JPS60264378A - 珪酸カルシウム板のセラミツク被覆方法 - Google Patents
珪酸カルシウム板のセラミツク被覆方法Info
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- JPS60264378A JPS60264378A JP11881484A JP11881484A JPS60264378A JP S60264378 A JPS60264378 A JP S60264378A JP 11881484 A JP11881484 A JP 11881484A JP 11881484 A JP11881484 A JP 11881484A JP S60264378 A JPS60264378 A JP S60264378A
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- glaze
- silicate plate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Aftertreatments Of Artificial And Natural Stones (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はゾノトライト質珪酸カルシウム板の表面に剥離
し難（かつ硬質なセラミック被覆を形成する方法に関す
る。
し難（かつ硬質なセラミック被覆を形成する方法に関す
る。
〈従来技術〉
珪酸カルシウム板にガラス質被膜を形成する場合、釉の
ガラス化温度と珪酸カルシウム板の耐熱温度との関係お
よびガラス質被膜と珪酸カルシウム板の熱膨張率との差
異など種々の条件を考慮しなければならない。
ガラス化温度と珪酸カルシウム板の耐熱温度との関係お
よびガラス質被膜と珪酸カルシウム板の熱膨張率との差
異など種々の条件を考慮しなければならない。
そこで従来セメント質成形体について、その表面を予め
珪識リチウムの水溶液で処理し、加熱して中間層を形成
し、この処理向に釉薬を塗布し焼成する方法が知られて
いる。
珪識リチウムの水溶液で処理し、加熱して中間層を形成
し、この処理向に釉薬を塗布し焼成する方法が知られて
いる。
く問題点〉
ところが上記従来の被覆方法はＡＬＣ板を対漆とし、Ａ
ＬＣ板は一般にトバモライト質珪酸カルシウム約５０％
、Ｃ８Ｈ約５０％で構成されているため高融点のセラミ
ック被覆を形成できないと云う問題がある。
ＬＣ板は一般にトバモライト質珪酸カルシウム約５０％
、Ｃ８Ｈ約５０％で構成されているため高融点のセラミ
ック被覆を形成できないと云う問題がある。
即ち、トバモライト１００％の珪酸カルシウム板はその
焼成限界が６５０℃であり、この温度以上に加熱すると
結晶組成が崩解する。従ってガラス質被覆はその焼成温
度が最高４０００を限界とし、これ以上の加熱を行えば
板自体が劣化する。しかもＡＬＣ板は上記トバモライト
質珪酸カルシウムよシ更に低温で結晶水が揮発する水和
物のＣ８Ｈ’ｅ約５０％含有しているのでガラス質被覆
の焼成温度は３００℃以下に抑制される。
焼成限界が６５０℃であり、この温度以上に加熱すると
結晶組成が崩解する。従ってガラス質被覆はその焼成温
度が最高４０００を限界とし、これ以上の加熱を行えば
板自体が劣化する。しかもＡＬＣ板は上記トバモライト
質珪酸カルシウムよシ更に低温で結晶水が揮発する水和
物のＣ８Ｈ’ｅ約５０％含有しているのでガラス質被覆
の焼成温度は３００℃以下に抑制される。
一方、ガラス質被覆はよシ高温度で焼成されたもの程強
固であり、物理的、化学的性質が優れている。このため
焼成温度が４００ Ｃ’ｉ−限界とする低温焼成におい
てはガラス質被覆の性質に限界がある。更に低温焼成の
釉は一般に熱膨張係数が大きく、板自体の熱膨張係数を
上廻るのでガラス質′４Ｉ覆に亀裂を生じ易い尋の問題
もある。
固であり、物理的、化学的性質が優れている。このため
焼成温度が４００ Ｃ’ｉ−限界とする低温焼成におい
てはガラス質被覆の性質に限界がある。更に低温焼成の
釉は一般に熱膨張係数が大きく、板自体の熱膨張係数を
上廻るのでガラス質′４Ｉ覆に亀裂を生じ易い尋の問題
もある。
