JPS5938307B2 - 金属化合物被膜の形成方法 - Google Patents
金属化合物被膜の形成方法Info
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- JPS5938307B2 JPS5938307B2 JP11126178A JP11126178A JPS5938307B2 JP S5938307 B2 JPS5938307 B2 JP S5938307B2 JP 11126178 A JP11126178 A JP 11126178A JP 11126178 A JP11126178 A JP 11126178A JP S5938307 B2 JPS5938307 B2 JP S5938307B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板の表面に金属酸化物または金属窒化物な
どの被膜（以下、これらを「金属化合物被膜」と総称）
を形成する方法に関し、特にリアアクティブ・スパッタ
リングによつて純粋金属と安定金属化合物との間の任意
の組成比率を有する非化学量論的金属化合物の被膜を形
成する方法に関する。
どの被膜（以下、これらを「金属化合物被膜」と総称）
を形成する方法に関し、特にリアアクティブ・スパッタ
リングによつて純粋金属と安定金属化合物との間の任意
の組成比率を有する非化学量論的金属化合物の被膜を形
成する方法に関する。
例えば半導体製造の分野においては、Ｓｉ基板などの表
面にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３等
の金属酸化物や金属窒化物の薄膜を形成する技術が非常
に重要である。
面にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３等
の金属酸化物や金属窒化物の薄膜を形成する技術が非常
に重要である。
かかる金属化合物被膜の形成方法として化学気相（ＣＶ
Ｄ）法、真空蒸着法、スパッタリング法があるが特にス
パッタリング法は付着性が良好、熱歪や内部ストレスが
小さい、被膜の膜厚制御を高精度で行えるほどの利点を
有することから最も多く利用されている。スパッタリン
グ法による金属化合物被膜の形成にはまたＲＦスパッタ
リング方式と、リアクティブ・スパッタリング方式とが
ある。
Ｄ）法、真空蒸着法、スパッタリング法があるが特にス
パッタリング法は付着性が良好、熱歪や内部ストレスが
小さい、被膜の膜厚制御を高精度で行えるほどの利点を
有することから最も多く利用されている。スパッタリン
グ法による金属化合物被膜の形成にはまたＲＦスパッタ
リング方式と、リアクティブ・スパッタリング方式とが
ある。
ＲＦスパッタリング方式は金属化合物からなる種々の絶
縁物質をスパッタリング・ターゲットとして使用し、例
えばアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガス雰囲気中で高周
波電圧が印加してスパッタリングを行うものであり、タ
ーゲット材料と同質の金属化合物被膜を形成することが
可能である。これはスパッタリングが基本的に真空蒸着
法などと異り、ターゲットから飛び出た分子が分解（還
元など）を起さないでそのまま基板に付着されることに
よる。この性質は安定な化合物の場合に特に顕著である
。またリアクティブ・スパッタリング方式は純粋金属の
ターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）などの不’ 活
性ガスと金属化合物の生成に必要な活性ガス（Ｏ２、Ｎ
２、ＮＨ４）とを混合した雰囲気中でスパッタリングを
行うものであり、活性ガス分圧や印加電圧などのパラメ
ータが所定値以上であれば所定の金属化合物の被膜が基
板に付着形成される。しかるに、近年の半導体製造の分
野においては、半導体の電気的特性の多様化あるいは改
善を図るために、通常の化学量論的に安定した金属化合
物に対し或る程度不安定ないわゆる非化学量論的金属化
合物の被膜、すなわち純粋金属囚とこれの物質（Ｂ）と
の安定した化合物（ＡＢｚ）との不安定領域に位置する
化合物（ＡＢｘ，ただしＯ＜ｘ＜ｚ）の被膜を形成する
ことが必要な場合が多くなつている。しかしながら、前
述したＲＦスパツタリング方式およびリアクテイブ・ス
パツタリング方式のいずれによつてもかかる非化学量論
的金属化合物被膜の形成は非常に困難である。
縁物質をスパッタリング・ターゲットとして使用し、例
えばアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガス雰囲気中で高周
波電圧が印加してスパッタリングを行うものであり、タ
ーゲット材料と同質の金属化合物被膜を形成することが
可能である。これはスパッタリングが基本的に真空蒸着
法などと異り、ターゲットから飛び出た分子が分解（還
元など）を起さないでそのまま基板に付着されることに
よる。この性質は安定な化合物の場合に特に顕著である
。またリアクティブ・スパッタリング方式は純粋金属の
ターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）などの不’ 活
性ガスと金属化合物の生成に必要な活性ガス（Ｏ２、Ｎ
２、ＮＨ４）とを混合した雰囲気中でスパッタリングを
行うものであり、活性ガス分圧や印加電圧などのパラメ
ータが所定値以上であれば所定の金属化合物の被膜が基
板に付着形成される。しかるに、近年の半導体製造の分
野においては、半導体の電気的特性の多様化あるいは改
善を図るために、通常の化学量論的に安定した金属化合
物に対し或る程度不安定ないわゆる非化学量論的金属化
合物の被膜、すなわち純粋金属囚とこれの物質（Ｂ）と
の安定した化合物（ＡＢｚ）との不安定領域に位置する
化合物（ＡＢｘ，ただしＯ＜ｘ＜ｚ）の被膜を形成する
ことが必要な場合が多くなつている。しかしながら、前
述したＲＦスパツタリング方式およびリアクテイブ・ス
パツタリング方式のいずれによつてもかかる非化学量論
的金属化合物被膜の形成は非常に困難である。
すなわち、ＲＦスパツタリング方式ではターゲツト材料
として所望の被膜と同質の非化学量論的金属化合物を用
いなければならないが、これは非常に困難である。一方
、リアクテイブ・スパツタリング方式においては、活性
ガス分圧や印加電圧などのパラメータの変化に応じてス
パツタリング・レートが変化する（つまり、ＡＢＸにお
ける組成比率６ｘ１が変る）が、その変化特性はパラメ
ータの変化に対しほぼステツプ応答的なものである。す
なわちパラメータが或る特定値の付近においてわずかに
変化した場合に、スパツタリング・レートはほぼ純金属
に近い被膜（ｘ＋Ｏ）を形成するレートからほぼ安定金
属化合物（ｘ＋ｚ）の被膜を形成するレートへ、あるい
はその逆へとステツプ状に急変化する特性を有する。従
つて純粋金属（４）と安定金属化合物（ＡＢｚ）との中
間領域に位置する任意の組成の非化学量論的金属化合物
（ＡＢｘ）の被膜を形成するためには、パラメータの高
精度の制御が必要であるが、これは実際には極めて困難
である。またリアクテイブ・スパツタリング方式には、
直流電圧印加型（ＤＣ型）ではターゲツト表面に金属化
合物被膜が形成されてスパツタ効率が極度に低下する（
つまり誘電体の場合だと表面が「正」に帯電し、スパツ
タされなくなる）などの欠点もある。従つて本発明の目
的は、前述したような任意の組成の非化学量論的金属化
合物被膜を精度良く且つ簡単な形成可能な方法を提供す
ることにある。本発明の方法は、上記の目的を達成する
ために、同一金属材料からなる少くとも２つのスパツタ
リング・ターゲツトを不活性ガスに活性ガス（Ｂ）を混
入した雰囲気の単一のベルジヤ内にセツトし、それぞれ
のターゲツトのスパツタリング・レートが互いに異なる
様にそれぞれのターゲツトに互いに異なる電圧を同時に
印加し、該ベルジヤ内で被膜を形成すべき基板をそれぞ
れのターゲツトに交互に繰返して対向する如く移動させ
ながらスパツタリングを行うことにより、基板に純粋金
属（４）に近い薄膜と安定金属化合物（ＡＢｚ）に近い
薄膜とを交互に且つ多層に積層形成し、全体的に純粋金
属と安定金属化合物との任意の中間領域に位置する非化
学量論的金属化合物（ＡＢｘ，ただしＯ＜ｘ〈ｚ）の被
膜を形成するようにしたものである。すなわち本発明の
方法は、スパツタリング・パラメータの制御が容易で形
成の簡単な純粋金属ならびに安定金属化合物の薄膜を基
板に交互に積層構造に形成し、各薄膜相互間の拡散現象
によつて結果的に均質な非化学量論的金属化合物被膜が
得られるようにしたものである。金属化合物ＡＢｘのＡ
（５Ｂとの組成比率“ｘ゛は各薄膜の付着量を制御する
ことによつて任意に変えることができる。以下、本発明
につき添付図面を参照し一実施例にもとずいて詳細に説
明する。第１図は本発明の方法の実施に使用するスパツ
タリング装置の基本構成例を図解的に示す図である。
として所望の被膜と同質の非化学量論的金属化合物を用
いなければならないが、これは非常に困難である。一方
