JPWO2006035748A1 - Euv発生装置 - Google Patents
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Abstract
チャンバー30内に、第1の電極1と第2の電極2が設けられ、両電極間にプラズマ放電を発生させることで、EUV光を発生するEUV発生装置において、予備電離ユニット5として電子線発生装置を用い、電子線透過膜5bを介してチャンバー30内に電子線を放射する。チャンバー30は、絶縁材3により第1の容器30a、第2の容器30bに分割され、上記電子線透過膜5bは、上記チャンバー30の第1の電極1及び容器30bと同電位であり、第2の容器30bと第2の電極は接地電位とされ、第1の電極1に放電電圧印加回路50からマイナスの高電圧を印加し、予備電離電源110から予備電離ユニット5のカソードにマイナスの高電圧を印加する。
Description
本発明は、ガス放電に基づいて極紫外線(EUV)を発生させるためのEUV発生装置に関する。
半導体集積回路の微細化のために、露光技術(リソグラフィ)においてはより短い波長の光が必要とされている。現在、極紫外線(EUV)と呼ばれる波長11〜14nmの光を放射する光源装置の開発が行なわれている。
上記EUVを発生させる方法はいくつか知られているが、その内の一つに高温高密度のプラズマを発生させ、該プラズマからEUVを取り出す方法がある(例えば非特許文献1参照)。
図4に、上記のプラズマを利用したEUV発生装置の概略構成を示す。
放電容器であるチャンバー30内に、ガス導入口10から放電を生じさせる気体(例えばキセノンXe)が導入される。導入された気体は、チャンバー30内を流れて、真空ポンプ(図示せず)が取り付けられた排気口11から排気される。チャンバー30内の高温高密度プラズマ発生部31の圧力は、1Pa〜20Paに調節される。
上記EUVを発生させる方法はいくつか知られているが、その内の一つに高温高密度のプラズマを発生させ、該プラズマからEUVを取り出す方法がある(例えば非特許文献1参照)。
図4に、上記のプラズマを利用したEUV発生装置の概略構成を示す。
放電容器であるチャンバー30内に、ガス導入口10から放電を生じさせる気体(例えばキセノンXe)が導入される。導入された気体は、チャンバー30内を流れて、真空ポンプ(図示せず)が取り付けられた排気口11から排気される。チャンバー30内の高温高密度プラズマ発生部31の圧力は、1Pa〜20Paに調節される。
チャンバー30内にはリング状の第1の主放電電極(カソード)1と第2の主放電電極(アノード)2が絶縁材3を介して配置される。チャンバー30は導電材で形成された第1の主放電電極1側の第1の容器30aと、主放電電極2側の第2の容器30bから構成され、第1の容器30aと第2の容器30bは、上記絶縁材3により分離、絶縁されている。
チャンバー30の上記第2の容器30bと放電電極2は接地され、上記第2の容器30aと電極1には、放電電圧印加回路100から、およそ−5kV〜−20kVの放電電圧が印加され、リング状の両電極1,2間の高温高密度プラズマ発生部31には高温高密度のプラズマ放電が発生し、該プラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、電極2側に設けられたEUV集光鏡4により反射され、フィルタ6を介して、照射部(図示せず)に出射する。
チャンバー30の上記第2の容器30bと放電電極2は接地され、上記第2の容器30aと電極1には、放電電圧印加回路100から、およそ−5kV〜−20kVの放電電圧が印加され、リング状の両電極1,2間の高温高密度プラズマ発生部31には高温高密度のプラズマ放電が発生し、該プラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、電極2側に設けられたEUV集光鏡4により反射され、フィルタ6を介して、照射部(図示せず)に出射する。
放電電圧印加回路100は、上記電極1および2に放電電圧を印加するとともに、予備電離ユニット40に予備電離パルスを供給する。
放電電圧印加回路100は、通常の放電回路と基本的に同じであり、スイッチSW1が開閉することにより、電源101からコンデンサC0を介してトランスTR1にパルス状の電圧が供給され、トランスTR1の二次側に発生する電圧がコンデンサC1、可飽和リアクトルL1およびコンデンサC2、可飽和リアクトルL2からなる磁気パルス圧縮回路を介して、電極1,2に供給される。これにより、前記したように、−20kVの放電電圧が印加され、約10J/shotのエネルギーが数kHzの周波数で電極1,2に与えられる。したがって、放電電極1,2には数十kWのエネルギーが入力される。また、上記放電電圧印加回路100のトランスTR1の2次側には直列にトランスTR2が接続され、トランスTR2から上記予備電離ユニット40に予備電離パルスが供給される。
