JPS60214528A - X線発生装置 - Google Patents
X線発生装置Info
- Publication number
- JPS60214528A JPS60214528A JP59070746A JP7074684A JPS60214528A JP S60214528 A JPS60214528 A JP S60214528A JP 59070746 A JP59070746 A JP 59070746A JP 7074684 A JP7074684 A JP 7074684A JP S60214528 A JPS60214528 A JP S60214528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- cathode
- ray
- electron
- emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明はX線発生装置、特に軟X線輝度の高いX線発生
装置に関する。
装置に関する。
(発明の背量)
従来の一般のX線発生装置では、陰極より放出された電
子が対陰極−1−の焦点(被照射範囲)に衝突する際発
生するX線(以下を焦点X線と称する)を利用していた
。しかし実際にはその焦点から焦点X線の発生とともに
反射電子および2次電子も放出されこれらの反射電子お
よび2次電子が陰極と対陰極間の電界によって再び対陰
極に衝突して焦点外でもX線が発生する。この焦点外で
発生するX線(以下焦点外X線と称する)は焦点X線の
数10%位のXl61fiであり、焦点X線に比べ、軟
X線成分が多いことが知られている。これは、反則電子
および2次電子は電子エネルギーが小さいためである。
子が対陰極−1−の焦点(被照射範囲)に衝突する際発
生するX線(以下を焦点X線と称する)を利用していた
。しかし実際にはその焦点から焦点X線の発生とともに
反射電子および2次電子も放出されこれらの反射電子お
よび2次電子が陰極と対陰極間の電界によって再び対陰
極に衝突して焦点外でもX線が発生する。この焦点外で
発生するX線(以下焦点外X線と称する)は焦点X線の
数10%位のXl61fiであり、焦点X線に比べ、軟
X線成分が多いことが知られている。これは、反則電子
および2次電子は電子エネルギーが小さいためである。
一方、半導体lll造工程でウェハ上に塗イ0したレジ
ストを露光するX線露光用のX線発生装置は、X線輝度
が高く、かつ軟X線成分を多く含むことが望ましい。と
ころで、従来のX線露光装置として波線、あるいは線状
、あるいは細長い帯状の焦点を有するX線発生装置を用
いたものや、さらに発生したX線の平行化手段を有する
もの等が種々提案されている(例えば、特開昭52−1
50975号)。
ストを露光するX線露光用のX線発生装置は、X線輝度
が高く、かつ軟X線成分を多く含むことが望ましい。と
ころで、従来のX線露光装置として波線、あるいは線状
、あるいは細長い帯状の焦点を有するX線発生装置を用
いたものや、さらに発生したX線の平行化手段を有する
もの等が種々提案されている(例えば、特開昭52−1
50975号)。
しかしこれらの提案にお【プるX線発生装置は、焦点面
積を大きくした分、全体め×線量を増加させただ(Jの
ものでX線輝度および軟X線成分の割合は従来のままで
あり回答改良されていなかった。
積を大きくした分、全体め×線量を増加させただ(Jの
ものでX線輝度および軟X線成分の割合は従来のままで
あり回答改良されていなかった。
また、従来のX線発生装置で発生する焦点外X線はX線
写真において写真像に一様なかぶりを与えてしまい、像
のコントラストを低下させるという不都合があった。
写真において写真像に一様なかぶりを与えてしまい、像
のコントラストを低下させるという不都合があった。
(発明の目的)
本発明は、−1ニ記事情に鑑みてなされたもので、焦点
外X線をみかけ上焦点より発生するようにした、X線輝
度の高い、特に軟X線成分を多く含むX線発生装置を提
供することを目的とする。
外X線をみかけ上焦点より発生するようにした、X線輝
度の高い、特に軟X線成分を多く含むX線発生装置を提
供することを目的とする。
(発明の構成)
上記目的を達成するため本発明では、陰極から放出され
る電子ビームを対陰極に衝突させて該対陰極よりX線を
発生させるX線発生装閘において、上記対陰極上の焦点
位置に四部を設【プ、上記陰極から放出された電rを該
凹部の壁iri口こ!i突さI!ることを特徴とする1
゜ (実施例の説明) 以下本発明を実M!!例により説明C16,3第1図は
本弁明の1実施例に係るX線量と1−装(べの対陰極の
断面を承り。同図において、陰極1より放出された電子
2【;L陰極1と対陰極3の間の電位差により加速され
、λj陰極3に設(プられた凹溝壁面6上に衝突する。