、リアクテイブ・スパツタリング方式においては、活性
ガス分圧や印加電圧などのパラメータの変化に応じてス
パツタリング・レートが変化する（つまり、ＡＢＸにお
ける組成比率６ｘ１が変る）が、その変化特性はパラメ
ータの変化に対しほぼステツプ応答的なものである。す
なわちパラメータが或る特定値の付近においてわずかに
変化した場合に、スパツタリング・レートはほぼ純金属
に近い被膜（ｘ＋Ｏ）を形成するレートからほぼ安定金
属化合物（ｘ＋ｚ）の被膜を形成するレートへ、あるい
はその逆へとステツプ状に急変化する特性を有する。従
つて純粋金属（４）と安定金属化合物（ＡＢｚ）との中
間領域に位置する任意の組成の非化学量論的金属化合物
（ＡＢｘ）の被膜を形成するためには、パラメータの高
精度の制御が必要であるが、これは実際には極めて困難
である。またリアクテイブ・スパツタリング方式には、
直流電圧印加型（ＤＣ型）ではターゲツト表面に金属化
合物被膜が形成されてスパツタ効率が極度に低下する（
つまり誘電体の場合だと表面が「正」に帯電し、スパツ
タされなくなる）などの欠点もある。従つて本発明の目
的は、前述したような任意の組成の非化学量論的金属化
合物被膜を精度良く且つ簡単な形成可能な方法を提供す
ることにある。本発明の方法は、上記の目的を達成する
ために、同一金属材料からなる少くとも２つのスパツタ
リング・ターゲツトを不活性ガスに活性ガス（Ｂ）を混
入した雰囲気の単一のベルジヤ内にセツトし、それぞれ
のターゲツトのスパツタリング・レートが互いに異なる
様にそれぞれのターゲツトに互いに異なる電圧を同時に
印加し、該ベルジヤ内で被膜を形成すべき基板をそれぞ
れのターゲツトに交互に繰返して対向する如く移動させ
ながらスパツタリングを行うことにより、基板に純粋金
属（４）に近い薄膜と安定金属化合物（ＡＢｚ）に近い
薄膜とを交互に且つ多層に積層形成し、全体的に純粋金
属と安定金属化合物との任意の中間領域に位置する非化
学量論的金属化合物（ＡＢｘ，ただしＯ＜ｘ〈ｚ）の被
膜を形成するようにしたものである。すなわち本発明の
方法は、スパツタリング・パラメータの制御が容易で形
成の簡単な純粋金属ならびに安定金属化合物の薄膜を基
板に交互に積層構造に形成し、各薄膜相互間の拡散現象
によつて結果的に均質な非化学量論的金属化合物被膜が
得られるようにしたものである。金属化合物ＡＢｘのＡ
（５Ｂとの組成比率“ｘ゛は各薄膜の付着量を制御する
ことによつて任意に変えることができる。以下、本発明
につき添付図面を参照し一実施例にもとずいて詳細に説
明する。第１図は本発明の方法の実施に使用するスパツ
タリング装置の基本構成例を図解的に示す図である。
この装置はベルジヤ（図示せず）内にターゲツト支持台
１および基板ホルダー２を有し、ベルジヤ内室は２つの
プラズマ室Ｃ１およびＣ２に仕切られている。そして各
プラズマ室におけるスパーク方式は平板磁界型（プレー
ナマグネトロン）直流２極方式としてある。プラズマ室
Ｃ１およびＣ２にはそれぞれ、同質の純粋金属材料（Ｓ
ｉ，Ｆｅなど）からなるスパツタリング・ターゲツトＴ
１およびＴ２がセツトされる。
１および基板ホルダー２を有し、ベルジヤ内室は２つの
プラズマ室Ｃ１およびＣ２に仕切られている。そして各
プラズマ室におけるスパーク方式は平板磁界型（プレー
ナマグネトロン）直流２極方式としてある。プラズマ室
Ｃ１およびＣ２にはそれぞれ、同質の純粋金属材料（Ｓ
ｉ，Ｆｅなど）からなるスパツタリング・ターゲツトＴ
１およびＴ２がセツトされる。
またプラズマ室Ｃ１およびＣ２内は不活性ガス（Ａｒな
ど）と活性ガス（０２，Ｎ２，ＮＨ４など）とを混合し
た雰囲気としてある。一方、基板ホルダー２の下面には
金属化合物被膜を形成すべき基板３（点線で示す）を多
数個取り付け、基板ホルダー２を回転軸４で回転するこ
とにより各々の基板３が順にプラズマ室Ｃ１およびＣ２
、従つてターゲツトＴ１およびＴ２の上側を交互に通過
するようにしてある。以下、上記の装置を使用して例え
ばＳｉの基板の表面にＳｉ（５Ｓｉ０２との間の任意の
組成比率のＳｉＯｘ（０くｘ〈２）の被膜を形成する場
合の具体例を説明する。
ど）と活性ガス（０２，Ｎ２，ＮＨ４など）とを混合し
た雰囲気としてある。一方、基板ホルダー２の下面には
金属化合物被膜を形成すべき基板３（点線で示す）を多
数個取り付け、基板ホルダー２を回転軸４で回転するこ
とにより各々の基板３が順にプラズマ室Ｃ１およびＣ２
、従つてターゲツトＴ１およびＴ２の上側を交互に通過
するようにしてある。以下、上記の装置を使用して例え
ばＳｉの基板の表面にＳｉ（５Ｓｉ０２との間の任意の
