JPS602663A - 薄膜の製造方法 - Google Patents

薄膜の製造方法

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JPS602663A
JPS602663A JP10913783A JP10913783A JPS602663A JP S602663 A JPS602663 A JP S602663A JP 10913783 A JP10913783 A JP 10913783A JP 10913783 A JP10913783 A JP 10913783A JP S602663 A JPS602663 A JP S602663A
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牛窪　孝
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古川　量三
Masao Kobayashi
正男 小林
Takeshi Kamijo
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、ＺｎＯと５ｉｆｔの任意の混合比の膜を得
ることができるようにした薄膜の製造方法に関する。
（従来技術） 従来、スパッタ装置によ、９ＺｎＯと５ｉ０２　の混合
膜を作成する場合第１図に示すように、アルゴンプラズ
マ（以下Ａｒ＋プラズマ）１１が任意の混合比のＺｎＯ
と８１０．からなるターゲット１２に衝突し、その際、
生じるスパッタ効果により、ターゲット物質であるＺｎ
Ｏ、５ｉｎ２がターゲット１２よシ放出され、基板１３
上に付着して、ＺｎＯと５ｉｎ２の混合膜１４が作成さ
れる。
この際基板１３上に付着するＺｎＯと５ｉ０２の混合膜
１４はターゲット１２の混合比と関係があシ、種々の混
合比（ＺｎＯ／Ｓｔ　Ｏ２）の薄膜を作成するには、そ
れぞれの混合比に対応するターゲット１２を用意しなけ
ればならず、多数のターゲットを用意するために、多額
な費用がかかり、さらに、それらのターゲットを交換す
るために多額の工数が必要であるという欠点があった。
（発明の目的） この発明は、上記従来の欠点を解決するためになされた
もので、１種類の混合比の（ＺｎＯ／Ｓｔｏｗ）ターゲ
ットから任意の混合比の薄膜が作成でき、工数の簡略と
費用の削減を期することのできる薄膜の製造方法を提供
することを目的とする。
（発明の構成） この発明の薄膜の製造方法は、酸化亜鉛と酸化硅素を任
意の混合比で混合したターゲットと基板間に高周波電源
を印加して基板とターゲット間にＡｒ”　７’ラズマを
生成することによシスバッタリングを行なって上記ター
ゲットから酸化亜鉛と酸化硅素を放出させて上記基板上
に酸化亜鉛と酸化硅素の混合薄膜を形成し、上記Ａｒ＋
プラズマによシ上記基板上の混合薄膜に再スパツタリン
グを行うようにしたものである。
（実施例） 以下、この発明の薄膜の製造方法の実施例について図面
に基づき説明する。第２図はその一実施に適用されるス
パッタ装置を示す図である。この第２図において、２１
は高周波電源であシ、その一方の電極はアースされ、他
方の電極はターゲット２３に接続されている。
ターゲット２３はＺｎＯとＳｉｎ、で構成され、基板２
４上に対向しておシ、この基板２４とターゲット２３間
にＡｒ＋プラズマ２２が発生する↓うになっている。基
板２４上にＺｎＯとＳｉｎ、の混合薄膜２５が形成され
るようになっている。
基板２４はインダクタンス要素子Ｌ１を介して直流バイ
アス電源２６の負極に接続されているとともに、コンデ
ンサＣ１を介してアースされている。直流バイアス電源
２６の正極はアースされている。このインダクタンス要
素子Ｌ１とコンデンサＣ１は高周波電源２１の高周波成
分が直流バイアス電圧に印加するのを阻止するだめのフ
ィルタである。
次に、この第２図に示すスパッタ装置によシ、この発明
の薄膜の製造方法について説明する。
ＺｎＯとＳｉｎ、の混合薄膜２５を基板２４上に作成さ
せるためにはまず高周波電源２１によシＡｒ＋プラズマ
２２を発生させる。そのＡｒ＋プラズマ２１はターゲッ
ト２３と衝突する際に生じるスパッタ効果によシ、ター
ゲット２３の構成物質であるＺｎ０とＳｉｎ、を放出す
る。
次に放出されたＺｎＯとＳｔＯ，はＡｒ＋プラズマ２２
中を通過した後、基板２４の表面に付着しＺｎＯと５ｉ
０２の混合薄膜２５を形成する。
また、Ａｒ＋イオンプラズマ２１のＡｒ＋イオンは基板
２５に印加した負の直流バイアス電圧２６によシ、基板
２４の表面にも入射し、基板２４０表面に付着した混合
薄膜（ｚｎＯ／ｓｉｏ、）２５を再びスパッタ効果によ
シ放出する。この効果をここでは再スパツタ効果と定義
する。
この再スパツタ効果が生じる割合、すなわち一定量のＡ
ｒ＋プラズマ２２が基板２４の表面に単位エネルギで入
射した場合の基板表面の薄膜構成物質が再スパツタされ
る割合は、物質によシ異なり、その物質特有のものであ
る。
第３図はターゲット２３にＺｎＯを用いた場合の基板２
４０表面に付着するＺｎＯ薄膜の膜厚と付着時間の関係
の一例を示すものである。同図よシ、ＺｎＯの付着する
速度は約１４５７１５）である。
第４図は第３図と同条件でターゲットに５１０２を用い
た場合のＳｔＯ，膜の膜厚と付着時間の関係の一例を示
すものである。同図より、５ｉ０２の付着する速度は約
６６人勺・である・なお、第４図ではスパッタ電源とし
ての高周波電源２１は、１３．５６ＭＨｚ　。
２５０Ｗのものを使用した場合を示している。
第３図、第４図よシ、ＺｎＯとＳｉＯ□が付着する割合
ｄｚｎＯ／ｄｓｉＯｔ　＝　２．２となる。この値は、
同じエネルギ同数のＡｒ＋プラズマが入射した場合、Ｓ
ｉＯ，に比較して、ｚｎＯが２．２倍スパッタされるこ
とを示している。また、この関係は基板２４の上で行な
われる再スパツタ効果でも同様になシたつ。
さらに、同一物質が再スパツタされる割合は、基板に印
加する直流バイアス電圧の大きさに比例することは明白
である。したがって再スパツタ効果の大きさは基板に印
加バイアス電圧によって制御できることが明白である。
これにより、基板２４上に形成される混合薄膜２５の混
合比（Ｚｎ　Ｏ／Ｓｔ　Ｏｘ　）は基板２４に印加する
バイアス電圧によシ制御が可能となる。
以上のように、第１の実施例では、基板２４に印加する
バイアス電圧にょシ基板２４上に形成される混゛合薄膜
２５の混合比（ｚｎＯ／Ｓｉ　Ｏ，）が任意に制御でき
るため、次のように利点がある。
α）混合薄膜２５の混合比（ＺｎＯ／５ｉｏ２）カハイ
アス電圧により制御できるため、従来のように要求され
る混合比の種類だけターゲット２３を用意する必要がな
くなシ、費用の面で有利となる。
（２）要求される混合薄膜２５の混合比に対応するター
ゲット２３を作る必要がないため、ターゲット２３を作
る工数が省略できる。
（３）　ターゲット２３により混合薄膜の混合比（Ｚｎ
Ｏ／５ｉｏ２）が決定されていた従来法は混合比がディ
ジタルで変化したのに対して、この発明では、アナログ
で混合比の制御が可能となシ、よ勺精密な制御が可能と
なる。
（発明の効果） 以上のように、この発明の薄膜の製造方法によれば、酸
化亜鉛と酸化硅素を任意の混合比で混合したターゲット
と基板間に高周波電圧を印加して、このターゲットと基
板間にＡｒ＋プラズマを生成させ、このプラズマによジ
ターゲットから酸化亜鉛と酸化硅素を放出させて基板上
に混合薄膜を形成するとともに、この混合薄膜に上記Ａ
ｒ＋プラズマにより再スパツタリングを行なうようにし
たので、１種類の混合比（ＺｎＯ／５ｉｏ２）のターゲ
ットから、要求される混合比（ＺｎＯ／Ｓｔ　Ｏ，）の
薄膜が任意に作成できる利点がある。これにより種々な
混合比が要求される製造工程に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜の製造方法を説明するための模式図
、第２図はこの発明の薄膜の製造方法の一実施例を説明
するための模式図、第３図は、ターゲットにＺｎＯを用
いた場合の基板表面に付着するＺｎＯ薄膜の膜厚と付着
時間の関係の一例を示す図、第４図は第３図と同条件で
、ターゲットに５ｉｆｔを用いた場合のＳｉｎ、薄膜の
膜厚と付着時間の関係の一例を示す図である。 ２１・・・高周波電源、２２・・・Ａｒ＋プラズマ、２
３・・・ターゲット、２４・・・基板、２５・・・薄膜
、２６・・・直流バイアス電圧。 第１図 第２図 第３図 スパンタイ寸層晴間（ゲ） 第４図 スバ・／タイ寸、１１日り開はン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）酸化亜鉛と酸化硅素を任意の混合比で混合したタ
    ーゲットと基板間に高周波電圧を印加してこの両者間に
    Ａｒ＋プラズマを発生させ、このＡｒ＋プラズマによシ
    上記ターゲットから酸化亜鉛と酸化硅素を放出させて上
    記基板に酸化亜鉛と酸化硅素の混合薄膜を形成するとと
    もに上記Ａｒ＋プラズマによシ上記混合薄膜に再スパツ
    タリングを行なうことを特徴とする薄膜の製造方法。
  2. （２）再スパツタリングは基板に直流ノ（イアスミ圧を
    印加して発生することを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の薄膜の製造方法。
JP10913783A 1983-06-20 1983-06-20 薄膜の製造方法 Granted JPS602663A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61194809A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JPS62287071A (ja) * 1986-06-06 1987-12-12 Tadahiro Omi 薄膜の形成装置および形成方法
WO2005111257A2 (en) * 2004-04-27 2005-11-24 Ppg Industries Ohio, Inc. Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings
JP2007238107A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd 開封補助帯

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61194809A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JPS62287071A (ja) * 1986-06-06 1987-12-12 Tadahiro Omi 薄膜の形成装置および形成方法
WO1987007651A1 (en) * 1986-06-06 1987-12-17 Tadahiro Ohmi Semiconductor manufacturing apparatus
US4874494A (en) * 1986-06-06 1989-10-17 Tadahiro Ohmi Semiconductor manufacturing apparatus
JPH0359986B2 (ja) * 1986-06-06 1991-09-12 Tadahiro Oomi
WO2005111257A2 (en) * 2004-04-27 2005-11-24 Ppg Industries Ohio, Inc. Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings
WO2005111257A3 (en) * 2004-04-27 2007-11-15 Ppg Ind Ohio Inc Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings
US9051211B2 (en) 2004-04-27 2015-06-09 Ppg Industries Ohio, Inc. Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings
JP2007238107A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd 開封補助帯

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