JPS60225426A - プラズマｘ線露光装置 - Google Patents
プラズマｘ線露光装置Info
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- JPS60225426A JPS60225426A JP59080127A JP8012784A JPS60225426A JP S60225426 A JPS60225426 A JP S60225426A JP 59080127 A JP59080127 A JP 59080127A JP 8012784 A JP8012784 A JP 8012784A JP S60225426 A JPS60225426 A JP S60225426A
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- Japan
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- plasma
- ray
- discharge space
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプラズマＸ線露光装置に係り、特に。
放電によって軟Ｘ線を発生するプラズマＸ線源を用いた
、サブミクロンのパターンを転写するのに好適なプラズ
マＸ線露光装置に関する。
、サブミクロンのパターンを転写するのに好適なプラズ
マＸ線露光装置に関する。
プラズマＸ線源には種々の方式が存在するが、プラズマ
フォーカスとかガスパフ型スパークのような大気圧より
低い圧力の気体の放電を利用する方式が、Ｘ線発生効率
が高く、電極の寿命が長いので、Ｘ線露光装置に適して
いると考えられる。
フォーカスとかガスパフ型スパークのような大気圧より
低い圧力の気体の放電を利用する方式が、Ｘ線発生効率
が高く、電極の寿命が長いので、Ｘ線露光装置に適して
いると考えられる。
通常このような露光装置では、ベリリウムなどのＸ線透
過率が高い材料を用いたＸ線透過窓を放電管に設け、こ
の窓を通してＸ線を、大気中またはヘリウムで空気を置
換した露光室に導入して露光を行なっている。
過率が高い材料を用いたＸ線透過窓を放電管に設け、こ
の窓を通してＸ線を、大気中またはヘリウムで空気を置
換した露光室に導入して露光を行なっている。
しかし、波長が０．５ｎｍ以上の軟Ｘ線では、吸収係数
が著しく高いために、Ｘ線透過窓の吸収によって、利用
できるＸ線の照度が大幅に低下するという問題がある。
が著しく高いために、Ｘ線透過窓の吸収によって、利用
できるＸ線の照度が大幅に低下するという問題がある。
また、Ｘ線透過窓には、放電によって電子やイオン、電
極からの蒸発物や飛散物などが衝突し、Ｘ線透過窓が損
傷あるいは汚染され、透過率が低下したり不均一になっ
て、Ｘ線照度が低下し、あるいはムラが生じる。このた
めに。
極からの蒸発物や飛散物などが衝突し、Ｘ線透過窓が損
傷あるいは汚染され、透過率が低下したり不均一になっ
て、Ｘ線照度が低下し、あるいはムラが生じる。このた
めに。
Ｘ線透過窓を頻繁に交換することが必要になるが。
この場合、前記の通常の露光装置では、Ｘ線透過窓には
大気圧に近い圧力が加わっていることから、Ｘ線透過窓
を交換するたびごとり、放電管内を大気圧にすることが
必要になるという問題−が−ある。
大気圧に近い圧力が加わっていることから、Ｘ線透過窓
を交換するたびごとり、放電管内を大気圧にすることが
必要になるという問題−が−ある。
本発明の目的は、プラズマＸ線源を用いた露光装置にお
ける上記した諸問題を解消し、ウェハ面におけるＸ線の
照度が高く、照度のムラがなく、ウェハの処理速度即ち
スループットが高いプラズマＸ線露光装置を提供するこ
とにある。
ける上記した諸問題を解消し、ウェハ面におけるＸ線の
照度が高く、照度のムラがなく、ウェハの処理速度即ち
スループットが高いプラズマＸ線露光装置を提供するこ
とにある。
本発明の特徴は、ガスを大気より低い圧力に充填あるい
は注入した放電空間内にプラズマを形成して軟Ｘ線を発
生するプラズマＸ線源を備え、この軟Ｘ線を露光室に導
いて試料を露光するプラズマＸ線露光装置において、上
記露光室をＸ線透過膜を介して上記放電空間と隣接する
予備室と試料が装着される試料室とに分離し、かつ、少
なくとも上記予備室圧力を上記放電空間に等しいかより
低い圧力に排気する構成とするにある。
は注入した放電空間内にプラズマを形成して軟Ｘ線を発
生するプラズマＸ線源を備え、この軟Ｘ線を露光室に導
いて試料を露光するプラズマＸ線露光装置において、上
記露光室をＸ線透過膜を介して上記放電空間と隣接する
予備室と試料が装着される試料室とに分離し、かつ、少
なくとも上記予備室圧力を上記放電空間に等しいかより
低い圧力に排気する構成とするにある。
以下、第１図に示す断面図を用いて本発明の一実施例を
説明する。これは、プラズマフォーカス方式のプラズマ
Ｘ線源を備えた例である。第１図において、１はプラズ
マフォーカスＸ線源の陽極、２は陽極１と同軸状に配置
された陰極であり、両者はガラス３によって絶縁されて
いる。これらは。
説明する。これは、プラズマフォーカス方式のプラズマ
Ｘ線源を備えた例である。第１図において、１はプラズ
マフォーカスＸ線源の陽極、２は陽極１と同軸状に配置
された陰極であり、両者はガラス３によって絶縁されて
いる。これらは。
チャンバ４の一方の端面部に装着され、チャンバ４の内
部には、ネオン、アルゴン、クリプトンなどのガスが０
．１〜ＩＴｏｒｒの圧力に封入されていて放電空間７を
形成している。陽極１と陰極２間には、充電されたコン
デンサ５がスイッチ６を介して接続され、スイッチ６の
短絡により、コンデンサ５に蓄えられた電圧が瞬間的に
電極向に印加されるようになっている。はじめに、ガラ
ス３の沿面で放電が起こり、プラズマが発生する。プラ
ズマのイオンと電子は、電界に引かれて運動すると同時
に陽極１、陰極２間の空間に存在する環状の磁場から力
を受けて電極と平行に、両電極の開放端に向って運動す
る。プラズマが電極の端を過ぎると、磁場の圧力を受け
てフォーカスし、中心の軸上に高温高密度のプラズマの
ホットスポットが発生して、軟Ｘ線を放射する。
部には、ネオン、アルゴン、クリプトンなどのガスが０
．１〜ＩＴｏｒｒの圧力に封入されていて放電空間７を
形成している。陽極１と陰極２間には、充電されたコン
デンサ５がスイッチ６を介して接続され、スイッチ６の
短絡により、コンデンサ５に蓄えられた電圧が瞬間的に
電極向に印加されるようになっている。はじめに、ガラ
ス３の沿面で放電が起こり、プラズマが発生する。プラ
ズマのイオンと電子は、電界に引かれて運動すると同時
に陽極１、陰極２間の空間に存在する環状の磁場から力
を受けて電極と平行に、両電極の開放端に向って運動す
る。プラズマが電極の端を過ぎると、磁場の圧力を受け
てフォーカスし、中心の軸上に高温高密度のプラズマの
ホットスポットが発生して、軟Ｘ線を放射する。
Ｘ線透過膜８を介して放電空間７と隣接する位置に設け
られる予備室１０と、露光しようとする試料が装着され
る試料室１０′ とで露光室を形成しており、本実施例
では予備室１０及び試料室１０′はいずれも真空に近い
圧力に排気されている。試料室１０′にある１２は露光
用のＸ線マスク、１３はレジストを塗布されたウェハで
ある。本実施例では、予備室１０と試料室１０′ との
間にゲートバルブ１１が設けられる。これは、ウェハ１
３の交換を、放電空間７と独立に行なうことを可能とす
るためで、露光を行なう場合にはゲートバルブ１１を開
いてＸ線を照射し、ウェハ１３を交換する場合には、ゲ
ート・バルブ１１を閉じて試料室１０′ を大気圧に戻
して、フランジ１４を開いてウェハ１３を交換する。交
換が終了したら試料室１０′は排気されて、ゲートバル
ブ１１が開かれる。
られる予備室１０と、露光しようとする試料が装着され
