JPS60257455A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに５Ｔ　Ｌ　＜は、レー
ザー光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材
に関する。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応して変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感Ｉ￥領域の整合性が他
の種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で、例えば特開昭５４−８６
３．４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に開示
されているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒＡ−
５ｉＪと略記する）から成る光受容部材が注目されてい
る。

百′１ら、感光層を弔層構戒のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として實求される
１０Ｉ７Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設５１−１−の許容度を拡大出来る、詰り、ある程
度低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来
る様にしバものとしては、例えば、特開＋１１１５４−
１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公ｔ計時
開昭５７−４１７２号公報に記載されである様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成と
して、光受容層内部＋コ空乏層を形成したり、或いは特
開昭５７−５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８
０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１
号の各公報に記載されである様に光受容層を支持体と感
光層の、間、又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設
けた多層構造としたり１．て、見掛は上の暗抵抗を高め
た光受容部材が提案されてｌ、）る。

この様な提案によって、Ａ−３ｔ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或ｌ／）は製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光□受容層が多層構造の光受容部材を用いてレ
ーザー記録を行う場合、各層の層厚にｏｈがある為に、
レーザー光が可干渉性の中色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容一層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面
及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より
反射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成されるｎｆ視両画像こ於０て、所
謂、干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる
、殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、
画像の見悪くさは顕著となる。　まして、使用する半導
体レーザー光の波長イ（１域が長波長になるにつれ感光
層に於ける該レーザー光の吸収が減少してくるので前記
の干渉現象は顕著÷ある。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ。と」二部界面１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の１１均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を九人 と１．て、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ ）＋ＸＸｌで不均一・であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２
ｎｄ−ｍ入（ｍｌす整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ
＝（ｍｌ−’）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）０条
ヂ１のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量およ
び透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響か生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した−［゛渉縞が転′ダ部材−にに転写、定着され
た可視画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１Ｏ０００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５　ｔ″ｆｆ公報アルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、
支持体表面に光散乱反則防１に層を設ける１□　方法（
例えば特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されて
いる。

面子ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる１渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光ｎ支部効果によ
る干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱とし
ては依然として正反射光成分が現存している為に、該正
反射光による干渉縞模様か残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効宋の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合１」Δ−３ｉ感光層
を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成され
る感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−
３ｔ系、感光層形成の際のプリズマによってダメージを
受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態
の悪化によるその後のＡ−３ｔ系感光層の形成に悪影響
をケーえること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒すｔｉＳ３の方法は、第３図に
示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表面
でその一部が反則されて反射光Ｒ，となり、残りは、光
受容層３０２の内部に進入して透過光■１となる。透過
光Ｉ、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、
光散乱されて拡散光Ｋ　ｒ　、　Ｋ２　、　Ｋ３　・・
―・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、そ
の・部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従っ−（
、反則光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留す
る為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来な
い。

又、干渉を・防１トして光受容層内部−ｅの多重反則を
防電する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加さぜる
と、光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為
解像度が低ド１−るという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に′荒１．でも、
ｆｔ５１層４０２での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
Ｉ　、支持体４０１面での正反射光Ｒ３の大々がＩ−渉
して、光受容部材の各層厚にしたがってト渉縞模様が生
じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支持
体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に
防ＴＩ−することは不ｉｒｆ能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロｙト間番ご於いてバラ
ツキが多く、目、っ同一ロントに於い（も粗面度に不均
一があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、中に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、１５
５図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では大川光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ＝（ｍ十展）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ、＋
　、’ｄ２　、ｄ３　、ｄ４の犬々λ の差の中の最大が−７−百以４二である様な層厚の不拘
・性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
Ｔ１渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層４１１
成の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の−「渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の１」的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受＋１の
ある新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出するＩ−渉
縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に
解消することができる光受容部材を提１共することでも
ある。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用Ｃるデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情ｆｙを右するデ
ジタル画像記録が鮮明に目、つ高解像度、高品質で行え
る光受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触Ｐ１
をイー１する光受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に、耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、機械的耐圧性及び光受容特性に優れた光受容部材
を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の９Ｊ断位置での断面形状
が主ピークに副ピークが東畳された凸状形状である凸部
が多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子を
含む非晶質旧料からなり少なくとも一部の層領域が感光
性をイー１する層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
非晶質材料からなる表面層とからなる光受容層と：をイ
Ｊする４１−を特徴としでいる。

以下、本発明を図面に従ってＪｊ体的に説明する。

＠６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（下図示）１−に、その凹凸の傾斜面に
沿って、１つ以１−の感光層を有する多層構成の光受容
層は、第６図（Ａ）に拡大して示されるように、Ｓ２層
６０２の層厚ｄ、からｄ６とｉｕ！統的に変化している
為に、界面６０３と界＋（ｉ　６０４とは互いに傾向き
を有している。従って、この微小部分（シ３−トレンジ
）文に入射したｉ’Ｔ　Ｉ：原性光は、該微小部公文に
於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非ｉＦ行
であると、第７図の（Ａ）に示す様１、゛入！１４光Ｉ
０にする反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその１１（行方向
が互いに異る為、界面７０３と７０４とか一＋ｉ行な場
合（第７図のｒ　（Ｂ）　」）に較べ−（干渉の度合が
減少する。

従−って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が・
１・行な関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非モ行な場
合ｒ　（Ａ）Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無
視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射
光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７＃ｄｏ）でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ１が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その」−１微小部分内の各層界面は、一種のスリットと
して働き、そこでυＩ折現像を生しる。

そのため各層での干渉は、層Ｈの差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層ｆ渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる「渉縞は、微小部（分の大
きさが照射光スポット径より小さい為、即１　あ、解像
度、界より７」、あい為１．１□１ｏ現ゎ６゜。

