JPS60261138A - Positioning device - Google Patents
Positioning deviceInfo
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- JPS60261138A JPS60261138A JP59116508A JP11650884A JPS60261138A JP S60261138 A JPS60261138 A JP S60261138A JP 59116508 A JP59116508 A JP 59116508A JP 11650884 A JP11650884 A JP 11650884A JP S60261138 A JPS60261138 A JP S60261138A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は複数の物体の相対的位置合わせ装置、特には半
導体露光装置におけるマスク（若しくはレチクル）とウ
ェハーの位置合わせ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a device for relative positioning of a plurality of objects, and particularly to a device for positioning a mask (or reticle) and a wafer in a semiconductor exposure apparatus.
近年、ＩＣの微細化が進み、マスク（又はレチクル）と
ウェハーの位置合わせ精度は０．１μｍオーダーの値が
必要とされる迄になってきている。In recent years, the miniaturization of ICs has progressed, and the alignment accuracy between a mask (or reticle) and a wafer has come to be required to be on the order of 0.1 μm.
特にステッパーと呼ばれる装置ではその必要性が □高
い。例をステッパーにとると、位置合わせの方式として
オファクシヌ方式とＴＴＬ方式があり、前者は高スルー
プツト性、後者は高精度という事で特徴づけられる。This is especially necessary for devices called steppers. Taking a stepper as an example, there are two types of positioning methods: the Ofax method and the TTL method, the former being characterized by high throughput and the latter by high precision.
本発明は例えばこのＴＴＬ方式に適用できるものである
。ＴＴＬ方式としては、例えば本出願人による特開昭５
６−２４５０４号公報に記載された装置が知られている
。ＴＴＬ方式で高精度を得るために問題となるのは、マ
スクの信号とウエノ１−の信号を如何にして分離し、独
立して検知するかという事である。特にマスク信号はマ
スクの信号がウエノ１−からの反射光の影響を受けると
、精度を悪化させる要因となる。The present invention can be applied to this TTL method, for example. As a TTL method, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 5
A device described in Japanese Patent No. 6-24504 is known. The problem in obtaining high precision with the TTL method is how to separate the mask signal and the Ueno 1- signal and detect them independently. In particular, when the mask signal is affected by the reflected light from the wafer 1-, it becomes a factor that deteriorates the accuracy.
そこで従来はこの問題を解決するために、偏光手段を投
影光学系内に配設したものがある。偏光手段としては、
投影光学系がレンズ系である場合には入４板を用い、ミ
ラー系である場合にはん４板に相当する位相差を与える
反射膜（位相膜）を用いて（・る。Conventionally, in order to solve this problem, a polarizing means is disposed within the projection optical system. As a polarizing means,
When the projection optical system is a lens system, a 4-plate is used, and when it is a mirror system, a reflective film (phase film) that provides a phase difference equivalent to that of a 4-plate is used.
ここで、上記従来例を第１図に基いて具体的に説明する
ことにより、当該従来例の問題点を明らかにする。Here, by specifically explaining the above conventional example based on FIG. 1, the problems of the conventional example will be clarified.
第１図には、従来の位置合わせ装置を構成すえアライメ
ントスコープ及び投影光学系を示しである。周辺部の各
光学系についての原理、作用等については上記公報に詳
細に説明されているので、ここでは省略する。FIG. 1 shows an alignment scope and a projection optical system that constitute a conventional alignment apparatus. The principles, functions, etc. of each optical system in the peripheral portion are explained in detail in the above-mentioned publication, so they will be omitted here.
レーザー１からでた光りは回転するポリゴンミラー２で
反射され、一連の光学系を経てマスク（又はレチクル）
３及びウェハー４上を走査する。The light emitted from the laser 1 is reflected by a rotating polygon mirror 2, and passes through a series of optical systems to a mask (or reticle).
3 and wafer 4 are scanned.
