JPS60246546A - イオンビ−ム装置用グリツド - Google Patents
イオンビ−ム装置用グリツドInfo
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- JPS60246546A JPS60246546A JP10059784A JP10059784A JPS60246546A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A
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- Japan
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- grid
- thin film
- substrate
- metal thin
- generation chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、大口径のイオン生成室、を試料に照射してエ
ツチングなどを行うイオンビーム装置に係り、特に低加
速電圧においても大きなイオン電流を引出すことのでき
るイオンビーム装置用グリッドの構造に関するものであ
る。 〔従来技術〕 第１図は上記イオンビーム装置として通常良く使用され
るカウフマン形イオンビームエツチング装置の概略図で
ある。同図において、１はイオン生成室Ａ内の中央に支
持された熱電子放出用カソード、２はこのカソード１の
周面に配置された同筒状のアノード、３Ｖｉイオン生成
室Ａの外側に設けられたプラズマ発生用マグネット、４
１−１イオン生成室Ａ内にアルゴンなどの不活性ガスを
導入するガス導入口である。また、５，６はイオン生成
室Ａの外側にそれぞれ支持部材（図示せず）で支持され
て該イオン生成家人より生成されるイオンを加速するた
めのグリッド、７はこれらグリッド５．６にて引出され
たイオンを申付化するためのニュートラライザ（中和電
極ともいう）であり、このイオンが試＊＋ＵＢ内の試料
台８に載置された被エツチング材９に胛射されるように
（ｎ成されている。 ここで、プラズマ発生用マグネット３により磁界を発生
させた状態でカソード１から熱電千金放出させると、熱
電子はサイクロ）ｏン運動を開始する。そして、アノー
ド２に電位を加えた状態でガス導入口４からアルゴンな
どの不活性ガスを導入すると、不活性ガスはカソード１
よりの熱電子の衝撃によってプラズマ化し、このプラズ
マはイオン生成室Ａ内に分布してその外側にあるグリッ
ド５，６により引出される。このとき、グリッド５．６
は、第２図にその断面を示すように１通常は５簡以下の
穴を多数個あけた導電性の２枚の円板を各々の穴の位置
がそろうように一定の距離をおいて対向させた構造を有
しており、プラズマに面するものをスクリーングリッド
（５）および被エツチング材９に対向するものをアクセ
ラレータグリッド（６）と称する。しかして、このアク
セラレータグリッド６に負電位ヲ、捷だスクリーングリ
ッド５、アノード２およびカソード１の各電極に正′
ツチングなどを行うイオンビーム装置に係り、特に低加
速電圧においても大きなイオン電流を引出すことのでき
るイオンビーム装置用グリッドの構造に関するものであ
る。 〔従来技術〕 第１図は上記イオンビーム装置として通常良く使用され
るカウフマン形イオンビームエツチング装置の概略図で
ある。同図において、１はイオン生成室Ａ内の中央に支
持された熱電子放出用カソード、２はこのカソード１の
周面に配置された同筒状のアノード、３Ｖｉイオン生成
室Ａの外側に設けられたプラズマ発生用マグネット、４
１−１イオン生成室Ａ内にアルゴンなどの不活性ガスを
導入するガス導入口である。また、５，６はイオン生成
室Ａの外側にそれぞれ支持部材（図示せず）で支持され
て該イオン生成家人より生成されるイオンを加速するた
めのグリッド、７はこれらグリッド５．６にて引出され
たイオンを申付化するためのニュートラライザ（中和電
極ともいう）であり、このイオンが試＊＋ＵＢ内の試料
台８に載置された被エツチング材９に胛射されるように
（ｎ成されている。 ここで、プラズマ発生用マグネット３により磁界を発生
させた状態でカソード１から熱電千金放出させると、熱
電子はサイクロ）ｏン運動を開始する。そして、アノー
ド２に電位を加えた状態でガス導入口４からアルゴンな
