JPS60246546A - イオンビ−ム装置用グリツド - Google Patents
イオンビ−ム装置用グリツドInfo
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- JPS60246546A JPS60246546A JP10059784A JP10059784A JPS60246546A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A
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- Japan
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- thin film
- substrate
- metal thin
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、大口径のイオン生成室、を試料に照射してエ
ツチングなどを行うイオンビーム装置に係り、特に低加
速電圧においても大きなイオン電流を引出すことのでき
るイオンビーム装置用グリッドの構造に関するものであ
る。 〔従来技術〕 第1図は上記イオンビーム装置として通常良く使用され
るカウフマン形イオンビームエツチング装置の概略図で
ある。同図において、1はイオン生成室A内の中央に支
持された熱電子放出用カソード、2はこのカソード1の
周面に配置された同筒状のアノード、3Viイオン生成
室Aの外側に設けられたプラズマ発生用マグネット、4
1−1イオン生成室A内にアルゴンなどの不活性ガスを
導入するガス導入口である。また、5,6はイオン生成
室Aの外側にそれぞれ支持部材(図示せず)で支持され
て該イオン生成家人より生成されるイオンを加速するた
めのグリッド、7はこれらグリッド5.6にて引出され
たイオンを申付化するためのニュートラライザ(中和電
極ともいう)であり、このイオンが試*+UB内の試料
台8に載置された被エツチング材9に胛射されるように
(n成されている。 ここで、プラズマ発生用マグネット3により磁界を発生
させた状態でカソード1から熱電千金放出させると、熱
電子はサイクロ)oン運動を開始する。そして、アノー
ド2に電位を加えた状態でガス導入口4からアルゴンな
どの不活性ガスを導入すると、不活性ガスはカソード1
よりの熱電子の衝撃によってプラズマ化し、このプラズ
マはイオン生成室A内に分布してその外側にあるグリッ
ド5,6により引出される。このとき、グリッド5.6
は、第2図にその断面を示すように1通常は5簡以下の
穴を多数個あけた導電性の2枚の円板を各々の穴の位置
がそろうように一定の距離をおいて対向させた構造を有
しており、プラズマに面するものをスクリーングリッド
(5)および被エツチング材9に対向するものをアクセ
ラレータグリッド(6)と称する。しかして、このアク
セラレータグリッド6に負電位ヲ、捷だスクリーングリ
ッド5、アノード2およびカソード1の各電極に正′
ツチングなどを行うイオンビーム装置に係り、特に低加
速電圧においても大きなイオン電流を引出すことのでき
るイオンビーム装置用グリッドの構造に関するものであ
る。 〔従来技術〕 第1図は上記イオンビーム装置として通常良く使用され
るカウフマン形イオンビームエツチング装置の概略図で
ある。同図において、1はイオン生成室A内の中央に支
持された熱電子放出用カソード、2はこのカソード1の
周面に配置された同筒状のアノード、3Viイオン生成
室Aの外側に設けられたプラズマ発生用マグネット、4
1−1イオン生成室A内にアルゴンなどの不活性ガスを
導入するガス導入口である。また、5,6はイオン生成
室Aの外側にそれぞれ支持部材(図示せず)で支持され
て該イオン生成家人より生成されるイオンを加速するた
めのグリッド、7はこれらグリッド5.6にて引出され
たイオンを申付化するためのニュートラライザ(中和電
極ともいう)であり、このイオンが試*+UB内の試料
台8に載置された被エツチング材9に胛射されるように
(n成されている。 ここで、プラズマ発生用マグネット3により磁界を発生
させた状態でカソード1から熱電千金放出させると、熱
電子はサイクロ)oン運動を開始する。そして、アノー
ド2に電位を加えた状態でガス導入口4からアルゴンな
どの不活性ガスを導入すると、不活性ガスはカソード1
よりの熱電子の衝撃によってプラズマ化し、このプラズ
マはイオン生成室A内に分布してその外側にあるグリッ
ド5,6により引出される。このとき、グリッド5.6
は、第2図にその断面を示すように1通常は5簡以下の
穴を多数個あけた導電性の2枚の円板を各々の穴の位置
がそろうように一定の距離をおいて対向させた構造を有
しており、プラズマに面するものをスクリーングリッド
(5)および被エツチング材9に対向するものをアクセ
