JPS60253222A - 欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査方法Info
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- JPS60253222A JPS60253222A JP59108337A JP10833784A JPS60253222A JP S60253222 A JPS60253222 A JP S60253222A JP 59108337 A JP59108337 A JP 59108337A JP 10833784 A JP10833784 A JP 10833784A JP S60253222 A JPS60253222 A JP S60253222A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターン検出装置に係り、特にホトマスクやレ
チクルなどの基板上に印刷されたパターン上に偏在する
欠陥の有無を検査するなど。
チクルなどの基板上に印刷されたパターン上に偏在する
欠陥の有無を検査するなど。
に好適なパターン検査装置に関する。
従来のホトマスクやレチクルなどのパターン検査装置は
、第１図に例示するような欠陥のない希望する手本パタ
ーン（像）’ｌＡ１７）形状におけるパターン２のある
部分やパターンのない部分３に対して、第２図に例示す
るような欠陥を有する被検査パターン（像）１の形状に
おけるパターン２のある部分が一部存在しないという欠
ＭＢや、パターンない部分３にパターンが存在するとい
う欠陥Ｃなどの欠陥の有無を検査することを目的として
いる。ここで、牛導体やプリント基板などを製作する場
合に第２図のよう。
、第１図に例示するような欠陥のない希望する手本パタ
ーン（像）’ｌＡ１７）形状におけるパターン２のある
部分やパターンのない部分３に対して、第２図に例示す
るような欠陥を有する被検査パターン（像）１の形状に
おけるパターン２のある部分が一部存在しないという欠
ＭＢや、パターンない部分３にパターンが存在するとい
う欠陥Ｃなどの欠陥の有無を検査することを目的として
いる。ここで、牛導体やプリント基板などを製作する場
合に第２図のよう。
な欠陥を含むパターンを用いて作られた製品に、は不良
品が含まれる結果になるので、これらの。
品が含まれる結果になるので、これらの。
パターンは使用前に十分検音して真の欠陥かあ。
るものは正確に排除する必要がある。
従来のこの種のパターン検査装置は、第３図に例示する
ように被検査試料４上のパターン２に対応した照明光学
系５による検査光（透過光）６をパターン検出系７で覗
測するもので、パターン検出系７でえられる検査情報は
被検査試料上のパターンを２次元平面上に投影したパタ
ーン情報である。ところで、第２図に示すような被検査
パターン（像）１における欠陥Ｃの発生原因には、パタ
ーン製作工程でパターン形成希望個所以外にパターン形
成材料が付着してしまったような欠陥Ｃ１の場合と、単
にごみなどが付着している欠陥Ｃ２の場合とがある。し
たがって単にごみなどが付着して発生した欠陥Ｃ２は、
被検査試料に対して洗浄などの簡単な処理を施すだけで
容易に除去できるから、排除すべよ真の欠陥ではない。
ように被検査試料４上のパターン２に対応した照明光学
系５による検査光（透過光）６をパターン検出系７で覗
測するもので、パターン検出系７でえられる検査情報は
被検査試料上のパターンを２次元平面上に投影したパタ
ーン情報である。ところで、第２図に示すような被検査
パターン（像）１における欠陥Ｃの発生原因には、パタ
ーン製作工程でパターン形成希望個所以外にパターン形
成材料が付着してしまったような欠陥Ｃ１の場合と、単
にごみなどが付着している欠陥Ｃ２の場合とがある。し
たがって単にごみなどが付着して発生した欠陥Ｃ２は、
被検査試料に対して洗浄などの簡単な処理を施すだけで
容易に除去できるから、排除すべよ真の欠陥ではない。
ところが、従来のパターン検査装置では、上。
記のように２次元平面上に投影した被検査パターンのパ
ターン情報をもとに欠陥の検査を行な。
ターン情報をもとに欠陥の検査を行な。
うので、パターン形成材料の付着が原因で発生した排除
すべき真の欠陥Ｃ１と、単にごみなどの付着による擬似
の欠陥Ｃ２とを識別すること。
すべき真の欠陥Ｃ１と、単にごみなどの付着による擬似
の欠陥Ｃ２とを識別すること。