放電電圧印加回路100は、通常の放電回路と基本的に同じであり、スイッチSW1が開閉することにより、電源101からコンデンサC0を介してトランスTR1にパルス状の電圧が供給され、トランスTR1の二次側に発生する電圧がコンデンサC1、可飽和リアクトルL1およびコンデンサC2、可飽和リアクトルL2からなる磁気パルス圧縮回路を介して、電極1,2に供給される。これにより、前記したように、−20kVの放電電圧が印加され、約10J/shotのエネルギーが数kHzの周波数で電極1,2に与えられる。したがって、放電電極1,2には数十kWのエネルギーが入力される。また、上記放電電圧印加回路100のトランスTR1の2次側には直列にトランスTR2が接続され、トランスTR2から上記予備電離ユニット40に予備電離パルスが供給される。
従来、EUVを発生させるための高温高密度のプラズマは、直径Φ5〜6mm程度の細管(キャピラリー)の中で発生され維持されており、したがって電極1および2の径もそれに応じていた(キャピラリーを使った放電方法については、上記非特許文献1のP247等に説明されている)。
しかし、上記したように電極には数十kW電力が入力されるので、電極の径が現状のΦ5〜6mmのままでは、電極や絶縁材が激しく発熱し、実用に耐えられるほどの長時間の寿命を保てない。
電極の発熱を抑え、長寿命化を図るためには、電極の径をΦ10mm程度に広げキャピラリーを太くしなければならない。しかし、高温高密度プラズマ発生部31からEUVを発生させるのに適した初期ガスが、上記したような1Pa〜20Paという低い圧力下では、電極間隔が広くなると安定した放電が起きにくくなり、光の出力が不安定になる。
放電が起きにくい条件下で、安定した放電を生じさせるためには予備電離が必要になる。このため、図4に示すように、予備電離ユニット40が設けられている。予備電離ユニット40に、放電電圧印加回路100からトランスTR2を介して高電圧を印加することにより、図4に示すように、滑り放電が発生し、作動ガスの電離を促進する。
EUV発生装置に予備電離ユニットを組み合せた例については、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1に記載のものにおいては、EUV発生装置のチャンバー内に予備電離ユニット5が設けられている。
特開2003−218025公報
堀田栄喜「5.放電生成プラズマ光源−5.1放電生成プラズマ光源研究の現状」J.Plasma Fusion Res.Vol.79.No.3 ,P245-251,2003 年3月
しかし、上記したように電極には数十kW電力が入力されるので、電極の径が現状のΦ5〜6mmのままでは、電極や絶縁材が激しく発熱し、実用に耐えられるほどの長時間の寿命を保てない。
電極の発熱を抑え、長寿命化を図るためには、電極の径をΦ10mm程度に広げキャピラリーを太くしなければならない。しかし、高温高密度プラズマ発生部31からEUVを発生させるのに適した初期ガスが、上記したような1Pa〜20Paという低い圧力下では、電極間隔が広くなると安定した放電が起きにくくなり、光の出力が不安定になる。
放電が起きにくい条件下で、安定した放電を生じさせるためには予備電離が必要になる。このため、図4に示すように、予備電離ユニット40が設けられている。予備電離ユニット40に、放電電圧印加回路100からトランスTR2を介して高電圧を印加することにより、図4に示すように、滑り放電が発生し、作動ガスの電離を促進する。
EUV発生装置に予備電離ユニットを組み合せた例については、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1に記載のものにおいては、EUV発生装置のチャンバー内に予備電離ユニット5が設けられている。
しかし、前記図4に示した予備電離ユニット40を備えたEUV発生装置には、次のような問題がある。
(i) 上記したように、チャンバー内の高温高密度プラズマ発生部31は1Pa〜20Paという低い圧力であり、予備電離も紫外線を使う方法などでは効果が少なく、すべり放電などを利用した予備電離ユニットが必要となる。このため、従来においては、図4に示したように、チャンバー30内に予備電離ユニット40を設けていた。
このため、予備電離ユニットの放電時に予備電離ユニットから飛散する物質によるチャンバー30への汚染、また、主放電時の電極から生じる物質による予備電離ユニットへの汚染の心配がある。
(ii)予備電離ユニットがチャンバー30内に設けられているので、予備電離ユニットを簡単に取り外すことができず、予備電離ユニットの交換、点検等を簡単に行なうことはできない。
本発明は上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、予備電離ユニットから飛散する物質によるEUV発生装置への汚染や、EUV発生装置の電極から飛散する物質による予備電離ユニットへの汚染を防止することができ、また、予備電離ユニットの交換、保守点検などが容易で、効率よく予備電離を行なうことができる予備電離ユニットを備えたEUV装置を提供することを目的とする。
(i) 上記したように、チャンバー内の高温高密度プラズマ発生部31は1Pa〜20Paという低い圧力であり、予備電離も紫外線を使う方法などでは効果が少なく、すべり放電などを利用した予備電離ユニットが必要となる。このため、従来においては、図4に示したように、チャンバー30内に予備電離ユニット40を設けていた。
このため、予備電離ユニットの放電時に予備電離ユニットから飛散する物質によるチャンバー30への汚染、また、主放電時の電極から生じる物質による予備電離ユニットへの汚染の心配がある。
(ii)予備電離ユニットがチャンバー30内に設けられているので、予備電離ユニットを簡単に取り外すことができず、予備電離ユニットの交換、点検等を簡単に行なうことはできない。
本発明は上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、予備電離ユニットから飛散する物質によるEUV発生装置への汚染や、EUV発生装置の電極から飛散する物質による予備電離ユニットへの汚染を防止することができ、また、予備電離ユニットの交換、保守点検などが容易で、効率よく予備電離を行なうことができる予備電離ユニットを備えたEUV装置を提供することを目的とする。
本発明においては、上記課題を次のように解決する。
(1)気体の導入口と排気口とが設けられたチャンバーと、気体の導入口側に設けられた放電電圧が印加されるリング状の第1の電極と、第1の電極に対して絶縁材を介し排気口側に設けられた接地されたリング状の第2の電極と、第2の電極側に設けられたミラーとを備えたEUV発生装置において、予備電離ユニットとして電子線発生装置を用い、電子線は透過するが汚染物質を透過させない透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する。
(2)上記チャンバーの気体の導入口側と排気口側を、上記絶縁材により電気的に絶縁し、上記気体導入側のチャンバーに開口が設け、この開口に、上記透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する予備電離ユニットを設ける。
そして、上記透過窓と気体導入側のチャンバーと第1の電極を電気的に同電位になるように接続し、上記第1の電極と第2の電極の間に高電圧を印加するための第1の電源を接続し、上記第1の電極と上記予備電離ユニットの電子線放射源との間、もしくは、上記第2の電極と予備電離ユニットの間に、高電圧を印加するための第2の電源を接続する。
(1)気体の導入口と排気口とが設けられたチャンバーと、気体の導入口側に設けられた放電電圧が印加されるリング状の第1の電極と、第1の電極に対して絶縁材を介し排気口側に設けられた接地されたリング状の第2の電極と、第2の電極側に設けられたミラーとを備えたEUV発生装置において、予備電離ユニットとして電子線発生装置を用い、電子線は透過するが汚染物質を透過させない透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する。
(2)上記チャンバーの気体の導入口側と排気口側を、上記絶縁材により電気的に絶縁し、上記気体導入側のチャンバーに開口が設け、この開口に、上記透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する予備電離ユニットを設ける。
そして、上記透過窓と気体導入側のチャンバーと第1の電極を電気的に同電位になるように接続し、上記第1の電極と第2の電極の間に高電圧を印加するための第1の電源を接続し、上記第1の電極と上記予備電離ユニットの電子線放射源との間、もしくは、上記第2の電極と予備電離ユニットの間に、高電圧を印加するための第2の電源を接続する。
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
(1)予備電離ユニットとして電子線発生装置を用いるので、低い圧力における予備電離のために効率の良い電子線を利用することができる。
(2)EUV発生装置の第1、第2の電極と、予備電離ユニットとの間に、電子線は透過するが汚染物質を透過させない透過窓を設けているので、互いの汚染の影響がない。
(3)チャンバーに開口を設けて、該開口部分に予備電離ユニットとして電子線発生装置を取り付け、上記透過窓を介して、上記開口からチャンバー内に電子線を照射するように構成したので、上記透過窓の交換や予備電離ユニットの交換、保守点検を簡単に行なうことが可能となる。
(4)チャンバーの気体の導入口側と排気口側を、上記絶縁材により電気的に絶縁し、上記気体導入側のチャンバーに開口を設け、この開口に透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する予備電離ユニットを設け、上記透過窓と気体導入側のチャンバーと第1の電極を電気的に同電位になるように接続したので、放電電極と透過窓との間に放電が発生するのを防ぐことができ、透過窓の破損を防ぐことができる。
また、上記第1の電極と第2の電極の間に高電圧を印加するための第1の電源を接続し、上記第1の電極と上記予備電離ユニットの電子線放射源との間、もしくは、上記第2の電極と予備電離ユニットの間に、高電圧を印加するための第2の電源が接続したので、予備電離ユニットから効果的に電子線をチャンバー内に照射することができる。
(1)予備電離ユニットとして電子線発生装置を用いるので、低い圧力における予備電離のために効率の良い電子線を利用することができる。
(2)EUV発生装置の第1、第2の電極と、予備電離ユニットとの間に、電子線は透過するが汚染物質を透過させない透過窓を設けているので、互いの汚染の影響がない。