ラレータグリッド(6)と称する。しかして、このアク
セラレータグリッド6に負電位ヲ、捷だスクリーングリ
ッド5、アノード2およびカソード1の各電極に正′
【
1位を加えると、イオン生成室Aより生成されるイオン
が2枚のグリッド5,6間で加速されて被エツチング材
9に衝突し、スパッタ現象によりエツチングが生ずる。 この場合、各グリッド5,6より引出されるイオン電流
密度jは以下に示すチャイルドの法則により与えられる
。 j = (4t 6 /9 ) (2e 7m )”2
V3A/ Lまただし、eo″゛グリッド間媒質の誘電
率翳−イオンの電荷と質量との比 ■ニゲリッド間電位差 tニゲリッド間隔 上式からイオン電流密度を大きくするためにはグリッド
5,6の間隔を小さくしなければならないことがわかる
。しかし、グリッド5,6の間隔を小さくすると、加工
時に生ずる変形等のためにグリッド全面において距離を
等しく一定に保つことが困雛になる。また、動作時にお
ける熱変形によりグリッド5,6間の接触等も生じゃす
くなる。 そのため、グリッド間の距離を余り小さくすることはで
きず、従来のグリッド構造では大イオン電流値を得るこ
とが困離である。特に、イオンビーム装置は第1図に示
したようなドライエツチング装置として、あるいは上記
被エツチング材9の代りにターゲツト材をおき、第1図
の点線で示す基板10をおくことKよりスパッタ成膜装
置として良く使用されているが、大きなイオン電流値が
得られないために、エツチング速度や成膜速度が遅いと
いう欠点があった。 〔発明の概要〕 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的はイオン生成室より生成されるイオンを加速するグ
リッド間の距離を短かくかつ均一に保つことにより、低
加速電圧においても大きなイオン電流を引出すことので
きるイオンビーム装置用グリッドを提供することにある
。 こめような目的を達成するために、本発明は、導電性を
有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被着形成さ
れた金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一方の金属
薄膜より別記絶縁膜を別して他方の基板へ貫通する穴が
選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とからグリッ
ドを構成し、前記金属薄膜を第1のグリッドとしかつ前
記基板を第2のグリッドとしてこれらグリッドに所定の
電位を付与することにより、イオンビーム生成室よシ作
成されるイオンビーム全加速し引出すようにしたもので
ある。以下、本発明の実施例を図面忙基いて詳細に説明
する。 〔実施例〕 第3図は本発明の一実施例によるイオンビーム装置用グ
リッドの要部断面図であり、この実施例のグリッド11
は、S1単結晶などの導電性基板12上にSi 02
r Atz O3などの絶縁膜13を均一に形成すると
ともに、この絶縁膜13上にTl 、 C。 などの金属薄膜14を形成し、これら基板12と金属薄
膜14間に、該金属Wf、膜14よシ絶縁膜13を通し
て基板12へ貫通する多数の穴151〜15nが選択的
にあけられたイオン引出し用の穴部15が形成されてい
る。 このようにして作成されたグリッドは、例えば上述した
第1図のイオンビームエツチング装fJ!tK適用する
場合、イオン生成室Aとニュートラライザ7との間に配
置されるもので、導電性基板12をスクリーングリッド
としかつ金属薄膜14をアクセラレータグリッドとして
それぞれ所定の電位を印加することにより、イオン生成
室よりのイオンを加速して引出すことができる。したが
って、上記実施例のグリッド構造は、5インチ径ぐらい
の面積までの基板12上にRFスパッタ法等を用いてJ
Oz + Atz 03等の絶縁膜13t50μm程
度までの厚さに均一に成膜することができる。それゆえ
、基板12および金属薄膜14は極く短い一定の間隔で
保持されることになるので、低電圧においても大きなイ
オン電流を得ることができる。 また、上記基板12に熱・変形が生じても従来のように
2枚のグリッドが接触することはないので、動作75−
X損なわれることもない。さらに、絶縁膜13としての
Si 02の耐圧特性は20〜40に′v/WrMに及
ぶため、この絶縁膜の厚さが50μmの場合でも1〜2
KVの加速電圧を加えることができ、これにより広範囲
の加速電圧において大正、流を得ることができるなどの
効果を有する。なお、上記実施例のグリッド構造におい
て導電性基板12をアクセラレータグリッド、金属薄膜
14をスクリーングリッドとしても同様な効果が得られ
ることは上述の説明からも明らかである。 第4図に導電性基板12として1〜2×10Ω・−の固
有抵抗をもつS1単結晶を用いた場合の製造工程の一例
を示す。同図において、まずSi単結晶基板12の表面
上に絶縁膜として5102膜13を所定の厚さにスパッ
タ等の手段により成膜する。 このとき、S1単結晶基板12の表面を熱酸化して5i
02膜全形成してもよい。その後、5102膜13 、
Si単結晶基板12に対して選択エツチングの可能な
T1等の金属薄膜14を5102膜13上に形成する(
第4図(a))。次いで通常のフ第1・リングラフィ技
術により金縞薄膜14を所定のパターンにエツチングし
て選択的に穴153〜15n(図では151,152の
み)をあける(第4図(b))。 つぎにこの金184Nm 14 kマスクにして510
2膜13、S+IIl結晶基板12のエツチングを行う
(第4図(C))。このとき、5IOzleN13のウ
ェットエツチングには緩衝フッ酸液が良く使用されるが
、エツチング量が大きい場合にはSiO2膜13のサイ
ドエッチが大きく微細加工が困難である。また、緩衝フ
ッ酸液に対してマスクとして作用する適当な金属薄膜が
ない。それゆえ、5102膜13はCF系ガスによるイ
オンビームエツチングでもエツチングされる。このCF
4ガスのイオンビームエツチングによる5102膜13
のエツチング速度を第5図に示す。第5図はエツチング
条件として/Jl+速電圧IKV、電流密夏1mh/e
raの場合を示し、符号Iは動作真空度に対する5i0
2膜13のエツチング速度を示し、符号■lIは金属薄
膜14としてのTI+Crのエツチング速度も合わせて
示している。同図から明らかなように、 5iOzDJ
l 3とTl 、 Cr薄膜のエツチング速度比はlX
l0 Torr以上において6以上になるので、数10
μmの厚さノ5iOz HKI 3に対してもサイドエ
ッチの少ない加工を行うことができる。1次、Ti 、
C,薄膜は後述するSl単結晶基板12のエツチング
液ではエツチングされないので、S1単結晶基板のエツ
チング後もグリッドとして作用させることができる。 しかして、5i02膜13をエツチングした後、この5
10z膜’tマスクとしてエチレンジアミン。 ピロカテコール、および水の混合物でSi単結晶基板1
2をエツチングする。良く知られているように上記のエ
ツチング液では】00℃における<100> 。 <110> および(11D結晶軸方向のエツチング速
度比は50 : 30 : 3μm/hrになる。それ
ゆえ2面の垂直方向が<100>方向に配向している基
板を使用すれば面の垂直方向に対して約35.3°の、
また<110>方向に配向している基板を使用するとほ
ぼ0°の角度で選択エツチングが進行し、サイドエッチ
の小さ゛欠151〜15nからなるイオン引出し用穴部
15が得られる。 なお、2jI%性基板としては、GaAl1単結晶基板
の場合にも(100)配向基板を流酸過酸化水素および
水からなる液でエツチングすることによりSlヤ結晶の
場合と同様な加工を行うことができる。 1だ、ステンレスなどのような金属薄板を用いることも
できる。 また、上述の実施例では導電性基板の片面に絶縁膜を介
して金攬湧膜を形成する場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、導電性基板の両面に
それぞれ絶縁mを介して金属R模を形成して、上記実施
1タリと同様のイオン引出し用穴部を設けることにより
、これら基板、金槙i1Q膜を各々のグリッドとして↑
、′・)hvすることもできる。さらに、金属薄膜は、
TjあるいはCrなどの一中層に限らず、これら金属の
絹合せによるtrr層↑j・1゛造にすることもできる
。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれは、イオン生成室より
生成されるイオンを加速するグリッド間の距離を短かく
かつ均一に保持することができるので、イオノビーム装
置において広l:・囲の加速箱、圧で大電流を得ること
ができ、したがって、エツチング装置に用いてエツチン
グ速度を増加させることができるとともに、イオンビー
ムスパッタ成膜装置に用いて成膜速度を高めることがで
きる等の効果がある。
1位を加えると、イオン生成室Aより生成されるイオン
が2枚のグリッド5,6間で加速されて被エツチング材
9に衝突し、スパッタ現象によりエツチングが生ずる。 この場合、各グリッド5,6より引出されるイオン電流
密度jは以下に示すチャイルドの法則により与えられる
。 j = (4t 6 /9 ) (2e 7m )”2
V3A/ Lまただし、eo″゛グリッド間媒質の誘電
率翳−イオンの電荷と質量との比 ■ニゲリッド間電位差 tニゲリッド間隔 上式からイオン電流密度を大きくするためにはグリッド
5,6の間隔を小さくしなければならないことがわかる
。しかし、グリッド5,6の間隔を小さくすると、加工
時に生ずる変形等のためにグリッド全面において距離を
等しく一定に保つことが困雛になる。また、動作時にお
ける熱変形によりグリッド5,6間の接触等も生じゃす
くなる。 そのため、グリッド間の距離を余り小さくすることはで
きず、従来のグリッド構造では大イオン電流値を得るこ
とが困離である。特に、イオンビーム装置は第1図に示
したようなドライエツチング装置として、あるいは上記
被エツチング材9の代りにターゲツト材をおき、第1図
の点線で示す基板10をおくことKよりスパッタ成膜装
置として良く使用されているが、大きなイオン電流値が
得られないために、エツチング速度や成膜速度が遅いと
いう欠点があった。 〔発明の概要〕 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的はイオン生成室より生成されるイオンを加速するグ
リッド間の距離を短かくかつ均一に保つことにより、低
加速電圧においても大きなイオン電流を引出すことので
きるイオンビーム装置用グリッドを提供することにある
。 こめような目的を達成するために、本発明は、導電性を
有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被着形成さ
れた金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一方の金属
薄膜より別記絶縁膜を別して他方の基板へ貫通する穴が
選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とからグリッ
ドを構成し、前記金属薄膜を第1のグリッドとしかつ前
記基板を第2のグリッドとしてこれらグリッドに所定の
電位を付与することにより、イオンビーム生成室よシ作
成されるイオンビーム全加速し引出すようにしたもので
ある。以下、本発明の実施例を図面忙基いて詳細に説明
する。 〔実施例〕 第3図は本発明の一実施例によるイオンビーム装置用グ
リッドの要部断面図であり、この実施例のグリッド11
は、S1単結晶などの導電性基板12上にSi 02
r Atz O3などの絶縁膜13を均一に形成すると
ともに、この絶縁膜13上にTl 、 C。 などの金属薄膜14を形成し、これら基板12と金属薄
膜14間に、該金属Wf、膜14よシ絶縁膜13を通し
て基板12へ貫通する多数の穴151〜15nが選択的
にあけられたイオン引出し用の穴部15が形成されてい
る。 このようにして作成されたグリッドは、例えば上述した
第1図のイオンビームエツチング装fJ!tK適用する
場合、イオン生成室Aとニュートラライザ7との間に配
置されるもので、導電性基板12をスクリーングリッド
としかつ金属薄膜14をアクセラレータグリッドとして
それぞれ所定の電位を印加することにより、イオン生成
室よりのイオンを加速して引出すことができる。したが
って、上記実施例のグリッド構造は、5インチ径ぐらい
の面積までの基板12上にRFスパッタ法等を用いてJ
Oz + Atz 03等の絶縁膜13t50μm程
度までの厚さに均一に成膜することができる。それゆえ
、基板12および金属薄膜14は極く短い一定の間隔で
保持されることになるので、低電圧においても大きなイ
オン電流を得ることができる。 また、上記基板12に熱・変形が生じても従来のように
2枚のグリッドが接触することはないので、動作75−
X損なわれることもない。さらに、絶縁膜13としての
Si 02の耐圧特性は20〜40に′v/WrMに及
ぶため、この絶縁膜の厚さが50μmの場合でも1〜2
KVの加速電圧を加えることができ、これにより広範囲
の加速電圧において大正、流を得ることができるなどの
効果を有する。なお、上記実施例のグリッド構造におい
て導電性基板12をアクセラレータグリッド、金属薄膜
14をスクリーングリッドとしても同様な効果が得られ
ることは上述の説明からも明らかである。 第4図に導電性基板12として1〜2×10Ω・−の固
有抵抗をもつS1単結晶を用いた場合の製造工程の一例
を示す。同図において、まずSi単結晶基板12の表面
上に絶縁膜として5102膜13を所定の厚さにスパッ
タ等の手段により成膜する。 このとき、S1単結晶基板12の表面を熱酸化して5i
02膜全形成してもよい。その後、5102膜13 、
Si単結晶基板12に対して選択エツチングの可能な
T1等の金属薄膜14を5102膜13上に形成する(
第4図(a))。次いで通常のフ第1・リングラフィ技
術により金縞薄膜14を所定のパターンにエツチングし
て選択的に穴153〜15n(図では151,152の
み)をあける(第4図(b))。 つぎにこの金184Nm 14 kマスクにして510
2膜13、S+IIl結晶基板12のエツチングを行う
(第4図(C))。このとき、5IOzleN13のウ
ェットエツチングには緩衝フッ酸液が良く使用されるが
、エツチング量が大きい場合にはSiO2膜13のサイ
ドエッチが大きく微細加工が困難である。また、緩衝フ
ッ酸液に対してマスクとして作用する適当な金属薄膜が
ない。それゆえ、5102膜13はCF系ガスによるイ
オンビームエツチングでもエツチングされる。このCF
4ガスのイオンビームエツチングによる5102膜13
のエツチング速度を第5図に示す。第5図はエツチング
条件として/Jl+速電圧IKV、電流密夏1mh/e
raの場合を示し、符号Iは動作真空度に対する5i0
2膜13のエツチング速度を示し、符号■lIは金属薄
膜14としてのTI+Crのエツチング速度も合わせて
示している。同図から明らかなように、 5iOzDJ
l 3とTl 、 Cr薄膜のエツチング速度比はlX
l0 Torr以上において6以上になるので、数10
μmの厚さノ5iOz HKI 3に対してもサイドエ
ッチの少ない加工を行うことができる。1次、Ti 、
C,薄膜は後述するSl単結晶基板12のエツチング
液ではエツチングされないので、S1単結晶基板のエツ
チング後もグリッドとして作用させることができる。 しかして、5i02膜13をエツチングした後、この5
10z膜’tマスクとしてエチレンジアミン。 ピロカテコール、および水の混合物でSi単結晶基板1
2をエツチングする。良く知られているように上記のエ
ツチング液では】00℃における<100> 。 <110> および(11D結晶軸方向のエツチング速
度比は50 : 30 : 3μm/hrになる。それ
ゆえ2面の垂直方向が<100>方向に配向している基
板を使用すれば面の垂直方向に対して約35.3°の、
また<110>方向に配向している基板を使用するとほ
ぼ0°の角度で選択エツチングが進行し、サイドエッチ
の小さ゛欠151〜15nからなるイオン引出し用穴部
15が得られる。 なお、2jI%性基板としては、GaAl1単結晶基板
の場合にも(100)配向基板を流酸過酸化水素および
水からなる液でエツチングすることによりSlヤ結晶の
場合と同様な加工を行うことができる。 1だ、ステンレスなどのような金属薄板を用いることも
できる。 また、上述の実施例では導電性基板の片面に絶縁膜を介
して金攬湧膜を形成する場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、導電性基板の両面に
それぞれ絶縁mを介して金属R模を形成して、上記実施
1タリと同様のイオン引出し用穴部を設けることにより
、これら基板、金槙i1Q膜を各々のグリッドとして↑
、′・)hvすることもできる。さらに、金属薄膜は、
TjあるいはCrなどの一中層に限らず、これら金属の
絹合せによるtrr層↑j・1゛造にすることもできる
。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれは、イオン生成室より
生成されるイオンを加速するグリッド間の距離を短かく
かつ均一に保持することができるので、イオノビーム装
置において広l:・囲の加速箱、圧で大電流を得ること
ができ、したがって、エツチング装置に用いてエツチン
グ速度を増加させることができるとともに、イオンビー
ムスパッタ成膜装置に用いて成膜速度を高めることがで
きる等の効果がある。
第1図は通常周知のカウフマン型イオノビームエツチン
グ装置の概略図、第2図は第1図のグリッドの概略断面
図、第3図は本発明の一犬施例の要部断面図、第4図は
本発明の一実施例の製造工程図、第5図1はCF系ガス
によるイオンビームエツチング時のS i 02 +
TrおよびCrMの工、ノチ/グ速度と動作真空度との
関係を示す特性図である。 A・・・・イオン生成室、B・・・・試料至、1・・・
・カソード、2−・・・アノード、3・・・・マグネッ
ト、4・・・・ガス導入[コ、5−・・・スクリーング
リッド、6・−・僧アクセラレータグリッド、7壽−・
拳ニュートラライザ、8・・・・試料台、9・・・・被
エツチング材、12−・・・導電性基板(スクリーング
リッド)、13・・・・絶縁層、14・・・・金属′A
9摸(アクセラレータグリッド)、15・・・・イオン
引出し用穴部。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山川政樹(ほか1名) 第1図 第2図 第3図 市 第4図
グ装置の概略図、第2図は第1図のグリッドの概略断面
図、第3図は本発明の一犬施例の要部断面図、第4図は
本発明の一実施例の製造工程図、第5図1はCF系ガス
によるイオンビームエツチング時のS i 02 +
TrおよびCrMの工、ノチ/グ速度と動作真空度との
関係を示す特性図である。 A・・・・イオン生成室、B・・・・試料至、1・・・
・カソード、2−・・・アノード、3・・・・マグネッ
ト、4・・・・ガス導入[コ、5−・・・スクリーング
リッド、6・−・僧アクセラレータグリッド、7壽−・
拳ニュートラライザ、8・・・・試料台、9・・・・被
エツチング材、12−・・・導電性基板(スクリーング
リッド)、13・・・・絶縁層、14・・・・金属′A
9摸(アクセラレータグリッド)、15・・・・イオン
引出し用穴部。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 山川政樹(ほか1名) 第1図 第2図 第3図 市 第4図
Claims (1)
- 導電性を有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被
着形成された金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一
方の金属薄膜より前記絶縁膜を通して他方の基板へ質通
する穴が選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とか
ら構成したことを特徴とするイオンビーム装置用グリッ
ド、。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059784A JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059784A JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60246546A true JPS60246546A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14278274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10059784A Pending JPS60246546A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | イオンビ−ム装置用グリツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60246546A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230290A2 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-29 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Extraktionsgittern für Ionenquellen und durch das Verfahren hergestellte Extraktionsgitter |
EP0353245A1 (en) * | 1987-03-20 | 1990-02-07 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion etching and deposition |
JPH0594794A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | イオンソースグリツド |
KR100585937B1 (ko) | 2004-12-06 | 2006-06-07 | 학교법인 성균관대학 | 개선된 이온빔 소오스 |
JP2015046645A (ja) * | 2011-10-31 | 2015-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビームエッチング装置 |
CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
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1984
- 1984-05-21 JP JP10059784A patent/JPS60246546A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62229640A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-10-08 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | イオン源用抽出格子の製法及び抽出格子 |
EP0230290A3 (de) * | 1986-01-21 | 1988-11-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Extraktionsgittern für Ionenquellen und durch das Verfahren hergestellte Extraktionsgitter |
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CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
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