JPS60246546A - Grid for ion beam device - Google Patents
Grid for ion beam deviceInfo
- Publication number
- JPS60246546A JPS60246546A JP10059784A JP10059784A JPS60246546A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP 10059784 A JP10059784 A JP 10059784A JP S60246546 A JPS60246546 A JP S60246546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- thin film
- substrate
- metal thin
- generation chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、大口径のイオン生成室、を試料に照射してエ
ツチングなどを行うイオンビーム装置に係り、特に低加
速電圧においても大きなイオン電流を引出すことのでき
るイオンビーム装置用グリッドの構造に関するものであ
る。
〔従来技術〕
第1図は上記イオンビーム装置として通常良く使用され
るカウフマン形イオンビームエツチング装置の概略図で
ある。同図において、1はイオン生成室A内の中央に支
持された熱電子放出用カソード、2はこのカソード1の
周面に配置された同筒状のアノード、3Viイオン生成
室Aの外側に設けられたプラズマ発生用マグネット、4
1−1イオン生成室A内にアルゴンなどの不活性ガスを
導入するガス導入口である。また、5,6はイオン生成
室Aの外側にそれぞれ支持部材(図示せず)で支持され
て該イオン生成家人より生成されるイオンを加速するた
めのグリッド、7はこれらグリッド5.6にて引出され
たイオンを申付化するためのニュートラライザ(中和電
極ともいう)であり、このイオンが試*+UB内の試料
台8に載置された被エツチング材9に胛射されるように
(n成されている。
ここで、プラズマ発生用マグネット3により磁界を発生
させた状態でカソード1から熱電千金放出させると、熱
電子はサイクロ)oン運動を開始する。そして、アノー
ド2に電位を加えた状態でガス導入口4からアルゴンな
どの不活性ガスを導入すると、不活性ガスはカソード1
よりの熱電子の衝撃によってプラズマ化し、このプラズ
マはイオン生成室A内に分布してその外側にあるグリッ
ド5,6により引出される。このとき、グリッド5.6
は、第2図にその断面を示すように1通常は5簡以下の
穴を多数個あけた導電性の2枚の円板を各々の穴の位置
がそろうように一定の距離をおいて対向させた構造を有
しており、プラズマに面するものをスクリーングリッド
(5)および被エツチング材9に対向するものをアクセ
ラレータグリッド(6)と称する。しかして、このアク
セラレータグリッド6に負電位ヲ、捷だスクリーングリ
ッド5、アノード2およびカソード1の各電極に正′[Technical Field of the Invention] The present invention relates to an ion beam device that performs etching by irradiating a sample with a large-diameter ion generation chamber, and in particular an ion beam device that can draw out a large ion current even at a low acceleration voltage. This concerns the structure of the grid. [Prior Art] FIG. 1 is a schematic diagram of a Kauffman type ion beam etching apparatus which is commonly used as the above-mentioned ion beam apparatus. In the figure, 1 is a thermionic emission cathode supported in the center of the ion generation chamber A, 2 is the same cylindrical anode placed on the circumferential surface of the cathode 1, and 3Vi is installed outside the ion generation chamber A. magnet for plasma generation, 4
1-1 This is a gas introduction port for introducing an inert gas such as argon into the ion generation chamber A. Further, 5 and 6 are grids supported by support members (not shown) outside the ion generation chamber A to accelerate the ions generated by the ion generation member, and 7 is a grid 5 and 6 of these grids. This is a neutralizer (also called a neutralizing electrode) for converting the extracted ions, so that these ions are irradiated onto the material to be etched 9 placed on the sample stage 8 in the test*+UB. Here, when thermoelectrons are emitted from the cathode 1 while a magnetic field is generated by the plasma generating magnet 3, the thermoelectrons start a cyclo)on motion. Then, when an inert gas such as argon is introduced from the gas inlet 4 with a potential applied to the anode 2, the inert gas flows to the cathode 1.
The plasma is turned into plasma by the bombardment of thermionic electrons, and this plasma is distributed within the ion generation chamber A and extracted by grids 5 and 6 located outside the ion generation chamber A. At this time, grid 5.6
As shown in the cross section of Figure 2, two conductive disks with many holes (usually 5 or less in size) are placed facing each other at a certain distance so that the holes are aligned. The grid facing the plasma is called a screen grid (5), and the grid facing the material to be etched 9 is called an accelerator grid (6). Therefore, the accelerator grid 6 has a negative potential, and each electrode of the twisted screen grid 5, anode 2, and cathode 1 has a positive potential.
【
1位を加えると、イオン生成室Aより生成されるイオン
が2枚のグリッド5,6間で加速されて被エツチング材
9に衝突し、スパッタ現象によりエツチングが生ずる。
この場合、各グリッド5,6より引出されるイオン電流
密度jは以下に示すチャイルドの法則により与えられる
。
j = (4t 6 /9 ) (2e 7m )”2
V3A/ Lまただし、eo″゛グリッド間媒質の誘電
率翳−イオンの電荷と質量との比
■ニゲリッド間電位差
tニゲリッド間隔
上式からイオン電流密度を大きくするためにはグリッド
5,6の間隔を小さくしなければならないことがわかる
。しかし、グリッド5,6の間隔を小さくすると、加工
時に生ずる変形等のためにグリッド全面において距離を
等しく一定に保つことが困雛になる。また、動作時にお
ける熱変形によりグリッド5,6間の接触等も生じゃす
くなる。
そのため、グリッド間の距離を余り小さくすることはで
きず、従来のグリッド構造では大イオン電流値を得るこ
とが困離である。特に、イオンビーム装置は第1図に示
したようなドライエツチング装置として、あるいは上記
被エツチング材9の代りにターゲツト材をおき、第1図
の点線で示す基板10をおくことKよりスパッタ成膜装
置として良く使用されているが、大きなイオン電流値が
得られないために、エツチング速度や成膜速度が遅いと
いう欠点があった。
〔発明の概要〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的はイオン生成室より生成されるイオンを加速するグ
リッド間の距離を短かくかつ均一に保つことにより、低
加速電圧においても大きなイオン電流を引出すことので
きるイオンビーム装置用グリッドを提供することにある
。
こめような目的を達成するために、本発明は、導電性を
有する基板と、この基板上に絶縁膜を介して被着形成さ
れた金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一方の金属
薄膜より別記絶縁膜を別して他方の基板へ貫通する穴が
選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とからグリッ
ドを構成し、前記金属薄膜を第1のグリッドとしかつ前
記基板を第2のグリッドとしてこれらグリッドに所定の
電位を付与することにより、イオンビーム生成室よシ作
成されるイオンビーム全加速し引出すようにしたもので
ある。以下、本発明の実施例を図面忙基いて詳細に説明
する。
〔実施例〕
第3図は本発明の一実施例によるイオンビーム装置用グ
リッドの要部断面図であり、この実施例のグリッド11
は、S1単結晶などの導電性基板12上にSi 02
r Atz O3などの絶縁膜13を均一に形成すると
ともに、この絶縁膜13上にTl 、 C。
などの金属薄膜14を形成し、これら基板12と金属薄
膜14間に、該金属Wf、膜14よシ絶縁膜13を通し
て基板12へ貫通する多数の穴151〜15nが選択的
にあけられたイオン引出し用の穴部15が形成されてい
る。
このようにして作成されたグリッドは、例えば上述した
第1図のイオンビームエツチング装fJ!tK適用する
場合、イオン生成室Aとニュートラライザ7との間に配
置されるもので、導電性基板12をスクリーングリッド
としかつ金属薄膜14をアクセラレータグリッドとして
それぞれ所定の電位を印加することにより、イオン生成
室よりのイオンを加速して引出すことができる。したが
って、上記実施例のグリッド構造は、5インチ径ぐらい
の面積までの基板12上にRFスパッタ法等を用いてJ
Oz + Atz 03等の絶縁膜13t50μm程
度までの厚さに均一に成膜することができる。それゆえ
、基板12および金属薄膜14は極く短い一定の間隔で
保持されることになるので、低電圧においても大きなイ
オン電流を得ることができる。
また、上記基板12に熱・変形が生じても従来のように
2枚のグリッドが接触することはないので、動作75−
X損なわれることもない。さらに、絶縁膜13としての
Si 02の耐圧特性は20〜40に′v/WrMに及
ぶため、この絶縁膜の厚さが50μmの場合でも1〜2
KVの加速電圧を加えることができ、これにより広範囲
の加速電圧において大正、流を得ることができるなどの
効果を有する。なお、上記実施例のグリッド構造におい
て導電性基板12をアクセラレータグリッド、金属薄膜
14をスクリーングリッドとしても同様な効果が得られ
ることは上述の説明からも明らかである。
第4図に導電性基板12として1〜2×10Ω・−の固
有抵抗をもつS1単結晶を用いた場合の製造工程の一例
を示す。同図において、まずSi単結晶基板12の表面
上に絶縁膜として5102膜13を所定の厚さにスパッ
タ等の手段により成膜する。
このとき、S1単結晶基板12の表面を熱酸化して5i
02膜全形成してもよい。その後、5102膜13 、
Si単結晶基板12に対して選択エツチングの可能な
T1等の金属薄膜14を5102膜13上に形成する(
第4図(a))。次いで通常のフ第1・リングラフィ技
術により金縞薄膜14を所定のパターンにエツチングし
て選択的に穴153〜15n(図では151,152の
み)をあける(第4図(b))。
つぎにこの金184Nm 14 kマスクにして510
2膜13、S+IIl結晶基板12のエツチングを行う
(第4図(C))。このとき、5IOzleN13のウ
ェットエツチングには緩衝フッ酸液が良く使用されるが
、エツチング量が大きい場合にはSiO2膜13のサイ
ドエッチが大きく微細加工が困難である。また、緩衝フ
ッ酸液に対してマスクとして作用する適当な金属薄膜が
ない。それゆえ、5102膜13はCF系ガスによるイ
オンビームエツチングでもエツチングされる。このCF
4ガスのイオンビームエツチングによる5102膜13
のエツチング速度を第5図に示す。第5図はエツチング
条件として/Jl+速電圧IKV、電流密夏1mh/e
raの場合を示し、符号Iは動作真空度に対する5i0
2膜13のエツチング速度を示し、符号■lIは金属薄
膜14としてのTI+Crのエツチング速度も合わせて
示している。同図から明らかなように、 5iOzDJ
l 3とTl 、 Cr薄膜のエツチング速度比はlX
l0 Torr以上において6以上になるので、数10
μmの厚さノ5iOz HKI 3に対してもサイドエ
ッチの少ない加工を行うことができる。1次、Ti 、
C,薄膜は後述するSl単結晶基板12のエツチング
液ではエツチングされないので、S1単結晶基板のエツ
チング後もグリッドとして作用させることができる。
しかして、5i02膜13をエツチングした後、この5
10z膜’tマスクとしてエチレンジアミン。
ピロカテコール、および水の混合物でSi単結晶基板1
2をエツチングする。良く知られているように上記のエ
ツチング液では】00℃における<100> 。
<110> および(11D結晶軸方向のエツチング速
度比は50 : 30 : 3μm/hrになる。それ
ゆえ2面の垂直方向が<100>方向に配向している基
板を使用すれば面の垂直方向に対して約35.3°の、
また<110>方向に配向している基板を使用するとほ
ぼ0°の角度で選択エツチングが進行し、サイドエッチ
の小さ゛欠151〜15nからなるイオン引出し用穴部
15が得られる。
なお、2jI%性基板としては、GaAl1単結晶基板
の場合にも(100)配向基板を流酸過酸化水素および
水からなる液でエツチングすることによりSlヤ結晶の
場合と同様な加工を行うことができる。
1だ、ステンレスなどのような金属薄板を用いることも
できる。
また、上述の実施例では導電性基板の片面に絶縁膜を介
して金攬湧膜を形成する場合について示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、導電性基板の両面に
それぞれ絶縁mを介して金属R模を形成して、上記実施
1タリと同様のイオン引出し用穴部を設けることにより
、これら基板、金槙i1Q膜を各々のグリッドとして↑
、′・)hvすることもできる。さらに、金属薄膜は、
TjあるいはCrなどの一中層に限らず、これら金属の
絹合せによるtrr層↑j・1゛造にすることもできる
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれは、イオン生成室より
生成されるイオンを加速するグリッド間の距離を短かく
かつ均一に保持することができるので、イオノビーム装
置において広l:・囲の加速箱、圧で大電流を得ること
ができ、したがって、エツチング装置に用いてエツチン
グ速度を増加させることができるとともに、イオンビー
ムスパッタ成膜装置に用いて成膜速度を高めることがで
きる等の効果がある。[
When the first order is added, ions generated from the ion generation chamber A are accelerated between the two grids 5 and 6 and collide with the material to be etched 9, causing etching by a sputtering phenomenon. In this case, the ion current density j drawn from each grid 5, 6 is given by Child's law shown below. j = (4t 6 /9) (2e 7m)”2
V3A/L However, eo''゛Dielectric constant of the intergrid medium - Ratio of charge and mass of ions■Nigerid potential difference tNigerid spacing From the above formula, in order to increase the ion current density, the spacing between grids 5 and 6. However, if the distance between the grids 5 and 6 is made small, it becomes difficult to keep the distance equal and constant over the entire surface of the grid due to deformation that occurs during processing. Contact between the grids 5 and 6 becomes difficult due to thermal deformation in the grid. Therefore, the distance between the grids cannot be made very small, and it is difficult to obtain a large ion current value with the conventional grid structure. In particular, the ion beam apparatus can be used as a dry etching apparatus as shown in FIG. Although it is often used as a film device, it has the drawback that the etching rate and film formation rate are slow because a large ion current value cannot be obtained. The purpose of this is to keep the distance between the grids that accelerate the ions generated from the ion generation chamber short and uniform, thereby creating an ion beam device that can draw a large ion current even at low acceleration voltages. To achieve this objective, the present invention provides a conductive substrate, a metal thin film deposited on the substrate with an insulating film interposed therebetween, and a metal thin film formed on the metal thin film. and a hole portion for ion extraction in which a hole is selectively formed between one metal thin film and the other substrate by separating the separate insulating film from the other substrate, and the metal thin film is used as a first grid. By using the substrate as a second grid and applying a predetermined potential to these grids, the entire ion beam generated from the ion beam generation chamber is accelerated and extracted.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. will be explained in detail with reference to the drawings. [Embodiment] Fig. 3 is a cross-sectional view of a main part of a grid for an ion beam device according to an embodiment of the present invention, and the grid 11 of this embodiment is
is Si02 on a conductive substrate 12 such as S1 single crystal.
An insulating film 13 made of rAtz O3 or the like is formed uniformly, and Tl, C is formed on this insulating film 13. A large number of holes 151 to 15n are selectively formed between the substrate 12 and the metal thin film 14 to penetrate through the metal Wf, the film 14 and the insulating film 13 to the substrate 12. A drawer hole 15 is formed. The grid created in this way can be produced using, for example, the ion beam etching apparatus fJ! shown in FIG. When applying tK, it is placed between the ion generation chamber A and the neutralizer 7, and the conductive substrate 12 is used as a screen grid, and the metal thin film 14 is used as an accelerator grid, and by applying a predetermined potential to each, ions are generated. Ions from the generation chamber can be accelerated and extracted. Therefore, the grid structure of the above embodiment can be created using RF sputtering method etc. on the substrate 12 up to an area of about 5 inches in diameter.
The insulating film 13t, such as Oz + Atz 03, can be uniformly formed to a thickness of about 50 μm. Therefore, since the substrate 12 and the metal thin film 14 are held at a very short constant interval, a large ion current can be obtained even at low voltage. Further, even if the substrate 12 is heated or deformed, the two grids will not come into contact with each other as in the conventional case, so the operation 75-
X will not be damaged. Furthermore, the breakdown voltage characteristic of Si02 as the insulating film 13 ranges from 20 to 40'v/WrM, so even if the thickness of this insulating film is 50 μm,
An accelerating voltage of KV can be applied, which has the effect of being able to obtain Taisho and current over a wide range of accelerating voltages. Note that it is clear from the above description that similar effects can be obtained even when the conductive substrate 12 is used as an accelerator grid and the metal thin film 14 is used as a screen grid in the grid structure of the above embodiment. FIG. 4 shows an example of the manufacturing process when an S1 single crystal having a specific resistance of 1 to 2×10 Ω·- is used as the conductive substrate 12. In the figure, first, a 5102 film 13 is formed as an insulating film on the surface of a Si single crystal substrate 12 to a predetermined thickness by means such as sputtering. At this time, the surface of the S1 single crystal substrate 12 is thermally oxidized to
The entire 02 film may be formed. After that, 5102 membrane 13,
A metal thin film 14 such as T1, which can be selectively etched with respect to the Si single crystal substrate 12, is formed on the 5102 film 13 (
Figure 4(a)). Next, the gold-striped thin film 14 is etched into a predetermined pattern using a conventional first printing technique to selectively form holes 153 to 15n (only 151 and 152 in the figure) (FIG. 4(b)). Next, make this gold 184Nm 14k mask and make it 510
2 film 13 and the S+IIl crystal substrate 12 are etched (FIG. 4(C)). At this time, a buffered hydrofluoric acid solution is often used for wet etching of the 5IOzleN 13, but if the amount of etching is large, side etching of the SiO2 film 13 is large, making microfabrication difficult. Also, there is no suitable metal thin film to act as a mask for the buffered hydrofluoric acid solution. Therefore, the 5102 film 13 can also be etched by ion beam etching using a CF-based gas. This CF
5102 film 13 by 4 gas ion beam etching
FIG. 5 shows the etching speed. Figure 5 shows the etching conditions: /Jl + speed voltage IKV, current density 1mh/e
The case of ra is shown, and the symbol I is 5i0 for the operating vacuum degree.
2 shows the etching rate of the 2 film 13, and the symbol 1I also shows the etching rate of TI+Cr as the metal thin film 14. As is clear from the figure, 5iOzDJ
The etching rate ratio of l3 and Tl, Cr thin film is lX
Since it becomes 6 or more at l0 Torr or more, the number 10
Processing with less side etching can be performed even on 5 iOz HKI 3 with a thickness of μm. Primary, Ti,
Since the thin film C is not etched by the etching solution for the S1 single crystal substrate 12 which will be described later, it can be used as a grid even after the S1 single crystal substrate is etched. After etching the 5i02 film 13, this 5i02 film 13 is etched.
Ethylenediamine as a 10z membrane't mask. Si single crystal substrate 1 with a mixture of pyrocatechol and water
Etch 2. As is well known, in the above etching solution, <100> at 00°C. The etching rate ratio of <110> and (11D crystal axis directions is 50:30:3 μm/hr. Therefore, if a substrate in which the two vertical directions of the two surfaces are oriented in the <100> direction is used, the vertical direction of the surfaces is of about 35.3° to
Further, when a substrate oriented in the <110> direction is used, selective etching proceeds at an angle of approximately 0°, and an ion extraction hole 15 consisting of small side-etched holes 151 to 15n is obtained. As for the 2jI% substrate, in the case of a GaAl1 single crystal substrate, the same processing as in the case of the Sl crystal can be performed by etching the (100) oriented substrate with a solution consisting of hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and water. I can do it. 1. A thin metal plate such as stainless steel can also be used. In addition, although the above-mentioned embodiment shows a case in which a metal film is formed on one side of a conductive substrate via an insulating film, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. By forming a metal R pattern through the insulation m and providing holes for ion extraction similar to those in Example 1 above, these substrates and the Kanamaki i1Q film were each used as a grid ↑
,'·)hv. Furthermore, the metal thin film
The structure is not limited to a medium layer of Tj or Cr, but can also be made of a trr layer ↑j·1゛ made of silk of these metals. [Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the distance between the grids that accelerate the ions generated from the ion generation chamber can be kept short and uniform, so that the distance between the grids that accelerate the ions generated from the ion generation chamber can be kept short and uniform.・A large current can be obtained with the surrounding acceleration box and pressure, so it can be used in an etching device to increase the etching rate, and it can also be used in an ion beam sputtering deposition device to increase the deposition rate. There are other effects.
第1図は通常周知のカウフマン型イオノビームエツチン
グ装置の概略図、第2図は第1図のグリッドの概略断面
図、第3図は本発明の一犬施例の要部断面図、第4図は
本発明の一実施例の製造工程図、第5図1はCF系ガス
によるイオンビームエツチング時のS i 02 +
TrおよびCrMの工、ノチ/グ速度と動作真空度との
関係を示す特性図である。
A・・・・イオン生成室、B・・・・試料至、1・・・
・カソード、2−・・・アノード、3・・・・マグネッ
ト、4・・・・ガス導入[コ、5−・・・スクリーング
リッド、6・−・僧アクセラレータグリッド、7壽−・
拳ニュートラライザ、8・・・・試料台、9・・・・被
エツチング材、12−・・・導電性基板(スクリーング
リッド)、13・・・・絶縁層、14・・・・金属′A
9摸(アクセラレータグリッド)、15・・・・イオン
引出し用穴部。
特許出願人 日本電信電話公社
代理人 山川政樹(ほか1名)
第1図
第2図
第3図
市
第4図FIG. 1 is a schematic diagram of a commonly known Kauffman type ion beam etching apparatus, FIG. 2 is a schematic sectional view of the grid shown in FIG. The figure is a manufacturing process diagram of an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the cutting/cutting speed and the operating vacuum degree of Tr and CrM. A: Ion generation chamber, B: To the sample, 1...
・Cathode, 2--Anode, 3--Magnet, 4--Gas introduction [ko, 5--Screen grid, 6--Monk accelerator grid, 7--
Fist neutralizer, 8... Sample stand, 9... Material to be etched, 12-... Conductive substrate (screen grid), 13... Insulating layer, 14... Metal 'A'
9 (accelerator grid), 15... hole for ion extraction. Patent Applicant Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation Agent Masaki Yamakawa (and 1 other person) Figure 1 Figure 2 Figure 3 City Figure 4
Claims (1)
着形成された金属薄膜と、これら金属薄膜と基板間に一
方の金属薄膜より前記絶縁膜を通して他方の基板へ質通
する穴が選択的に形成されたイオン引出し用の穴部とか
ら構成したことを特徴とするイオンビーム装置用グリッ
ド、。A conductive substrate, a metal thin film deposited on the substrate via an insulating film, and a hole between the metal thin film and the substrate through which the metal thin film passes from one metal thin film to the other substrate through the insulating film. 1. A grid for an ion beam device, comprising selectively formed holes for extracting ions.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059784A JPS60246546A (en) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Grid for ion beam device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059784A JPS60246546A (en) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Grid for ion beam device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60246546A true JPS60246546A (en) | 1985-12-06 |
Family
ID=14278274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10059784A Pending JPS60246546A (en) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | Grid for ion beam device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60246546A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230290A2 (en) * | 1986-01-21 | 1987-07-29 | Leybold Aktiengesellschaft | Extraction grid for an ion source and method of manufacturing the same |
EP0353245A1 (en) * | 1987-03-20 | 1990-02-07 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion etching and deposition |
JPH0594794A (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | Ion source grid |
KR100585937B1 (en) | 2004-12-06 | 2006-06-07 | 학교법인 성균관대학 | Improved ion beam source |
JP2015046645A (en) * | 2011-10-31 | 2015-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ion beam etching device |
CN106229248A (en) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | Water-cooled annular hot-cathode ion source neutralizer |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10059784A patent/JPS60246546A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230290A2 (en) * | 1986-01-21 | 1987-07-29 | Leybold Aktiengesellschaft | Extraction grid for an ion source and method of manufacturing the same |
JPS62229640A (en) * | 1986-01-21 | 1987-10-08 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Manufacture of extraction lattice for ion source and extraction lattice |
EP0230290A3 (en) * | 1986-01-21 | 1988-11-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Extraction grid for an ion source and method of manufacturing the same |
EP0353245A1 (en) * | 1987-03-20 | 1990-02-07 | University Of New Mexico | Method and apparatus for ion etching and deposition |
JPH0594794A (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | Ion source grid |
KR100585937B1 (en) | 2004-12-06 | 2006-06-07 | 학교법인 성균관대학 | Improved ion beam source |
JP2015046645A (en) * | 2011-10-31 | 2015-03-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ion beam etching device |
US10388491B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-08-20 | Canon Anelva Corporation | Ion beam etching method of magnetic film and ion beam etching apparatus |
CN106229248A (en) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | Water-cooled annular hot-cathode ion source neutralizer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2034481C (en) | Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays | |
US4521286A (en) | Hollow cathode sputter etcher | |
JPS6226821A (en) | Rf sputter/etching apparatus | |
JPH0564407B2 (en) | ||
JPS6020440A (en) | Ion beam machining device | |
US4541890A (en) | Hall ion generator for working surfaces with a low energy high intensity ion beam | |
US5252892A (en) | Plasma processing apparatus | |
JPS6136589B2 (en) | ||
JPS60246546A (en) | Grid for ion beam device | |
JP2535564B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JPH05102083A (en) | Method and apparatus for dry etching | |
JPH08319588A (en) | Plasma etching device | |
JPH0762989B2 (en) | Electron beam excited ion source | |
JPS59225525A (en) | Reactive ion beam etching apparatus | |
JP3577785B2 (en) | Ion beam generator | |
RU2089001C1 (en) | Source of electrons and method of its manufacture | |
JP2862088B2 (en) | Plasma generator | |
JPS5812339B2 (en) | Ion etching method | |
JPH0626197B2 (en) | Dry etching equipment | |
KR100370414B1 (en) | Method for etching hole in electric field effect electron emission device | |
JPH01183123A (en) | Plasma etching device | |
JPS62286227A (en) | Dry etching apparatus | |
JPH0922796A (en) | Dry etching device | |
JPH0228597Y2 (en) | ||
JPH07207471A (en) | Plasma etching device |