どの不活性ガスを導入すると、不活性ガスはカソード１
よりの熱電子の衝撃によってプラズマ化し、このプラズ
マはイオン生成室Ａ内に分布してその外側にあるグリッ
ド５，６により引出される。このとき、グリッド５．６
は、第２図にその断面を示すように１通常は５簡以下の
穴を多数個あけた導電性の２枚の円板を各々の穴の位置
がそろうように一定の距離をおいて対向させた構造を有
しており、プラズマに面するものをスクリーングリッド
（５）および被エツチング材９に対向するものをアクセ
ラレータグリッド（６）と称する。しかして、このアク
セラレータグリッド６に負電位ヲ、捷だスクリーングリ
ッド５、アノード２およびカソード１の各電極に正′
【
１位を加えると、イオン生成室Ａより生成されるイオン
が２枚のグリッド５，６間で加速されて被エツチング材
９に衝突し、スパッタ現象によりエツチングが生ずる。 この場合、各グリッド５，６より引出されるイオン電流
密度ｊは以下に示すチャイルドの法則により与えられる
。 ｊ ＝ （４ｔ ６ ／９ ） （２ｅ ７ｍ ）”２
Ｖ３Ａ／ Ｌまただし、ｅｏ″゛グリッド間媒質の誘電
率翳−イオンの電荷と質量との比 ■ニゲリッド間電位差 ｔニゲリッド間隔 上式からイオン電流密度を大きくするためにはグリッド
５，６の間隔を小さくしなければならないことがわかる
。しかし、グリッド５，６の間隔を小さくすると、加工
時に生ずる変形等のためにグリッド全面において距離を
等しく一定に保つことが困雛になる。また、動作時にお
ける熱変形によりグリッド５，６間の接触等も生じゃす
くなる。 そのため、グリッド間の距離を余り小さくすることはで
きず、従来のグリッド構造では大イオン電流値を得るこ
とが困離である。特に、イオンビーム装置は第１図に示
したようなドライエツチング装置として、あるいは上記
被エツチング材９の代りにターゲツト材をおき、第１図
の点線で示す基板１０をおくことＫよりスパッタ成膜装
置として良く使用されているが、大きなイオン電流値が
得られないために、エツチング速度や成膜速度が遅いと
いう欠点があった。 〔発明の概要〕 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的はイオン生成室より生成されるイオンを加速するグ
リッド間の距離を短かくかつ均一に保つことにより、低
加速電圧においても大きなイオン電流を引出すことので
きるイオンビーム装置用グリッドを提供することにある
。 こめような目的を達成するために、本発明は、導電性を
有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被着形成さ
れた金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一方の金属
薄膜より別記絶縁膜を別して他方の基板へ貫通する穴が
選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とからグリッ
ドを構成し、前記金属薄膜を第１のグリッドとしかつ前
記基板を第２のグリッドとしてこれらグリッドに所定の
電位を付与することにより、イオンビーム生成室よシ作
成されるイオンビーム全加速し引出すようにしたもので
ある。以下、本発明の実施例を図面忙基いて詳細に説明
する。 〔実施例〕 第３図は本発明の一実施例によるイオンビーム装置用グ
リッドの要部断面図であり、この実施例のグリッド１１
は、Ｓ１単結晶などの導電性基板１２上にＳｉ ０２
ｒ Ａｔｚ Ｏ３などの絶縁膜１３を均一に形成すると
ともに、この絶縁膜１３上にＴｌ 、 Ｃ。 などの金属薄膜１４を形成し、これら基板１２と金属薄
膜１４間に、該金属Ｗｆ、膜１４よシ絶縁膜１３を通し
て基板１２へ貫通する多数の穴１５１〜１５ｎが選択的
にあけられたイオン引出し用の穴部１５が形成されてい
る。 このようにして作成されたグリッドは、例えば上述した
第１図のイオンビームエツチング装ｆＪ！ｔＫ適用する
場合、イオン生成室Ａとニュートラライザ７との間に配
置されるもので、導電性基板１２をスクリーングリッド
としかつ金属薄膜１４をアクセラレータグリッドとして
それぞれ所定の電位を印加することにより、イオン生成
室よりのイオンを加速して引出すことができる。したが
って、上記実施例のグリッド構造は、５インチ径ぐらい
の面積までの基板１２上にＲＦスパッタ法等を用いてＪ
Ｏｚ ＋ Ａｔｚ ０３等の絶縁膜１３ｔ５０μｍ程
度までの厚さに均一に成膜することができる。それゆえ
、基板１２および金属薄膜１４は極く短い一定の間隔で
保持されることになるので、低電圧においても大きなイ
オン電流を得ることができる。 また、上記基板１２に熱・変形が生じても従来のように
２枚のグリッドが接触することはないので、動作７５−
Ｘ損なわれることもない。さらに、絶縁膜１３としての
Ｓｉ ０２の耐圧特性は２０〜４０に′ｖ／ＷｒＭに及
ぶため、この絶縁膜の厚さが５０μｍの場合でも１〜２
ＫＶの加速電圧を加えることができ、これにより広範囲
の加速電圧において大正、流を得ることができるなどの
効果を有する。なお、上記実施例のグリッド構造におい
て導電性基板１２をアクセラレータグリッド、金属薄膜
１４をスクリーングリッドとしても同様な効果が得られ
ることは上述の説明からも明らかである。 第４図に導電性基板１２として１〜２×１０Ω・−の固
有抵抗をもつＳ１単結晶を用いた場合の製造工程の一例
を示す。同図において、まずＳｉ単結晶基板１２の表面
上に絶縁膜として５１０２膜１３を所定の厚さにスパッ
タ等の手段により成膜する。 このとき、Ｓ１単結晶基板１２の表面を熱酸化して５ｉ
０２膜全形成してもよい。その後、５１０２膜１３ 、
Ｓｉ単結晶基板１２に対して選択エツチングの可能な
Ｔ１等の金属薄膜１４を５１０２膜１３上に形成する（
第４図（ａ））。次いで通常のフ第１・リングラフィ技
術により金縞薄膜１４を所定のパターンにエツチングし
て選択的に穴１５３〜１５ｎ（図では１５１，１５２の
み）をあける（第４図（ｂ））。 つぎにこの金１８４Ｎｍ １４ ｋマスクにして５１０
２膜１３、Ｓ＋ＩＩｌ結晶基板１２のエツチングを行う
（第４図（Ｃ））。このとき、５ＩＯｚｌｅＮ１３のウ
ェットエツチングには緩衝フッ酸液が良く使用されるが
、エツチング量が大きい場合にはＳｉＯ２膜１３のサイ
ドエッチが大きく微細加工が困難である。また、緩衝フ
ッ酸液に対してマスクとして作用する適当な金属薄膜が
ない。それゆえ、５１０２膜１３はＣＦ系ガスによるイ
オンビームエツチングでもエツチングされる。このＣＦ
４ガスのイオンビームエツチングによる５１０２膜１３
のエツチング速度を第５図に示す。第５図はエツチング
条件として／Ｊｌ＋速電圧ＩＫＶ、電流密夏１ｍｈ／ｅ
ｒａの場合を示し、符号Ｉは動作真空度に対する５ｉ０
２膜１３のエツチング速度を示し、符号■ｌＩは金属薄
膜１４としてのＴＩ＋Ｃｒのエツチング速度も合わせて
示している。同図から明らかなように、 ５ｉＯｚＤＪ
ｌ ３とＴｌ 、 Ｃｒ薄膜のエツチング速度比はｌＸ
ｌ０ Ｔｏｒｒ以上において６以上になるので、数１０
μｍの厚さノ５ｉＯｚ ＨＫＩ ３に対してもサイドエ
ッチの少ない加工を行うことができる。１次、Ｔｉ 、
Ｃ，薄膜は後述するＳｌ単結晶基板１２のエツチング
液ではエツチングされないので、Ｓ１単結晶基板のエツ
チング後もグリッドとして作用させることができる。 しかして、５ｉ０２膜１３をエツチングした後、この５
１０ｚ膜’ｔマスクとしてエチレンジアミン。 ピロカテコール、および水の混合物でＳｉ単結晶基板１
２をエツチングする。良く知られているように上記のエ
ツチング液では】００℃における＜１００＞ 。 ＜１１０＞ および（１１Ｄ結晶軸方向のエツチング速
度比は５０ ： ３０ ： ３μｍ／ｈｒになる。それ
ゆえ２面の垂直方向が＜１００＞方向に配向している基
板を使用すれば面の垂直方向に対して約３５．３°の、
また＜１１０＞方向に配向している基板を使用するとほ
ぼ０°の角度で選択エツチングが進行し、サイドエッチ
の小さ゛欠１５１〜１５ｎからなるイオン引出し用穴部
１５が得られる。 なお、２ｊＩ％性基板としては、ＧａＡｌ１単結晶基板
の場合にも（１００）配向基板を流酸過酸化水素および
水からなる液でエツチングすることによりＳｌヤ結晶の
場合と同様な加工を行うことができる。 １だ、ステンレスなどのような金属薄板を用いることも
できる。 また、上述の実施例では導電性基板の片面に絶縁膜を介
して金攬湧膜を形成する場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、導電性基板の両面に
それぞれ絶縁ｍを介して金属Ｒ模を形成して、上記実施
１タリと同様のイオン引出し用穴部を設けることにより
、これら基板、金槙ｉ１Ｑ膜を各々のグリッドとして↑
、′・）ｈｖすることもできる。さらに、金属薄膜は、
ＴｊあるいはＣｒなどの一中層に限らず、これら金属の
絹合せによるｔｒｒ層↑ｊ・１゛造にすることもできる
。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれは、イオン生成室より
生成されるイオンを加速するグリッド間の距離を短かく
かつ均一に保持することができるので、イオノビーム装
置において広ｌ：・囲の加速箱、圧で大電流を得ること
ができ、したがって、エツチング装置に用いてエツチン
グ速度を増加させることができるとともに、イオンビー
ムスパッタ成膜装置に用いて成膜速度を高めることがで
きる等の効果がある。
１位を加えると、イオン生成室Ａより生成されるイオン
が２枚のグリッド５，６間で加速されて被エツチング材
９に衝突し、スパッタ現象によりエツチングが生ずる。 この場合、各グリッド５，６より引出されるイオン電流
密度ｊは以下に示すチャイルドの法則により与えられる
。 ｊ ＝ （４ｔ ６ ／９ ） （２ｅ ７ｍ ）”２
Ｖ３Ａ／ Ｌまただし、ｅｏ″゛グリッド間媒質の誘電
率翳−イオンの電荷と質量との比 ■ニゲリッド間電位差 ｔニゲリッド間隔 上式からイオン電流密度を大きくするためにはグリッド
５，６の間隔を小さくしなければならないことがわかる
。しかし、グリッド５，６の間隔を小さくすると、加工
時に生ずる変形等のためにグリッド全面において距離を
等しく一定に保つことが困雛になる。また、動作時にお
ける熱変形によりグリッド５，６間の接触等も生じゃす
くなる。 そのため、グリッド間の距離を余り小さくすることはで
きず、従来のグリッド構造では大イオン電流値を得るこ
とが困離である。特に、イオンビーム装置は第１図に示
したようなドライエツチング装置として、あるいは上記
被エツチング材９の代りにターゲツト材をおき、第１図
の点線で示す基板１０をおくことＫよりスパッタ成膜装
置として良く使用されているが、大きなイオン電流値が
得られないために、エツチング速度や成膜速度が遅いと
いう欠点があった。 〔発明の概要〕 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的はイオン生成室より生成されるイオンを加速するグ
リッド間の距離を短かくかつ均一に保つことにより、低
加速電圧においても大きなイオン電流を引出すことので
きるイオンビーム装置用グリッドを提供することにある
。 こめような目的を達成するために、本発明は、導電性を
有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被着形成さ
れた金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一方の金属
薄膜より別記絶縁膜を別して他方の基板へ貫通する穴が
選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とからグリッ
ドを構成し、前記金属薄膜を第１のグリッドとしかつ前
記基板を第２のグリッドとしてこれらグリッドに所定の
電位を付与することにより、イオンビーム生成室よシ作
成されるイオンビーム全加速し引出すようにしたもので
ある。以下、本発明の実施例を図面忙基いて詳細に説明
する。 〔実施例〕 第３図は本発明の一実施例によるイオンビーム装置用グ
リッドの要部断面図であり、この実施例のグリッド１１
は、Ｓ１単結晶などの導電性基板１２上にＳｉ ０２
ｒ Ａｔｚ Ｏ３などの絶縁膜１３を均一に形成すると
ともに、この絶縁膜１３上にＴｌ 、 Ｃ。 などの金属薄膜１４を形成し、これら基板１２と金属薄
膜１４間に、該金属Ｗｆ、膜１４よシ絶縁膜１３を通し
て基板１２へ貫通する多数の穴１５１〜１５ｎが選択的
にあけられたイオン引出し用の穴部１５が形成されてい
る。 このようにして作成されたグリッドは、例えば上述した
第１図のイオンビームエツチング装ｆＪ！ｔＫ適用する
場合、イオン生成室Ａとニュートラライザ７との間に配
置されるもので、導電性基板１２をスクリーングリッド
としかつ金属薄膜１４をアクセラレータグリッドとして
それぞれ所定の電位を印加することにより、イオン生成
室よりのイオンを加速して引出すことができる。したが
って、上記実施例のグリッド構造は、５インチ径ぐらい
の面積までの基板１２上にＲＦスパッタ法等を用いてＪ
Ｏｚ ＋ Ａｔｚ ０３等の絶縁膜１３ｔ５０μｍ程
度までの厚さに均一に成膜することができる。それゆえ
、基板１２および金属薄膜１４は極く短い一定の間隔で
保持されることになるので、低電圧においても大きなイ
オン電流を得ることができる。 また、上記基板１２に熱・変形が生じても従来のように
２枚のグリッドが接触することはないので、動作７５−
Ｘ損なわれることもない。さらに、絶縁膜１３としての
Ｓｉ ０２の耐圧特性は２０〜４０に′ｖ／ＷｒＭに及
ぶため、この絶縁膜の厚さが５０μｍの場合でも１〜２
ＫＶの加速電圧を加えることができ、これにより広範囲
の加速電圧において大正、流を得ることができるなどの
効果を有する。なお、上記実施例のグリッド構造におい
て導電性基板１２をアクセラレータグリッド、金属薄膜
１４をスクリーングリッドとしても同様な効果が得られ
ることは上述の説明からも明らかである。 第４図に導電性基板１２として１〜２×１０Ω・−の固
有抵抗をもつＳ１単結晶を用いた場合の製造工程の一例
を示す。同図において、まずＳｉ単結晶基板１２の表面
上に絶縁膜として５１０２膜１３を所定の厚さにスパッ
タ等の手段により成膜する。 このとき、Ｓ１単結晶基板１２の表面を熱酸化して５ｉ
０２膜全形成してもよい。その後、５１０２膜１３ 、
Ｓｉ単結晶基板１２に対して選択エツチングの可能な
Ｔ１等の金属薄膜１４を５１０２膜１３上に形成する（
第４図（ａ））。次いで通常のフ第１・リングラフィ技
術により金縞薄膜１４を所定のパターンにエツチングし
て選択的に穴１５３〜１５ｎ（図では１５１，１５２の
み）をあける（第４図（ｂ））。 つぎにこの金１８４Ｎｍ １４ ｋマスクにして５１０
２膜１３、Ｓ＋ＩＩｌ結晶基板１２のエツチングを行う
（第４図（Ｃ））。このとき、５ＩＯｚｌｅＮ１３のウ
ェットエツチングには緩衝フッ酸液が良く使用されるが
、エツチング量が大きい場合にはＳｉＯ２膜１３のサイ
ドエッチが大きく微細加工が困難である。また、緩衝フ
ッ酸液に対してマスクとして作用する適当な金属薄膜が
ない。それゆえ、５１０２膜１３はＣＦ系ガスによるイ
オンビームエツチングでもエツチングされる。このＣＦ
４ガスのイオンビームエツチングによる５１０２膜１３
のエツチング速度を第５図に示す。第５図はエツチング
条件として／Ｊｌ＋速電圧ＩＫＶ、電流密夏１ｍｈ／ｅ
ｒａの場合を示し、符号Ｉは動作真空度に対する５ｉ０
２膜１３のエツチング速度を示し、符号■ｌＩは金属薄
膜１４としてのＴＩ＋Ｃｒのエツチング速度も合わせて
示している。同図から明らかなように、 ５ｉＯｚＤＪ
ｌ ３とＴｌ 、 Ｃｒ薄膜のエツチング速度比はｌＸ
ｌ０ Ｔｏｒｒ以上において６以上になるので、数１０
μｍの厚さノ５ｉＯｚ ＨＫＩ ３に対してもサイドエ
ッチの少ない加工を行うことができる。１次、Ｔｉ 、
Ｃ，薄膜は後述するＳｌ単結晶基板１２のエツチング
液ではエツチングされないので、Ｓ１単結晶基板のエツ
チング後もグリッドとして作用させることができる。 しかして、５ｉ０２膜１３をエツチングした後、この５
１０ｚ膜’ｔマスクとしてエチレンジアミン。 ピロカテコール、および水の混合物でＳｉ単結晶基板１
２をエツチングする。良く知られているように上記のエ
ツチング液では】００℃における＜１００＞ 。 ＜１１０＞ および（１１Ｄ結晶軸方向のエツチング速
度比は５０ ： ３０ ： ３μｍ／ｈｒになる。それ
ゆえ２面の垂直方向が＜１００＞方向に配向している基
板を使用すれば面の垂直方向に対して約３５．３°の、
また＜１１０＞方向に配向している基板を使用するとほ
ぼ０°の角度で選択エツチングが進行し、サイドエッチ
の小さ゛欠１５１〜１５ｎからなるイオン引出し用穴部
１５が得られる。 なお、２ｊＩ％性基板としては、ＧａＡｌ１単結晶基板
の場合にも（１００）配向基板を流酸過酸化水素および
水からなる液でエツチングすることによりＳｌヤ結晶の
場合と同様な加工を行うことができる。 １だ、ステンレスなどのような金属薄板を用いることも
できる。 また、上述の実施例では導電性基板の片面に絶縁膜を介
して金攬湧膜を形成する場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、導電性基板の両面に
それぞれ絶縁ｍを介して金属Ｒ模を形成して、上記実施
１タリと同様のイオン引出し用穴部を設けることにより
、これら基板、金槙ｉ１Ｑ膜を各々のグリッドとして↑
、′・）ｈｖすることもできる。さらに、金属薄膜は、
ＴｊあるいはＣｒなどの一中層に限らず、これら金属の
絹合せによるｔｒｒ層↑ｊ・１゛造にすることもできる
。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれは、イオン生成室より
生成されるイオンを加速するグリッド間の距離を短かく
かつ均一に保持することができるので、イオノビーム装
置において広ｌ：・囲の加速箱、圧で大電流を得ること
ができ、したがって、エツチング装置に用いてエツチン
グ速度を増加させることができるとともに、イオンビー
ムスパッタ成膜装置に用いて成膜速度を高めることがで
きる等の効果がある。
第１図は通常周知のカウフマン型イオノビームエツチン
グ装置の概略図、第２図は第１図のグリッドの概略断面
図、第３図は本発明の一犬施例の要部断面図、第４図は
本発明の一実施例の製造工程図、第５図１はＣＦ系ガス
によるイオンビームエツチング時のＳ ｉ ０２ ＋
ＴｒおよびＣｒＭの工、ノチ／グ速度と動作真空度との
関係を示す特性図である。 Ａ・・・・イオン生成室、Ｂ・・・・試料至、１・・・
・カソード、２−・・・アノード、３・・・・マグネッ
ト、４・・・・ガス導入［コ、５−・・・スクリーング
リッド、６・−・僧アクセラレータグリッド、７壽−・
拳ニュートラライザ、８・・・・試料台、９・・・・被
エツチング材、１２−・・・導電性基板（スクリーング
リッド）、１３・・・・絶縁層、１４・・・・金属′Ａ
９摸（アクセラレータグリッド）、１５・・・・イオン
引出し用穴部。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山川政樹（ほか１名） 第１図 第２図 第３図 市 第４図
グ装置の概略図、第２図は第１図のグリッドの概略断面
図、第３図は本発明の一犬施例の要部断面図、第４図は
本発明の一実施例の製造工程図、第５図１はＣＦ系ガス
によるイオンビームエツチング時のＳ ｉ ０２ ＋
ＴｒおよびＣｒＭの工、ノチ／グ速度と動作真空度との
関係を示す特性図である。 Ａ・・・・イオン生成室、Ｂ・・・・試料至、１・・・
・カソード、２−・・・アノード、３・・・・マグネッ
ト、４・・・・ガス導入［コ、５−・・・スクリーング
リッド、６・−・僧アクセラレータグリッド、７壽−・
拳ニュートラライザ、８・・・・試料台、９・・・・被
エツチング材、１２−・・・導電性基板（スクリーング
リッド）、１３・・・・絶縁層、１４・・・・金属′Ａ
９摸（アクセラレータグリッド）、１５・・・・イオン
引出し用穴部。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山川政樹（ほか１名） 第１図 第２図 第３図 市 第４図
Claims (1)
- 導電性を有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被
着形成された金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一
方の金属薄膜より前記絶縁膜を通して他方の基板へ質通
する穴が選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とか
ら構成したことを特徴とするイオンビーム装置用グリッ
ド、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059784A JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059784A JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246546A true JPS60246546A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14278274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10059784A Pending JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246546A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0230290A2 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-29 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Extraktionsgittern für Ionenquellen und durch das Verfahren hergestellte Extraktionsgitter |
| EP0353245A1 (en) * | 1987-03-20 | 1990-02-07 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion etching and deposition |
| JPH0594794A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | イオンソースグリツド |
| KR100585937B1 (ko) | 2004-12-06 | 2006-06-07 | 학교법인 성균관대학 | 개선된 이온빔 소오스 |
| JP2015046645A (ja) * | 2011-10-31 | 2015-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビームエッチング装置 |
| CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10059784A patent/JPS60246546A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0230290A2 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-29 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Extraktionsgittern für Ionenquellen und durch das Verfahren hergestellte Extraktionsgitter |
| JPS62229640A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-10-08 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | イオン源用抽出格子の製法及び抽出格子 |
| EP0230290A3 (de) * | 1986-01-21 | 1988-11-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Extraktionsgittern für Ionenquellen und durch das Verfahren hergestellte Extraktionsgitter |
| EP0353245A1 (en) * | 1987-03-20 | 1990-02-07 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion etching and deposition |
| JPH0594794A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | イオンソースグリツド |
| KR100585937B1 (ko) | 2004-12-06 | 2006-06-07 | 학교법인 성균관대학 | 개선된 이온빔 소오스 |
| JP2015046645A (ja) * | 2011-10-31 | 2015-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビームエッチング装置 |
| US10388491B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-08-20 | Canon Anelva Corporation | Ion beam etching method of magnetic film and ion beam etching apparatus |
| CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
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