マスク８及びウェハー４上で反射された各々の光は、偏
光ビームスプリッタ−５，空間周波数フィルター６．６
′等を介して光電検出素子７，７′に導かれる。空間周
波数フィルター６．６′は、マスク３及びウェハー４か
らの正反射光をとめ、散乱光のみを光電検出素子７，７
′に入射させるためのものである。ここで、マスク８及
びウェハー４から光電検出素子７，７′に至るまでの光
学系に於いては、前述したように、マスク８からの直接
の散乱光と、一旦つエバー４での反射を介してアライメ
ントスコープ系に戻ってくる間接的な散乱光とが干渉を
起こしてしまい、精度の高い光検出ができないという問
題がある。The respective lights reflected on the mask 8 and the wafer 4 are passed through a polarizing beam splitter 5 and a spatial frequency filter 6.6.
' etc. to the photoelectric detection elements 7, 7'. The spatial frequency filter 6.6' blocks specularly reflected light from the mask 3 and wafer 4, and transmits only the scattered light to the photoelectric detection elements 7, 7.
′. Here, in the optical system from the mask 8 and wafer 4 to the photoelectric detection elements 7 and 7', as described above, the direct scattered light from the mask 8 and the reflection from the Ever 4 are separated. There is a problem in that the indirect scattered light that returns to the alignment scope system through the light source interferes with the light, making it impossible to perform highly accurate light detection.
そこでこの干渉を防止するために、投影レンズ８の内部
にん４板９を配置したものである。このん４板９は、例
えば光学的な異方性を持った結晶板により作製される。Therefore, in order to prevent this interference, four plates 9 are arranged inside the projection lens 8. The four plates 9 are made of, for example, a crystal plate having optical anisotropy.
へ４板９にマスク３側から入射する光が直線偏光である
場合には、該入射光の偏光方向と、ウェハー４での反射
を経てん４板９を往復して戻ってきた出射光の偏光方向
とを直交させることができる。光電検出素子？、７′は
それぞれある特定の方向の偏光方向の光のみを検知する
ので、これによって片一方の偏光方向の光を除去し、上
記のような干渉を防止しようとするものである。ここで
ん４板９はマスク３とウェハー４の間であれば投影レン
ズ８の内部以外の任意の位置に設置しても良い。When the light that enters the fourth plate 9 from the mask 3 side is linearly polarized light, the polarization direction of the incident light and the output light that has gone back and forth through the fourth plate 9 after reflection on the wafer 4 are determined. The polarization direction can be orthogonal to the polarization direction. Photoelectric detection element? , 7' detect only light polarized in a certain specific direction, so the light polarized in one direction is removed to prevent the above-mentioned interference. Here, the fourth plate 9 may be installed at any position other than inside the projection lens 8 as long as it is between the mask 3 and the wafer 4.
ところが、以下（１）及び（１１）のような問題があり
、所望の偏光状態を得ることができないため、完全に干
渉を防止することができない。However, there are problems as shown in (1) and (11) below, and a desired polarization state cannot be obtained, so that interference cannot be completely prevented.
（１）ん４板の板厚は、極めて高い精度が要求されるに
も拘らず、その精密加工が困難である。そのため、その
板厚の誤差により直線偏光で入射した光が楕円偏光とな
って出射され、干渉が生じてしまう。(1) Although extremely high precision is required for the thickness of the four plates, precision machining is difficult. Therefore, due to an error in the plate thickness, light that is incident as linearly polarized light is emitted as elliptically polarized light, resulting in interference.
（ｉｉ） 、７＆４板が投影レンズ８内に配設された時
に。(ii) When the 7 & 4 plates are arranged inside the projection lens 8.
偏光方向に対して角度上の誤差を生じ易い。ん４板は敏
感な角度特性を持つため、上記のような誤差が微妙に影
響し、反射して戻って来る光の偏光方向が入射した光の
偏光方向と直交しなくなってしまう。従って、干渉が生
じる原因となる。Angular errors are likely to occur with respect to the polarization direction. Since the four plates have sensitive angular characteristics, the above-mentioned errors will have a subtle effect, and the polarization direction of the reflected light will no longer be perpendicular to the polarization direction of the incident light. Therefore, this causes interference.
上記（１）及び（１１）の問題は、投影光学系がミラー
系である場合に、該ミラー系内にＭ４仮に相当する位相
膜を配設した場合についても言えることである。The problems (1) and (11) above also apply when the projection optical system is a mirror system and a phase film corresponding to M4 is disposed within the mirror system.