はない。又、仮に画像に現われているとしても眼の分解
能以Ｆなので実質的には何隻支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向・＼確実
に揃える為に、鏡面仕」二げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、見≦Ｌであ
る。

■、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ、）は、照射光の波長
を入とすると、 （１１、−ｄ　６＞　−（ｎ　：第２層６０２の屈折率
）ｎ であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
Ｊｌ内（以後「′４に小カラＪ、」と称す）に於て、少
なくともいずれか２つの層界面が非平行な関係にある様
に各層の層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この
条件を満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの
層界面がモ行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、 入 ２　ｎ　”　’層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均・層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的１１．つ容易に達成する為に、層厚を光学
的レベルでＩ「確に制御できることからプリズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される
。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メンキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方性、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤なと゛の機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有する／へイトをフライス盤、旋盤等の切削加圧機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させながら
規則的に所望方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加１することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成される。この様な切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作りだす線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺旋構造を右する。突起部の螺旋構造は
、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされ
ても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った遅線描造を導
入１．でも良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、　−次近
似的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されでいることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、未発明の効果を・層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数石す
ることか好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状！匙で支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以ｒの点を２處した
」二で、本発明の１−１的を効果的に達成出来る様に設
定される。

即ち、第１には感光層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成
される表面の状！ルに構造敏感であって、表面状１ル；
に応じて層品質は人きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ感光層の層品質の低ドを招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメン・／ヨノを設
）ｉ！する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

１〕記した層堆積トの問題点、電子写真法のプロセスト
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検、ｒ＝Ｉ　
した結果、支持体表面の四部のピッチは、好６Ｌシ＜は
５００Ｉ７．ｍ　〜０．３ｇｍ、より好ましくは２００
１ＬＩＩＩ　−１ｐＬｍ、最適には５００．ｍ　〜５ｐ
ｍＣあるのが望ましい。

又四部の最大の深さは、好ましくは０．１１Ｌｃｎ−５
ａｍ、より好ましくは０．３色ｍ〜３ｇｍ、最適には０
．６ｐＬｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい。支持体表
面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、
四部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは
１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には
４度〜ｌＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体４−に１イ１精される各層の層圧の
不拘・に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましく
はＯ，１ｇｍ〜２舊ｍ、より好ましくは０．１ｇｍ−１
，５ｇｍ、／＋＆ｉａには０．２ｇｍ−１μｍとされる
のが望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材＋０００は、本発明の［
１的を達成する様に表面！７Ｊ削加−［された支持体１
ｏｏｉ上に、光受容層ＬＯＯ２を有し、該光受容層１０
０２は支持体１００１側よりｉし荷７１人防止層１００
３．感光層］、　００４　、表面層１００５で構成され
ている。

支持体１００１としては、ノｑ電性でも電気絶縁性であ
ってもよい。導電性支持体Ｊニジて１日、例えば、Ｎｉ
Ｃｒ　、ステンレス、Ａ１．’Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｄ等（７）金属
又はこれ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリヵーポネー１−　、セルロース、アセデー１・
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリｌλＡ１ヒビ
゛−ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂
のフィルム又はシート、ガラス、セラミンク、紙等が通
常使用される。これ等の電気絶縁１′１支持体は、好適
には少なくともその一方の表面を・ｑ主処理され、該導
電処理された表面側の他の層が設けられるのが望ましい
。

例えば、カラスであればその表面にＮｉＣｒ　。

ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ７０２　．５ｎ０７　。

ｌｒ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ７　ｏ３＋Ｓ　ｎ０２　）　％’
から成る薄膜を設（ｊることによって導電性が旧与され
、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムで
あればＮｉＣｒ、ＡＩ　、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ
、“９の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーノー、／ｋ、
着、スパッタリング等でその表面に設け、又ＩＪ、前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性がＨ４される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状９等任意の形状として得、所望によって、そ
の形状は快′）５２されるが、例えば、第１０図の光受
容部材１０００を電子写真用像形成部材として使用ｊ−
るのであれば連続複写の場合には、無端ベルト状又は円
筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの
光受容部材が形成される様に適′１”「決定されるが、
光受容部材と［７て可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が十分発揮される範囲内であれぼり能な
限り薄くされる。しかしながら、この様な場合、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは１０ル以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛にの高抵抗化
を工する目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（以後ｒＡ−Ｓ　ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を
支配する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する
物質（Ｃ）としては、いわゆる゛Ｖ、導体分野で、われ
る不純物を挙げることができ、本発明に於−（ｌオ、Ｓ
ｉに対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型
伝導性を与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体
的には、ｐ型不純物としく１寸周期什表第■族に属する
原子（第■族原子）例λぽＢ（硼素）、Ａｌ（アルミニ
ウム）　、Ｇａ（カリウム）、Ｉｎ（インジウム）　、
ＴＩ　（タリウノ・）“９があり、殊に好適に用いられ
るのは、Ｂ、Ｇａである。

■１型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原ｒ（第
Ｖ放原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒ＬＨ）、Ｓｂ（
アンチモン）　、Ｂｉ　（ビスマス）等テ二あり、殊に
（ｌＴ適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含イ１量は、安上される電
荷注入防止特性、或いは該電荷柱入防止層１００３が支
持体１００１−Ｊ二に直に接触し−（設けられる場合に
は、該支持体１００１との接触界面に於ける特性との関
係等、有機的関連性に於て、適宜選択することが出来る
。又、前記電荷η人防止層に直に接触して設けられる他
に層領域の特性や、故地の層領域との接触界面に於ける
特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の
含有にが適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防１１一層中に含イｊされる伝
導性を制御する物質の含イＱ　、１１’ｒとしては、好
適には、０．００１−５ＸＩ０，１ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、より好適には０．５〜ｌＸｌ０＋　ａｔｏｍｉＣｐ
Ｐ　ｍ　＋最適には１〜５Ｘ１０うａｔ　ｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防１１一層１００３に於ける物
質（Ｃ）の含有量は、好ま１，２＜は、３０ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０ａｔ　。