が困難なため、被検査試料４のパターン検査終。
１後の工程で目視によし欠陥Ｃの種類を判別して、洗浄
などの簡単な処理で除去できるｍ類のものかどうかを判
定しなければならないなどの不具合いがあった。なお以
下谷図面を通じて同一符号は相当部分を示すものとする
。
などの簡単な処理で除去できるｍ類のものかどうかを判
定しなければならないなどの不具合いがあった。なお以
下谷図面を通じて同一符号は相当部分を示すものとする
。
本発明の目的は、上記した従来技術の不具合いをなりシ
、特にホトマスクやレチクルなどのパターン製作工程な
どにおいてパターン形成布。
、特にホトマスクやレチクルなどのパターン製作工程な
どにおいてパターン形成布。
望個所以外にパターン形成材料が付着したことによる真
の欠陥と単にごみなどの付着による擬似の欠陥とを識別
し、被検査試料上の欠陥の有６ ・ 無を判定するだけでなく洗浄などの簡単な処理。
の欠陥と単にごみなどの付着による擬似の欠陥とを識別
し、被検査試料上の欠陥の有６ ・ 無を判定するだけでなく洗浄などの簡単な処理。
で容易に除去でよる種類のものか否かを判別す。
る情報をもうることができて、広く同様のバタ。
−ン検査に利用可能なパターン検査装置を提供するにあ
る。
る。
本発明は、一般に例えはホトマスクやレチクルなどのパ
ターンはパターン形成材料を基板上０．１μｍ程度の厚
さで付着させて供与される平面形状をもつものであるが
、一方のごみなどの付着物は０．５μｍ程度以上の立体
形状をもつものであるので、パターン形成希望個所以外
にパターンが存在するという欠陥が検出された場合に、
該欠陥が例えば０．５μｍ程度以上の立体形状を有する
か否かを判定することによシ、該欠陥がパターン形成材
料の付着によるものかあるいは単にごみなどの付着によ
る擬似のものかの判別が可能であり、かつかかる欠陥が
立体形状を有するか否かの判定は複数の異なる測定点か
ら被検査試料上の同一点のパターンを観測することに・
４ ・ より可能となることに着目し、適当な距離を有。
ターンはパターン形成材料を基板上０．１μｍ程度の厚
さで付着させて供与される平面形状をもつものであるが
、一方のごみなどの付着物は０．５μｍ程度以上の立体
形状をもつものであるので、パターン形成希望個所以外
にパターンが存在するという欠陥が検出された場合に、
該欠陥が例えば０．５μｍ程度以上の立体形状を有する
か否かを判定することによシ、該欠陥がパターン形成材
料の付着によるものかあるいは単にごみなどの付着によ
る擬似のものかの判別が可能であり、かつかかる欠陥が
立体形状を有するか否かの判定は複数の異なる測定点か
ら被検査試料上の同一点のパターンを観測することに・
４ ・ より可能となることに着目し、適当な距離を有。
し被検査試料上の同一点を検出１能に配置した。
複数のパターン検出系よりえられるパターン検出信号を
互いに比較することによシ被検査試料。
互いに比較することによシ被検査試料。
上の立体形状の有無を判定して、ごみなどの異物と真の
欠陥とを識別するようにしたパターン検査装置である。
欠陥とを識別するようにしたパターン検査装置である。
以下に本発明によるパターン検査装置の一実施例を第４
図ないし第８図によシ説明する。
図ないし第８図によシ説明する。
まず第４図は本発明によるパターン検査装置の原理を例
示する基本配置断面図である。第４図において、一般に
ホトマスクやレチクルなどのパターン２はＣ１、Ｆｅ
、ＡＩｔなどのパターン形成材料をガラスやフィルムな
どの基材（被検査試料）４上に例えば０．１μＩｓ程度
の厚さで付着させて供与された平面形状をもつものであ
る。これに対しパターン欠陥Ｃとして問題になるごみな
どの異物Ｃ２の付着物は例えばα５μ隅程度以上の立体
形状を有する。したがってパターン形成希望個所以外に
パターンが存在するという欠陥Ｃが８検出された場合に
は、該欠陥が０．５μｍ程度以上。
示する基本配置断面図である。第４図において、一般に
ホトマスクやレチクルなどのパターン２はＣ１、Ｆｅ
、ＡＩｔなどのパターン形成材料をガラスやフィルムな
どの基材（被検査試料）４上に例えば０．１μＩｓ程度
の厚さで付着させて供与された平面形状をもつものであ
る。これに対しパターン欠陥Ｃとして問題になるごみな
どの異物Ｃ２の付着物は例えばα５μ隅程度以上の立体
形状を有する。したがってパターン形成希望個所以外に
パターンが存在するという欠陥Ｃが８検出された場合に
は、該欠陥が０．５μｍ程度以上。
の立体形状を有するか否かを判定すれば、該欠陥Ｃがパ
ターン形成材料の付着によりでまた欠陥Ｃ１であるか、
あるいは単なるごみなどの異物Ｃ２の付着したものであ
るかが判断でよる。
ターン形成材料の付着によりでまた欠陥Ｃ１であるか、
あるいは単なるごみなどの異物Ｃ２の付着したものであ
るかが判断でよる。
さらにかかるパターン形成希望個所以外にバタ。
−ンが存在するという欠陥Ｃが立体形状を有す。
るか否かの判定は複数の異なる測定点から被検査試料上
の同一点のパターンを観測することによシ可能となる。
の同一点のパターンを観測することによシ可能となる。
そこで本発明によれば、例えば図示のように基材（被検
査試料）４上のパターンを適当な距離をおいた２つのパ
ターン検出系７ａおよび７ｂを用いて観測すると、パタ
ーン形成材料の付着によってできたパターン２（ＣＩ）
は０．１μｍ程度の平面形状であるため、パターン上の
同一点（同一座標）Ｐがパターン検出系７ａ 、 ７ｂ
によシそれぞれ基板４上に投影されて観測されても、そ
れぞれの投影された点（座標） Ｐｌ、Ｐ２はともにほ
ぼ同一点（同一座標）Ｐに存在するものとして観測され
る（ Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ ）。これに対して基材。
査試料）４上のパターンを適当な距離をおいた２つのパ
ターン検出系７ａおよび７ｂを用いて観測すると、パタ
ーン形成材料の付着によってできたパターン２（ＣＩ）
は０．１μｍ程度の平面形状であるため、パターン上の
同一点（同一座標）Ｐがパターン検出系７ａ 、 ７ｂ
によシそれぞれ基板４上に投影されて観測されても、そ
れぞれの投影された点（座標） Ｐｌ、Ｐ２はともにほ
ぼ同一点（同一座標）Ｐに存在するものとして観測され
る（ Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ ）。これに対して基材。
４上に付着して偏在するごみなどの異物Ｃ２は。
０．５μｍａ度以上の高さの立体形状を有するため、。
異物上の同一点（同一座標）Ｐがパターン検出系７ａ、
７ｂによシそれぞれ基板４上に投影されて観測されると
、それぞれ同一点（同一座標）Ｐ。
７ｂによシそれぞれ基板４上に投影されて観測されると
、それぞれ同一点（同一座標）Ｐ。
とは異なる投影された点（座標）ＰＩ、Ｐ２に存在。
するものとして観測される（ ＰＩ Ｆ’Ｐ２ ＩＰ
）。以上。
）。以上。
の原理にもとづき、それぞれパターン検出系７ａ。
７ｂよシえられる被検査試料の基板４上のパターンの同
一点（同一座標）に対応するパターン検出信号を比較し
て該パターン検出信号間の差異を一定基準で検出し、そ
れぞれパターン検出系７ａ、７ｂで観測されるパターン
の同一点（同一座標）Ｐの基板４上への上記投影座標Ｐ
１＝Ｐ２ のときにはパターン形成材料付着によるパタ
ーン２（ＣＩ）であると判定する一方、上記投影座標Ｐ
１〆Ｐ２のときには立体形状を有するごみなどの異物Ｃ
２付着によるパターンであると判定する。
一点（同一座標）に対応するパターン検出信号を比較し
て該パターン検出信号間の差異を一定基準で検出し、そ
れぞれパターン検出系７ａ、７ｂで観測されるパターン
の同一点（同一座標）Ｐの基板４上への上記投影座標Ｐ
１＝Ｐ２ のときにはパターン形成材料付着によるパタ
ーン２（ＣＩ）であると判定する一方、上記投影座標Ｐ
１〆Ｐ２のときには立体形状を有するごみなどの異物Ｃ
２付着によるパターンであると判定する。
７ ・
つぎに第５図は本発明による立体形状検出装。
置の一実施例の構成を示す一部斜視図を含むブ。
口、り図である。また第６図は第５図の２次元。
画像メモリの構成例を示す図である。第５図に。
おいて、ＸＹステージ８は、レーザ発振器９と。
核レーザ発振器の出力をＨｉ折させるためのプリズム１
０ａ〜１０ＣとＸＹステージ側面に固定された測長用ス
フ−）ｌｚｌｌａ、１１ｂよりなる座標測定器（位置検
出器）１２からの座標データにもとづき、制卸回路（機
構制御部）１３によって移動可能で１・ あって、該ＸＹステージ８上には被検査試料４が保持さ
れる。一方でそれぞれ被検査試料４からの検出光６ａ
、６ｂを結像する結像光学系１４ａ。
０ａ〜１０ＣとＸＹステージ側面に固定された測長用ス
フ−）ｌｚｌｌａ、１１ｂよりなる座標測定器（位置検
出器）１２からの座標データにもとづき、制卸回路（機
構制御部）１３によって移動可能で１・ あって、該ＸＹステージ８上には被検査試料４が保持さ
れる。一方でそれぞれ被検査試料４からの検出光６ａ
、６ｂを結像する結像光学系１４ａ。
１４ｂと、結像光を電気信号に変換する光電変換素子１
５ａ 、 １５ｂとからなる２つのパターン検出系Ｉ已 ７ａ、７ｂは、それぞれ互いに適当な間隔をおいて被検
査試料４上の照明光学系５によって上方より照明される
同一点（同一座標）Ｐのパターン゛を撮像するように設
置される。該パターン検出系７ａ、７ｂ Ｉｃよってえ
られるそれぞれ被検査試料・ ８ ・ ４上の同一点（同一座標）Ｐのパターンに対応。
５ａ 、 １５ｂとからなる２つのパターン検出系Ｉ已 ７ａ、７ｂは、それぞれ互いに適当な間隔をおいて被検
査試料４上の照明光学系５によって上方より照明される
同一点（同一座標）Ｐのパターン゛を撮像するように設
置される。該パターン検出系７ａ、７ｂ Ｉｃよってえ
られるそれぞれ被検査試料・ ８ ・ ４上の同一点（同一座標）Ｐのパターンに対応。
したパターン検出信号は、たとえば第６図に示。
すように１次元シフトレジスター７ａ〜１７ｄなど。
を複数個直列に接続して構成した２次元画像メ。
そり（２次元バッファメモリ） １６ａ、１６ｂにそれ
。
。
ぞれ格納される。なお牙６図の１次元シフトレ。
ジスタ１７ａ〜１７ｄなどの段数はそれぞれ上記光。
電変換素子１５ａ、１５ｂの１ライン中の画素数と同。
−とし、たとえば光電変換素子１５ａ 、 １５ｂとし
てＣＯＤやＣＣＰＤやフォトダイオードアレイの！■ ようなフィンセンチを用いた場合には該ラインセンナの
画素数と等しい段数のシフトレジスタ１７ａ〜１７ｄな
どを用い、また光電変換素子１５ａ。
てＣＯＤやＣＣＰＤやフォトダイオードアレイの！■ ようなフィンセンチを用いた場合には該ラインセンナの
画素数と等しい段数のシフトレジスタ１７ａ〜１７ｄな
どを用い、また光電変換素子１５ａ。
１５ｂとしてフラインダスボ、トスキャナと組み合わせ
たフォトマルや、テレビカメラなどを用いた場合には上
記パターン検出信号の１走査線分の検出信号に対応した
段数のシフトレジスタ１７ａ〜１７ｄを用いるようにす
る。さらに上記２次元画像メモ９ ｔ６ｂ（Ｌ６ａ）に
蓄えられた被検査試料４のパターン検出信号を比較する
ための手本パターン信号を発生する手本パターン発生器
１８６は、被検査試料４上のパターンに対応した欠陥。
たフォトマルや、テレビカメラなどを用いた場合には上
記パターン検出信号の１走査線分の検出信号に対応した
段数のシフトレジスタ１７ａ〜１７ｄを用いるようにす
る。さらに上記２次元画像メモ９ ｔ６ｂ（Ｌ６ａ）に
蓄えられた被検査試料４のパターン検出信号を比較する
ための手本パターン信号を発生する手本パターン発生器
１８６は、被検査試料４上のパターンに対応した欠陥。
のない希望する手本（期待値）パターン１人の信。
号を発生するもので、たとえば被検査試料４上。
のパターンと同一パターンを有しかつ欠陥など。
の存在しないことが確認ずみの曲の同様の被検。
査試料上のパターンを上記パターン検出系７ｂ（７ａ）
と同様のパターン検出系により検出した信号を供与する
ものでよく、または被検査試料４上のパターンを製作す
る時に用いた設計バター１１ ンデータをもとに電気的に被検査試料４と同様の設計パ
ターン信号を発生する電気回路を用いるものでもよい。
と同様のパターン検出系により検出した信号を供与する
ものでよく、または被検査試料４上のパターンを製作す
る時に用いた設計バター１１ ンデータをもとに電気的に被検査試料４と同様の設計パ
ターン信号を発生する電気回路を用いるものでもよい。
こうして上記の２次元画像メモリ（２次元バッファメモ
リ） ｉ６ｂ （または１６ａ）に蓄えられたパターン
検出信号は欠陥判定器１９ｉＣ一定基準で入力され、同
じく手本パターン発生器１８より発生されて欠陥判定器
１９に入力される上記パターン検出信号に対応した手本
パターン信号と欠陥判定器１９により比較され、パター
ン検出信号と手本パターン信号に差異がある場合には被
検査試料４上の当該被検査バター。
リ） ｉ６ｂ （または１６ａ）に蓄えられたパターン
検出信号は欠陥判定器１９ｉＣ一定基準で入力され、同
じく手本パターン発生器１８より発生されて欠陥判定器
１９に入力される上記パターン検出信号に対応した手本
パターン信号と欠陥判定器１９により比較され、パター
ン検出信号と手本パターン信号に差異がある場合には被
検査試料４上の当該被検査バター。
ンに欠陥ありと判定され、該判定された欠陥情報は座標
測定器（位置検出器）１２からのデータにもとづく欠陥
座標とともにメモ９２１に記憶される。これと湛列に上
記２つの２次元画像メモ−９１Ｓａ、１６ｂの出力は比
較判定器２０にそれぞれ一定基準で入力され、被検査試
料４上の同一点（ＩＭＥ−座標）のパターンに対応する
２つのパターン検出信号が一定基準で相互比較され、パ
ターンの立体形状の有無が検出されて該立体形状を有す
るごみなどの異物の２無が判定され、該判定情報も同じ
く当該座標とともにメモリ２１に記憶されるように構成
される。
測定器（位置検出器）１２からのデータにもとづく欠陥
座標とともにメモ９２１に記憶される。これと湛列に上
記２つの２次元画像メモ−９１Ｓａ、１６ｂの出力は比
較判定器２０にそれぞれ一定基準で入力され、被検査試
料４上の同一点（ＩＭＥ−座標）のパターンに対応する
２つのパターン検出信号が一定基準で相互比較され、パ
ターンの立体形状の有無が検出されて該立体形状を有す
るごみなどの異物の２無が判定され、該判定情報も同じ
く当該座標とともにメモリ２１に記憶されるように構成
される。
この構成で、座標測定器１２からの座標データに応じて
制御回路（機構制御部）１３によｆｉＸＹ−３ ステージ８を移動させながら、パターン検出系７ａ、７
ｂにより被検査試料４上の同一点（同−座。
制御回路（機構制御部）１３によｆｉＸＹ−３ ステージ８を移動させながら、パターン検出系７ａ、７
ｂにより被検査試料４上の同一点（同−座。
ｍ）のパターンを検出してそれぞれ２次元画像。
メモ９１６ａ、ＩＳｂに蓄えておき、たとえばバター。
ン検出系７ｂからのパターン検出信号と手本バタ。
１１ ・
一ン発生器１８からの手本パターン信号を欠陥判定器１
９へ入力する。すると欠陥判定器１９では、手本パター
ン信号に対してパターン検出信号に対応したパターンが
存在しない場合には、たとえば上記した第１図のような
パターンに対して第２図のようなパターンの欠落する欠
陥Ｂが検査パターンに存在することが判定でき、また手
本パターン信号のパターンのない部分に対してパターン
検出信号の対応部分にパターンが存在する場合には、第
２図のようなパターンのない部分３に存在するパターン
の増加である欠陥Ｃが検査パターンに存在すると判定で
よるので、これらの被検査パターンの欠陥情報は座標測
定器１２にもとづぐ欠陥座標とともにメモ９２１に記憶
しておき、被検査試料４のパターン欠陥修正１ろ や不良解析の資料として利用でよる。一方で上記パター
ン検出系７ａ、７ｂにより検出してそれぞ“れ２次元画
像メモリ１６ａ 、 １ ｄｂに蓄えた２つのパターン
検出信号をそれぞれ比較判定器２ｏに入力。
９へ入力する。すると欠陥判定器１９では、手本パター
ン信号に対してパターン検出信号に対応したパターンが
存在しない場合には、たとえば上記した第１図のような
パターンに対して第２図のようなパターンの欠落する欠
陥Ｂが検査パターンに存在することが判定でき、また手
本パターン信号のパターンのない部分に対してパターン
検出信号の対応部分にパターンが存在する場合には、第
２図のようなパターンのない部分３に存在するパターン
の増加である欠陥Ｃが検査パターンに存在すると判定で
よるので、これらの被検査パターンの欠陥情報は座標測
定器１２にもとづぐ欠陥座標とともにメモ９２１に記憶
しておき、被検査試料４のパターン欠陥修正１ろ や不良解析の資料として利用でよる。一方で上記パター
ン検出系７ａ、７ｂにより検出してそれぞ“れ２次元画
像メモリ１６ａ 、 １ ｄｂに蓄えた２つのパターン
検出信号をそれぞれ比較判定器２ｏに入力。
する。すると比較判定器２０では、対応する２つ。
・ １２・
のパターン検出信号を一定基準で相互比較し、パターン
の立体形状の有無を検出して該立体形状を有するごみな
どの異物Ｃ２の有無を判定する。
の立体形状の有無を検出して該立体形状を有するごみな
どの異物Ｃ２の有無を判定する。
オフ図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は第５図および第６図の
パターン検出系７ａ、７ｂ Ｋより検出されて２次元画
−像メモ９１５ａ、１ｄｂに蓄えられるパターン検出信
号のパターン画像を例示する図で、オフ図（＆）は被検
査パターンを有する被検査試料４の断面図、（ｂ）は被
検査試料のパターン検査系７ａによ去撮像されるパター
ン画像１ａ＋ （Ｃ） ハＩＷｉ Ｕ ＜ ／（１（ ターン検出系７ｂによ）撮像されるパターン画像１ｂを
