JPS60227444A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60227444A JPS60227444A JP8457384A JP8457384A JPS60227444A JP S60227444 A JPS60227444 A JP S60227444A JP 8457384 A JP8457384 A JP 8457384A JP 8457384 A JP8457384 A JP 8457384A JP S60227444 A JPS60227444 A JP S60227444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current density
- holes
- portions
- insulation film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置に関し、特に半導体集積回路装置に
おける多層配線構造に関するものである。
おける多層配線構造に関するものである。
〈発明の背景〉
半導体装置では、益々高集積化、小型化が進展している
。そのための有効な技術として半導体装置内の配線を多
層化することが広く行なわれている。その際、各層間の
配線接続部の信頼性確保が重要である。
。そのための有効な技術として半導体装置内の配線を多
層化することが広く行なわれている。その際、各層間の
配線接続部の信頼性確保が重要である。
一般に導電体配線の通電寿命は、電流密度に依存するこ
とが知られて−る。また、多層に導電体配線が形成され
ている半導体装置での接続部において、上下の導電体接
続面（以後、コンタクト部と呼ぶ）における電流密度と
上部導電体配線の段差部（層間絶縁膜の厚さによる段差
部）における電流密度とが配線接続部の信頼度に大きく
依存し。
とが知られて−る。また、多層に導電体配線が形成され
ている半導体装置での接続部において、上下の導電体接
続面（以後、コンタクト部と呼ぶ）における電流密度と
上部導電体配線の段差部（層間絶縁膜の厚さによる段差
部）における電流密度とが配線接続部の信頼度に大きく
依存し。
ている。特に大電流を流す接続部においては１段差部の
電流密度が支配的となる。したがって、従来まで社接続
部における層間絶縁膜の穴を大きくして段差部の配線面
積を大きくし、もって大電流印加時の信頼度を確保して
いた。
電流密度が支配的となる。したがって、従来まで社接続
部における層間絶縁膜の穴を大きくして段差部の配線面
積を大きくし、もって大電流印加時の信頼度を確保して
いた。
しかし、この従来の方法では接続部の占有面積が大きく
なり高集積化、小型化が害なわれてしまう。
なり高集積化、小型化が害なわれてしまう。
〈発明の目的〉
本発明の目的は、接続部の占有面積を大きくすることな
く大電流を流すことが可能である接続部を提供するもの
である。
く大電流を流すことが可能である接続部を提供するもの
である。
〈発明の構成並びに作用〉
本発明では、接続部において層間絶縁膜に複数個の接続
用穴を設けることにより段差部の周囲長を長くすること
で段差部における電流密度を低減させることができる。
用穴を設けることにより段差部の周囲長を長くすること
で段差部における電流密度を低減させることができる。
したがって、接続部の占有面積を大きくすることなく大
電流を流すことが可能になる。
電流を流すことが可能になる。
次に図面を参照しながら、従来技術と共に本発明の実施
例をより詳細に説明する。
例をより詳細に説明する。
〈従来技術〉
第１図は従来の接続部の断面図例である。従来は第１図
に示す通り、層間絶縁膜３に一つの穴を設は上部導電体
配線２と下部導電体配線１とを接続していた。この方法
では上部導電体配線２と下部導電体配線１との接続面の
面積によりコンタクト部の電流密度が決定されるが、段
差部の電流密度は層間絶縁膜３の穴の周囲長にて決定さ
れる。
に示す通り、層間絶縁膜３に一つの穴を設は上部導電体
配線２と下部導電体配線１とを接続していた。この方法
では上部導電体配線２と下部導電体配線１との接続面の
面積によりコンタクト部の電流密度が決定されるが、段
差部の電流密度は層間絶縁膜３の穴の周囲長にて決定さ
れる。
したがって、コンタクト部の面積を２倍にしても段差部
の面積はＶΣ倍しか増えず、大電流印加時では特に段差
部の電流密度を低下させるため層間絶縁膜３の穴を非常
に大きくする必要がある。
の面積はＶΣ倍しか増えず、大電流印加時では特に段差
部の電流密度を低下させるため層間絶縁膜３の穴を非常
に大きくする必要がある。
〈実施例〉
第２図は本発明の一実施例を示し、上層および下層の導
電体配線２，１のコンタクト部において従来のようにす
べての眉間絶縁膜３を除去するのではなく、絶縁膜３に
複数個の穴４−１乃至４−６を設けている。この構成に
より段差部の周囲長を増大することができ１段差部の電
流密度を低下させることができる。配線ｌおよび２はア
ルミニウム等の金属や多結晶シリコン等の半導体でなり
、絶縁膜３は酸化物、窒化物の無機材や有機材でなる。
電体配線２，１のコンタクト部において従来のようにす
べての眉間絶縁膜３を除去するのではなく、絶縁膜３に
複数個の穴４−１乃至４−６を設けている。この構成に
より段差部の周囲長を増大することができ１段差部の電
流密度を低下させることができる。配線ｌおよび２はア
ルミニウム等の金属や多結晶シリコン等の半導体でなり
、絶縁膜３は酸化物、窒化物の無機材や有機材でなる。
以上のとおり１本発明により半導体装置の高集積化、小
型化が可能となる。なお、本発明は多層配線構造を有す
るすべての半導体装置に適用できるものである。
型化が可能となる。なお、本発明は多層配線構造を有す
るすべての半導体装置に適用できるものである。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は本発明の一実施
例の断面図である。
例の断面図である。
Claims (1)
- 多層配線構造を有する半導体装置において、上層および
下層の配線層の接触を眉間絶縁膜に設けた複数個の穴を
介して行なうことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8457384A JPS60227444A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8457384A JPS60227444A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227444A true JPS60227444A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13834411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8457384A Pending JPS60227444A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5101261A (en) * | 1988-09-09 | 1992-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Electronic circuit device with electronomigration-resistant metal conductors |
| US5463255A (en) * | 1992-03-30 | 1995-10-31 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit device having an electrode pad including an extended wire bonding portion |
| US6320262B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP8457384A patent/JPS60227444A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5101261A (en) * | 1988-09-09 | 1992-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Electronic circuit device with electronomigration-resistant metal conductors |
| US5463255A (en) * | 1992-03-30 | 1995-10-31 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit device having an electrode pad including an extended wire bonding portion |
| US6320262B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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