ｍｉｃ　ｐｐｍ以４二、＠適にはｌ　ＯＯａ　ｔ　ｏ　
ｍ　ｉＣｐｐｍ以」−とすることによって、例えば含有
させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には光受容
層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に支持体側
から感光層中へ注入される・電子の移動を、より効果的
に阻止することが出来、又、前記含イ１させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合にｉｔ　、光受容層の自由
表面がｅ極性に帯電処理を受ＩＪた際に支持体側から感
光層中へ注入される１１孔の移動を、より効果的にｔｌ
ｌ’ｌ　、＋Ｉすることが出来る。

重荷ｆ１大防庄０層１００３の層厚は、好ましくは３０
人〜１．　ＯＩＬ　、より好適には４０人〜８ル、最適
１、−は５０人〜５ルとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成さね、１
７−ザー光の照射によってフォトキャリアを発生ずる電
荷発生機能と、該電荷を輸送する電イ：Ｘｒ輸送機能の
両者を有する。

感光層１００４は層厚としては、好ましくは、１−１．
０　ＯＬＬ　ｍ　、より好ましくは１〜８０ｇｎｏ−。

最適には２〜５０ｇｍとされるのか望ましい。

感光層１００４には、電荷柱入防止層１００３【こ含有
される伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝
導特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、
同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１
００３に含有される実際の量よりも−・段と少ない量と
して含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所ｑＩに従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、よ
り好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最
適には０．１〜２００ａｔｏｍｊｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於て、電荷注入防１１層１００３及び感光層１
００４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、感光層１００４に於ける含有量としては、好まし
くは３０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防１１一層１００３及び感光層
１００４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原ｒ−の早の
和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％
、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

＼ロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ。

■か挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第１Ｏ図に示す光受容部材に於ては、電荷注入１！／Ｉ
ｔＩ層１００３の代りに′Ｆｉ、気絶縁性材料から成る
。いわゆる障壁層を設けても良い。或いは、故障１１を
層と電荷注入防止層１００３とを併用してもＸ支えない
。

障壁層形成材料としては、Ａ文２０３　１　Ｓ　ｉＱ７
、Ｓｉ３Ｎ、１等の無機電気絶縁材料やポリカーホネー
　１−笠の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

第１０図に示される光受容部Ｊ、ｌ　１．　ＯＯＯにお
いては、感光層１００４．にに形成される表面層１゜Ｏ
５は自由表面を有し、主に耐温性、連続繰返し特性、電
気的耐圧性、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性
において本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子−（Ｓ
ｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必２ンに応じて水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原ｒｌｉＸ、）とを含む非晶質材
ｌ（以後、ｒａ−（ＳｉＣ１）Ｘ　ｘ ｙ　（Ｈ９Ｘ）　１ｙ　Ｊ　と記す。イ［１し、ｏ≦Ｘ
、ｙ＜　−１）で構成される。

ａ　−（’Ｓｉ　Ｃ，）　（Ｈ，Ｘ）；−でＸ　−Ｘ　
ｙｙ 構成される表面層１００５の形成ｌよグロー放’、ＩＥ
））、のようなプラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、ある
いは光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレ
クトロンビーム法等によって成される。

これ′９の製造ツノ、は、製造条件、設備資本投ｆの負
イ１；１程度、製造規模、作製される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望する特性を有する光受容部材を製造するための
作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原ｒ−と
共に炭素原子及びハロゲン原Ｊ′−を、ｆｌ製する表面
層１００５中に導入するのが容易に行える笠の利点から
グロー放電法或はスパッターリング法が好適に採用され
る。更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタ
ーリング法とを同一装置系内で併用して表面層１００５
を形成してもよい。

グｌ二１−放電法によって表面層１００５を形成するに
１．ｆ：ａ　−（Ｓｉ　Ｃ！’　）　（Ｈ，Ｘ）　＋　
ｙｘ　−ｘ　ｙ 形゛Ｓ庭川用原料ガスを、必鰐に応じて椙釈ガスと所定
１ｉ１の混合比で混合して、支持体の設置しである真′
イ“Ｈ１４１積室に導入し、導入されたガスを、グロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して、前記支持
体−１，に形成されである層１（、ａ　−（Ｓ　ｉ　Ｃ
＋　）　（１−ｒ　、Ｘ）　ｌ−７χ　−Ｘ　ｙ をｊ１積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ＋） ｘ　Ｘ　ｙ （Ｈ，Ｘ、）＋　−形成用の原料カスとし７ては、シリ
コンｖ、Ｔ　（Ｓ　ｉ　）　、炭素原子（Ｃ）、水素原
子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを
構成原子とするカス状の物質又はガス化しく１する物質
をカス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ　、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとじ−（、Ｓｉを構成原
ｆとする原石ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて、Ｈを構成原子とする原本：ｌガス又
は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用する井 か、又はＳｉを構成原子とする維料カスと、Ｃ及υ＝Ｈ
を構成原ｆ−どする原料ガス又は／及びＣ及びＸを４Ｖ
ｒ　Ｉ＆、原ｆどする原石カスとを、これも又、所望の
ＪＪ、Ｈ合札で、混合するか、或いは、Ｓｉを構成Ｊ＋
’ｉ　ｒとする原石ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構
成原ｒ−とする原料ガス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３一つ
を構成原子とする原料ガスとを混合して使用するζｋが
できる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原石カスにＣ
を構成原子とする原木［ガスを混合して使用し２エム良
いし、ＳｉとＸとを構成原子とする原本１カスにＣを構
成原子とする原料ガスを混合して使用しでムよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含イ１されるハし
５ケン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