示す。すなわちオフ図（ａ）のように被検査資料４上の
被検査パターンにパターン形成材料による例えば０，１
μｍ８度の厚さの平面パターン。
パターン検出系７ａ、７ｂ Ｋより検出されて２次元画
−像メモ９１５ａ、１ｄｂに蓄えられるパターン検出信
号のパターン画像を例示する図で、オフ図（＆）は被検
査パターンを有する被検査試料４の断面図、（ｂ）は被
検査試料のパターン検査系７ａによ去撮像されるパター
ン画像１ａ＋ （Ｃ） ハＩＷｉ Ｕ ＜ ／（１（ ターン検出系７ｂによ）撮像されるパターン画像１ｂを
示す。すなわちオフ図（ａ）のように被検査資料４上の
被検査パターンにパターン形成材料による例えば０，１
μｍ８度の厚さの平面パターン。
２（ＣＩ）のほかにごみなどの異物Ｃ２が付着した゛例
えば０．５μ−程度以上の厚さの立体形状を有す”パる
欠陥パターンが存在すると、ノ〈ターン検出系。
えば０．５μ−程度以上の厚さの立体形状を有す”パる
欠陥パターンが存在すると、ノ〈ターン検出系。
７ａ、７ｂにより検出されたパターン検出信号のバ。
ターン画像はそれぞれオフ図（ｂＬ（Ｃ）のように。
なり、パターン形成材料で形成されている平面。
パターン２（ＣＩ）に対してはほぼ同一座標に存在。
する平面パターン２（ＣＵ像として撮像されるが、。
立体形状を有する欠陥パターン（ごみ）０２に対。
シテハ該欠陥パターンＣ２の存在する座標Ｘから。
それぞれ反対方向にずれた異なる座標Ｘ１．Ｘ２に。
存在するような欠陥パターン像Ｃ２として撮像さ。
れる。また第８図は第５図および１６図のバタ。
−ン検出系７ａ 、 ７ｂによシ検出されて２次元画像
メモリ１６ａ、１６ｂに蓄えられたパターン検出信号の
パターン画像データから比較判定器２０により１１ 立体形状の欠陥パターンを検出する方法を説明する断面
図である。すなわち第８図のそれぞれパターン検出系７
ａ、、７ｂの撮像位置（結像位置）の被検査資料（基板
）４面上の座標ＸＩ、Ｘ２の間隔および高さ出、市を適
当に設定することにより、被検査資料４上のごみなどの
異物Ｃ２の高さｈの立体形状を有する欠陥パターンの座
標０上の同一点Ｐのそれぞれパターン検出系７ａ 、
７ｂにより撮像される座標ＸＢＸＲ間の距離がパターン
検出系７ａ 、 ７ｂの光電変換素子１５ａ 、 １
ｓｂの検出画素サイズよりも大よくなるように設定でよ
る。。
メモリ１６ａ、１６ｂに蓄えられたパターン検出信号の
パターン画像データから比較判定器２０により１１ 立体形状の欠陥パターンを検出する方法を説明する断面
図である。すなわち第８図のそれぞれパターン検出系７
ａ、、７ｂの撮像位置（結像位置）の被検査資料（基板
）４面上の座標ＸＩ、Ｘ２の間隔および高さ出、市を適
当に設定することにより、被検査資料４上のごみなどの
異物Ｃ２の高さｈの立体形状を有する欠陥パターンの座
標０上の同一点Ｐのそれぞれパターン検出系７ａ 、
７ｂにより撮像される座標ＸＢＸＲ間の距離がパターン
検出系７ａ 、 ７ｂの光電変換素子１５ａ 、 １
ｓｂの検出画素サイズよりも大よくなるように設定でよ
る。。
したがってこのように設定のうえ、パターン検゛出系７
ａ 、 ７ｂにより検出されてそれぞれ２次元画像メモ
リ１６ａ 、 １６ｂに蓄えられたパターン検出信のパ
ターン画像データを比較判定器２０により一定基準で比
較して差異を検出するように、例えは１６図のように２
次元画像データを一定数画素づつ取シ出して排他的論理
和をとることＫより、例えばａ１μＩｎ程度の平面パタ
ーン２（ＣＩ）と区別してごみなどの異物の例えば高さ
ｈ ＝ ０．５２図程度以上の立体形状を有する擬似の
欠陥パターン（異物）Ｃ２の有無を判定する。この擬似
欠陥判定結果も上記の欠陥判定器２１による欠陥判定結
果と同様にメモリ２１に記憶しておき、被検査試料の検
査終了後の処理情報として利用でよる。
ａ 、 ７ｂにより検出されてそれぞれ２次元画像メモ
リ１６ａ 、 １６ｂに蓄えられたパターン検出信のパ
ターン画像データを比較判定器２０により一定基準で比
較して差異を検出するように、例えは１６図のように２
次元画像データを一定数画素づつ取シ出して排他的論理
和をとることＫより、例えばａ１μＩｎ程度の平面パタ
ーン２（ＣＩ）と区別してごみなどの異物の例えば高さ
ｈ ＝ ０．５２図程度以上の立体形状を有する擬似の
欠陥パターン（異物）Ｃ２の有無を判定する。この擬似
欠陥判定結果も上記の欠陥判定器２１による欠陥判定結
果と同様にメモリ２１に記憶しておき、被検査試料の検