(3)チャンバーに開口を設けて、該開口部分に予備電離ユニットとして電子線発生装置を取り付け、上記透過窓を介して、上記開口からチャンバー内に電子線を照射するように構成したので、上記透過窓の交換や予備電離ユニットの交換、保守点検を簡単に行なうことが可能となる。
(4)チャンバーの気体の導入口側と排気口側を、上記絶縁材により電気的に絶縁し、上記気体導入側のチャンバーに開口を設け、この開口に透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する予備電離ユニットを設け、上記透過窓と気体導入側のチャンバーと第1の電極を電気的に同電位になるように接続したので、放電電極と透過窓との間に放電が発生するのを防ぐことができ、透過窓の破損を防ぐことができる。
また、上記第1の電極と第2の電極の間に高電圧を印加するための第1の電源を接続し、上記第1の電極と上記予備電離ユニットの電子線放射源との間、もしくは、上記第2の電極と予備電離ユニットの間に、高電圧を印加するための第2の電源が接続したので、予備電離ユニットから効果的に電子線をチャンバー内に照射することができる。
1,2 主放電電極
3 絶縁材
4 EUV集光鏡
6 フィルタ
5 予備電離ユニット
10 ガス導入口
11 ガス排気口
30 チャンバー
30a 第1の容器
30b 第2の容器
31 高温高密度プラズマ発生部
50 放電電圧印加回路
110 予備電離電源
3 絶縁材
4 EUV集光鏡
6 フィルタ
5 予備電離ユニット
10 ガス導入口
11 ガス排気口
30 チャンバー
30a 第1の容器
30b 第2の容器
31 高温高密度プラズマ発生部
50 放電電圧印加回路
110 予備電離電源
図1に、本発明の実施例の予備電離ユニットを備えたEUV発生装置の構成を示す。
放電容器であるチャンバー30内にはリング状の主放電電極1と主放電電極2が絶縁材3を介して配置される。チャンバー30は導電材で形成された主放電電極1側の第1の容器30aと主放電電極2側の第2の容器30bから構成され、第1の容器30aと第2の容器30bは、上記絶縁材3により分離、絶縁されている。
チャンバー30には、ガス導入口10が設けられ、ガス導入口10から放電を生じさせる気体(例えばキセノンXe)が導入される。導入された気体は、チャンバー30内を流れて、真空ポンプ(図示せず)が取り付けられた排気口11から排気され、前記したようにチャンバー30内の高温高密度プラズマ発生部31の圧力は、1Pa〜20Paに調節される。
上記第2の容器30bと主放電電極2は接地され、上記第2の容器30a、主放電電極1と、上記第2の容器30b間には、放電電圧印加回路50が接続されている。
放電電圧印加回路50は、放電電圧に充電されるコンデンサC0とスイッチSW1の直列回路と、この直列回路に並列接続された抵抗RとリアクトルLの並列回路から構成される。なお、リアクトルLを用いず、抵抗Rのみの並列回路でもよい。なお、上記コンデンサC0を放電電圧に充電する回路については、同図では図示していないが、前記図4に示した放電電圧印加回路100と同様の回路を用いることができる。
放電容器であるチャンバー30内にはリング状の主放電電極1と主放電電極2が絶縁材3を介して配置される。チャンバー30は導電材で形成された主放電電極1側の第1の容器30aと主放電電極2側の第2の容器30bから構成され、第1の容器30aと第2の容器30bは、上記絶縁材3により分離、絶縁されている。
チャンバー30には、ガス導入口10が設けられ、ガス導入口10から放電を生じさせる気体(例えばキセノンXe)が導入される。導入された気体は、チャンバー30内を流れて、真空ポンプ(図示せず)が取り付けられた排気口11から排気され、前記したようにチャンバー30内の高温高密度プラズマ発生部31の圧力は、1Pa〜20Paに調節される。
上記第2の容器30bと主放電電極2は接地され、上記第2の容器30a、主放電電極1と、上記第2の容器30b間には、放電電圧印加回路50が接続されている。
放電電圧印加回路50は、放電電圧に充電されるコンデンサC0とスイッチSW1の直列回路と、この直列回路に並列接続された抵抗RとリアクトルLの並列回路から構成される。なお、リアクトルLを用いず、抵抗Rのみの並列回路でもよい。なお、上記コンデンサC0を放電電圧に充電する回路については、同図では図示していないが、前記図4に示した放電電圧印加回路100と同様の回路を用いることができる。
主放電電極1,2に放電電圧を印加しないときは、上記スイッチSW1は開いており、第1の主放電電極1及び第1の容器30aは、抵抗R,リアクトルLを介して接地され、接地電位となる。なお、リアクトルLを用いず、抵抗Rのみの場合は、設置電位に近い値となる。スイッチSW1が閉じると、上記コンデンサC0に充電されていたマイナスの高電圧が上記主放電電極1及び第1の容器30aに印加され、第1の主放電電極1と第2の主放電電極2間には、−数十kVのパルス状の放電電圧が印加される。これにより、リング状の両電極1,2間には高温高密度のプラズマ放電が発生し、該プラズマからEUV光が放射される。
放射されたEUV光は、主放電電極2側に設けられたEUV集光鏡4により反射集光され、フィルタ6を介して、照射部(図示せず)に出射する。
上記のようにチャンバー30を絶縁材3で第1の容器30aと第2の容器30bに分け、これらの容器30a,30bを導電材としたので、主放電電極1と第1の容器30aは同電位となり、また、主放電電極2と第2の容器30bは接地電位となる。このため、容器30aと主放電電極1及び容器30bと主放電電極2の間で放電が発生することはない。
放射されたEUV光は、主放電電極2側に設けられたEUV集光鏡4により反射集光され、フィルタ6を介して、照射部(図示せず)に出射する。
上記のようにチャンバー30を絶縁材3で第1の容器30aと第2の容器30bに分け、これらの容器30a,30bを導電材としたので、主放電電極1と第1の容器30aは同電位となり、また、主放電電極2と第2の容器30bは接地電位となる。このため、容器30aと主放電電極1及び容器30bと主放電電極2の間で放電が発生することはない。
チャンバー30の第1の電極1側には開口31が設けられ、この開口31からチャンバー30内に電子線が照射できるように、予備電離ユニット5として、電子線を発生する電子線発生装置が設けられる。
このような電子線発生装置としては、例えば特表平10−512092号公報に記載されている電子線発生装置を用いることができる。
図2に上記電子線発生装置の構成例を示す。
電子線発生装置は、図2に示すように、ガラスなどの絶縁部材で構成された絶縁容器5a内に、電子線源であるフィラメントヒータ5cと、カソード5dを設け、フィラメントヒータ5cとカソード5dからの引き出し線を導入ピン5e,5f,5gを介して外部に導出したものである。上記導入ピン5e,5f,5gには、電源120が接続される。
絶縁容器5aには、電子線透過させる電子線透過膜5bが設けられ、絶縁容器5aは密閉され、内部は真空に保たれる。上記電子線透過膜5bは導電性である。
このような電子線発生装置としては、例えば特表平10−512092号公報に記載されている電子線発生装置を用いることができる。
図2に上記電子線発生装置の構成例を示す。
電子線発生装置は、図2に示すように、ガラスなどの絶縁部材で構成された絶縁容器5a内に、電子線源であるフィラメントヒータ5cと、カソード5dを設け、フィラメントヒータ5cとカソード5dからの引き出し線を導入ピン5e,5f,5gを介して外部に導出したものである。上記導入ピン5e,5f,5gには、電源120が接続される。
絶縁容器5aには、電子線透過させる電子線透過膜5bが設けられ、絶縁容器5aは密閉され、内部は真空に保たれる。上記電子線透過膜5bは導電性である。
導入ピン5e,5fを介して、電源120のフィラメント電源トランス111から上記フィラメントヒータ5cに電流を供給して、フィラメントヒータを加熱し、導入ピン5gを介して昇圧回路112からカソード5dに−30kV〜−60kV電圧のマイナスの高電圧を印加し、電子線透過窓5bを接地電位とすることより、上記電子線透過膜5bを介して、同図の点線矢印に示すように、電子線が放射される。
上記電子線透過膜5bの材質は、珪素Siが使用されるが、他にも窒化珪素(SiN)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ベリリウム(Be)などが使用できる。
予備電離ユニット5の内部は、フィラメントヒータ5cから放出された電子が吸収されないように、通常例えば1×10-4Pa(1×10-6Torr)以下の低い圧力に設定されている。したがって、電子線透過膜5bとカソード5dとの絶縁も確保できる。
上記電子線透過膜5bの材質は、珪素Siが使用されるが、他にも窒化珪素(SiN)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ベリリウム(Be)などが使用できる。
予備電離ユニット5の内部は、フィラメントヒータ5cから放出された電子が吸収されないように、通常例えば1×10-4Pa(1×10-6Torr)以下の低い圧力に設定されている。したがって、電子線透過膜5bとカソード5dとの絶縁も確保できる。
予備電離ユニットとして、上記電子線発生装置を用いれば、従来例のようチャンバー内にすべり放電による予備電離ユニットを設けることなく、チャンバー30内が低い圧力であっても、効果的に予備電離を行なうことができる。
なお、前記特許文献1の段落0033には、予備電離パルス発生装置6により滑り放電が発生し、滑り放電は、赤外線放射からX線放射までの放射線のほかに高速の荷電粒子(高速電子)が発生し、作動ガスの電離を促進すると記載されているが、滑り放電により発生するのは主として紫外線放射からX線放射までの放射線であり、上記高速の荷電粒子の予備電離への寄与は低いものと考えられる。
なお、前記特許文献1の段落0033には、予備電離パルス発生装置6により滑り放電が発生し、滑り放電は、赤外線放射からX線放射までの放射線のほかに高速の荷電粒子(高速電子)が発生し、作動ガスの電離を促進すると記載されているが、滑り放電により発生するのは主として紫外線放射からX線放射までの放射線であり、上記高速の荷電粒子の予備電離への寄与は低いものと考えられる。
ところで、図2に示した電子線発生装置を、EUV装置の予備電離ユニットとして使用する場合、次のような次のような問題が生ずる。
前記図1において、光を取り出すEUV集光鏡4が設けられる側の主放電電極2は、上記EUV集光鏡4等との間で放電が生じないようにするため接地電位とするので、主放電電極1およびチャンバー30の容器30aに−数十kVの高電圧−HV1が印加されることになる。
このため、EUV装置の予備電離ユニットとして、図2に示した電子線発生装置を用い、この電子線発生装置を予備電離ユニットとし、直接EUV発生装置のチャンバー30に直接取り付けようとしても、チャンバー30の主放電電極1側の容器30aの電位はマイナスの高電圧−HV1となるため、電子線発生装置の電子線透過膜5bを図2に示すように接地電位に出来ない。
前記図1において、光を取り出すEUV集光鏡4が設けられる側の主放電電極2は、上記EUV集光鏡4等との間で放電が生じないようにするため接地電位とするので、主放電電極1およびチャンバー30の容器30aに−数十kVの高電圧−HV1が印加されることになる。
このため、EUV装置の予備電離ユニットとして、図2に示した電子線発生装置を用い、この電子線発生装置を予備電離ユニットとし、直接EUV発生装置のチャンバー30に直接取り付けようとしても、チャンバー30の主放電電極1側の容器30aの電位はマイナスの高電圧−HV1となるため、電子線発生装置の電子線透過膜5bを図2に示すように接地電位に出来ない。
なお、電子線透過膜5bを接地電位にし、絶縁材を介して電子線発生装置をチャンバー30の容器30aに取り付けることも考えられるが、この状態で主放電電極1、容器30aにマイナスの高電圧が印加されると、主放電電極1または容器30aと電子線透過膜5bとの間で放電が生ずることがある。特に、主放電電極1と電子線透過膜5bとの間で放電が発生すると、電子線透過膜5bが破損し、装置のトラブルを引き起こす場合がある。 また、主放電電極1、容器30aがマイナスの高電圧であると、接地電位に設定された電子線透過膜5bを透過した電子線は減速され、チャンバー30内に効果的に電子線が照射されない。
そこで、本実施例では、図1に示すように、主放電電極1および主放電電極1側の容器30aと、電子線発生装置の電子線透過膜5bを同電位とし、電子線発生装置(予備電離ユニット5)のカソード5dに予備電離電源110の昇圧回路112から上記マイナスの高電圧−HV1よりマイナス側により高い電圧−HV2(|HV1|<|HV2|)を印加した。なお、予備電離電源110の構成は、前記図2に示したものと同じであり、フィラメントヒータ5cに電流を供給するフィラメント電源トランス111と、カソードにマイナスの高電圧を印加する昇圧回路112を備えている。
これにより、電子線透過膜5bと、主放電電極1および容器30aとの間で放電が生じるのを防ぐことができるとともに、電子線発生装置(予備電離ユニット5)から効果的に、チャンバー30内に電子線を照射することができる。
なお、電子線発生装置の電子線透過膜5bは、前記図2や特表平10−512092号公報に記載されているように、通常は接地電位にして使用されるものであるが、カソード5dには、およそ−60kVまで印加することができるので、カソード5dに印加される電圧を、主放電電極1に印加されるマイナスの高電圧よりマイナス側に大きくしても、問題なく電子線を発生させることができる。
これにより、電子線透過膜5bと、主放電電極1および容器30aとの間で放電が生じるのを防ぐことができるとともに、電子線発生装置(予備電離ユニット5)から効果的に、チャンバー30内に電子線を照射することができる。
なお、電子線発生装置の電子線透過膜5bは、前記図2や特表平10−512092号公報に記載されているように、通常は接地電位にして使用されるものであるが、カソード5dには、およそ−60kVまで印加することができるので、カソード5dに印加される電圧を、主放電電極1に印加されるマイナスの高電圧よりマイナス側に大きくしても、問題なく電子線を発生させることができる。
図1に示したEUV装置は次のように動作する。
気体導入口10から、キセノンが導入されるとともに、排気口11から真空ポンプにより排気される。キセノンガスは、チャンバー30内を、主放電電極1側から主放電電極2側に向かって流れる。差動排気によりチャンバー30の内部は減圧され、所定の圧力に設定される。
予備電離ユニット5(電子線発生装置)のカソード5dにはマイナスの高電圧−HV2、例えば−60kVが印加され、電子線が、電子線透過膜5bを透過してチャンバー30内に照射される。また、前記したように、主放電電極1,2に放電電圧を印加しないときは、放電電圧印加回路50のスイッチSW1は開いており、第1の主放電電極1及び第1の容器30aは、抵抗R,リアクトルLを介して接地され、接地電位である。
上記スイッチSW1が閉じると、上記コンデンサC0に充電されていたマイナスの高電圧が上記主放電電極1及び第1の容器30aに印加され、第1の主放電電極1と第2の主放電電極2間には、放電電圧であるマイナスの高電圧−HV1、例えば−20kVが印加される。予備電離ユニット5の電子線透過膜5bは、チャンバー30の容器30aに取り付けられているため、容器30aおよび主放電電極1と同電位になる。
気体導入口10から、キセノンが導入されるとともに、排気口11から真空ポンプにより排気される。キセノンガスは、チャンバー30内を、主放電電極1側から主放電電極2側に向かって流れる。差動排気によりチャンバー30の内部は減圧され、所定の圧力に設定される。
予備電離ユニット5(電子線発生装置)のカソード5dにはマイナスの高電圧−HV2、例えば−60kVが印加され、電子線が、電子線透過膜5bを透過してチャンバー30内に照射される。また、前記したように、主放電電極1,2に放電電圧を印加しないときは、放電電圧印加回路50のスイッチSW1は開いており、第1の主放電電極1及び第1の容器30aは、抵抗R,リアクトルLを介して接地され、接地電位である。
上記スイッチSW1が閉じると、上記コンデンサC0に充電されていたマイナスの高電圧が上記主放電電極1及び第1の容器30aに印加され、第1の主放電電極1と第2の主放電電極2間には、放電電圧であるマイナスの高電圧−HV1、例えば−20kVが印加される。予備電離ユニット5の電子線透過膜5bは、チャンバー30の容器30aに取り付けられているため、容器30aおよび主放電電極1と同電位になる。
チャンバー30内のキセノンが、予備電離ユニット5から照射される電子線により予備電離され、主放電電極1と主放電電極2にパルス状のマイナスの高電圧が印加されると、その間でプラズマ放電が発生し、EUV光が放射される。
放射されたEUV光は、EUV集光鏡4で集光され、フィルタ6を介して照射部に出射される。
なお、主放電電極1にマイナスの高電圧が印加されると、予備電離ユニット5のカソード5dと電子線透過膜5bとの間の電位差は小さくなり、チャンバー30内への電子線の照射量は小さくなるが、電子により予備電離を起こさせるのは、主放電の立ち上がりの瞬間であり、主放電電極1にマイナスの高電圧が印加されたとき、電子の照射量が多少少なくなっても、問題は生じない。
本実施例によれば、チャンバー30内の放電空間と予備電離ユニット5とが電子線透過膜5bにより隔てられているために、例えば、主放電電極1,2からスパッタにより飛散する物質が、予備電離ユニット5内に侵入せず、予備電離ユニットが汚染されることがない。また、逆に、予備電離ユニット5によるチャンバー内の汚染も防ぐことができるので、装置の長寿命化を図ることができる。
また、予備電離ユニット5がチャンバー30の外側に取り付けられているので、予備電離ユニット5の交換、保守点検を容易に行うことができる。
放射されたEUV光は、EUV集光鏡4で集光され、フィルタ6を介して照射部に出射される。
なお、主放電電極1にマイナスの高電圧が印加されると、予備電離ユニット5のカソード5dと電子線透過膜5bとの間の電位差は小さくなり、チャンバー30内への電子線の照射量は小さくなるが、電子により予備電離を起こさせるのは、主放電の立ち上がりの瞬間であり、主放電電極1にマイナスの高電圧が印加されたとき、電子の照射量が多少少なくなっても、問題は生じない。
本実施例によれば、チャンバー30内の放電空間と予備電離ユニット5とが電子線透過膜5bにより隔てられているために、例えば、主放電電極1,2からスパッタにより飛散する物質が、予備電離ユニット5内に侵入せず、予備電離ユニットが汚染されることがない。また、逆に、予備電離ユニット5によるチャンバー内の汚染も防ぐことができるので、装置の長寿命化を図ることができる。
また、予備電離ユニット5がチャンバー30の外側に取り付けられているので、予備電離ユニット5の交換、保守点検を容易に行うことができる。
図3は、上記実施例の変形例であり、本実施例では、上記予備電離電源110を放電電圧印加回路100とは電位的に切り離された電源とし、予備電離電源110のプラス側と、放電電圧印加回路100のマイナス側を接続したものであり、その他の構成は、前記図1と同じである。
上記構成とすることで、予備電離電源110の出力電圧を、図1の場合より低くすることができ、例えば、前記した図1において−HV1=−20kV、−HV2=−60kVとする場合、図3の構成とすることで、−HV1=−20kV、−HV2=−40kVとすることができる。
上記構成とすることで、予備電離電源110の出力電圧を、図1の場合より低くすることができ、例えば、前記した図1において−HV1=−20kV、−HV2=−60kVとする場合、図3の構成とすることで、−HV1=−20kV、−HV2=−40kVとすることができる。
なお、上記実施例では、予備電離ユニット5をチャンバー30の外側に取り付ける場合について説明したが、予備電離ユニットをチャンバー内に組み込んでもよい。このように構成すると、図1の場合より予備電離ユニットの交換、保守点検などは難しくなるが、図1に示したように電子線透過膜を介して、チャンバー内に電子線を照射するように構成することで、図1の実施例と同様に、予備電離ユニットの汚染、チャンバー内の汚染を防ぐことができる。
また、上記実施例では、特表平10−512092号公報に記載される電子線発生装置を用いる場合について説明したが、その他の構成の電子線発生装置をもちいることもできる。
また、上記実施例では、特表平10−512092号公報に記載される電子線発生装置を用いる場合について説明したが、その他の構成の電子線発生装置をもちいることもできる。
Claims (2)
- 気体の導入口と排気口とが設けられたチャンバーと、
上記チャンバー内であって、上記気体の導入口側に設けられた放電電圧が印加されるリング状の第1の電極と、
上記第1の電極に対して絶縁材を介し排気口側に設けられた接地されたリング状の第2の電極と、
上記第2の電極側に設けられた集光鏡とを備えたEUV発生装置において、
上記第1の電極側のチャンバーに透過窓を介して電子線を放射する予備電離ユニットが設けられている
ことを特徴とするEUV発生装置。 - 上記チャンバーは、上記絶縁材により気体の導入口側と排気口側が電気的に絶縁されており、
上記気体導入側のチャンバーに開口が設けられ、該開口に、透過窓を介してチャンバー内に電子線を放射する予備電離ユニットが設けられ、
上記透過窓と気体導入側のチャンバーと第1の電極は電気的に同電位になるように接続され、上記第1の電極と第2の電極の間に高電圧を印加するための第1の電源が接続され、上記第1の電極と上記予備電離ユニットの電子線放射源との間、もしくは、上記第2の電極と予備電離ユニットの間に、高電圧を印加するための第2の電源が接続されている
ことを特徴とする請求項1記載のEUV発生装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004283527 | 2004-09-29 | ||
JP2004283527 | 2004-09-29 | ||
PCT/JP2005/017703 WO2006035748A1 (ja) | 2004-09-29 | 2005-09-27 | Euv発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006035748A1 true JPWO2006035748A1 (ja) | 2008-05-15 |
Family
ID=36118893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006537739A Pending JPWO2006035748A1 (ja) | 2004-09-29 | 2005-09-27 | Euv発生装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2006035748A1 (ja) |
KR (1) | KR20070058385A (ja) |
TW (1) | TW200613706A (ja) |
WO (1) | WO2006035748A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7897947B2 (en) * | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
WO2011027737A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
JP2011054376A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
CN102484045B (zh) * | 2009-09-01 | 2014-12-17 | 株式会社Ihi | 等离子体光源*** |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566667B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
RU2206186C2 (ru) * | 2000-07-04 | 2003-06-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований | Способ получения коротковолнового излучения из газоразрядной плазмы и устройство для его реализации |
JP5098126B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2012-12-12 | 株式会社ニコン | X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
2005
- 2005-09-21 TW TW094132714A patent/TW200613706A/zh unknown
- 2005-09-27 WO PCT/JP2005/017703 patent/WO2006035748A1/ja active Application Filing
- 2005-09-27 KR KR1020067027610A patent/KR20070058385A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-09-27 JP JP2006537739A patent/JPWO2006035748A1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006035748A1 (ja) | 2006-04-06 |
TW200613706A (en) | 2006-05-01 |
KR20070058385A (ko) | 2007-06-08 |
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