Ｃす、　Ｂ　ｒ　、　Ｉであり、殊にＦ、Ｃ交が望まし
いものである。

未発１す１に於いて、表面層１００５を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、名５
温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る
物質を挙げることかで、きる。

本発明に於いて、表面層１００５形成川の原料カスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ，ｌ　、５ｉ７Ｈ，１，５ｉ３Ｈ１１，５ｉ４Ｈ
，ｏ等のシラン（Ｓ　ｉ　９．　ａ　ｎ　ｅ　）類等の
水素化硅素カス、Ｃ、：、Ｈとを構成原子とする、例え
ば、炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
、ハロゲン中休、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素
等を挙げる事ができる。具体的には、飽和炭化水素と１
７てはメタンＣＣＨ４）、　エタン（Ｃ２Ｈ６）　、プ
ロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ，ＨｌＯ）、
ペンタン（Ｃ５ＨＩ、）、エチレン炭化水素どしては、
エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ−ＡＨ６）、ブ
テン−１（Ｃ４ＨＯ）、ブテン−７（Ｃ４Ｈｎ　）イン
ブチレノ（Ｃ４ＨＩＩ）、ペン六／（Ｃ５Ｈｘ）アセチ
レン系炭化水素としては、アセチｌ／ン（Ｃ２Ｈ））、
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ，＋）、ブチン（Ｃ４Ｈ１、
）、ハロゲン中休としては、フッ素、ｌＪ！素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ハロケン化水素としては、ＦＨ
，ＨＩ、ＨＯ文、ＨＢｒ、ハロゲン間化合物としては、
ＢｒＦ、Ｃ文Ｆ、Ｃ文Ｆ３　、ＣＩＦ、、Ｂ　ｒＦ５．
ＢｒＦ３　、Ｉ　Ｆ７　。

Ｉ　Ｆ　、、　Ｉ　Ｃｕ　、　Ｉ　Ｂ　ｒ　、　ハロゲ
ン化硅素として１：１．、ＳｉＦ４　．５ｉ２Ｆｂ、５
ｉＣｉ３Ｂｒ、５ｉＣ１７Ｂｒ、、５ｉＣｉＢｒ−、，
５ｉｃｕ３　Ｉ　。

ＳｉＢｒ４　、ハロゲン置換水素化硅素としては、５ｉ
Ｈ７Ｆ７　、ＳｉＨ２ＣＨ３、ＳｉＨ３Ｃ，Ω、。

５ｉＨＨ４Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ２Ｂｒ２　。

Ｓ　ｉ　ＨＦＪ　ｒ　３　、水素化硅素としては、Ｓｉ
Ｈ，。

Ｓ　ｉ７　Ｈ＋１　、Ｓｉｇ　Ｈｅ　、５ｔＱＨ力等の
シラン（Ｓｉｕａｎｅ）類、等々を挙げることができる
。

、これ笠の他にＣＦ０．ＣＣＭ、、ＣＢｒ４　。

ＣＨＦ：４　、ＣＨ２Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３Ｃ１
。

ＣＨ，Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ５Ｃ１，等（７）ハロゲ
ノ置換パラフィン系炭化水害、ＳＦ４　、ＳＦ６のクツ
素化硫黄化合物、Ｓ　ｉ　（ＣＨ３）　４．　Ｓ　ｉ（
Ｃ２Ｈ５）４、等のケイ化アルキルやＳｉＣ文（ＣＨ３
）３．５ｉＣ１２（ＣＨ，、）、、５ｉＣｕ、ＣＨ３等
のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効
なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子ど心霊に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原ｆとの含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（ＣＨ３）ｑと、ハロケン原子を含有されるものとしテ
＋７）Ｓ　ｉ　ＨＣＫＬ３．　Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃ１２，５
ｉＣｕ４．或いは、ＳｉＨ３ＣＭ等ヲＦＭ定の混合比に
して、ガス状態で表面層１００５形成用の装置内に導入
してグロー放電を生起させることにとってａ−（Ｓｉ　
Ｃ１−）　（ＣＭ＋ｘ　ｘｙ Ｈ）＋−’／　から成る表面層１００５を形成すること
かできる。

スパンターリング法によって表面層１００５を形成［る
には、弔結晶冬は、多結晶のＳｉミラニー・−又ｊ］Ｃ
ウェーハー又はＳｉとＣが混合されて含イ１されている
ウェーハーをターゲットとして、これらを必要に応じて
ハロゲン原子又は／及び水素原ｒを構成安素として含む
種々のガス雰囲気中でスパック−リングすることによっ
て行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用ずれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するだめの原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター川の１１１積室中に導
入し、これらのガスのカスプラズマを形成して前記Ｓｉ
ウェーハーをスパック−リングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳ」とＣの混合したー・枚のターゲントを使用するこ
とによって、必要に応じて水素原子又は／′及びハロゲ
ン原子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングす
ることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の厚相
ガ、２となる物質としては、先述したグロー放電の例で
示した表面５１００５形成用の物質がスバ・ンターリン
グノノ、の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パンターリング法で形成擢−る際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ　、　Ｎ　ｅ　
、　Ａ　ｒ等が好適なものと１．７で挙げることができ
る。

本発明に於ける表面層１００５は、七の要求される特性
が所望通りに与えられる採番、″注意深く形成される。

［ｊｐち、Ｓｉ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によって構造的に
は結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的
には、導電性から゛ｒ−導体性、絶縁性までの間の性質
を、又光導電的性質から非光導電的性質を、各々示すの
で、本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有す
るａ−（ＳｉＸｃ、　）　（Ｈ，Ｘ）Ｉ　−が形成され
る様に、−ｘｙ　ｙ 所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、表面層１００５を電気的耐１丁性の向１−を１．
な目的として設けるには、ａ−（ＳｉＣ１）　（Ｆｌ、
Ｘ）＋　は使用環境に於いて電−ｘ　ｙ　−ｙ 気絶練性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

　又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向１．を−
またるＩＩ的として表面層１００５が設けられる場合に
は上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を４１する非晶質材料と
してａ−（ＳｉＣ１−）　（）Ｉ　、　Ｘ）　＋　−作
成がされる。

Ｘ　ｙ　ｙ 第２の層表面にａ　（Ｓｉ　Ｃ＋　）　（Ｈ。

ｘ　ｘｙ Ｘ）ｉ−ｖ　から成る表面層１００４を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的
とする特性をイＪするａ−（ＳｉＸＣ，）　（Ｈ，Ｘ）
＋　か所望通りに作Ｘ　ｙ　〜　ｙ 成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成Ｖ、に（Ｊｌせて適宜最適範囲
か選択されて、表面層１００’５の形成が実行されるが
好ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５
０　’Ｃ１最適にｉＪ：　ｌ　Ｏ０〜３００°Ｃとされ
るのが望ましいものである。表面層１００５の形成には
、層を構成する原ｒ−の組成比の微妙な制御や層厚の制
御が他の方法に較べて、比較的容易である事等のために
、グロー放電法やスパッターリング法の採用が有利であ
るが、これ等の層形成法で表面層１００５を形成する場
合にｔよ前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パ
ワーか作成されるａ　−（Ｓｉ　Ｃ，）　（Ｈ。

ｘ　−ｘｙ Ｘ）　１．、−　ｙの４１ｒ性を左右する重要な因子の
一つである。

本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を右するａ
−（Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈ，Ｘ）＋　ｊｘ　−ｘ　ｙ か生ｌ／１″性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては好ましくは１０〜ｉ　ｏ　ｏ　ｏｗ、よ
り好；色には２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗ
とされるのが望ましいものである。

１（Ｉｔ　Ｊｊｌ＋層・のガス圧は好ましくは０．’０
１〜ＩＴ。

ｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体７１！瓜、放電パワーの望ましい数（ｉｎ　ｍ囲と
し−（前記し７た範囲の伯が挙げられるが、これ等の層
作成ファクターは、独立的に別／、　ｌこ、決められる
ものではなく、所望特性のａ−（ＳｉＸＣＩ□）、（Ｈ
９ｘ）１　から成る表面層１０　ｙ ０５が形成される様に相互的有機的関連性番と基づいて
各層作成ファクターの最適値か決められるのが望ましい
。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重賞な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材木・Ｉの種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
である。

即ち、前記一般式ａ　（ｓ　ｉ　ｘ　Ｃ＋　ｘ　）　ｙ
（Ｈ，Ｘ）＋−ン　で示される非晶’ｃＸ＋、＋　＄’
目よ、火Ｍ’１すると、シリコン原子と炭素原子とで構
成されるＪ１品質４Ｎ’＋（以後、ｒａ−３ｉＣＩ　Ｊ
と記ａ　ａ す。イＩＩシ、Ｏ＜ａ＜１）、シリコノ原子と炭素原ｒ
と水害原ｒ−とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ−
（Ｓｉ　Ｃ０−）　Ｈ＋　Ｊ　と記す。

ｂ　ｂ　Ｃ−Ｃ 但し、０＜ｂ、ｃ＜’１）、シリコン原子と炭素原ｒ−
とハ１」ゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、’　ａ　（Ｓ　ｉｄＣ１ａ　）　
ｅ　（Ｈ、Ｘ）　、ｅ　’と記す′。但し０くｄ。

ｅぐ１）、に分類される。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−３ｉａＣ，−−
で横１＆される場合１表面層１００５に含イＪされる炭
素原子の量は好ましくは、ｉ　ｘ　ｉ　Ｏ−３−９０ａ
ｔｏｍｉｃ％、より女子ｊ商にはｌ−８１−８０ａｔｏ
％、最適には１Ｏ−７５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるの
が望ましものである。１！すち、先のａ−３ｉ　Ｃ１−
のａの表示で行えば、ａが好まａ　ａ しくはｏ、ｉ〜０．９９９９９、より好適には０２〜０
．９９、最適には、０．２５〜０９である。

本発明に於いて１表面層１００５がａ−（Ｓｉｂ”　−
ｂ）ｃ”　−ｃで構成されるＪＪＩ、合、表面層１００
５に含有される炭素原子の早は、好ましくはｌＸｌ０’
　〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは、１〜
９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのか望ましｌ、）ものである。水素原子の含
有低とじでは、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好ましくは２−３２−３５ａｔｏ％、最適には５＝３
０ａｔ。

ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これＡ９の範囲側こ水
２Ｅ含イｊ晴かある場合に形成される光受容部材は、実
際面に於いて優れたものとして充分適用さ＋ｉイＩｊる
。

Ｉｌｌ　Ｉ−３、光のａ　（Ｓ　１ｂＣＩＢ　）　ｃ　
Ｈ＋　ｃの表小で行なえばｂか好ましくは、０．１〜０
゜９’　９９９９、より好適には、ｏ、ｉ〜０９９、最
適には、０．１５〜０．９、Ｃが好ましく１よ、０．６
〜０．９９、より好適には０．６５〜０゜９８、最適に
は０．７〜０．９５であるの力＼望まｌ、５い。

表面層１００５が、ａ　（Ｓ　ｉ　ａ　Ｃ１−ｄ）　ｅ
（Ｉ−１、Ｘ）　＋−で構成される場合には、表面層１
００５中に含イーされる炭素原子の含有量と１７ては、
ｉｌｆましくは、ｔｘｔｏ−”　９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ
％、より好適には、ｌ　−９０ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ
％、最適には１０〜８０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％と
されるのが望ましいムのである。、・＼ロゲン原子の含
有量としてｔよ、好ましくは、１〜２０　ａ　ｔ　ｏ　
ｍ　ｉ　（：％とされるのが望ましく、これ等の範囲に
〕＼ロゲ／原子−含イｉ　ｆｉ）かある場合にｆｉ成さ
れる光受容部４Ａを実際面に充分適用させ得るものであ
る。必要に応し７て含有される水素原子の含有量として
は、好よ１．　＜む１１９ａｔｏｍｉｃ％Ａ以下、より
好適には１３ａｔ　ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいも
のである。

即ち、先ｃｙ）ａ−（Ｓｉ　Ｃ＋　’　）　（Ｈ，Ｘ）
ｄ　−ｄ　（・ ｌ−のｄ、ｅの表示で行なえば、ｄが好まし〈は、０．
１〜０．９９９９９、より好適には、０．１〜０９９、
最適には０．１５〜０，９、ｅが好ましくは、０．８〜
００９９、より好適には０．８２〜０，９９、最適には
０．８５〜０９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の　つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に１５
１：：て適宜所望に従って決められる。

メ、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原ｒの１＋１や第１の層、第２の層の層厚との関係に於
いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的
な関連性のドに所望に従って適宜決定される必要がある
。

更に加え（ｊ）るに、生産性や量産性を加味した経済性
の点に於いても考慮されるのが望ましい。本発明に於り
る表面層１００５の層厚としては、好ましく　ＩｇＬ　
０　、００３〜３０ル、好適には０．００４・〜２０メ
ｌ、最適には、０．００５〜１０ｇとされるのが９１ま
しいものである。

表面層１００５には、機械的耐久性に対する保護層とし
ての働き、及び光学的には反射防止層としての働きをト
に貨わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防１１層
どしての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ２層厚をｄ、入用光
の波長を入とすると、 のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反則防止層
として適している。又、感光層の屈折率をｎａとした場
合、表面層の屈折率ｎが ｎ−但 を満し、１１．つ表面層の層Ｊブｄが 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−３ｉ：Ｈを感光層として用いる場合、
ａ−３ｉ：Ｈの屈折率１−Ｌ　約３．３であるので、表
面層としては、屈折−１ｊｌ　１　、８２の材料が適し
ている。ａ−３ｉ：ＨはＣの畢を調整することにより、
このような値の屈折率とすることができ、かつ機械的耐
久性、層間の密着性及び電気的特性も十分に満足させる
ことができるので表面層の材料としては最適なものであ
る。

Ｊｌ、−表面層１００５を反射防止層としての役割にΦ
点６装置く場合には、表面層の層厚としては、０　、０
　！ｉ〜２ｇｍとされるのがより望ましい。

以［゛本発明の実施例についで説ｊｌｌｌ干る。

実施例１ 本実施例ではスポント系８０　ｊｊ、　ｒｎの土・９体
レーザー（波長７８０ｎｍ）を使用１．た。したかって
Ａ−３ｉ　・Ｅを１イ１植させる円に１状のＡ文支持体
（、Ｈさ　（Ｌ）３５７ｍｍ、イ’６　（ｒ）　８　０
ｍｍ）１−に旋盤で螺線状の溝を作成した。このときの
ｉＭの断面形状を第１１図（Ｂ）に示す。

このＡ交支持体Ｊ二に第１２図の装置で電荷注入防止層
、感光層、を次の様にして」（１昂した。

まず装置の構成を説明する。１２０１　ｉオ高周波電源
、１２０２はマッチングホ、クヌ、１２０３は拡１孜ポ
ンプあよひメカニカルグースターポンプ、１２０４はＡ
文支持体回転用モータ、１２０５はＡ文支持体、１２０
６はＡ　９．支持体加熱用し一夕、１２０７はカス導入
７．ｉ、１２０８は高周波導入用カソード電極、ｌ　２
０９はシールド板。

１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５゜１２４
１〜１２４５はバルブ、１２３１−１２３５はマスフロ
コントローラー、１２５１〜１２５５１ｊ、　Ｌ□ギュ
レーター、１２ｆ３１は水素（Ｈ２）ホ・＜、１．２６
２はシラン（ＳｉＨ４）ボンへ、１２６３はシボラン（
Ｂ２Ｈら）ボンへ、１２６４ｉｆ醇（ヒネ素（Ｎ　Ｏ）
インベ、１２６５はメクノ（：ＣＩ（４）ボン・＼であ
る。

ｌ、ｊ：に１′１製丁７順を説明する。１２６１〜１２
６５のホ／への元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコ
ニｙ　１１」−ラーおよびバルブを開け、１２０３の７ 拡ｉ３．ポンプ仁二より堆積装置内を１０　Ｔｏ　ｒ　
ｒコ、７２Ｂ・ｋ圧した。それと同時に１２０６のヒー
タにＪ−リ１２０５のＡ文支持体を２５０°Ｃまで加熱
し２５００Ｃで一定に保った。１２０５のＡＭ支持体の
１晶１朗が２５０°Ｃで一定になっｌこ後１２２１〜１
２２５．１２４１〜１２．４５．１２５１〜１２！５５
のバルブを閉じ、１２６１〜１２６５のボンーパの元栓
を聞け、１２０３の拡散ポンプをメカニカルノースター
ポンプに代える。１２５１〜１２５５のレキュレーター
旬きバルブの二次圧を１゜５Ｋｇ／ｃｒｎ’に設定した
。１２３１のマスフロコノドローラーを３００ＳＣＣＭ
に設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブをＩＩ
「）に開き和積装置内にＨ２カスを導入した。

次に３２６１のＳｉＨ，カスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０ｓｅｃＭに設定して、Ｈ２カ
スの導入と同様の操作でＳｉＨ。

ガスを堆積装置に導入した。次り、：　１２６３のＢ２
Ｈ，カス流量をＳｉＨ，ガスがｅ　、ｉｉ′ｒに対しで
、１６００Ｖｏｌ　ｐ’ｐｍになるように１２３３ので
スフ０−Ｄ７）ローラーを設定して、Ｈ、カスの導入ど
同様な操作でＢ２Ｈ，カスをｌｆ＋精装置内に４人した
。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安）ｊ］シ
たら、１２０１の高周波゛電源のスイフチを入れＪ２０
２のマッチングホンクスを調節し−Ｃ１１２０５のＡＵ
支持体と１２０８のカッ−Ｉ・電極間にグロー放電を生
じさせ、高周波電力を１５０Ｗとし５μｍ厚でＡ−５ｉ
：０層（Ｂを含むＰ型のＡ−３ｉ：０層となる）をエイ
１４ノ冒１．た（電荷注入防止層）・５用ｍ厚のＡ−”
Ｓｉ：Ｈ（Ｐ型）を堆Ｊ＋’＋　シたのち放電を切らず
に、１２２３のバルブを閉めＢ、Ｈ，、の流入を止める
。

（（、て高周波電力１５０Ｗで２０　ｐ、　ｍ　ｌ”ｉ
のＡ−３ｉ　：　０層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ：）を堆積
した（感光層）。その後高周波電源およびカスのハル／
をすべて閉し１イ１積装置を排気し、Ａ文支持体の７１
２、冒％を室温までＦげて、感光層まで形成した支持体
り取り出した。

その後、１２３２のマスフロコントコーラ−の１没：＋
ｉ：’を３５　Ｓ　ＣＣＭ　Ｌ：変え、］　２６５（７
）ＣＨ，力、η％し＋、ｉかＳｉＨ４ガス流量に対して
波量比がＳ　ｉ　Ｈ，＋　／　ＣＨ４＝１　／　３０　
トＡニル様ニアラカシめ設定されている１２３５のマス
フロコントローラーカラ、バルブ１２２５を開けること
によって（：　Ｈ４カヌを導入し、高周波電力１５０Ｗ
で０゜５）ｔｍ厚のａ−３ｉＣ（Ｈ）をエイ１．稙した
（表面層）。

高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積装置を１
ノ１気し、Ａ１支持体の温度を室温まで下げて、光受容
層を形成した支持体を取り出した。

この光受容部旧は第１１図（Ｂ　）、（Ｃ）のように感
光層の表面と支持体の表面とは非」パ行であった。この
場合ＡＩ支持体の中東と両端部とでの中均層Ｉゾの層Ｗ
Ｘ、、は２μｍであ１を二。

以１．の電子写真用の光受容部材じ“′）いで、波長７
８０ｎｍの１を導体レーザーをスポ・２トマイ８０ｋｍ
で第１３図に示す装置で画像露光り、ｆｌ像、現像、ク
リーニング上程を！１＜Ｊ５５層繰ｔ）返した後、画像
評価を行なったところ、１渉６４ゼＺ様は観察されず、
実用に上方な電Ｔ−写頁４４性を、・１＜ずものであ−
フた、 実施例　２ 実施例１ど同様な方法で、支持体１−に感光層まて形成
したものを７未作成した。

次に、１２６１の水素（Ｈ，）ホー／べをアルボ７（Ａ
ｒ）ガスボ、・へに取り換え、ノナ１植装貿をＩＴ’Ｊ
掃し１　カソード電極」−に、第１表（条件Ｎｏ１Ｏ１
）に示す表面層相料を−・面にはる６前記感光層まで形
成したものの１本を設置し、１１１積装置内を、拡散ポ
ンプで十分に減圧する。その後、アルゴンｈＡをＯ，Ｏ
］、−５Ｔｏｒｒまで導入し、高周波電力］、　！’）
　ＯＷでグロー放電を起こし、表面材ネ４をスバ、・タ
リングして、前記支持体上に、第１表（条イ′ｌ　Ｎθ
　１０１）の表面層を１４１枯した。（サンプルＮ＜）
Ｉ　ｌ）　１．　）同様に残りの６木について、第１表
、（）′、イ’１Ｎｏ１０２〜１０７）（７１１条件で
表面層を１（１積した。（１ツノプルＮｏ１０２〜１０
７）これらは第１１（Δ（Ｂ）、（Ｃ）のように感光層
の表面と支持体の表面とは非−＋ｉ行であった。この）
４．＋　、、４↑Ａ　、９支持体の中央と両端部とでの
・Ｖ均層厚の層厚ＸＩ　１才２ツアー　ｍであった。

１４１７種類の電子写真用の光受容部材について、１１
ムＬ（７８０ｎ　ｍの反導体レーザーをスボント径８０
　（、＋：　ｍで第１３図に示す装置で画像露光な行い
１゛ｌ（象、現像、クリｍ；７グ１８稈を約５万回繰り
覗（また？＆、画像１汁価を行な一ンたところ第３表の
如、き　ムへ　１１　を　イＩｔ　Ｉこ　。

実施例　３ Ｊ面層の形成時、ＳｉＨ，ガスと（、Ｈ４ガスとの１７
：ｒ、　Ｉｉｔ比を変えて、表面層におけるシリコン原
子−と炭素原子の含有量を変化させる以外は実施例１ど
全く回様な方法によって電ｆ′ｌＪ’真用の光受容部材
のそれぞれを作成した。こうしでイワられた電子写真用
光受容部材のそれぞれにつき、実施例１と同様にし〜ザ
ーで画像露光し、転″ＪまでのＩｌＩ“をｆｊつ５万回
繰り返した後、画像ｉｔ’ｔ’価を行なったどころ、第
２表の如き結果を得た。

実施例　４ 表ｕＴｉ層の形成時、Ｓ’ｉＨ４がス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガ
スＣＨ４カスの流量比を変えて、表面層におけるシリコ
ン原ｒと炭素原子の含イ、、　＋、！を変化させる以外
は実施例１と全く同様な方法によって１ｔｉ：　ｒ−”
Ｊ：具用の光受容部材のそれぞれを＋′１成１．た。こ
うして（１１もれた電子写真用光受容部旧のそれぞれに
つ５実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写まで
の工程を約５万回繰り返した後、画像評価をイー１なっ
たところ、第３表の如きに１１１果を得た。

（実施例　５ ン ｊ　表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同様な
方法によって電子写真用の光受容部材のそれぞ才１をｉ
′ｌ成した。こうして得られた電子写真用光受容部材の
それぞれにつき、実施例１と同様にレーザーで画像露光
し、転写までの工程を約５万四五・り返しｌＪ後後直両
像評価行なったところ、第４表の如き結果を得た。

実施例　６ 表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層Ｊ１
７を２　メｔ　ｍとする以外は実施例Ｊと全く同様な方
法によって電子写真用光受容部材の表面層の中肉層厚差
は、中央と両端で０．５ｇｍであった。Ｊ、た微少部分
での層厚差はＯ，１ｇｍであったこの様な電子写真用光
受容部材では、干渉縞模＋、Ｔ：　Ｉ−１観察されず、
また実施例１と同様な装置で作（′（゛、現像、クリー
ニング上程を繰り返し行なったか、実用に十分なもので
あった。

実施例　７ シリンダー状ＡＩ支持体の表面を旋盤で、第１４図のよ
うに加工した。

このシリンター状Ａｎ支持体各々に実施例１と同様な条
件でＡ−３ｉ：ＨのｌＩ２　ｉ’　”Ｊ：真田光受容部
祠を作製した。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に第１３図
の装置で画像露光を１１い、現像、転’ｒ７　Ｌ。

て画像を得た。この場合の転力′両像には、干渉縞はみ
られず実用ｈ−１−分な特性であった。

実施例　８ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａ文支
持体」二に、第２表に示す条件で電子写真用光受容部材
を形成した。

これら電子写真用光受容部旧については、実５実１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して？Ｔ通紙上にＯｆ視両画像得た。この様な
画像形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合、得られた画像の総−（−に於−Ｃ１〜渉縞は
見られず、実用に十分な、特性であった。又、初期の画
像と１０万回目の画像の間には、何隻差違はなく、高品
質の画像であった。

実施例　９ ２ｉ’！ｌ］　５　ｌ＊１、第１６図に示す表面性のシ
リンダー状Ａ文支Ｊシ体−１−に、第３表に示す条件で
電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例Ｊと同様
な、画像露光装置を用いて、画像露光をイＪい、現像、
転４写、定着して、普通紙−１−に可視画像を（ｌＩだ
。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ場、実用
に１′分な特性であった。

実施例　１０ 第１５図、第１６に示す表面性のプリンダー状へμ支持
体」−に、第７表に示す条件で電子写真用人受容部材な
形成した。

、丁れら電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な、画像、露光装置を用いて、画像露光を１＋い、現
像、転写、定着して許通紙−１−に可視画像をｆＩＩだ
。

この場合に得られた画像には、王渉縞は見られず、実用
に１−・分な特性であった。

実施例　１１ 第１５図、第１６図に、１：、す表面性のシリンダー状
Ａ立支持体４−に、第８表に示す条件で電子写真用光受
容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材に一ついて、実施例１と同
様な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して、）１１ｍ紙１−に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、）−渉縞は見られず、実
用に十分な特性であった。

「発明の効果」 以（６、ハ゛１細に説明した様に、本発明によれば、＋
＋（Ｉ渉ヤｌ　ｊｌｊ色光を用いる画像形成に適し、製
造管理が容易であり、［１つ画像形成時に現出する（−
渉ｈ′セ模様と反わ：現像時の斑点の現出を同時にしか
も完全に解消することができ、しかも機械的絹久性′桔
に耐摩↓Ｌ性、及び光受容特性に優れた光受容部旧を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 ：５２図は、多層の光受容部材の場合の１−ｄ縞の説明
図である。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平イｊな場合の＋
＃縞の説ψ１図である。 第６図は光受容部材の各層の界面か非平行な場合に「＃
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平イｊである場合
と非平行である場合の反ｑ１光強度の比較の説明図であ
る。 第８図は、各層の界面がＪｌ＝平行である場合の干渉縞
が現われないことの説明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面状
態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 の説明図である。 ；ｐｒ　］　３図は、実施例で使用した画像露光装置で
ある。 第１１図、第１４図、第１５図、第１６図は、実）ｒｔ
＃例で使用したＡ立支持体の表面状態の説明図である。 １０００．１．１００・・・・・・・・・光受容部材］
　００２　、　ｉ　］、　］０６・・・・・・・・・光
受容層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・Ａ９．支持体１００３・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・電荷注入防止層１００
４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
感光層１００５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・表面層■３０１・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材］、　
’３０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・半導体レーザー１３０３・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ｆＯレンズ１３０４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴン
ミラー１３０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・露光装置の平面図１３０６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の側面図
Ｗ３　図 ｗ　４　図 憤　５　図 第　６ｒｇＩ （Ｄ） 第　７　図 （Ａ）　（Ｂ） （Ｃ） ｐ 装置 笥　８　図 笛９図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）　所定の切断位置での断面形状か主ピークに副ピ
   ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成
   されている支持体と；シリコン原子を含む非晶質材料か
   らなり少なくとも一部の層領域が感光性を有する層と、
   シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
   面層とからなる光受容層と；を右する事を特徴とする光
   受容部材。
2. （２）　前記層領域が、光導電性を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）　前記光受容層が多層構造を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）　前記凸部が周期的に配列されている特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）　前記凸部の夫々は、一次近似的に同一・形状な
   イ１する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
9. （９）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
10. （１０）　ｍ記凸部は１機械的加工によって形成された
    特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。