JPS60225485A - インタラプタ - Google Patents

インタラプタ

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Publication number
JPS60225485A
JPS60225485A JP59082221A JP8222184A JPS60225485A JP S60225485 A JPS60225485 A JP S60225485A JP 59082221 A JP59082221 A JP 59082221A JP 8222184 A JP8222184 A JP 8222184A JP S60225485 A JPS60225485 A JP S60225485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lens
elements
light emitting
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59082221A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Yamanaka
山中　一雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59082221A priority Critical patent/JPS60225485A/ja
Publication of JPS60225485A publication Critical patent/JPS60225485A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は反射型フォトインタラプタに関するものである
。
（従来技術） 従来のインタラプタの斜視図を第１図に、その断面図を
第２図に示す。
従来、インタラプタは、素子光軸とレンズ光軸を一致さ
せた発光装置４と受光索子５を別々に組立て透光性樹脂
にて各々を樹脂封止し、その後し中光性の樹脂にて形成
されたケース３の内に発光装置と受光装置を各装置の光
軸が交叉する様にケース内に納め固定している。
（発明が解決しようとする問題点） 上述の様に、従来は発光装置と受光装置を別々にケース
に納め固定する為非常に工数がかがシ高価なものになっ
ている。
また、外部端子７が面状になるので外形が厚く、実装面
積が広くなシ、かつ実装時に多大な工数を要する。
（問題点を解決する為の手段） 本発明は上記問題点を解消し、安価で薄型の反射属イン
タラプタを提供するものである。
本発明によれば、反射属インタラプタにおいて、その発
光素子と受光素子を同一リード７レームの同一平面上に
載置し、各々の素子に対してレンズを形成した透光性樹
脂で一体に封止し、かつ各しンズの光軸が各素子の光軸
と同一線上にないことを特徴とする反射属インタ２ブタ
が得られる。
（実施例） 以下、本発明を実施例によυ説明する。第３図は組立説
明図である。リードフレーム９に発光素子１と受光素子
２を交互にマウントを行ない、ワイヤーボンディングを
行なう。その後、透光性樹脂８にて発光素子と、受光素
子とを一体に封止する。この時素子表面と相対する透光
性樹脂の面に素子光軸左党軸をずらしたレンズを形成し
てあり、発光素子から放射され九先の強度はレンズ方向
へ強くなっておシ、反射物体１１で反射された光は同様
にレンズ方向に感度を高くし丸受光素子に入射する様に
なっている。透光性樹脂で一体封止しているので直接発
光素子と受光素子が干渉しない様に発光素子間に溝１２
を設け、樹脂封止された外形とハメアイにしたしゃ光性
のケース１３に納めて反射属インタラプタとする。
（発明の効果） この様に本発明によれば、従来に比較し安価に出来る。
しかも、外部端子１０が一直線上に並んでいるＳＩＰ型
であるので薄ｍＫなシ、かつ実施時の占有面積を狭く出
来るという長所がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来のインタツブ！の概略斜視図、及
びその平面断面図でｓｂ、第３図は本発明の組立説明図
、第４図、第５図は本発明のインタラプタの一実施例を
示す斜視図及びその平面断面図である。また第６図は本
発明の他の実施例を示す斜視図。 １・・・・・・発光素子、２・・・・・・受光素子、３
・・・・・・従来ケース、４・・・・・・発光装置、５
・・・・・・受光装置、６・・・・・・レンズ、７・・
・・・・外部端子、８・・・・・・透光性樹脂、９・・
・・・・リードフレーム、ｌＯ・・・・・・外部端子、
１１・・・・・・反射物体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂封止型インタラプタにおいて発光素子とを同一リー
    ドフレームの同一平面上に載置し、各々の素子に対して
    レンズを形成した透光性樹脂で一体ニ封止し、かつ、そ
    の各レンズの光軸と各素子の光軸とが同一線上にないよ
    うに配置したことをｑ＃敵とするインタラプタ。
JP59082221A 1984-04-24 1984-04-24 インタラプタ Pending JPS60225485A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59082221A JPS60225485A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 インタラプタ

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JP59082221A JPS60225485A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 インタラプタ

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Publication Number Publication Date
JPS60225485A true JPS60225485A (ja) 1985-11-09

Family

ID=13768351

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59082221A Pending JPS60225485A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 インタラプタ

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0391671A2 (en) * 1989-04-03 1990-10-10 Motorola, Inc. Single package electro-optic transmitter-receiver
US5340993A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 Motorola, Inc. Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier
US5362976A (en) * 1991-10-26 1994-11-08 Nec Corporation High frequency semiconductor device having optical guide package structure
JP2009210422A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Sony Corp プローブ装置及びテラヘルツ分光装置

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US5340993A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 Motorola, Inc. Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier
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