る電子ビームを対陰極に衝突させて該対陰極よりX線を
発生させるX線発生装閘において、上記対陰極上の焦点
位置に四部を設【プ、上記陰極から放出された電rを該
凹部の壁iri口こ!i突さI!ることを特徴とする1
゜ (実施例の説明) 以下本発明を実M!!例により説明C16,3第1図は
本弁明の1実施例に係るX線量と1−装(べの対陰極の
断面を承り。同図において、陰極1より放出された電子
2【;L陰極1と対陰極3の間の電位差により加速され
、λj陰極3に設(プられた凹溝壁面6上に衝突する。
衝突面J/にわ15焦点で(,1、焦点X線5が発生す
るとともtこ反則電子おj、び2次電子4が放出される
。放出された反射電子i15 J、び2次電子4は陰極
1と対陰極3間の電位差の為大部分が再び凹溝壁面6上
に衝突する。その際軟X線成分を多く含む焦点外X線5
′が発イトηる。
るとともtこ反則電子おj、び2次電子4が放出される
。放出された反射電子i15 J、び2次電子4は陰極
1と対陰極3間の電位差の為大部分が再び凹溝壁面6上
に衝突する。その際軟X線成分を多く含む焦点外X線5
′が発イトηる。
溝くぼみ壁面6士に発≧トした焦点X線5および焦点外
X線5′は、幅W、長ざLの凹溝用[’l 7 J:り
放射する。すなわち幅W、長ざ1の凹溝用ロアがみかけ
上の焦点となり、ここから焦点外X線5′を含んだX線
輝度が高く、軟X線成分の多いX線が発生する。
X線5′は、幅W、長ざLの凹溝用[’l 7 J:り
放射する。すなわち幅W、長ざ1の凹溝用ロアがみかけ
上の焦点となり、ここから焦点外X線5′を含んだX線
輝度が高く、軟X線成分の多いX線が発生する。
3−
更に焦点に衝突させることができる電子の数は、焦点の
大きさで決定されるが、本実施例によれば、焦点(g′
i突面)を大きくしても幅W、長さしの凹fM出ロアの
寸法が変わらなければみかけの焦点面積は変化せず」、
り多く電子を衝突させることができる。すなわち従来の
同じ大きさの焦点に比べ、ib出力のX線を発生させる
ことができる。
大きさで決定されるが、本実施例によれば、焦点(g′
i突面)を大きくしても幅W、長さしの凹fM出ロアの
寸法が変わらなければみかけの焦点面積は変化せず」、
り多く電子を衝突させることができる。すなわち従来の
同じ大きさの焦点に比べ、ib出力のX線を発生させる
ことができる。
第2図8 ”−fは本発明による凹溝断面形状の変形例
である。同図に示ずj:うに凹溝形状は第1図のような
丸iNである必要は゛なく第2図a−fの例示を含み種
々の形状のものを使用することができる。但し、X線出
力を大ぎくするためには上述のJ:うに焦点衝突面すな
わち凹溝壁面6は大きく、か−)高輝度とするためには
みかけとの焦点面積すなわち凹溝用ロアの面積は小さい
方が好ましい。
である。同図に示ずj:うに凹溝形状は第1図のような
丸iNである必要は゛なく第2図a−fの例示を含み種
々の形状のものを使用することができる。但し、X線出
力を大ぎくするためには上述のJ:うに焦点衝突面すな
わち凹溝壁面6は大きく、か−)高輝度とするためには
みかけとの焦点面積すなわち凹溝用ロアの面積は小さい
方が好ましい。
また陰極1は一つである必要はなく複数個並べたり第3
図のように相対する方向に位置させ、同時に電子を凹溝
壁面61に衝突させてもよい。
図のように相対する方向に位置させ、同時に電子を凹溝
壁面61に衝突させてもよい。
さらに、上述においては対陰極の線状焦点上に陰極から
帯状の電子ビームを照射する構造のX線4− 発生装置を例示したため、対yx 44i土の四部用1
]形状を細長く溝状に形成しているが、この四部出口形
状は焦点形状に合わ口て形成1−ればj;い。例えば電
子ビームを点焦点十に照射スる+M ’r告のものの場
合はこの点焦点を含む円、楕円、また【、1多角形状に
形成ずればよい。
帯状の電子ビームを照射する構造のX線4− 発生装置を例示したため、対yx 44i土の四部用1
]形状を細長く溝状に形成しているが、この四部出口形
状は焦点形状に合わ口て形成1−ればj;い。例えば電
子ビームを点焦点十に照射スる+M ’r告のものの場
合はこの点焦点を含む円、楕円、また【、1多角形状に
形成ずればよい。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明にj、れば、軟X線輝度の
高いX線を発生ざ「ることが川面となる。
高いX線を発生ざ「ることが川面となる。
さらに従来と同−面積の焦点(X線源)に比べJζり高
出力のX線を発生さIJ:ることがぐぎる。
出力のX線を発生さIJ:ることがぐぎる。
第1図は本発明の1実施例に係るX線発生装置の対陰極
の断面図、 第2図は第1図の対陰極の変形例を示す断面図、第3図
は本発明の他の実施例に係るX線発生装置の陰極配置を
示づ図である。 1・・・陰極、 2・・・陰極より放出された電子、3
・・・対陰極、4・・・反則電子および2次電子、5・
・・焦点X線、5′・・・焦点外X線、6・・・凹溝壁
面、7・・・凹溝出口。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 7− 第1図
の断面図、 第2図は第1図の対陰極の変形例を示す断面図、第3図
は本発明の他の実施例に係るX線発生装置の陰極配置を
示づ図である。 1・・・陰極、 2・・・陰極より放出された電子、3
・・・対陰極、4・・・反則電子および2次電子、5・
・・焦点X線、5′・・・焦点外X線、6・・・凹溝壁
面、7・・・凹溝出口。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊東辰雄 代理人 弁理士 伊東哲也 7− 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、陰極から放出される電子ビームを対陰極に衝突させ
て該対陰極よりX線を発生させるX線発生装置において
、 上記対陰極上の焦点位置に凹部を設け、上記陰極から放
出された電子を該凹部の壁面に衝突させることを特徴と
するX線発生装置。 2、前記陰極が複数設けられている特許請求の範囲第1
項記載のX線発生装置。 3、前記凹部がその壁面に前記陰極からの電子ビームを
線状に照射される凹溝からなる特許請求の範囲第1また
は2項記載のX線発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59070746A JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | X線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59070746A JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | X線発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60214528A true JPS60214528A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13440384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59070746A Pending JPS60214528A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | X線発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60214528A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61179048A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ,インコ−ポレ−テツド | X線発生装置 |
JP2012204156A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Sii Nanotechnology Inc | X線管及びx線分析装置 |
JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置 |
JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型x線管 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070746A patent/JPS60214528A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61179048A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ,インコ−ポレ−テツド | X線発生装置 |
JPH0429179B2 (ja) * | 1984-11-08 | 1992-05-18 | ||
JP2012204156A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Sii Nanotechnology Inc | X線管及びx線分析装置 |
JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置 |
JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型x線管 |
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