数の半円形断面の弧状溝１ろと中央部上面上
の把手１５と把手１５の周囲に配設された厚さ方向に延
伸する複数の貫通孔１４とを備えている。弧状溝１６は
炉内ガス連通用、貫通孔１４はおもり手段の熱容量低減
をはかるためのものである。
２枚の半導体基板６，７は鏡面を互いに対向させて上下
に重ね合わされた状態で支持台４０円形凹部７の底面上
に配置される。半導体基板６，７を円形凹部５に配置あ
るいは取出す際、切欠部８を通してビンセット等をさし
こむことにより確実に出し入れおよび位置合わせをする
ことができる。２枚の半導体基板の上にはおもり手段１
１が支持台４０円形凹部５に嵌合された状態で載置され
る。おもり手段１１は円形凹部５とほとんどすきまをも
たない嵌合関係を有しかつおもり手段１１の突起部１２
が円形凹部５側の切欠部８と係合するため円形凹部５の
内部で径方向にも周方向にも動くことができない。した
がって２枚の半導体基板６，７もおもり手段１１に押圧
されているため互いに移動することがない。
に重ね合わされた状態で支持台４０円形凹部７の底面上
に配置される。半導体基板６，７を円形凹部５に配置あ
るいは取出す際、切欠部８を通してビンセット等をさし
こむことにより確実に出し入れおよび位置合わせをする
ことができる。２枚の半導体基板の上にはおもり手段１
１が支持台４０円形凹部５に嵌合された状態で載置され
る。おもり手段１１は円形凹部５とほとんどすきまをも
たない嵌合関係を有しかつおもり手段１１の突起部１２
が円形凹部５側の切欠部８と係合するため円形凹部５の
内部で径方向にも周方向にも動くことができない。した
がって２枚の半導体基板６，７もおもり手段１１に押圧
されているため互いに移動することがない。
熱処理時には炉内にＮ２．Ｎ２等のガスな導大して半導
体基板の酸化を防止するが、円形凹部５とおもり手段１
１とによって包囲された２枚の半導体基板が配置されて
いる空間は支持台４の孔９とおもり手段１１の弧状溝１
６とによって炉内ガスと連通ずるためガス置換は十分に
行なわれる。
体基板の酸化を防止するが、円形凹部５とおもり手段１
１とによって包囲された２枚の半導体基板が配置されて
いる空間は支持台４の孔９とおもり手段１１の弧状溝１
６とによって炉内ガスと連通ずるためガス置換は十分に
行なわれる。
上記半導体基板の保持装置は半導体基板一般の熱処理に
適用できるが、特に熱処理温度の影響をうけやすい化合
物半導体たとえばＡｓの蒸気圧の高いＣＴａＡｓ結晶基
板へイオン注入した後の熱処理等に有効である。
適用できるが、特に熱処理温度の影響をうけやすい化合
物半導体たとえばＡｓの蒸気圧の高いＣＴａＡｓ結晶基
板へイオン注入した後の熱処理等に有効である。
本発明の保持装置を用いてアンド−プＧａＡｓ結晶基板
に注入電圧１８０ＫＶ、注入量１５×１０ ｃｍ の条
件で３．＋をイオン注入し、８２０°Ｇ２０分Ｎ２流中
で炉内熱処理した。熱処理後の基板はずれもなく表面は
鏡面を保ち変化は見られなかった。またこの基板のシー
ト抵抗率を測定したところ第５図に示すように基板面内
でのシート抵抗率のばらつきは５％と小さく均一な熱処
理の施されたことが確（へ）発明の効果 以上のように本発明によれば互いに対向して重ね合わさ
れた２枚の半導体基板を収容するための概ね円形でかつ
垂直に延伸する凹部を備えた支持台であって上記凹部が
上記凹部外周上に配置された切欠溝と上記支持台外部と
連通ずる孔とを有する支持台と、上記凹部に収容された
上記２枚の半導体基板を押圧するための上記凹部に嵌合
可能な概ね円板状のおもり手段であって上記切欠溝と係
合可能な外周上の突起と上記おもり手段の厚さ方向に延
伸する貫通路とを備えたおもり手段とからなる半導体基
板の保持装置が提供される。
に注入電圧１８０ＫＶ、注入量１５×１０ ｃｍ の条
件で３．＋をイオン注入し、８２０°Ｇ２０分Ｎ２流中
で炉内熱処理した。熱処理後の基板はずれもなく表面は
鏡面を保ち変化は見られなかった。またこの基板のシー
ト抵抗率を測定したところ第５図に示すように基板面内
でのシート抵抗率のばらつきは５％と小さく均一な熱処
理の施されたことが確（へ）発明の効果 以上のように本発明によれば互いに対向して重ね合わさ
れた２枚の半導体基板を収容するための概ね円形でかつ
垂直に延伸する凹部を備えた支持台であって上記凹部が
上記凹部外周上に配置された切欠溝と上記支持台外部と
連通ずる孔とを有する支持台と、上記凹部に収容された
上記２枚の半導体基板を押圧するための上記凹部に嵌合
可能な概ね円板状のおもり手段であって上記切欠溝と係
合可能な外周上の突起と上記おもり手段の厚さ方向に延
伸する貫通路とを備えたおもり手段とからなる半導体基
板の保持装置が提供される。
これにより、互いに重ね合わされた２枚の半導体基板は
円形凹部内に移動不能に配置されたおもり手段により相
対的なずれを防止されるため、熱処理中ずれにより露出
した表面からの構成元素の蒸発が防止される。また、２
枚の半導体基板はおもり手段により押圧されて密着され
ることにより蒸気圧の高い元素の蒸発も確実に防止され
る。同時に、円形凹部とおもり手段とによって包囲され
た半導体基板を収容する空間は炉内ガスと連通ずるため
熱処理は円滑に行なわれる。以上の結果、熱処理工程に
おける製品の歩留りが向上される。
円形凹部内に移動不能に配置されたおもり手段により相
対的なずれを防止されるため、熱処理中ずれにより露出
した表面からの構成元素の蒸発が防止される。また、２
枚の半導体基板はおもり手段により押圧されて密着され
ることにより蒸気圧の高い元素の蒸発も確実に防止され
る。同時に、円形凹部とおもり手段とによって包囲され
た半導体基板を収容する空間は炉内ガスと連通ずるため
熱処理は円滑に行なわれる。以上の結果、熱処理工程に
おける製品の歩留りが向上される。
第１図は従来の半導体基板の支持方法を示す側面図、第
２図は本発明による半導体基板の保持装置に２枚の半導
体基板を保持させた状態を示す部分側面断面図、第６図
はおもり手段の上面図、第４図は支持台の部分上面図、
第５図は本発明による保持装置を使用して熱処理を行な
った半導体基板のシート抵抗率のバラつきを示す図。 ４・・・支持台 ５・・・凹部 ６．７・・・半導体基板 ８・・・切欠溝９・・・連通
する孔 １１・・・おもり手段１２・・・突起 １５・
・・貫通路
２図は本発明による半導体基板の保持装置に２枚の半導
体基板を保持させた状態を示す部分側面断面図、第６図
はおもり手段の上面図、第４図は支持台の部分上面図、
第５図は本発明による保持装置を使用して熱処理を行な
った半導体基板のシート抵抗率のバラつきを示す図。 ４・・・支持台 ５・・・凹部 ６．７・・・半導体基板 ８・・・切欠溝９・・・連通
する孔 １１・・・おもり手段１２・・・突起 １５・
・・貫通路
Claims (5)
- （１） 互いに対向して重ね合わされた２枚の半導体基
板を収容するための概ね円形でかつ垂直に延伸する凹部
を備えた支持台であって該凹部が該凹部外周上に配置さ
れた切欠溝と該支持台外部と連通する孔とを有する支持
台と。 該凹部に収容された該２枚の半導体基板を押圧するため
の該凹部に嵌合可能な概ね円板状のおもり手段であって
該切欠溝と係合可能な外周上の突起と該おもり手段の厚
さ方向に延伸する貫通路とを備えたおもり手段とからな
ることを特徴とする半導体基板を炉内で熱処理するため
の半導体基板の保持装置。 - （２）該支持台外部と連通ずる孔が該凹部の外周に沿っ
て該凹部の底面上に配置された複数の孔であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の保持装置。 - （３）該おもり手段の厚さ方向に延伸する貫通路が該お
もり手段外周上を厚さ方向に延伸する複数の弧状溝であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の保持
装置。 - （４）該支持台が該凹部の底面上に複数の熱容量低減の
ための孔を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の保持装置。 - （５）該おもり手段が中央部上面に配置された把手と該
把手の周囲に配設された複数の熱容量低減のための孔を
備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137180A JPS6028238A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体基板の保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137180A JPS6028238A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体基板の保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028238A true JPS6028238A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15192678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137180A Pending JPS6028238A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体基板の保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144584A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池のカ−ボン膜の焼成方法 |
| JPS6457764A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of photovoltaic element |
| JPH0589613A (ja) * | 1990-06-15 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デイスク駆動機構のアクチユエータアームアセンブリの運動制御方法及び装置 |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP58137180A patent/JPS6028238A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144584A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池のカ−ボン膜の焼成方法 |
| JPH0480548B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1992-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6457764A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of photovoltaic element |
| JPH0589613A (ja) * | 1990-06-15 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デイスク駆動機構のアクチユエータアームアセンブリの運動制御方法及び装置 |
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