JPS6024031A - 半導体ウエハプロ−バ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体ウェハ製造工程における半導体ウェハ
測定装置、特に半導体ウエハプローバに関するものであ
る。

従来の半導体ウェハチップは、通常１枚のウェハ上に数
百側同時に形成され、測定終了後に個々に切り離される
。分割されたチップのうち、良品のチップのみ取り出し
パッケージングして集積回路（ＩＣ）製品が完成する。

これをもう少し詳しく述べると、ウェハ内のチップの電
気的特性を測定する工程では、チップの良品と不良品を
判断する通常テスターと称される装置からチップへ入力
信号を送り、テスターはチップからの出力信号を受けて
その出力信号を判断し、チップが良品であるか不良品で
あるかを判断する。

通常上記の入出力信号は、チップに設けられた電極（以
下パッドと称する）の位置に合うようプローブカードに
配置された触針（以下プローブカード針と称する）によ
ってテスターから送出され、またはテスターへ送り込ま
れる。テスターは、チップからの信号を受けて良品であ
るか不良品であるかを判断し、不良品の場合は半導体ウ
エハプローバへ不良信号を発信する。半導体ウエハプロ
ーバは、上記の不良信号に従ってチップ表面にマークを
付けるインカー（マーカー）と称する装置を作動し、不
良ウェハチップの表面にマークを付加する。

従来このようなインカーは、半導体ウエハプローバの中
央に１個もしくは複数個の針部が設けられたものである
。その際、テスターが不良品と判断したチップ表面にマ
ークを付加する動作は、第１に、１個のチップの測定を
した時に直ちに行う場合と、第２に、不良品と判断した
チップを地図化（以下マツピングと称する）１．、て記
憶領域（以下ウェハマツプと称する）に記憶しておき、
すべてのチップの測定が終了した時に改めて別の場所で
、不良品と判断されたチップにまとめてマーキングを行
う場合とがある。

また上述のインカーの機構としては、■針部によりイン
クをチップ表面に付着させる型式と。

■硬質の針でチップ表面を叩打して損傷を与える型式と
、■レーザー光をチップ表面に照射してチップ表面を溶
解させる型式とがある。

以上の３種類のマークを付加するいずれの型式において
も、マーキングの際にインカーが針部をチップに向かっ
て打っときは、半導体ウェハプローバの機能の一つとし
て電流が通って電磁石になるため、通電によるインカー
の動作が把握できる。しかしマークを実際に付加したが
否かまで確認していないので、■においてインクが切れ
た状態でインカーが作動した場合には、マークが付加さ
れていないことがある。そのため不良品のチップでも良
品と判断してしまう結果となる。また■の硬質の針でチ
ップ表面を叩打して損傷させる型長のものについても、
先端の針が折れてウェハチップまで届くことができない
時も、同様に不良品のチップでも良品と判断してしまう
。■のレーザー光をチップ表面に照射してチップ表面を
溶解させる型式の場合も同様で、レーザー光の発射さ九
る先端部の破損により、レーザー光が発射さ九ない場合
も生ずるのである。よってこれも不良品のチップでも良
品と判断してしまうのである。

本発明の目的は、これらの問題点を解決するためにテス
ターにより不良ウェハチップと判断された時、この不良
ウェハチップがインカーで不良マークを付加しであるか
を、自動的に認識して確認することのできる半導体ウェ
ハプローバを提供することである。

以下本発明の一実施例を図面を用いて説明すると、第１
図はこの発明の半導体ウェハプローバの概要を示すブロ
ック図、第２図は半導体ウェハの表面を示す平面図、第
３図はウェハマツプ図である。

本発明における半導体ウェハプローバは、被測定物であ
る半導体ウェハを載置台に載置し真空吸着して固定する
。この載置台は水平のＸ軸、Ｙ軸方向と、上下のＹ軸方
向に移動する駆動機構により自動操作される。所定位置
に位置決めされたウェハ上に、プローブカード針をチッ
プのパッド上番；接触させて測定する。このプローブカ
ード針は、テスターと接続してウェハの良、不良を測定
する測定機構を有している。このテスターは、半導体ウ
エハプローバの位置決め等の機構を通して個々のウェハ
チップを測定するもので、得られたウェハチップの電気
的特性の測定の結果により良、不良の判断をする判断機
能を持っている。

このようにして判断されたテスターの測定の結果は、テ
スターからの不良信号によって不良マークを付加する、
マーキング機構によりウェハ上に表示される。その後、
このウェハに（＝ｌ加した、ウェハ全体としての不良マ
ーク形状を認識装置により認識するとともに、このウェ
ハ内のウェハチップの測定結果をウェハマツプとして記
憶する。このような各機構は全体として制御機構により
制御される。勿論個々の各機構自体はそれぞれ公知のも
のを使用することができる。

この発明の半導体ウエハプローバにおいては。

（Ｄ駆動機構におけるＸ軸、Ｙ＃力方向アドレス信号と
テスターによるチップの測定結果における良、不良の信
号とを、各チップとアドレスとを対応させた測定情報と
して、ウェハマツプと称する制御機構の記憶領域に記憶
させ、第２図のようにウェハ／内にある不良チップ８を
テスターの不良信号により表示して、Ｘ軸、Ｙ軸方向の
アドレスにマツピングする。■上記ウェハマツプに記憶
されている情報をもとに、ウェハ内の不良ウェハチップ
表面にインカーを作動させて、マークを付加する。この
工程までは従来技術で行われる。

なお、付加された不良マークを認識装置で認識させた場
合、その認識による情報は埃と間違える可能性があるの
で、先ずウェハプロービングが予め不良マークの形状を
記憶しておき、これを基本不良マークと呼ぶ。この基本
不良マークと付加された不良マークとを比較し、基本不
良マークに沿った形状であればテスターによる測定結果
に対応する不良ウェハチップであり、ウェハチップの表
面に不良マークが付加されていることが明確になる。ま
たこの不良マークは半導体ウエハプローバによるウェハ
内チップの測定以後に自動的に認識し、良品のウェハチ
ップのみ組立てる工程があるが、この場合も不良マーク
の大きさく面積のことをさす）により判定していること
が多いので、ウェハプロービングの工程において、不良
マークの大きさをも自動的に認識することは極めて有用
である。

ここでウェハマツプの示す測定結果が不良ウェハチップ
であって、認識装置で認識した結果が不良マークが認識
されない場合は、再び不良信号によって不良ウェハチッ
プの表面に、不良マークが付加される。その後再び不良
マークを認識装置で認識させて、その結果不良マークが
認識さ九ることになる。

また上記の認識をすることができない状態が数回続くこ
とになると、例えばオペレータに報知する機能を取り付
けておけば、オペレータによるインク充填により常に不
良ウェハチップのみに不良マークを付加したことを確認
して、半導体ウエハプローバ全工程の仕事を終了する。

この発明は以上のように構成されているため。

半導体ウェハの良品ウェハチップを除いてすべての不良
品ウェハチップに不良マークが付加されており、ウェハ
チップの選別時に不良マークを目印として選別作業を行
うので、半導体ウェハチップとして信頼性の高い品質の
製品が得られる。また自動化に際して非常に有効である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の半導体ウエハプローバの一実施例を
示す概略ブロック図、第２図はウェハ表面の不良ウェハ
チップの例を示す平面図、第３図はウェハマツプを説明
するための概略図である。 ／０９．半導体ウェハ　８１０．不良ウエハチップ第１
図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ウェハ上に配置されたウェハチップに、プローブカ
   ード針を接触させて電気的特性を測定し、測定の結果に
   より不良ウェハチップにはその表面に不良マークを付加
   する半導体ウェハプローバにおいて、 ウェハの各ウェハチップの良、否を測定した結果をマツ
   ピングし、これをウェハマツプに記憶するとともに、実
   際に不良ウェハチップに付加した不良マークを認識装置
   で認識し、前記ウェハマツプに記憶させた情報と、前記
   認識装置で認識した情報との比較により、不良ウェハチ
   ップへの不良マークの打ちもれを発見し、この打ちもれ
   不良ウェハチップに再度不良マークを付して確認するこ
   とを特徴とする半導体ウェハプローバ。