本発明の目的は上記問題点を解消し、位置合わせすべき
各物体からの散乱光が干渉し合うことによる、位置検出
への悪影響を防止して、位置合わせ精度を向上させるこ
とを可能にした位置合わせ装置を提供することにある。The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to prevent the interference of scattered light from objects to be aligned with each other, which would adversely affect position detection, thereby making it possible to improve alignment accuracy. An object of the present invention is to provide an alignment device.
上記目的を達成するために、本発明に係る位置合わせ装
置は、位置合わせすべき複数個の物体の間に配設した投
影光学系と、該投影光学系の中に配置したん４板若しく
は位相膜等の偏光手段と、更に該偏光手段で得られた光
の偏光状態を変えるだめの、ん４板若しくはＭ板偏光板
等からなる補正手段とを具備しており、上記偏光状態の
不完全さを前記補正手段で補うことにより、最適な偏光
状態を得ることができるようにしたものである。In order to achieve the above object, the alignment device according to the present invention includes a projection optical system disposed between a plurality of objects to be aligned, and a four-plate or phase shifter disposed within the projection optical system. It is equipped with a polarizing means such as a film, and a correction means consisting of a 4-plate polarizing plate, an M-plate polarizing plate, etc. for changing the polarization state of the light obtained by the polarizing means, and is equipped with a correction means consisting of a 4-plate or M-plate polarizing plate, etc. By compensating for the difference using the correcting means, it is possible to obtain an optimal polarization state.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第２図は本発明の−実施例を示す概略構成図である。第
１図で示した従来例と同様に、レーザー１からでた光り
は回転するポリゴンミラー２で反射され、一連の光学系
を経てマ・スフ（又はレチクル）３及びウェハー４上を
走査する。マスク８及びウェハー４上で反射された各々
の光は、偏光ビームスプリッタ−５，空間周波数フィル
ター６等を介して光電検出素子７に導かれる。本実施例
では光電検出素子７の方をマスクからの直接の散乱光の
゛みをとる様に構成されているものとする。ここで本実
施例の特徴として、偏光ビームスプリッタ−５の前段に
へ４板１０及びん４板１１を配置しである。Ｍ２板１０
及びん４板１１は、光路Ｐを中心として回転自在となっ
ており、所望の角度に位置決めできる。FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention. Similar to the conventional example shown in FIG. 1, the light emitted from a laser 1 is reflected by a rotating polygon mirror 2 and scans over a matrix (or reticle) 3 and a wafer 4 through a series of optical systems. Each of the lights reflected on the mask 8 and the wafer 4 is guided to a photoelectric detection element 7 via a polarizing beam splitter 5, a spatial frequency filter 6, etc. In this embodiment, it is assumed that the photoelectric detection element 7 is configured to detect the direct scattered light from the mask. Here, a feature of this embodiment is that four plates 10 and four plates 11 are arranged before the polarizing beam splitter 5. M2 plate 10
The bridge 4 plate 11 is rotatable around the optical path P, and can be positioned at a desired angle.
人４板１０はその特性により、該Ｍｚ板１０への入射光
の偏光方向に対して、該７〜勺板１０からの出射光の偏
光方向を変化させることができる。Due to its characteristics, the four-layer plate 10 can change the polarization direction of the light emitted from the seven to four-layer plates 10 with respect to the polarization direction of the light incident on the Mz plate 10.
この作用を利用し、７ｙ２板１０を適宜回転させて偏光
方向を変化させることにより、所望の偏光方向に設定す
ることができる。ただしこの作用は、投影レンズ８中の
へ４板９の不完全性を補う為の袖筒効果であり、マスク
８から直接反射された光に対する効果はコサイン的にし
かきかない。従って直接反射光には無視できる程度の影
響しか与えな（・。マスク信号に対してウェハー信号を
混入させない為には、ウェハーの信号を完全な所定の方
向の直線偏光にする事が必要であり、ん４板１０を適宜
回転させて、ウェハーからの反射光の偏光方向を所望の
方向にセットさせることが可能となる。By utilizing this effect and changing the polarization direction by appropriately rotating the 7y2 plate 10, a desired polarization direction can be set. However, this effect is a cuff effect to compensate for the imperfection of the 4-plate 9 in the projection lens 8, and the effect on the light directly reflected from the mask 8 is only cosine-like. Therefore, it has a negligible effect on the directly reflected light (...In order to prevent the wafer signal from being mixed into the mask signal, it is necessary to make the wafer signal completely linearly polarized in a predetermined direction. By appropriately rotating the plate 10, it is possible to set the polarization direction of the reflected light from the wafer in a desired direction.