また同様にゾノトライト質珪酸カルシウム板の加熱に際
しても、内部からのガス発生を避けることができず、こ
の影響を排除する必要がある。しかるに上記従来法では
、このガス発生のイ・′ □□ｉｊ６ ｃ ＃ ｉ［ｈ
−ｃＴ４；９アあお。
しても、内部からのガス発生を避けることができず、こ
の影響を排除する必要がある。しかるに上記従来法では
、このガス発生のイ・′ □□ｉｊ６ ｃ ＃ ｉ［ｈ
−ｃＴ４；９アあお。
〈問題点の解決手段〉
本発明はジノトライトラ主成分とする珪酸カルシウム板
にセラばツク被覆を形成するに際し、ゾノトライトと化
学結合する被覆を予め形成することにより上記ガス発生
の影響を排除し、かつ付着力の大きい高強度セラゼツク
被覆を形成する方法を提供するととを目的とする。上記
目的を達成する本発明の構成は、ゾノトライト質の珪酸
カルシウム成形体表面に第１リン酸塩を塗布し、釉の焼
成温度付近に加熱し、脱ガスでせた後、施釉し、焼成す
るとと會特徴とする。
にセラばツク被覆を形成するに際し、ゾノトライトと化
学結合する被覆を予め形成することにより上記ガス発生
の影響を排除し、かつ付着力の大きい高強度セラゼツク
被覆を形成する方法を提供するととを目的とする。上記
目的を達成する本発明の構成は、ゾノトライト質の珪酸
カルシウム成形体表面に第１リン酸塩を塗布し、釉の焼
成温度付近に加熱し、脱ガスでせた後、施釉し、焼成す
るとと會特徴とする。
更にその好適な実施態様として第一リン酸塩を塗布する
際リン酸を併用することを特徴とする。
際リン酸を併用することを特徴とする。
一般に釉の焼成に際しては珪酸カルシウム板の劣化を生
じない温度以下で行う必要がある。
じない温度以下で行う必要がある。
ゾノトライトの結晶水の殆んどが揮散し、かつ結晶組織
の転移葡生ずる温度（以下これ全限界温度と云う）以上
に７ＪＯ熱されると珪酸カルシウム板は収縮し、亀裂が
発生し、強度を低下させる。ゾノトライト質珪ばカルシ
ウム板の限界温度は約７５０しでありＭ烏使用温度は１
００Ｏｃである。本発明はこのようなゾノトライト質珪
酸カルシウム板の施釉に先立ち、その表面を第一リン酸
塩で処理する０尚、ここでゾノトライト賞珪酸カルシウ
ム成形体とは水熱合成反応により生成されるゾノトライ
トｋ生成分とする珪酸カルシウム成形体であって、珪酸
カルシウム単体のもの、および珪酸カルシウムに無機質
繊維ないし無機質粉粒体葡添加した混合物からなる成形
体を含むもの紫云う（以下単に珪酸カルシウム成形体と
云う）０ところで上記珪酸カルシウム成形体に７］１１
熱すると、上記限界温度以下でも内部の結晶水、吸眉水
および炭酸塩あるいは混在物の結晶水、吸着水お↓び炭
酸塩等に由来するガスの発生を避けることができない。
の転移葡生ずる温度（以下これ全限界温度と云う）以上
に７ＪＯ熱されると珪酸カルシウム板は収縮し、亀裂が
発生し、強度を低下させる。ゾノトライト質珪ばカルシ
ウム板の限界温度は約７５０しでありＭ烏使用温度は１
００Ｏｃである。本発明はこのようなゾノトライト質珪
酸カルシウム板の施釉に先立ち、その表面を第一リン酸
塩で処理する０尚、ここでゾノトライト賞珪酸カルシウ
ム成形体とは水熱合成反応により生成されるゾノトライ
トｋ生成分とする珪酸カルシウム成形体であって、珪酸
カルシウム単体のもの、および珪酸カルシウムに無機質
繊維ないし無機質粉粒体葡添加した混合物からなる成形
体を含むもの紫云う（以下単に珪酸カルシウム成形体と
云う）０ところで上記珪酸カルシウム成形体に７］１１
熱すると、上記限界温度以下でも内部の結晶水、吸眉水
および炭酸塩あるいは混在物の結晶水、吸着水お↓び炭
酸塩等に由来するガスの発生を避けることができない。
このため珪酸カルシウム板に直接施釉して焼成すると、
これら揮発ガスの大部分が焼成初期においては釉の被覆
を通過して揮散するものの、釉のガラス化が進行し、そ
の粘性が高址ると、揮発ガスは被膜の内側に閉じ込めら
れ、轟該被膜を下側から押し上げて珪酸カルシウム板か
ら剥離させ、これが焼成後被膜の未着部分として残る。
これら揮発ガスの大部分が焼成初期においては釉の被覆
を通過して揮散するものの、釉のガラス化が進行し、そ
の粘性が高址ると、揮発ガスは被膜の内側に閉じ込めら