組成比率のＳｉＯｘ（０くｘ〈２）の被膜を形成する場
合の具体例を説明する。
ターゲツトＴ１およびＴ２は純粋金属Ｓｉから作られる
。プラズマ室内の雰囲気はＡｒと０２との混合ガスであ
り、それらの組成およびプラズマ室内圧は以下のような
範囲の任意の値に設定するのが良い（プラズマ室Ｃｌ，
Ｃ２共に等しくする）。かかる条件下で各プラズマ室Ｃ
１およびＣ２にターゲツト電圧を印加すれば、それぞれ
のプラズマ室において印加電圧に応じたスパツタリング
が行われる。
。プラズマ室内の雰囲気はＡｒと０２との混合ガスであ
り、それらの組成およびプラズマ室内圧は以下のような
範囲の任意の値に設定するのが良い（プラズマ室Ｃｌ，
Ｃ２共に等しくする）。かかる条件下で各プラズマ室Ｃ
１およびＣ２にターゲツト電圧を印加すれば、それぞれ
のプラズマ室において印加電圧に応じたスパツタリング
が行われる。
そこで第２図に示す如く金属化合物ＳｉＯｘのスパツタ
リング・レート（縦軸）がターゲツト電圧Ｖ（横軸）に
対し、ほぼステツプ状に変化する特性にもとづき、プラ
ズマ室Ｃｌ，Ｃ２に印加するターゲツト電圧Ｖｌ，Ｖ２
をそれぞれ第２図に示す如く設定すると、プラズマ室Ｃ
１では純粋金属Ｓｉに近い薄膜が形成され、一方、プラ
ズマ室Ｃ２では安定金属化合物ＳｉＯ２に近い薄膜が形
成されることになる。従つて基板ホルダー２を回転させ
てやればそれぞれの基板３の表面に第３図に示す如く、
Ｓｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉ−ＳｉＯ２・・・の多層積層構造
被膜５が形成される。一般には各薄膜の膜厚を数〜数＋
オングストロームにし、基板ホルダーを１回転／１分間
の回転速度で約６０分間運転して１２０層程度の被膜と
する。この被膜５は隣り合うＳｉ、薄膜およびＳｉＯ．
２薄膜相互間の拡散現象により、実質的に全体のＳｉお
よびＯの比率に応じた組成の非化学量論的金属化合物Ｓ
ｉＯｘとなる。組成比率６ｘ″はＳｉ薄膜およびＳｉＯ
２薄膜の付着量の比率を適宜変えることによつてＯ＜Ｘ
〈２の範囲で任意に変えることが可能であり、そのため
には例えばターゲツトＴｌ，Ｔ２と基板ホルダー２との
間に絞り（図示せず）を設けてその開口面積比を制御す
るような方法が簡便である。
リング・レート（縦軸）がターゲツト電圧Ｖ（横軸）に
対し、ほぼステツプ状に変化する特性にもとづき、プラ
ズマ室Ｃｌ，Ｃ２に印加するターゲツト電圧Ｖｌ，Ｖ２
をそれぞれ第２図に示す如く設定すると、プラズマ室Ｃ
１では純粋金属Ｓｉに近い薄膜が形成され、一方、プラ
ズマ室Ｃ２では安定金属化合物ＳｉＯ２に近い薄膜が形
成されることになる。従つて基板ホルダー２を回転させ
てやればそれぞれの基板３の表面に第３図に示す如く、
Ｓｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉ−ＳｉＯ２・・・の多層積層構造
被膜５が形成される。一般には各薄膜の膜厚を数〜数＋
オングストロームにし、基板ホルダーを１回転／１分間
の回転速度で約６０分間運転して１２０層程度の被膜と
する。この被膜５は隣り合うＳｉ、薄膜およびＳｉＯ．
２薄膜相互間の拡散現象により、実質的に全体のＳｉお
よびＯの比率に応じた組成の非化学量論的金属化合物Ｓ
ｉＯｘとなる。組成比率６ｘ″はＳｉ薄膜およびＳｉＯ
２薄膜の付着量の比率を適宜変えることによつてＯ＜Ｘ
〈２の範囲で任意に変えることが可能であり、そのため
には例えばターゲツトＴｌ，Ｔ２と基板ホルダー２との
間に絞り（図示せず）を設けてその開口面積比を制御す
るような方法が簡便である。
上述の実施例ではそれぞれのプラズマ室に互に異るター
ゲツト電圧を印加してＳｉ薄膜およびＳｉＯ２薄膜を形
成するようにしたが、それぞれのプラズマ室における活
性ガス（０２）の分圧を互いに異る圧力とすることによ
つても同様の結果を得ることができる。以上の説明から
明らかなように、本発明の方法によれば純粋金属（４）
と安定金属化合物（ＡＢｚ）との間の任意の組成比率（
ｘ）を有する不安定な非化学量論的金属化合物（ＡＢｘ
）の被膜を非常に容易且つ確実に形成することができ、
その技術的および経済的効果は著大である。
ゲツト電圧を印加してＳｉ薄膜およびＳｉＯ２薄膜を形
成するようにしたが、それぞれのプラズマ室における活
性ガス（０２）の分圧を互いに異る圧力とすることによ
つても同様の結果を得ることができる。以上の説明から
明らかなように、本発明の方法によれば純粋金属（４）
と安定金属化合物（ＡＢｚ）との間の任意の組成比率（
ｘ）を有する不安定な非化学量論的金属化合物（ＡＢｘ
）の被膜を非常に容易且つ確実に形成することができ、
その技術的および経済的効果は著大である。
なお本発明の方法は例示の半導体製造の分野に限らず、
他の多くの分野にも広く適用可能である。
他の多くの分野にも広く適用可能である。
第１図は本発明の方法の実施に使用するスパツタリング
装置の基本構成例を図解的に示す図、第２図はターゲツ
ト電圧Ｖに対するＳｉＯｘのスパツタリング・レートの
特性を示す線図、第３図は基板に形成される多属構造被
膜（Ｓｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉ−ＳｉＯ２−・・・）の断面
図である。 図において、１はターゲツト支持台、２は基板ホルダー
３は基板、５は多層構造被膜、をそれぞれ示す。
装置の基本構成例を図解的に示す図、第２図はターゲツ
ト電圧Ｖに対するＳｉＯｘのスパツタリング・レートの
特性を示す線図、第３図は基板に形成される多属構造被
膜（Ｓｉ−ＳｉＯ２−Ｓｉ−ＳｉＯ２−・・・）の断面
図である。 図において、１はターゲツト支持台、２は基板ホルダー
３は基板、５は多層構造被膜、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 同一金属材料（Ａ）からなる少なくとも２つのスパ
ッタリング・ターゲットを不活性ガスに活性ガス（Ｂ）
を混入した雰囲気の単一のベルジヤ内にセットし、それ
ぞれのターゲットのスパッタリング・レートが互いに異
なる様にそれぞれのターゲットに互いに異なる電圧を同
時に印加し、該ベルジヤ内で被膜を形成すべき基板をそ
れがそれぞれのターゲットに交互に繰り返して対向する
如く移動させながらスパッタリングを行うことにより基
板に純粋金属（Ａ）に近い薄膜と安定金属化合物（ＡＢ
ｚ）に近い薄膜とを交互に且つ多層に形成し、全体的に
純粋金属と安定金属化合物との間の任意の組成比率の非
化学量論的金属化合物（ＡＢｘ、ただし０＜ｘ＜ｚ）の
被膜を形成することを特徴とする金属化合物被膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126178A JPS5938307B2 (ja) | 1978-09-12 | 1978-09-12 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126178A JPS5938307B2 (ja) | 1978-09-12 | 1978-09-12 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5538947A JPS5538947A (en) | 1980-03-18 |
| JPS5938307B2 true JPS5938307B2 (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=14556707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126178A Expired JPS5938307B2 (ja) | 1978-09-12 | 1978-09-12 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938307B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913608A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属窒化物薄膜の製造方法 |
| JPH01156465A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Nippon Kentetsu Co Ltd | スパッター装置 |
| JPH01298153A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Raimuzu:Kk | 積層膜の形成方法 |
-
1978
- 1978-09-12 JP JP11126178A patent/JPS5938307B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5538947A (en) | 1980-03-18 |
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