査終了後の処理情報として利用でよる。
なお上記実施例では照明光学系として落射照明系を用い
ているが、透過照明系を用いるようにしてもよい。また
２個のパターン検出系を用゛いているが、３個以上のパ
ターン検出系を用い。
ているが、透過照明系を用いるようにしてもよい。また
２個のパターン検出系を用゛いているが、３個以上のパ
ターン検出系を用い。
・ １５・
てもよい。または１個以上のパターン検出系か。
被検査試料を移動させるなどの方法で、複数の。
撮像位置を実現することもできる。さらにバタ。
−ン検出系の測定光学系（結像光学系）のみを。
複数個設け、該測定光学系によシえられる複数。
の測定位置における測定光をプリズムなどを用。
いて導き、かつシャッタなどを用いて任意の測。
定光を選択可能にして、同一の光電変換素子に入力する
ことにより、該光電変換素子によりえられるパターン検
出信号をそれぞれ選択された１ζ 上記測定光に対応の２次元画像メモリに入力するように
してもよい。
ことにより、該光電変換素子によりえられるパターン検
出信号をそれぞれ選択された１ζ 上記測定光に対応の２次元画像メモリに入力するように
してもよい。
以上のように本実施例によれば、ホトマスクやレチクル
などのパターン製作工程において、パターン形成希望個
所以外にバター／形成材料５ が付着した平面形状の真の欠陥と、単にごみなどの異物
が付着した立体形状を有する擬似の欠陥を識別して、被
検査試料上の欠陥の有無を判定したうえ、洗浄などの簡
単な処理で欠陥を容易に除去でよるか否かの判定情報を
も提供でよ・ １６・ る効果があるほか、広く被検査パターンの欠陥。
などのパターン製作工程において、パターン形成希望個
所以外にバター／形成材料５ が付着した平面形状の真の欠陥と、単にごみなどの異物
が付着した立体形状を有する擬似の欠陥を識別して、被
検査試料上の欠陥の有無を判定したうえ、洗浄などの簡
単な処理で欠陥を容易に除去でよるか否かの判定情報を
も提供でよ・ １６・ る効果があるほか、広く被検査パターンの欠陥。
などを立体形状の有無によシ判別する装置とし。
て利用でよる。
以上の説明のように本発明のパターン検査装装置によれ
ば、欠陥パターンの有無を検出できるたけでなく、欠陥
パターンが立体形状を有するか否かを判定して識別でよ
るため、広く被検査パターンの欠陥の有無と識別の検査
などに利用できる。
ば、欠陥パターンの有無を検出できるたけでなく、欠陥
パターンが立体形状を有するか否かを判定して識別でよ
るため、広く被検査パターンの欠陥の有無と識別の検査
などに利用できる。
１□
第１図、第２図は被検査パターンを例示するそれぞれ欠
陥のないパターン、欠陥のめるパターンの画像平面図、
１６図は従来のパターン検査装置の原理を例示する基本
配置断面図、第４１；− 図は本発明によるパターン検査装置の一実施例の検査原
理を示す基本配置断面図、第５図は本発明ニよるパター
ン検査装置の一実施例の構成を示すプロ、り図、１６図
は第５図の２次元画像メモリの構成例図、オフ図（ａ）
、（ｂＬ（Ｃ）は牙第８図は第５図の被検査パターンの
立体形状の判定方法の説明図である。 ４・・・被検査試料、５・・・照明光学系、７ａ、７ｂ
・・・−パターン検出系、８・・・ＸＹステージ、１２
・・・座標測定器、１３・・・制御回路、１４ａ、１４
ｂ・・・結像光学系、１５ａ、１５ｂ ・−・光電変換
素子、１６ａ、ＩＳｂ ・２次元画像メモリ、１８・・
・手本パターン発生器、１９・・・欠陥判定器、２０・
・・比較判定器、２１・・・メモリ。 ！□１ ９ 第１図 第２図 第３（２１ 第４図 第５図 第 ６ 図 第７図 （α） （ｂ） （Ｃ）
陥のないパターン、欠陥のめるパターンの画像平面図、
１６図は従来のパターン検査装置の原理を例示する基本
配置断面図、第４１；− 図は本発明によるパターン検査装置の一実施例の検査原
理を示す基本配置断面図、第５図は本発明ニよるパター
ン検査装置の一実施例の構成を示すプロ、り図、１６図
は第５図の２次元画像メモリの構成例図、オフ図（ａ）
、（ｂＬ（Ｃ）は牙第８図は第５図の被検査パターンの
立体形状の判定方法の説明図である。 ４・・・被検査試料、５・・・照明光学系、７ａ、７ｂ
・・・−パターン検出系、８・・・ＸＹステージ、１２
・・・座標測定器、１３・・・制御回路、１４ａ、１４
ｂ・・・結像光学系、１５ａ、１５ｂ ・−・光電変換
素子、１６ａ、ＩＳｂ ・２次元画像メモリ、１８・・
・手本パターン発生器、１９・・・欠陥判定器、２０・