ん４板１１はその特性により、該ん４板１１を透過する
前後における偏光状態を変化させる作用を持つ。すなわ
ち、へ４板１１を適宜回転させることにより、楕円偏光
から直線偏光に変化させることができる。ただしこの場
合においても、ん４板１１の効果はへ４板９の不完全性
な補正する程度の量であり、マスク８からの直−桜皮射
光に与える影響は少ない。従って、入４板９の不完全性
の為楕円偏光となってしまった光は、へ４板１１により
直線偏光に戻すことが可能となる。この様にしてウェハ
ーからの反射光は楕円偏光は／ｖ４板１板側１偏光方向
２板１０の働きにより、所望の方向の直線偏光となる。Due to their characteristics, the four plates 11 have the effect of changing the polarization state before and after passing through the four plates 11. That is, by appropriately rotating the 4-plate 11, it is possible to change the light from elliptically polarized light to linearly polarized light. However, even in this case, the effect of the fourth plate 11 is just enough to compensate for the imperfection of the fourth plate 9, and the effect on the direct cherry light emitted from the mask 8 is small. Therefore, the light that has become elliptically polarized due to the imperfection of the input 4-plate 9 can be returned to linearly polarized light by the input 4-plate 11. In this way, the reflected light from the wafer changes from elliptically polarized light to linearly polarized light in a desired direction by the action of /v4 plate 1 plate side 1 polarization direction 2 plate 10.
この結果、マスクからの直接反射信号にはウェハーから
の光が完全にカットされ、前述したような干渉を防止し
得るものである。As a result, the light from the wafer is completely cut off from the direct reflection signal from the mask, making it possible to prevent the above-mentioned interference.
次に本発明の他の実施例を第３図に示す。ここでは、第
２図に示した偏光ビームスプリッタ−５の代わりに、ハ
ーフミラ−２０及び回転可能な偏光板２１を用いたもの
である。第２図では偏光ビームスプリッタ−５により偏
光方向が空間的に定められていたが、第８図においては
偏光板２１が回転可能である。そのため本実施例では、
第２図で示したようなん４板ｌＯを更に配置する必要が
ない。すなわち、偏光板２１を自由に調整することによ
り、カットできる偏光方向を自由に変化させられるので
、ウェハーからの反射光は所望の方向の直線偏光である
必要はなく、単に直接偏光の状態でありさえすれば良（
ｂん４板１１は、第２図に示したものと等しい。従って
、入４板１１及び偏光板２１を適宜に調整することによ
り、上記実施例と同様に、前述したような干渉を防止し
得るものである。Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG. Here, a half mirror 20 and a rotatable polarizing plate 21 are used in place of the polarizing beam splitter 5 shown in FIG. In FIG. 2, the polarization direction is spatially determined by the polarizing beam splitter 5, but in FIG. 8, the polarizing plate 21 is rotatable. Therefore, in this example,
There is no need to further arrange four plates 1O as shown in FIG. That is, by freely adjusting the polarizing plate 21, the direction of polarization that can be cut can be freely changed, so that the reflected light from the wafer does not have to be linearly polarized light in a desired direction, but is simply directly polarized light. All you have to do is (
The four plates 11 are identical to those shown in FIG. Therefore, by appropriately adjusting the four-in-board plate 11 and the polarizing plate 21, it is possible to prevent the above-mentioned interference as in the above embodiment.
なお、上述した実施例では投影光学系として投影レンズ
を用いた場合について説明したが、投影光学系としてミ
ラー系を用い、この中に人４板に相当する位相膜を配置
した場合についても、同様な構成とすることができる。In addition, in the above-mentioned embodiment, the case where a projection lens is used as the projection optical system has been explained, but the same applies to the case where a mirror system is used as the projection optical system and a phase film corresponding to the human 4 plate is disposed therein. It can be configured as follows.