れ、轟該被膜を下側から押し上げて珪酸カルシウム板か
ら剥離させ、これが焼成後被膜の未着部分として残る。
更に釉の種類、ガス発生時期によってはガラス質被覆中
にガスが内包されピンホールを生ずる場合もある。かか
るガス発生の影Ｖを除去するため予め珪酸カルシウム板
を加熱し、ガスを揮散させることも行なわれるが単なる
加熱処理では脱ガス効果が不充分であり、上記問題ヶ解
消することはできない。因に珪酸カルシウム板全７００
Ｃ１８時間以上加熱してもガスの発生がみられる。しか
るに本発明においては釉の焼成に先立ち、予め第一リン
酸塩をその表面に塗布し、釉の焼成温度付近まで加熱す
ることにより上記ガス発生の影響を解消した（以下この
処理を脱ガス処理と称す）。即ち第一リン酸塩の塗布に
よシこの部分のガス発生が促進され、ガスの揮散が進む
と共に珪酸カルシウム板の表面層と第一リン酸塩とが化
学反応しリン酸塩被膜が形成される。この被膜により内
部から発生するガスの通過が遮１０「されるので該破膜
の上にセラミック被覆が形成される際、上記ガス発生の
影響を受けることなく強固な被覆を融着させることがで
きる。更ＶＣ該リン酸塩被膜は珪酸カルシウム板とセラ
ミックス破膜の熱膨張率の差を緩オロし、両者の融着力
の向上に大きく寄与する。
にガスが内包されピンホールを生ずる場合もある。かか
るガス発生の影Ｖを除去するため予め珪酸カルシウム板
を加熱し、ガスを揮散させることも行なわれるが単なる
加熱処理では脱ガス効果が不充分であり、上記問題ヶ解
消することはできない。因に珪酸カルシウム板全７００
Ｃ１８時間以上加熱してもガスの発生がみられる。しか
るに本発明においては釉の焼成に先立ち、予め第一リン
酸塩をその表面に塗布し、釉の焼成温度付近まで加熱す
ることにより上記ガス発生の影響を解消した（以下この
処理を脱ガス処理と称す）。即ち第一リン酸塩の塗布に
よシこの部分のガス発生が促進され、ガスの揮散が進む
と共に珪酸カルシウム板の表面層と第一リン酸塩とが化
学反応しリン酸塩被膜が形成される。この被膜により内
部から発生するガスの通過が遮１０「されるので該破膜
の上にセラミック被覆が形成される際、上記ガス発生の
影響を受けることなく強固な被覆を融着させることがで
きる。更ＶＣ該リン酸塩被膜は珪酸カルシウム板とセラ
ミックス破膜の熱膨張率の差を緩オロし、両者の融着力
の向上に大きく寄与する。
上記第一リン酸塩としては第一リン酸アルミニウム、ア
ルカリ金属の第一り／酸塩、アルカリ土類金属の第一リ
ン酸塩を用いることができる。
ルカリ金属の第一り／酸塩、アルカリ土類金属の第一リ
ン酸塩を用いることができる。
因に単一リン酸塩に代えて珪酸塩溶液を用いた場合には
セラミック被覆内に多数の亀裂が生じ充分な前処理の効
果全達成しえない。従来、珪ｔｌ’ 酸塩溶液ｋ Ａ
Ｌ Ｃ板に用いている例が知られているが、珪酸塩溶液
はアルカリ性のためゾノトライト質珪酸カルシウム板と
は全く反応せず、脱ガス効果も全くない。一方第一リン
酸塩は酸性のためゾノトライト質珪酸カルシウム板と強
固に反応し脱ガス効果も著しくかつ安定な反応物全生成
する。
セラミック被覆内に多数の亀裂が生じ充分な前処理の効
果全達成しえない。従来、珪ｔｌ’ 酸塩溶液ｋ Ａ
Ｌ Ｃ板に用いている例が知られているが、珪酸塩溶液
はアルカリ性のためゾノトライト質珪酸カルシウム板と
は全く反応せず、脱ガス効果も全くない。一方第一リン
酸塩は酸性のためゾノトライト質珪酸カルシウム板と強
固に反応し脱ガス効果も著しくかつ安定な反応物全生成
する。
次にゾノトライト質珪酸カルシウム板の脱ガス効果を高
めるため、第一リン酸塩と共にリン酸を塗布すると良い
。リン酸の併用によシ、第一リン酸塩およびリン酸がゾ
ノトライト質珪酸カルシウム板の内部にまで侵入しガス
を追出す作用を果すのでガス揮散効果が一層高まる。上
記脱ガス処理の具体的な条件としては、約゛１００Ｃの
温度下で、５〜１０分加熱するとよい。
めるため、第一リン酸塩と共にリン酸を塗布すると良い
。リン酸の併用によシ、第一リン酸塩およびリン酸がゾ
ノトライト質珪酸カルシウム板の内部にまで侵入しガス
を追出す作用を果すのでガス揮散効果が一層高まる。上
記脱ガス処理の具体的な条件としては、約゛１００Ｃの
温度下で、５〜１０分加熱するとよい。
該脱ガス処理の後施釉し、乾燥後焼成してセラミック被
覆を形成する。釉の組成は市販のホウ珪酸塩のものを用
いることができる。
覆を形成する。釉の組成は市販のホウ珪酸塩のものを用
いることができる。
〈実施例および比較例〉
実施例
ジノトライトラ主成分とする珪酸カルシウム板の表面［
２５％溶液のりンｖを一様に塗布し、次に１５％溶液の
第一リン酸アルミを一様に塗 ７− 布する。これを加熱炉に入れ、７００Ｃにて１０分間加
熱しｆｃ後徐冷した。次いでホウ珪酸塩の釉を一様に塗
布し、４５℃で２時間乾燥した後、７００ｃの温度下に
て３分間加熱し、徐冷した。
２５％溶液のりンｖを一様に塗布し、次に１５％溶液の
第一リン酸アルミを一様に塗 ７− 布する。これを加熱炉に入れ、７００Ｃにて１０分間加
熱しｆｃ後徐冷した。次いでホウ珪酸塩の釉を一様に塗
布し、４５℃で２時間乾燥した後、７００ｃの温度下に
て３分間加熱し、徐冷した。
この結果得られた珪酸カルシウム板の表面には光沢のあ
る美麗なかつ包理のない被覆が得られた。更にこの被覆
の形成によｐ珪酸カルシウム板の表面は透水性のないも
のとなり、又、被覆を有しないものに比べ表面硬度が１
，５倍に向上した。
る美麗なかつ包理のない被覆が得られた。更にこの被覆
の形成によｐ珪酸カルシウム板の表面は透水性のないも
のとなり、又、被覆を有しないものに比べ表面硬度が１
，５倍に向上した。
比較例１゜
実施例１の珪酸カルシウム板に何等の表面処理を行なわ
ず７００℃で３０分間加熱した後徐冷した。次にこの表
面に上記と同様のホウ珪酸塩の釉全塗布し、４５Ｃにて
２時間乾燥後、７００℃で３時間加熱焼成した。得られ
た珪酸カルシウム板表面の被覆には多数のピンホールが
みられると共に部分的に未融着箇所がみられた。
ず７００℃で３０分間加熱した後徐冷した。次にこの表
面に上記と同様のホウ珪酸塩の釉全塗布し、４５Ｃにて
２時間乾燥後、７００℃で３時間加熱焼成した。得られ
た珪酸カルシウム板表面の被覆には多数のピンホールが
みられると共に部分的に未融着箇所がみられた。
比較例２゜
実施例１の珪酸カルシウム板に珪酸ソーダ溶 ８−
液を塗布し、７００Ｃで１０分間加熱した後徐冷した。
形成された被膜は剥離し易く充分な被膜層を形成するの
は困難であった。更に剥離しない部分に実施例１と同様
のホウケイ酸塩の釉上塗布し、４５Ｃで２時間乾燥した
後、７００℃で３分間力口熱しセラミック被覆を形成し
た。
は困難であった。更に剥離しない部分に実施例１と同様
のホウケイ酸塩の釉上塗布し、４５Ｃで２時間乾燥した
後、７００℃で３分間力口熱しセラミック被覆を形成し
た。
しかしながら徐冷該セラミック被覆に多数のピンホール
が生じており、美麗な被膜を得ることはできなかった。
が生じており、美麗な被膜を得ることはできなかった。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明の級覆形成方法によれば、ゾ
ノトライト質珪酸カルシウム成形体表面からのガス揮散
が充分に促進されると共にセラミック被覆となじみのよ
いリン酸塩Ｍ［が形成され内部のガス透過を遮断するの
でガス発生の影響全確実に抑制でき、成形体表面にセラ
ミック被覆全密着形成することができる。更に該セラミ
ック被覆と珪酸カルシウム成形体との熱膨張率差の影響
をリン酸塩被膜によシ緩オｌするので両者の融着性は一
層向上すると共に高強度のセラミック被覆を形成できる
。
ノトライト質珪酸カルシウム成形体表面からのガス揮散
が充分に促進されると共にセラミック被覆となじみのよ
いリン酸塩Ｍ［が形成され内部のガス透過を遮断するの
でガス発生の影響全確実に抑制でき、成形体表面にセラ
ミック被覆全密着形成することができる。更に該セラミ
ック被覆と珪酸カルシウム成形体との熱膨張率差の影響
をリン酸塩被膜によシ緩オｌするので両者の融着性は一
層向上すると共に高強度のセラミック被覆を形成できる
。
特許出願人 小野田化学工業株式会社
代理人 弁理士 光石士部（他１名）
１１−
４４２−
Claims (1)
- （１） ゾノトライト質の珪酸カルシウム成形体表面に
第一リン酸塩全塗布し、釉の焼成温度付近に加熱し脱ガ
スさせた後、施釉し、焼成して該成形体表面にセラミッ
ク質の被覆を形成することｔ％黴とする珪酸カルシウム
板のセラミック被覆形成方法。 （２、特許請求の範囲第１項において、第一リン酸塩を
塗布する際、リン酸全併用することを特徴とする珪酸カ
ルシウム板のセラミック被覆形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881484A JPS60264378A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 珪酸カルシウム板のセラミツク被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881484A JPS60264378A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 珪酸カルシウム板のセラミツク被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264378A true JPS60264378A (ja) | 1985-12-27 |
Family
ID=14745792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11881484A Pending JPS60264378A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 珪酸カルシウム板のセラミツク被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264378A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62223051A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 施釉用成形体及び施釉成形体の製造方法 |
| JPS63147878A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-20 | 清水建設株式会社 | 耐熱性コンクリ−ト構造 |
| JPH05294704A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Isolite Kogyo Kk | 不燃軽量化粧板の製造方法 |
| WO2008098794A1 (de) * | 2007-02-17 | 2008-08-21 | Porextherm-Dämmstoffe Gmbh | Wärmedämmformkörper und verfahren zur herstellung eines wärmedämmformkörpers |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP11881484A patent/JPS60264378A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62223051A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 施釉用成形体及び施釉成形体の製造方法 |
| JPS63147878A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-20 | 清水建設株式会社 | 耐熱性コンクリ−ト構造 |
| JPH05294704A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Isolite Kogyo Kk | 不燃軽量化粧板の製造方法 |
| WO2008098794A1 (de) * | 2007-02-17 | 2008-08-21 | Porextherm-Dämmstoffe Gmbh | Wärmedämmformkörper und verfahren zur herstellung eines wärmedämmformkörpers |
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