・・比較判定器、２１・・・メモリ。 ！□１ ９ 第１図 第２図 第３（２１ 第４図 第５図 第 ６ 図 第７図 （α） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被検査パターンを移動するステージと、被検。 査パターンの座標を測定する座標測定器と、測定された
座標に応じて上記ステージを移動制御する制御手段と、
被検査パターンを照明する照。 明光学系と、複数の撮像位置からそれぞれ同一。 座標の被検査パターンの像を結像させて光電変換する結
像光学系および光電変換素子を含むパターン検出系と、
該パターン検搗系からのパターン検出信号を記憶する画
像メモリと、パターン検出信号と比較するための手本パ
ターン信号を発生する手本パターン検出器と、上記画像
メモ９に記憶された少なくとも１つの撮像位置からのパ
ターン検出信号を取り出し、上記手本パターン信号と所
定基準で比較して被検査パターンの欠陥を判定する欠陥
判定器と、上記画像メモリに記憶された少なくとも２つ
の撮像位置からのパターン検出信号を取り出し、所定基
準で相互比較して差異を検出することによル被検査パタ
ーンの立体形状の有無を判定する比較判定、器とからな
るパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108337A JPS60253222A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108337A JPS60253222A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253222A true JPS60253222A (ja) | 1985-12-13 |
| JPH0516585B2 JPH0516585B2 (ja) | 1993-03-04 |
Family
ID=14482129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59108337A Granted JPS60253222A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010049250A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Asml Holding Nv | オブジェクト表面上における粒子検出 |
| JP2014025809A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Jfe Steel Corp | 疵検出方法および疵検出装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472975A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Mask inspecting method |
| JPS5961762A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59108337A patent/JPS60253222A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472975A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Mask inspecting method |
| JPS5961762A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010049250A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Asml Holding Nv | オブジェクト表面上における粒子検出 |
| JP2014025809A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Jfe Steel Corp | 疵検出方法および疵検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516585B2 (ja) | 1993-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |