JPS60254641A - 液体封入型パツケ−ジ - Google Patents
液体封入型パツケ−ジInfo
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- JPS60254641A JPS60254641A JP10948684A JP10948684A JPS60254641A JP S60254641 A JPS60254641 A JP S60254641A JP 10948684 A JP10948684 A JP 10948684A JP 10948684 A JP10948684 A JP 10948684A JP S60254641 A JPS60254641 A JP S60254641A
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- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体チップの）４ツケ
ージに関するものである。
ージに関するものである。
ＩＣ，ＬＳＩチップはますます高集積化と高密度化が図
られてお）、そのために使用時でのチップの発熱が大き
くなシ冷却を考慮しなくてはいけない。
られてお）、そのために使用時でのチップの発熱が大き
くなシ冷却を考慮しなくてはいけない。
従来の技術
半導体チップを収容するパッケージとしてメタルタイプ
、セラミックタイプ、サーディゾタイプあるいはプラス
チックタイプのノ４ ｙケージが広く使用されてい、る
（日本マイクロエレクトロニクス協会編５ｒＩＣ化実装
技術」第１３７頁、図６．３゜１９８０年、（株）工業
調査会、参照）。しかしながら、メタルタイプ、セラミ
ックタイプおよびサーディプタイグのパッケージでは半
導体チップがセラミ、り基体上に搭載されておシ、また
、プラスチックタイプのパッケージでは半導体チップが
グラスチ、り（合成樹脂）に被包されているために、こ
れら材料の熱伝導率の低さく高い内部熱抵抗）によって
放熱効果は低い。
、セラミックタイプ、サーディゾタイプあるいはプラス
チックタイプのノ４ ｙケージが広く使用されてい、る
（日本マイクロエレクトロニクス協会編５ｒＩＣ化実装
技術」第１３７頁、図６．３゜１９８０年、（株）工業
調査会、参照）。しかしながら、メタルタイプ、セラミ
ックタイプおよびサーディプタイグのパッケージでは半
導体チップがセラミ、り基体上に搭載されておシ、また
、プラスチックタイプのパッケージでは半導体チップが
グラスチ、り（合成樹脂）に被包されているために、こ
れら材料の熱伝導率の低さく高い内部熱抵抗）によって
放熱効果は低い。
そこで、半導体チ、′ｆの放熱を主に考慮するならば、
複数の半導体チップをそのまま直接に回路基板に取付け
、これらチップがフルオロカーボア、フレオン（商品名
）などの低沸点の冷却媒体中に浸漬されるならば冷却効
果は非常に高い（例えば、特開昭４８−１７２７５号公
報参照）。しかしながら、この場合には、半導体チップ
の取扱い（すなわちパッケージなしの半導体チップを回
路基板上に実装し、冷却媒体中に浸漬するまでの過程）
は、半導体チップの機械的強度が低く、マた、著しくチ
ップの汚染をきらうために難しい。
複数の半導体チップをそのまま直接に回路基板に取付け
、これらチップがフルオロカーボア、フレオン（商品名
）などの低沸点の冷却媒体中に浸漬されるならば冷却効
果は非常に高い（例えば、特開昭４８−１７２７５号公
報参照）。しかしながら、この場合には、半導体チップ
の取扱い（すなわちパッケージなしの半導体チップを回
路基板上に実装し、冷却媒体中に浸漬するまでの過程）
は、半導体チップの機械的強度が低く、マた、著しくチ
ップの汚染をきらうために難しい。
発明が解決しようとする問題点
発熱する半導体チップを収容したパッケージの内部熱抵
抗を下げる（すなわち、）々、ケージ材料の熱伝導率を
高める）ことおよび冷却効果の高い沸騰冷却を採用する
ことによってノ臂ツケージの放熱効率（すなわち、冷却
効率）を高めるのが、本発明が解決しようとする問題点
である。
抗を下げる（すなわち、）々、ケージ材料の熱伝導率を
高める）ことおよび冷却効果の高い沸騰冷却を採用する
ことによってノ臂ツケージの放熱効率（すなわち、冷却
効率）を高めるのが、本発明が解決しようとする問題点
である。
問題点を解決するための手段
本発明は、半導体チップを収容するためのセラミック枠
と、金属底板と、金属蓋とからなる半導体素子・臂ッケ
ージでありて、金属底板上に半導体チップがろう付けさ
れておシかつこのパッケージの内部に冷媒液が封入され
ている液体封入型パッケージを提供することによりて上
述の問題点を解決する。
と、金属底板と、金属蓋とからなる半導体素子・臂ッケ
ージでありて、金属底板上に半導体チップがろう付けさ
れておシかつこのパッケージの内部に冷媒液が封入され
ている液体封入型パッケージを提供することによりて上
述の問題点を解決する。
作用
発熱する半導体チップをパッケージの金属底板にろう付
けしているので、金属は熱抵抗が小さくかつ熱伝導率が
高いためにこの金属底板へ容易に熱が伝わる。また、半
導体チップの熱は沸騰冷却媒体液にも放熱され、媒体液
に伝えられた熱は自然対流および沸騰熱伝達によシ金属
蓋へ伝わる。
けしているので、金属は熱抵抗が小さくかつ熱伝導率が
高いためにこの金属底板へ容易に熱が伝わる。また、半
導体チップの熱は沸騰冷却媒体液にも放熱され、媒体液
に伝えられた熱は自然対流および沸騰熱伝達によシ金属
蓋へ伝わる。
このパッケージ内での沸騰冷却によシ半導体チップは沸
点よシも大きく温度が上昇するξとのないように冷却さ
れる。そして、金属底板および金属蓋が空冷されるかあ
るいは別の化学沸騰冷却媒体液中に浸漬されて沸騰冷却
されるので、パッケージの冷却効率が良い。
点よシも大きく温度が上昇するξとのないように冷却さ
れる。そして、金属底板および金属蓋が空冷されるかあ
るいは別の化学沸騰冷却媒体液中に浸漬されて沸騰冷却
されるので、パッケージの冷却効率が良い。
実施例
以下、添付図面を参照して本発明の実施例をよシ詳しく
説明する。
説明する。
第１図に本発明に係る液体封入型ノ４ッヶージの概略断
面を示す。
面を示す。
本発明に係るノ４ッヶージ１は、セラミック枠２と、金
属底板３と、金属蓋４とからな）、金属底板３はろう材
５によってそして金属蓋４はろう材６によってセラミ、
り枠２のメタライズ層にろう、付けされている。半導体
チアグアが金属底板３にろう材８によって取付けられて
おシ、そして、ノや、ケージ１の内部空間に半導体チッ
７’７を浸漬することになる低沸点冷却媒体液９が封入
されている。
属底板３と、金属蓋４とからな）、金属底板３はろう材
５によってそして金属蓋４はろう材６によってセラミ、
り枠２のメタライズ層にろう、付けされている。半導体
チアグアが金属底板３にろう材８によって取付けられて
おシ、そして、ノや、ケージ１の内部空間に半導体チッ
７’７を浸漬することになる低沸点冷却媒体液９が封入
されている。
本発明に係る液体対４、型ツク、ケージが次のようにし
て組立てられる。
て組立てられる。
まず、金属底板３および金属蓋４を半導体チップ７のシ
リコンおよびセラミック枠２の熱膨張率に近い熱膨張率
であるモリブデン、タングステン。
リコンおよびセラミック枠２の熱膨張率に近い熱膨張率
であるモリブデン、タングステン。
Ｆｅ−ＮｉＣｏ系低熱膨張合金などで用意する。金属底
板３をセラミック枠２のメタライズ層にろう材５（例え
ば、Ａｕ −８ｎはんだ又はＰｂ−８ｎはんだ）によっ
てろう付けする。次に、金属底板３上にＩＣ。
板３をセラミック枠２のメタライズ層にろう材５（例え
ば、Ａｕ −８ｎはんだ又はＰｂ−８ｎはんだ）によっ
てろう付けする。次に、金属底板３上にＩＣ。
ＬＳＩなどの半導体チッ７°７をＡｕ−８ｎはんだなど
のろう材８でダイデンディングする。とのチップ７とセ
ラミック枠２での配線層とをワイヤがンディングによる
ワイヤ１０で接続する。この配線層はセラミック枠２の
外側に取付けられているリード１１につながっている。
のろう材８でダイデンディングする。とのチップ７とセ
ラミック枠２での配線層とをワイヤがンディングによる
ワイヤ１０で接続する。この配線層はセラミック枠２の
外側に取付けられているリード１１につながっている。
次に、低沸点冷却媒体液９であるフルオロカーボア （
Ｃ６Ｆｌ４ＪＣ７ＦＬ６ ｔ ＣａＦ、ａなど）あルイ
ハハ日７にオロｆｆ−ｄ？ンー六塩化エタン（フレオン
−１１３：商品名）などをパッケージ１の内部に入れて
いる。この冷媒液９はその沸点が５０’Ｃ以下であるの
が好ましく、沸点が低いほど冷却効果も大きいが、ノ母
ツケージ内部圧力が上昇することになるので、沸点は３
ｏないし６０’Ｃであるのが望ましい。また、封入する
冷媒液９の量は、半導体チ、ｆ７を完全に浸漬しかつ金
属蓋４をしたときにパッケージ内部空間の１０ないし２
０体積チの空間１２が残る量である。この空間１２が全
くないと、冷媒液９の熱膨張によってパッケージ１の気
密封止を破壊する損傷が発生する可能性がある。
Ｃ６Ｆｌ４ＪＣ７ＦＬ６ ｔ ＣａＦ、ａなど）あルイ
ハハ日７にオロｆｆ−ｄ？ンー六塩化エタン（フレオン
−１１３：商品名）などをパッケージ１の内部に入れて
いる。この冷媒液９はその沸点が５０’Ｃ以下であるの
が好ましく、沸点が低いほど冷却効果も大きいが、ノ母
ツケージ内部圧力が上昇することになるので、沸点は３
ｏないし６０’Ｃであるのが望ましい。また、封入する
冷媒液９の量は、半導体チ、ｆ７を完全に浸漬しかつ金
属蓋４をしたときにパッケージ内部空間の１０ないし２
０体積チの空間１２が残る量である。この空間１２が全
くないと、冷媒液９の熱膨張によってパッケージ１の気
密封止を破壊する損傷が発生する可能性がある。
次に、セラミック枠２のメタライズ層に金属蓋４をろう
材５と同じろう材６によってろう付けして気密封止する
。そして、セラミック枠２のリード１１を所定の回路基
板（図示せず）に取付ける。