る試料室１０′ とで露光室を形成しており、本実施例
では予備室１０及び試料室１０′はいずれも真空に近い
圧力に排気されている。試料室１０′にある１２は露光
用のＸ線マスク、１３はレジストを塗布されたウェハで
ある。本実施例では、予備室１０と試料室１０′ との
間にゲートバルブ１１が設けられる。これは、ウェハ１
３の交換を、放電空間７と独立に行なうことを可能とす
るためで、露光を行なう場合にはゲートバルブ１１を開
いてＸ線を照射し、ウェハ１３を交換する場合には、ゲ
ート・バルブ１１を閉じて試料室１０′ を大気圧に戻
して、フランジ１４を開いてウェハ１３を交換する。交
換が終了したら試料室１０′は排気されて、ゲートバル
ブ１１が開かれる。
１５はプラズマ絞り、１６は荷電粒子偏向器でプラズマ
のＸ線透過膜８への衝突を阻止するために設けである。
のＸ線透過膜８への衝突を阻止するために設けである。
それでもＸ線透過膜８は、損傷を受けたり、汚れが付着
するので交換することが必要となる。放電空間７に封入
されているガスは放電を繰返すと、不純元素が混入して
、発光の効率が低下するために、適当な周期で排気され
、新しいガスが封入される。本実施例によれば、この排
気の時間に、Ｘ線透過膜８が交換される。即ち、放電空
間７が排気されると、放電空間７と予備室１０との間の
圧力差がなくなるので、Ｘ線透過膜８の押さえ金具９′
が緩められ、Ｘ線透過膜８の巻上げ機構９が作動して、
新しいＸ線透過膜に交換される。交換が終ると押え金具
９′が押しつけられ、放電空間７は、予備室１０とは隔
離されて、ガスが充填される。この時期に合わせてウェ
ハ１３の交換を行なって次の露光の準備をすると、無駄
な時間を省くことができる。なお、１７．１８．１９は
それぞれ放電空間７、予備室１０、試料室１０′ に設
けた排気及び給気用の配管である。
するので交換することが必要となる。放電空間７に封入
されているガスは放電を繰返すと、不純元素が混入して
、発光の効率が低下するために、適当な周期で排気され
、新しいガスが封入される。本実施例によれば、この排
気の時間に、Ｘ線透過膜８が交換される。即ち、放電空
間７が排気されると、放電空間７と予備室１０との間の
圧力差がなくなるので、Ｘ線透過膜８の押さえ金具９′
が緩められ、Ｘ線透過膜８の巻上げ機構９が作動して、
新しいＸ線透過膜に交換される。交換が終ると押え金具
９′が押しつけられ、放電空間７は、予備室１０とは隔
離されて、ガスが充填される。この時期に合わせてウェ
ハ１３の交換を行なって次の露光の準備をすると、無駄
な時間を省くことができる。なお、１７．１８．１９は
それぞれ放電空間７、予備室１０、試料室１０′ に設
けた排気及び給気用の配管である。
上記実施例では、露光室を形成する予備室１０と試料室
１０’ との間にゲートバルブ１１を設けて、つ。
１０’ との間にゲートバルブ１１を設けて、つ。
エバ１３の交換を放電空間７と独立に行なえるようにし
ているが、他の実施例として、ゲートバルブ１１に代っ
てＸ線透過窓を設け、試料室１０′ を大気圧に保った
まま露光できるようにする変形が可能である。この場合
に設けるＸ線透過窓１１は、損傷を受けないので、交換
する必要はな−）が、予備濾１０と試料室１０′ との
間の圧力差に耐える強度を保つ必要がある。また、大気
圧とすることによって試料室１０′ におけるＸ線の減
衰が問題となるならば、Ｘ線透過窓１１とウェハ１３の
距離を近づけるとか、試料室１０′内の空気をヘリウム
で置換するなどの措置を採ればよい。
ているが、他の実施例として、ゲートバルブ１１に代っ
てＸ線透過窓を設け、試料室１０′ を大気圧に保った
まま露光できるようにする変形が可能である。この場合
に設けるＸ線透過窓１１は、損傷を受けないので、交換
する必要はな−）が、予備濾１０と試料室１０′ との
間の圧力差に耐える強度を保つ必要がある。また、大気
圧とすることによって試料室１０′ におけるＸ線の減
衰が問題となるならば、Ｘ線透過窓１１とウェハ１３の
距離を近づけるとか、試料室１０′内の空気をヘリウム
で置換するなどの措置を採ればよい。
また、予備室１０の圧力は上述実施例では真空に近い圧
力に選ばれるとしたが、予備室１０の圧力を、放電空間
７に等しいかこれに近い圧力に選ぶこともできる。予備
室１０と放電空間７の圧力が等しい場合には、Ｘ線透過
膜８の交換を、放電空間７の排気時まで待たずに行なう
ことができる利点がある。
力に選ばれるとしたが、予備室１０の圧力を、放電空間
７に等しいかこれに近い圧力に選ぶこともできる。予備
室１０と放電空間７の圧力が等しい場合には、Ｘ線透過
膜８の交換を、放電空間７の排気時まで待たずに行なう
ことができる利点がある。
以上述べたように、本発明によれば、プラズマＸ線源か
らＸ線透過膜で隔離された予備室と、この予備室と開閉
機構あるいはＸ線透過窓を介して隣接する試料室とで露
光室を形成し、少なくとも予備室圧力を放電空間に等し
いかより低い圧力とする構成としたことにより、露光室
におけるＸ線の吸収、散乱を減らすことが可能となる。
らＸ線透過膜で隔離された予備室と、この予備室と開閉
機構あるいはＸ線透過窓を介して隣接する試料室とで露
光室を形成し、少なくとも予備室圧力を放電空間に等し
いかより低い圧力とする構成としたことにより、露光室
におけるＸ線の吸収、散乱を減らすことが可能となる。
Ｘ線透過膜の厚さは、従来装置では７６０ Ｔ ｏｒｒ
の圧力差に耐える必要があったのに対し１本発明を実施
すれな約ＩＴｏｒｒの圧力差に耐えればよくなり、従来
使われていた数１０虜厚のベリリウムを数ｐ厚のポリマ
に変えることが可能になり、膜におけるＸ線の減衰を大
幅に低減することができるとともに、Ｘ線透過膜の価格
の大幅な低減が可能となる。また、本発明によれば、放
電空間のガスを排気する時間に、プラズマによって損傷
を受けたＸ線透過膜を交換することが容易になって、常
にムラのない強いＸ線照度を得ることが可能となり、Ｘ
線透過膜の交換に要する時間を短縮してウェハの処理速
度即ちスループットを上げることができる。さらに、本
発明において、放電空間と試料室との間に配置される予
備室の圧力を真空に近い圧力として用いる場合には、放
電空間のプラズマの運動による衝撃波が、Ｘ線透過膜を
介して、試料室のＸ鯨フ１ ＃ Ｌｊ Ｉ−’ｐ＋スマ
し九吐、１゜１嚇 Ｙ鰺ブ１六礒で応力を受けて変位を
起すのを妨げるようになり、精度の点からも顕著な効果
を発揮することができる。
の圧力差に耐える必要があったのに対し１本発明を実施
すれな約ＩＴｏｒｒの圧力差に耐えればよくなり、従来
使われていた数１０虜厚のベリリウムを数ｐ厚のポリマ
に変えることが可能になり、膜におけるＸ線の減衰を大
幅に低減することができるとともに、Ｘ線透過膜の価格
の大幅な低減が可能となる。また、本発明によれば、放
電空間のガスを排気する時間に、プラズマによって損傷
を受けたＸ線透過膜を交換することが容易になって、常
にムラのない強いＸ線照度を得ることが可能となり、Ｘ
線透過膜の交換に要する時間を短縮してウェハの処理速
度即ちスループットを上げることができる。さらに、本
発明において、放電空間と試料室との間に配置される予
備室の圧力を真空に近い圧力として用いる場合には、放
電空間のプラズマの運動による衝撃波が、Ｘ線透過膜を
介して、試料室のＸ鯨フ１ ＃ Ｌｊ Ｉ−’ｐ＋スマ
し九吐、１゜１嚇 Ｙ鰺ブ１六礒で応力を受けて変位を
起すのを妨げるようになり、精度の点からも顕著な効果
を発揮することができる。
第１図は本発明の一実施例装置の断面図である。
〈符号の説明〉
１・・・陽極 ２・・・陰極
４・・・チャンバ ５・・・コンデンサ７・・・放電空
間 ８・・・Ｘ線透過膜９・・・巻上げ機構 ９′・・
・押え金具１０・・・予備室 １０’・・・試料室１１
・・・ゲートバルブ又はＸ線透過窓１２・・・Ｘ線マス
ク １３・・・ウェハ１４・・・フランジ １５・・・
プラズマ絞り１６・・・荷電粒子偏向器 １７．１８．
１９・・・配管代理人弁理士 中 村 純之助
間 ８・・・Ｘ線透過膜９・・・巻上げ機構 ９′・・
・押え金具１０・・・予備室 １０’・・・試料室１１
・・・ゲートバルブ又はＸ線透過窓１２・・・Ｘ線マス
ク １３・・・ウェハ１４・・・フランジ １５・・・
プラズマ絞り１６・・・荷電粒子偏向器 １７．１８．
１９・・・配管代理人弁理士 中 村 純之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ガスを大気より低い圧力に充填あるいは注入した
放電空間内にプラズマを形成して軟Ｘ線を発生するプラ
ズマＸ線源を備え、この軟Ｘ線を露光室に導いて試料を
露光するプラズマＸ線露光装置において、上記露光室を
Ｘ線透過膜を介して上記放電空間と隣接する予備室と試
料が装着される試料室とに分離し、少なくとも上記予備
室圧力を上記放電空間に等しいかより低い圧力に排気し
たことを特徴とするプラズマＸ線露光装置。 （２、特許請求の範囲第１項に記載のプラズマＸ線露光
装置において、前記Ｘ線透過膜が、前記放電空間と前記
予備室との圧力差がないときに交換機構が作動して新し
い部分の膜に交換されるＸ線透過膜であることを特徴と
するプラズマＸ線露光装置。 （３）特許請求の範囲第１項あるいは第２項に記載のプ
ラズマＸ線露光装置において、前記露光室の予備室と試
料室とが開閉機構によって分離されていることを特徴と
するプラズマＸ線露光装置。 （４）特許請求の範囲第１項あるいは第２項に記載のプ
ラズマＸ線露光装置において、前記露光室の予備室と試
料室とがＸ線透過窓によって分離されており、上記試料
室が大気圧に近い圧力に保たれていることを特徴とする
プラズマＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080127A JPS60225426A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | プラズマｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080127A JPS60225426A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | プラズマｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225426A true JPS60225426A (ja) | 1985-11-09 |
| JPH0520891B2 JPH0520891B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=13709548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080127A Granted JPS60225426A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | プラズマｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225426A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3029151U (ja) * | 1996-03-19 | 1996-09-27 | 拓也 坂本 | ワンタッチ式テープ脱着保持器具 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59080127A patent/JPS60225426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520891B2 (ja) | 1993-03-22 |
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