伊佐訃往髪千士
また本発明はマスクとウェハーの位置合わせ以配設され
たん４板相当の偏光手段で生じた偏光状態の不完全性を
補正する手段を具備したことにより、位置合わせすべき
各々の物体、たとえばマスクとウェハーからの各々の散
乱光を完全に分離し、独立して検知することができる。Furthermore, the present invention provides a means for correcting imperfections in the polarization state caused by the polarizing means equivalent to 4 plates provided for aligning the mask and the wafer. Each scattered light from each object, such as a mask and a wafer, can be completely separated and independently detected.
従って、上記の検知の時間的安定性ならびに位置合わせ
精度の向上を実現することができるという、非常に優れ
た効果を奏するものである。Therefore, the above-mentioned temporal stability of detection and alignment accuracy can be improved, which is a very excellent effect.
第１図は従来のマスク及びウェハーの位置合わせ装置を
示す概略構成図、第２図は本発明の一実施例を示す概略
構成図、第３図は本発明の他の実施例を示す概略構成図
である。
３・・・マスク（又はレチクル）、４・・・ウェハー。
５・・・偏光ビームスプリッタ−９６・・・空間周波数
フィルター。
７・・・光電検出素子、８・・投影レンズ。
９・・・７ん４板、１０・・・、〜４板。
１１・・・へ４板、 ２０・・ハーフミラ−１２１・・
・偏光板。
第１図
第３図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a conventional mask and wafer alignment device, FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention. It is a diagram. 3... Mask (or reticle), 4... Wafer. 5...Polarizing beam splitter-96...Spatial frequency filter. 7... Photoelectric detection element, 8... Projection lens. 9...7 4 boards, 10..., ~4 boards. 11...4 plates, 20...Half mirror-121...
·Polarizer. Figure 1 Figure 3
Claims (1)
あって、前記複数個の物体の間に配設した投影光学系と
、該投影光学系の中に配置した、偏光状態を変化させる
偏光手段と、該偏光手段によってもたらされる偏光状態
の不完全性を補う補正手段とを具備したことを特徴とす
る位置合わせ装置。 （２） 前記投影光学系は投影レンズを有する、特許請
求の範囲第１項記載の位置合わせ装置。 （３）前記投影光学系はミラーを有する、特許請求の範
囲第１項記載の位置合わせ装置。 （４）前記偏光手段はん４板である、特許請求の範囲第
２項記載の位置合わせ装置。 （５）前記偏光手段は位相膜である、特許請求の範囲第
３項記載の位置合わせ装置。 （６） 前記ん４板は投影レンズの中に配置される、特
許請求の範囲第４項記戦の位置合わせ装置。 （７） 前記補正手段はアライメントスコープ系内に配
置される、特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか
１項に記載の位置合わせ装置。[Claims] tll An apparatus for relative positioning of a plurality of objects, comprising: a projection optical system disposed between the plurality of objects; and a polarized light disposed within the projection optical system. 1. A positioning apparatus comprising: a polarizing means for changing the state; and a correcting means for compensating for imperfections in the polarized state caused by the polarizing means. (2) The alignment device according to claim 1, wherein the projection optical system has a projection lens. (3) The alignment device according to claim 1, wherein the projection optical system includes a mirror. (4) The positioning device according to claim 2, wherein the polarizing means has four plates. (5) The alignment device according to claim 3, wherein the polarizing means is a phase film. (6) The positioning device according to claim 4, wherein the four plates are arranged inside a projection lens. (7) The alignment device according to any one of claims 1 to 6, wherein the correction means is disposed within an alignment scope system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116508A JPS60261138A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Positioning device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116508A JPS60261138A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Positioning device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261138A true JPS60261138A (en) | 1985-12-24 |
| JPH0145216B2 JPH0145216B2 (en) | 1989-10-03 |
Family
ID=14688875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116508A Granted JPS60261138A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Positioning device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261138A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928362A (en) * | 1972-07-05 | 1974-03-13 | ||
| JPS5453562A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-26 | Canon Inc | Photoelectric detector |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59116508A patent/JPS60261138A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928362A (en) * | 1972-07-05 | 1974-03-13 | ||
| JPS5453562A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-26 | Canon Inc | Photoelectric detector |
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|---|---|---|---|---|
| US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145216B2 (en) | 1989-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |