JPS60242561A - 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 - Google Patents
負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法Info
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- JPS60242561A JPS60242561A JP9832584A JP9832584A JPS60242561A JP S60242561 A JPS60242561 A JP S60242561A JP 9832584 A JP9832584 A JP 9832584A JP 9832584 A JP9832584 A JP 9832584A JP S60242561 A JPS60242561 A JP S60242561A
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- slider
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- mask material
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａｔ 発明の技術分野
本発明は磁気ディスク装置に用いる浮上式負圧型磁気へ
ラドスライダの製造方法に係り、特に磁気ヘントスライ
ダの負圧発生凹部をエツチング形成する際に、そのスラ
イダ面周辺のエツジ部分のエツチング欠損を防止して精
度の良い負圧発生凹部を有する磁気ヘントスライダを得
ることを可能にした製造方法に関するものである。
ラドスライダの製造方法に係り、特に磁気ヘントスライ
ダの負圧発生凹部をエツチング形成する際に、そのスラ
イダ面周辺のエツジ部分のエツチング欠損を防止して精
度の良い負圧発生凹部を有する磁気ヘントスライダを得
ることを可能にした製造方法に関するものである。
山〕 技術の背景
磁気ディスク装置用の磁気ヘッドスライダは周知のよう
に、正圧のみを利用したテーパ・フラットタイプの正圧
型磁気ヘッドスライダがその主流となっている。しかし
この正圧型磁気ヘッドスライダの空気膜剛性は、該スラ
イダに負荷する押圧力に略比例するため、一定荷重ヘッ
ドではその剛性を高めることにもある程度の限度がある
。特にＣＳ Ｓ （Ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ ５ｔ
ｏｐ）方式を採用した装置においては、耐摩耗性の点か
ら荷重を大きく出来ない為、空気膜剛性を高くした浮上
量追従特性の良い磁気ヘントスライダの実現を困難にし
ている。
に、正圧のみを利用したテーパ・フラットタイプの正圧
型磁気ヘッドスライダがその主流となっている。しかし
この正圧型磁気ヘッドスライダの空気膜剛性は、該スラ
イダに負荷する押圧力に略比例するため、一定荷重ヘッ
ドではその剛性を高めることにもある程度の限度がある
。特にＣＳ Ｓ （Ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ ５ｔ
ｏｐ）方式を採用した装置においては、耐摩耗性の点か
ら荷重を大きく出来ない為、空気膜剛性を高くした浮上
量追従特性の良い磁気ヘントスライダの実現を困難にし
ている。
このような観点から近来、磁気へソドスライダの浮動に
正圧のみによらず、該スライダのスライド面内に逆段差
面を設けて負圧を発生させ、その負圧吸引力を浮動磁気
ヘントスライダに対する負荷荷重として作用させて浮上
量追従特性の改善を−図った、所謂負圧型磁気ヘントス
ライダの開発が盛んに進められている。
正圧のみによらず、該スライダのスライド面内に逆段差
面を設けて負圧を発生させ、その負圧吸引力を浮動磁気
ヘントスライダに対する負荷荷重として作用させて浮上
量追従特性の改善を−図った、所謂負圧型磁気ヘントス
ライダの開発が盛んに進められている。
（Ｃ１従来技術と問題点
ところで上記した負圧型磁気ヘントスライダを得る従来
の方法としては、まずスライダ基材となるホトセラム、
或いはアルミナ・チタンカーバイト（八Ｑ２０３・Ｔｉ
ｃ ）等からなる非磁性ブロック体上に、薄膜形成技法
及びフォトリソグラフィ技法を用いてＳｊＯ’２、又は
Ａｌ２Ｏ２等の高硬度で非磁性な保護膜が厚く被覆され
た多数個の薄膜磁気ヘッド素子を形成した後、上記ヘッ
ド素子構成ブロック体を切断加工手段により所定の薄膜
磁気ヘッド素子数単位に平板状に切断し、該切断面を平
面研磨仕上げを行う。
の方法としては、まずスライダ基材となるホトセラム、
或いはアルミナ・チタンカーバイト（八Ｑ２０３・Ｔｉ
ｃ ）等からなる非磁性ブロック体上に、薄膜形成技法
及びフォトリソグラフィ技法を用いてＳｊＯ’２、又は
Ａｌ２Ｏ２等の高硬度で非磁性な保護膜が厚く被覆され
た多数個の薄膜磁気ヘッド素子を形成した後、上記ヘッ
ド素子構成ブロック体を切断加工手段により所定の薄膜
磁気ヘッド素子数単位に平板状に切断し、該切断面を平
面研磨仕上げを行う。
次に平面ｆｆｆｆｆ上仕上行った複数ヘッド素子構成体
２１のスライダ面となるべき面に、イオンエツチング用
のマスク材となるクロム（Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｊ
）等からなるマスク材膜をスパッタリング法等により被
着し、該マスク材膜をパターニングして負圧発生凹部形
成用マスクを形成する。次に該マスクを介してイオンミ
ーリングにより前記スライド面となるべき面を所定深さ
にエツチングして負圧発生凹部を形成する。
２１のスライダ面となるべき面に、イオンエツチング用
のマスク材となるクロム（Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｊ
）等からなるマスク材膜をスパッタリング法等により被
着し、該マスク材膜をパターニングして負圧発生凹部形
成用マスクを形成する。次に該マスクを介してイオンミ
ーリングにより前記スライド面となるべき面を所定深さ
にエツチングして負圧発生凹部を形成する。
次に前記負圧発生凹部形成用マスクを例えば研磨除去し
、更にスライダ面となるべき面を平坦に研磨した後、そ
の複数ヘッド素子構成体を各単位へノド素子構成体に切
断分離して、所望とする負圧型磁気ヘントスライダを完
成するようにしている。
、更にスライダ面となるべき面を平坦に研磨した後、そ
の複数ヘッド素子構成体を各単位へノド素子構成体に切
断分離して、所望とする負圧型磁気ヘントスライダを完
成するようにしている。
しかしながら、上記した製造方法においては、第１図に
示すように複数個の薄膜磁気へ・ノド素子２が形成され
た複数ヘッド素子構成体１のスライダ面となるべき面３
に、イオンミーリング用のマスク材となるクロム（Ｃｒ
）、或いはチタン（Ｔｉ）からなるマスク材膜４を被着
形成するのに真空蒸着法、又はスパッタリング法等を用
いているため、前記スライダ面となるべき面３に被着形
成されたマスク材膜４の端縁部分の膜厚が他の部分より
も薄く形成され、その結果、該マスク材膜４の膜厚が不
均一となる。
示すように複数個の薄膜磁気へ・ノド素子２が形成され
た複数ヘッド素子構成体１のスライダ面となるべき面３
に、イオンミーリング用のマスク材となるクロム（Ｃｒ
）、或いはチタン（Ｔｉ）からなるマスク材膜４を被着
形成するのに真空蒸着法、又はスパッタリング法等を用
いているため、前記スライダ面となるべき面３に被着形
成されたマスク材膜４の端縁部分の膜厚が他の部分より
も薄く形成され、その結果、該マスク材膜４の膜厚が不
均一となる。
従ってその後、該マスク材膜４をバターニングして負圧
発生凹部形成用マスク５を形成し、前記スライダ面とな
るべき面３に該負圧発生凹部形成用マスク５を介してイ
オンミーリング法によりエツチングして負圧発生凹部６
を形成した際に、第２図に示すように前記複数ヘッド素
子構成体１のスライダサイトレール面の一部となる薄膜
磁気ヘッド素子２の先端ギヤツブ部を含むエツジ部Ａが
、不必要にエツチングされる欠点があった。
発生凹部形成用マスク５を形成し、前記スライダ面とな
るべき面３に該負圧発生凹部形成用マスク５を介してイ
オンミーリング法によりエツチングして負圧発生凹部６
を形成した際に、第２図に示すように前記複数ヘッド素
子構成体１のスライダサイトレール面の一部となる薄膜
磁気ヘッド素子２の先端ギヤツブ部を含むエツジ部Ａが
、不必要にエツチングされる欠点があった。
この現象はイオンミーリング法によるエツチングが、本
来目的とする被エツチング面は勿論のことイオンミーリ
ング用のマスク材膜４も僅かにエツチングされ、更にエ
ツジ部分でのエツチング速度が増加する特性に起因する
ものである。
来目的とする被エツチング面は勿論のことイオンミーリ
ング用のマスク材膜４も僅かにエツチングされ、更にエ
ツジ部分でのエツチング速度が増加する特性に起因する
ものである。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上記従来の実情に鑑み、複数ヘッド素子構成体
のスライダ面となるべき面に、イオンミーリング用のマ
スク材膜を形成する際に、該スライダ面となるべき面の
端縁部分の膜厚を、他の部分よりも選択的に厚く形成し
得る特性を有する形成手段を用いてイオンミーリング用
のマスク材膜を形成し、負圧発生凹部形成時にエツジ部
のエツチング欠損を防止して負圧発生凹部を有するスラ
イダ面を精度よく形成し、もって製造歩留りの向上を図
った負圧型磁気ヘッドスライダの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
のスライダ面となるべき面に、イオンミーリング用のマ
スク材膜を形成する際に、該スライダ面となるべき面の
端縁部分の膜厚を、他の部分よりも選択的に厚く形成し
得る特性を有する形成手段を用いてイオンミーリング用
のマスク材膜を形成し、負圧発生凹部形成時にエツジ部
のエツチング欠損を防止して負圧発生凹部を有するスラ
イダ面を精度よく形成し、もって製造歩留りの向上を図
った負圧型磁気ヘッドスライダの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
（８１発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、保護膜で被覆された
薄膜磁気へ・ノドを形成した非磁性のスライダ形成基板
のスライド面となるべき面に、負圧発生凹部形成用のマ
スク材膜を被着形成し、該マスク材層を所定パターンに
バターニングした後、該マスクパターンをマスクにして
工・ノチンク゛手段により負圧発生凹部を形成する負圧
型磁気へ・ンｌコスライダの製造方法において、上記ス
ライダ形成基板のスライド面となるべき面に被着する負
圧発生凹部形成用マスク材膜をイオンブレーティング法
、又は電気メツキ法、或いはイオンブレーティング法と
電気メッキ法を併用した方法により形成することを特徴
とする負圧型磁気ヘントスライダの製造方法を提供する
ことによって達成される。
薄膜磁気へ・ノドを形成した非磁性のスライダ形成基板
のスライド面となるべき面に、負圧発生凹部形成用のマ
スク材膜を被着形成し、該マスク材層を所定パターンに
バターニングした後、該マスクパターンをマスクにして
工・ノチンク゛手段により負圧発生凹部を形成する負圧
型磁気へ・ンｌコスライダの製造方法において、上記ス
ライダ形成基板のスライド面となるべき面に被着する負
圧発生凹部形成用マスク材膜をイオンブレーティング法
、又は電気メツキ法、或いはイオンブレーティング法と
電気メッキ法を併用した方法により形成することを特徴
とする負圧型磁気ヘントスライダの製造方法を提供する
ことによって達成される。
（ｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３図乃至第６図は本発明に係る負圧型磁気ヘッドスラ
イダの製造方法の一実施例を工程順に示す斜視図である
。
イダの製造方法の一実施例を工程順に示す斜視図である
。
先ず第３図に示すように、例えばスライダ基材となるホ
トセラム、或いはアルミナ・チタンカーバイト（八Ｑ２
０３・ＴｉＣ）等からなる非磁性ブロック体２１上に、
薄膜形成技法及びフォトリソグラフィ技法を用いてＳｉ
Ｏ２、又はＡＰ２０３等の高硬度で非磁性な保護膜が厚
く被覆された多数個の薄膜磁気ヘッド素子２２を形成し
た後、上記ヘッド素子構成ブロック体２１を切断加工手
段により平板状の所定の薄膜磁気ヘッド素子数単位に切
断し、該切断面を平面研磨仕上げを行う。
トセラム、或いはアルミナ・チタンカーバイト（八Ｑ２
０３・ＴｉＣ）等からなる非磁性ブロック体２１上に、
薄膜形成技法及びフォトリソグラフィ技法を用いてＳｉ
Ｏ２、又はＡＰ２０３等の高硬度で非磁性な保護膜が厚
く被覆された多数個の薄膜磁気ヘッド素子２２を形成し
た後、上記ヘッド素子構成ブロック体２１を切断加工手
段により平板状の所定の薄膜磁気ヘッド素子数単位に切
断し、該切断面を平面研磨仕上げを行う。
次に第４図に示すように平面研磨仕上げを行った複数ヘ
ッド素子構成体２３のスライダ面となるべき面２４に、
負圧発生凹部形成用（イオンミーリング用）のマスク材
となるクロム（Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｉ ＞等から
なるマスク材膜２５をイオンブレーティング法、又は電
気メツキ法（蒸着法、又はスパッタリング法と併用）に
より所定の膜厚に被着する。このイオンブレーティング
法及び電気メツキ法は、真空中、又はガス雰囲気中での
成膜と、電解溶液中での成膜と操作内容は異なるものの
、何れも電界中での成膜であるため、基板との密着性、
均一性が良く、付き回りが良好であり、加えて、基板エ
ツジ部Ａに電界が集中して該エツジ部へに第７図に示す
ようにマスク材Ｉｔ！Ｊ２５が部分的に盛り上がるよう
に厚く被着形成される。
ッド素子構成体２３のスライダ面となるべき面２４に、
負圧発生凹部形成用（イオンミーリング用）のマスク材
となるクロム（Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｉ ＞等から
なるマスク材膜２５をイオンブレーティング法、又は電
気メツキ法（蒸着法、又はスパッタリング法と併用）に
より所定の膜厚に被着する。このイオンブレーティング
法及び電気メツキ法は、真空中、又はガス雰囲気中での
成膜と、電解溶液中での成膜と操作内容は異なるものの
、何れも電界中での成膜であるため、基板との密着性、
均一性が良く、付き回りが良好であり、加えて、基板エ
ツジ部Ａに電界が集中して該エツジ部へに第７図に示す
ようにマスク材Ｉｔ！Ｊ２５が部分的に盛り上がるよう
に厚く被着形成される。
その後該マスク材膜２５をパターニングして負圧発生凹
部形成用マスク２６を形成し、次に該マスク２６を介し
てイオンミーリングにより前記スライド面となるべき面
２４を所定深さにエツチングすれば、たとえ前記エツジ
部分Ａに対するエツチング速度が増加することがあって
も従来の如きエツチング欠損が生じることはなくなる。
部形成用マスク２６を形成し、次に該マスク２６を介し
てイオンミーリングにより前記スライド面となるべき面
２４を所定深さにエツチングすれば、たとえ前記エツジ
部分Ａに対するエツチング速度が増加することがあって
も従来の如きエツチング欠損が生じることはなくなる。
しかる後マスク２６を例えば研磨除去して第５図に示す
ように負圧発生凹部２７を形成する。
ように負圧発生凹部２７を形成する。
次にスライダ面となるべき面２４を平坦に研磨し、更に
該負圧発生四部２７が形成された複数ヘッド素子構成体
２３を各単位ヘッド素子構成体に切断分離することによ
り、第６図に示すようにスライダサイトレール面の一部
となる薄膜磁気へンド素子２２の先端ギヤ・７プ部を含
むエツジ部にエツチング欠損がなく、かつ加工精度の良
い負圧発生凹部２７を有する所望の負圧型磁気ヘントス
ライダ２８を得ることができる。
該負圧発生四部２７が形成された複数ヘッド素子構成体
２３を各単位ヘッド素子構成体に切断分離することによ
り、第６図に示すようにスライダサイトレール面の一部
となる薄膜磁気へンド素子２２の先端ギヤ・７プ部を含
むエツジ部にエツチング欠損がなく、かつ加工精度の良
い負圧発生凹部２７を有する所望の負圧型磁気ヘントス
ライダ２８を得ることができる。
尚、上記した実施例においては、複数ヘッド素子構成体
２３のスライダ面となるべき面２４に、負圧発生凹部形
成用（イオンミーリング用）のマスク材となるクロム（
Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｉ）等からなるマスク材膜２
５をイオンブレーティング法、又は電気メ・７キ法によ
り所定の膜厚に被着する例について説明したが、前記複
数ヘッド素子構成体２３のスライダ面となるべき面２４
が非電導性である場合には、電気メツキ法によりマスク
材膜２５を直接被着することは出来ないので、従来蒸着
法、又はスパッタリング法を併用しているが、イオンブ
レーティング法と併用して実施すれば、極めて効果的で
ある。
２３のスライダ面となるべき面２４に、負圧発生凹部形
成用（イオンミーリング用）のマスク材となるクロム（
Ｃｒ）、或いはチタン（Ｔｉ）等からなるマスク材膜２
５をイオンブレーティング法、又は電気メ・７キ法によ
り所定の膜厚に被着する例について説明したが、前記複
数ヘッド素子構成体２３のスライダ面となるべき面２４
が非電導性である場合には、電気メツキ法によりマスク
材膜２５を直接被着することは出来ないので、従来蒸着
法、又はスパッタリング法を併用しているが、イオンブ
レーティング法と併用して実施すれば、極めて効果的で
ある。
（ａ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る負圧型磁
気ヘントスライダの製造方法によれば、イオンミーリン
グによって負圧発生凹部を形成する際に、スライダ面と
なるべき面のサイトレール面の一部となる薄膜磁気ヘッ
ド素子の、先端ギャップ部近傍のエツジ部分のエツチン
グ欠損が確実に排除でき、精度の良い薄膜磁気ヘッドの
先端ギャップ長及び負圧発生凹部を有する所望の負圧型
磁気ヘントスライダを容易に得ることができる利点を有
し、この種の負圧型磁気ヘントスライダの製造に適用し
て優れた効果を奏する。
気ヘントスライダの製造方法によれば、イオンミーリン
グによって負圧発生凹部を形成する際に、スライダ面と
なるべき面のサイトレール面の一部となる薄膜磁気ヘッ
ド素子の、先端ギャップ部近傍のエツジ部分のエツチン
グ欠損が確実に排除でき、精度の良い薄膜磁気ヘッドの
先端ギャップ長及び負圧発生凹部を有する所望の負圧型
磁気ヘントスライダを容易に得ることができる利点を有
し、この種の負圧型磁気ヘントスライダの製造に適用し
て優れた効果を奏する。
第１図乃至第２図は従来の負圧型磁気ヘントスライダの
製造方法を説明するための要部斜視図、第３図乃至第６
図は本発明に係る負圧型磁気ヘントスライダの製造方法
の一実施例を工程順に示す斜視図、第７図は本発明の方
法による負圧発生四部形成用マスク材膜の被着形成状態
を説明するだめの要部断面図である。 図面において、２１は非磁性ブロック体、２２は多数個
の薄膜磁気ヘッド素子、２４はスライダ面となるべき面
、２５は負圧発生凹部形成用マスク材膜、２６は負圧発
生凹部形成用マスク、２７は負圧発生凹部、２８は負圧
型磁気へラドスライダを示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第６！ＸＩ 第７図
製造方法を説明するための要部斜視図、第３図乃至第６
図は本発明に係る負圧型磁気ヘントスライダの製造方法
の一実施例を工程順に示す斜視図、第７図は本発明の方
法による負圧発生四部形成用マスク材膜の被着形成状態
を説明するだめの要部断面図である。 図面において、２１は非磁性ブロック体、２２は多数個
の薄膜磁気ヘッド素子、２４はスライダ面となるべき面
、２５は負圧発生凹部形成用マスク材膜、２６は負圧発
生凹部形成用マスク、２７は負圧発生凹部、２８は負圧
型磁気へラドスライダを示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第６！ＸＩ 第７図
Claims (1)
- 保護膜で被覆された薄膜磁気ヘッドを形成した非磁性の
スライダ形成基板のスライド面となるべき面に、負圧発
生凹部形成用のマスク材膜を被着形成し、該マスク材層
を所定パターンにバターニングした後、該マスクパター
ンをマスクにしてエツチング手段により負圧発生凹部を
形成する負圧型磁気ヘントスライダの製造方法において
、上記スライダ形成基板のスライド面となるべき面に被
着する負圧発生凹部形成用マスク材膜を、イオンブレー
ティング法、又は電気メツキ法、或いはイオンブレーテ
ィング法と電気メンキ法を併用した方法により形成する
ことを特徴とする負圧型磁気ヘントスライダの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9832584A JPS60242561A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9832584A JPS60242561A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242561A true JPS60242561A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14216748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9832584A Pending JPS60242561A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0640957A1 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Sony Corporation | Method of manufacturing floating magnetic head device |
| US5567864A (en) * | 1993-02-04 | 1996-10-22 | Sunward Technologies, Inc. | Method and apparatus for calibration of a transducer flying height measurement instrument |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP9832584A patent/JPS60242561A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567864A (en) * | 1993-02-04 | 1996-10-22 | Sunward Technologies, Inc. | Method and apparatus for calibration of a transducer flying height measurement instrument |
| EP0640957A1 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Sony Corporation | Method of manufacturing floating magnetic head device |
| US5548886A (en) * | 1993-08-31 | 1996-08-27 | Sony Corporation | Method of manufacturing floating magnetic head device |
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