材５と同じろう材６によってろう付けして気密封止する
。そして、セラミック枠２のリード１１を所定の回路基
板（図示せず）に取付ける。
このようにし得られたパッケージ１（第１図）の半導体
装置を作動させると、半導体チップ７が発熱し、その熱
がろう材８を通して金属底板３へ、同時に沸騰冷却媒体
液９へ伝達される。まず、この冷媒液９によってチッｆ
７は冷却され、冷媒液９がその沸点近くの温度になると
、チップ７が沸点以上になったときに気泡１３が発生し
て気化熱によシ冷媒液９が沸点よシ高くなることはなく
、したがってチップ７も沸点までに冷却（沸騰冷却）さ
れる。そして、気泡１３の蒸気が空間１２内で金属蓋４
に熱を伝えると凝縮して液体となシ滴下する。金属底板
３および金属蓋４は空冷方式、液冷方式、沸騰冷却方式
などの公知の冷却方法によって冷却され、これらは金属
で熱伝導率が高いので放熱効率が良い。
装置を作動させると、半導体チップ７が発熱し、その熱
がろう材８を通して金属底板３へ、同時に沸騰冷却媒体
液９へ伝達される。まず、この冷媒液９によってチッｆ
７は冷却され、冷媒液９がその沸点近くの温度になると
、チップ７が沸点以上になったときに気泡１３が発生し
て気化熱によシ冷媒液９が沸点よシ高くなることはなく
、したがってチップ７も沸点までに冷却（沸騰冷却）さ
れる。そして、気泡１３の蒸気が空間１２内で金属蓋４
に熱を伝えると凝縮して液体となシ滴下する。金属底板
３および金属蓋４は空冷方式、液冷方式、沸騰冷却方式
などの公知の冷却方法によって冷却され、これらは金属
で熱伝導率が高いので放熱効率が良い。
発明の効果
上述したように本発明に係る液体封入型ｔ４ツケージは
、半導体チ、ｆからの熱をろう材および金属底板を通し
て放熱しかつノクッケージ内での沸騰冷却によっても除
去するのでパッケージとしての冷却効率は高い。
、半導体チ、ｆからの熱をろう材および金属底板を通し
て放熱しかつノクッケージ内での沸騰冷却によっても除
去するのでパッケージとしての冷却効率は高い。
第１図は本発明に係る液体封入型パッケージの概略断面
図である。 １・・・パッケージ、２・・・セラミ、り枠、３・・・
金属底板、４・・・金属蓋、５，６．８・・・ろう材、
７・・・半導体チップ、９・・・低沸点冷却媒体液、１
２・・・空間、１３・・・気泡。
図である。 １・・・パッケージ、２・・・セラミ、り枠、３・・・
金属底板、４・・・金属蓋、５，６．８・・・ろう材、
７・・・半導体チップ、９・・・低沸点冷却媒体液、１
２・・・空間、１３・・・気泡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを収容するだめのセラミック枠と、金
属底板と、金属蓋とからなる半導体素子パッケージであ
って、前記金属底板上に前記半導体チップがろう付けさ
れておシ、かつ前記半導体素子パッケージの内部に冷媒
液が封入されている液体封入型パッケージ。 れている特許請求の範囲第１項記載のパッケージ。 ３、前記冷媒液がフルオロカー？ン又はハロフルオロカ
ーデンである特許請求の範囲第１項記載のパッケージ。 ４、封入する前記冷媒液が前記液体封入型ノ４ ツケー
ジの内部空間の９０ないし８０体積チを占ている特許請
求の範囲第１項記載のパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10948684A JPS60254641A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 液体封入型パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10948684A JPS60254641A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 液体封入型パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254641A true JPS60254641A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0342512B2 JPH0342512B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=14511462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10948684A Granted JPS60254641A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 液体封入型パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254641A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993016883A1 (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-02 | Seiko Epson Corporation | Additional electronic device and electronic system |
| WO1993016882A1 (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-02 | Seiko Epson Corporation | Additional electronic device and electronic system |
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| US6339191B1 (en) * | 1994-03-11 | 2002-01-15 | Silicon Bandwidth Inc. | Prefabricated semiconductor chip carrier |
| WO2005053022A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | U. S. Monolithics, L.L.C. | Direct contact fluid cooling for semiconductor device |
| DE10129006B4 (de) * | 2001-06-15 | 2009-07-30 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronische Baugruppe |
| US7804688B2 (en) | 1992-05-20 | 2010-09-28 | Seiko Epson Corporation | Apparatus including processor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875860A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Fujitsu Ltd | 冷媒封入型半導体装置 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10948684A patent/JPS60254641A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875860A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Fujitsu Ltd | 冷媒封入型半導体装置 |
Cited By (21)
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| US6608753B2 (en) | 1992-05-20 | 2003-08-19 | Seiko Epson Corporation | Cartridge for electronic devices |
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| US6828511B2 (en) | 1994-03-11 | 2004-12-07 | Silicon Bandwidth Inc. | Prefabricated semiconductor chip carrier |
| US5821457A (en) * | 1994-03-11 | 1998-10-13 | The Panda Project | Semiconductor die carrier having a dielectric epoxy between adjacent leads |
| US6339191B1 (en) * | 1994-03-11 | 2002-01-15 | Silicon Bandwidth Inc. | Prefabricated semiconductor chip carrier |
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| US7157793B2 (en) | 2003-11-12 | 2007-01-02 | U.S. Monolithics, L.L.C. | Direct contact semiconductor cooling |
| WO2005053022A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | U. S. Monolithics, L.L.C. | Direct contact fluid cooling for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342512B2 (ja) | 1991-06-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |