JPS6021225B2 - 無電解メツキ体 - Google Patents
無電解メツキ体Info
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- JPS6021225B2 JPS6021225B2 JP55148486A JP14848680A JPS6021225B2 JP S6021225 B2 JPS6021225 B2 JP S6021225B2 JP 55148486 A JP55148486 A JP 55148486A JP 14848680 A JP14848680 A JP 14848680A JP S6021225 B2 JPS6021225 B2 JP S6021225B2
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- JP
- Japan
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- plating
- nickel
- electroless
- film
- plated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
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- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス、プラスチック、セラミック、結晶体
等の絶縁体上に半導体層を形成し、その上に目的とする
金属メッキした無電解〆ッキ体に関する。
等の絶縁体上に半導体層を形成し、その上に目的とする
金属メッキした無電解〆ッキ体に関する。
従来、絶縁体上に無電解メッキを行う場合、目的とする
金属メッキの密着性の向上、及び均一なメッキ膜を得る
ために、絶縁体基板面を機械的研摩、化学的研摩、及び
その両方を用いて表面を粗らしていた。
金属メッキの密着性の向上、及び均一なメッキ膜を得る
ために、絶縁体基板面を機械的研摩、化学的研摩、及び
その両方を用いて表面を粗らしていた。
しかし、それにもかかわらず均一で密着性の良いメッキ
膜を得ることが困難であった。本発明は従釆の前工程を
省き、絶縁体基板上に半導体層を形成することによって
密着性の良い、均一なメッキ膜を得る方法を示すもので
ある。
膜を得ることが困難であった。本発明は従釆の前工程を
省き、絶縁体基板上に半導体層を形成することによって
密着性の良い、均一なメッキ膜を得る方法を示すもので
ある。
本発明の無電解〆ッキの概要は以下の通りである。ガラ
ス、プラスチック、セラミック、結晶体等の絶縁体基板
上にＣＶＤ（化学気相葵着）、スパッタ、蒸着、浸涜法
等によりｌｎ２０３、Ｓｎ０２、Ｔｉ０２等の半導体層
を形成する。その基板に無電解〆ッキの通常の前処理工
程を行う。即ち、脱脂としてアルカリ性液中での超音波
洗浄、酸中和、水洗を行う。次に塩化第一スズ（ＳｎＣ
Ｚ２ ）溶液に基板を浸簿する。これは、メッキすべき
金属の析出核となる触媒性金属の微粒を表面各部に一様
に還元分布させるために使用される還元溶液であり、こ
の溶液に浸濃処理を行うことをセンシタィジングという
。次に、表面の活性化を行う。これはメッキ金属の生長
核となりメッキ反応の触媒として働く微粒子を被メッキ
体表面に付着させることによって自動的に反応を始動さ
せ、メッキ膜の密着性を向上させるために行う操作でア
クティベーティングという。前述のセンシタィジングに
よって基板表面上に付着しているＳｎＣ〆２のＳｎと活
性触媒である金属とガイオン化傾向の相違により置換さ
れるといわれている。活性化液としては、塩化パラジウ
ム溶液（ＰｄＣそ２ ）、硝酸銀溶液（ＡｇＮ０３）、
金溶液（ＨＡ此れ ）等が使用されている。本発明によ
る基板上に形成された半導体層により、触媒金属の密着
性の向上及び無電解〆ッキ被膜の密着性の向上がなされ
ている。
ス、プラスチック、セラミック、結晶体等の絶縁体基板
上にＣＶＤ（化学気相葵着）、スパッタ、蒸着、浸涜法
等によりｌｎ２０３、Ｓｎ０２、Ｔｉ０２等の半導体層
を形成する。その基板に無電解〆ッキの通常の前処理工
程を行う。即ち、脱脂としてアルカリ性液中での超音波
洗浄、酸中和、水洗を行う。次に塩化第一スズ（ＳｎＣ
Ｚ２ ）溶液に基板を浸簿する。これは、メッキすべき
金属の析出核となる触媒性金属の微粒を表面各部に一様
に還元分布させるために使用される還元溶液であり、こ
の溶液に浸濃処理を行うことをセンシタィジングという
。次に、表面の活性化を行う。これはメッキ金属の生長
核となりメッキ反応の触媒として働く微粒子を被メッキ
体表面に付着させることによって自動的に反応を始動さ
せ、メッキ膜の密着性を向上させるために行う操作でア
クティベーティングという。前述のセンシタィジングに
よって基板表面上に付着しているＳｎＣ〆２のＳｎと活
性触媒である金属とガイオン化傾向の相違により置換さ
れるといわれている。活性化液としては、塩化パラジウ
ム溶液（ＰｄＣそ２ ）、硝酸銀溶液（ＡｇＮ０３）、
金溶液（ＨＡ此れ ）等が使用されている。本発明によ
る基板上に形成された半導体層により、触媒金属の密着
性の向上及び無電解〆ッキ被膜の密着性の向上がなされ
ている。
但し、無電解〆ッキのメッキ厚が２Ａｍを越えるとメッ
キ層の剛性が増し基板との密着性が極めて悪くなるため
、本発明ではメッキ厚を２仏ｍ以下とする。ここで、塩
化第一スズと塩化パラジウムの両塩を含んだ溶液によっ
て、センシタィジングとアクティベイティングを同時に
行ってもよい。以上のようにして得られた活性化された
基板を、公３句の無電鱗ニッケル浴、無電解鋼格、無電
藤コバルト浴、無電鱗金格（置換型メッキ俗でなく、自
己触媒型メッキ格）等に、それぞれに適当な濃度、温度
条件により浸糟する。このようにして得られたメッキ被
膜は、半導体層の付いていない部分へのメッキ被膜に比
較して、均一であり密着性も向上した。以下実施例を用
いて詳細に説明する。
キ層の剛性が増し基板との密着性が極めて悪くなるため
、本発明ではメッキ厚を２仏ｍ以下とする。ここで、塩
化第一スズと塩化パラジウムの両塩を含んだ溶液によっ
て、センシタィジングとアクティベイティングを同時に
行ってもよい。以上のようにして得られた活性化された
基板を、公３句の無電鱗ニッケル浴、無電解鋼格、無電
藤コバルト浴、無電鱗金格（置換型メッキ俗でなく、自
己触媒型メッキ格）等に、それぞれに適当な濃度、温度
条件により浸糟する。このようにして得られたメッキ被
膜は、半導体層の付いていない部分へのメッキ被膜に比
較して、均一であり密着性も向上した。以下実施例を用
いて詳細に説明する。
実施例 １
ＣＶＤ（化学気相漆着）によってＳｎ０２が片面付いた
ホウケィ酸系ガラス（２５肌×１０仇蚊）を３％ＫＯＨ
溶液で脱脂、水洗後、塩化第一スズ溶液（ＳｎＣ〆２
１ｇ／夕，ＨＣ〆 ｌｃｃ／夕）に５分間浸糟する。
ホウケィ酸系ガラス（２５肌×１０仇蚊）を３％ＫＯＨ
溶液で脱脂、水洗後、塩化第一スズ溶液（ＳｎＣ〆２
１ｇ／夕，ＨＣ〆 ｌｃｃ／夕）に５分間浸糟する。
後、充分水洗し、塩化パラジウム溶液（ＰｄＣそ２、２
夕／そ、２０ｃｃ／そ）に５分間浸糟する。後、充分水
洗し、日本カニゼン■製のシューマ−Ｓ総０を純水にて
８倍希釈した無電藤ニッケル浴（５０℃）にガラス基板
を５分間浸潰し、水洗、湯洗後乾燥した。得られたメッ
キ面（メッキ厚１６００Ａ）で２０ｋｇの圧力をかけて
６回こすったところ、Ｓの２層についたニッケル面には
何の変化も見られなかったが、ガラス面に直接ついたニ
ッケル面にはニッケルが剥離した跡が見られた。実施例
２蒸着によって１〜０３が片面付いたホウケィ酸素ガ
ラス（２５柳×１０比帆）を実施例１と同様のメッキ工
程によってニッケルメッキ（１６００Ａ厚）を行った。
夕／そ、２０ｃｃ／そ）に５分間浸糟する。後、充分水
洗し、日本カニゼン■製のシューマ−Ｓ総０を純水にて
８倍希釈した無電藤ニッケル浴（５０℃）にガラス基板
を５分間浸潰し、水洗、湯洗後乾燥した。得られたメッ
キ面（メッキ厚１６００Ａ）で２０ｋｇの圧力をかけて
６回こすったところ、Ｓの２層についたニッケル面には
何の変化も見られなかったが、ガラス面に直接ついたニ
ッケル面にはニッケルが剥離した跡が見られた。実施例
２蒸着によって１〜０３が片面付いたホウケィ酸素ガ
ラス（２５柳×１０比帆）を実施例１と同様のメッキ工
程によってニッケルメッキ（１６００Ａ厚）を行った。
得られたメッキ面をサラシで２０ｋｇの圧力をかけて６
回こすったところ、１り０３層に付いたニッケルメッキ
には何の変化も見られなかったが、ガラス面に直接つい
たニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見られた。実
施例 ３ 蒸着によってＳｎ０２が片面だけ付いたＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタレート）フィルムを３％ＫＯＨで脱脂水
洗後、日立化成製増感剤ＨＳ−１０１Ｂを所定の手段に
て希釈した溶液に３分間浸済し、水洗後、日立化成製密
着促進剤ＡＤＰ−２０１をイオン交換水にて８倍希釈し
た溶液に５分間浸潰し、水洗後、日本カニゼン■製のシ
ューマーＳ６８０をイオン交換水にて８倍希釈した無電
解ニッケル格（４５ｑｏ）に３０分間（メッキ言１〆）
浸潰した。
回こすったところ、１り０３層に付いたニッケルメッキ
には何の変化も見られなかったが、ガラス面に直接つい
たニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見られた。実
施例 ３ 蒸着によってＳｎ０２が片面だけ付いたＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタレート）フィルムを３％ＫＯＨで脱脂水
洗後、日立化成製増感剤ＨＳ−１０１Ｂを所定の手段に
て希釈した溶液に３分間浸済し、水洗後、日立化成製密
着促進剤ＡＤＰ−２０１をイオン交換水にて８倍希釈し
た溶液に５分間浸潰し、水洗後、日本カニゼン■製のシ
ューマーＳ６８０をイオン交換水にて８倍希釈した無電
解ニッケル格（４５ｑｏ）に３０分間（メッキ言１〆）
浸潰した。
両面にニッケルが析出したが、Ｓｎ０２の蒸着された面
に付いたニッケル皮膜は均一で鏡面となったが、Ｓｎ０
２の付いていない面は不均一なメッキ面となった。メッ
キの密着性を調べる目的で、粘着テープを両面に貼りは
がした。Ｓｎ０２の蒸着された面に付いたニッケル皮膜
は剥離しなかったが、Ｓｎ０２の付いていない面のニッ
ケル皮膜は剥離した。実施例 ４ 蒸着によってＳｎ０２が片面だけ付いたガラスを実施例
３と同様の工程で前処理を行った。
に付いたニッケル皮膜は均一で鏡面となったが、Ｓｎ０
２の付いていない面は不均一なメッキ面となった。メッ
キの密着性を調べる目的で、粘着テープを両面に貼りは
がした。Ｓｎ０２の蒸着された面に付いたニッケル皮膜
は剥離しなかったが、Ｓｎ０２の付いていない面のニッ
ケル皮膜は剥離した。実施例 ４ 蒸着によってＳｎ０２が片面だけ付いたガラスを実施例
３と同様の工程で前処理を行った。
このようにして活性化されたガラス基板をシアン金力リ
ウム ５．８夕／メシアン化カリウム
６．５タノク水酸化カリウム
１１．２夕／ク水素化ホウ素カリウム
１０．８タノその組成のメッキ格（７ぴ○）に３０分間
浸潰し、水洗後乾燥した。
ウム ５．８夕／メシアン化カリウム
６．５タノク水酸化カリウム
１１．２夕／ク水素化ホウ素カリウム
１０．８タノその組成のメッキ格（７ぴ○）に３０分間
浸潰し、水洗後乾燥した。
Ｓぬ２が付いている側には均一な金メッキ皮膜が付いた
が、ガラス基板上にはほとんど金メッキ皮膜がつかなか
った。実施例 ５ 蒸着によってＳｎＱが片面だけ付いたホゥケィ酸系ガラ
スを実施例３と同様の工程で前処理を行った。
が、ガラス基板上にはほとんど金メッキ皮膜がつかなか
った。実施例 ５ 蒸着によってＳｎＱが片面だけ付いたホゥケィ酸系ガラ
スを実施例３と同様の工程で前処理を行った。
無電解〆ッキ浴としては、日本カニゼン■製のシューマ
ーＳ６８０をイオン交換水にて８倍希釈した無電解ニッ
ケル格（４０℃）に、活性化されたガラス基板を６分間
浸潰し、水洗、湯洗後乾燥した。Ｓ肘２の付いた面には
ニッケルメッキ被膜（メッキ厚１５００Ａ）が均一に付
いたのであるが、Ｓｄ０２の付いていない面にはほとん
どニッケルメッキ被膜が付かなかった。密着性を調べる
ために、サラシで２０ｋ９の圧力をかけて６回こすった
がメッキ面には何の変化も起らなかった。以上のように
、絶縁体の基板上に半導体層を媒介として無電解〆ッキ
を行うと、均一かつ密着力の強いメッキ面が得られた。
ーＳ６８０をイオン交換水にて８倍希釈した無電解ニッ
ケル格（４０℃）に、活性化されたガラス基板を６分間
浸潰し、水洗、湯洗後乾燥した。Ｓ肘２の付いた面には
ニッケルメッキ被膜（メッキ厚１５００Ａ）が均一に付
いたのであるが、Ｓｄ０２の付いていない面にはほとん
どニッケルメッキ被膜が付かなかった。密着性を調べる
ために、サラシで２０ｋ９の圧力をかけて６回こすった
がメッキ面には何の変化も起らなかった。以上のように
、絶縁体の基板上に半導体層を媒介として無電解〆ッキ
を行うと、均一かつ密着力の強いメッキ面が得られた。
応用例を図を用いて説明する。
第１図はカメラの日付け写し込み用の液晶パネルである
。
。
１，２はパネルの前面及び背面基板であり０．４肋の厚
さのガラスからなる。
さのガラスからなる。
３，４はＣＶＤによって形成されたＳｎ０２の透面電極
である。
である。
５は本発明の手段によって付けられた１２００△厚のニ
ッケルメッキである。
ッケルメッキである。
６は１０仏のギャ．ツプ剤を含んだェポキシ樹脂のシー
ル剤である。
ル剤である。
このようにして成るパネルに所定の成分を持つ正の液晶
組成物を７を注入する。８は偏光板である。
組成物を７を注入する。８は偏光板である。
第２図はカメラの日付け写し込み機構の模式図である。
９は光源、１０は第１図に示したパネル及びその支持体
、１１はフィルムである。
９は光源、１０は第１図に示したパネル及びその支持体
、１１はフィルムである。
パネルが日付けを表示し、１１のフィルムに写し込むの
であるが、第１図の５のニッケルメッキがなされていな
いと、光がいく分か偏光板からもれ、写真にパネルの全
体の輪郭が写ることになり都合が悪い。ニッケルメッキ
を行ったことによりその光のもれを防ぐことが出来、写
真には日付けの数字だけが鮮明に写るようになった。第
１図の５の部分は、蒸着、スパッタ等の手段でも他の金
属を付けることはできるが、コストの面から考えると本
発明による無電解〆ツキ体の応用として、プラスチック
フィルムを硝酸インジウム液に浸潰し、２００℃にて焼
成する。これを実施例２と同様の方法によりニッケルメ
ッキを行い、所定のパターンにエッチングすれば回路基
板が出来る。このように本発明は様々な応用範囲が考え
られる。
であるが、第１図の５のニッケルメッキがなされていな
いと、光がいく分か偏光板からもれ、写真にパネルの全
体の輪郭が写ることになり都合が悪い。ニッケルメッキ
を行ったことによりその光のもれを防ぐことが出来、写
真には日付けの数字だけが鮮明に写るようになった。第
１図の５の部分は、蒸着、スパッタ等の手段でも他の金
属を付けることはできるが、コストの面から考えると本
発明による無電解〆ツキ体の応用として、プラスチック
フィルムを硝酸インジウム液に浸潰し、２００℃にて焼
成する。これを実施例２と同様の方法によりニッケルメ
ッキを行い、所定のパターンにエッチングすれば回路基
板が出来る。このように本発明は様々な応用範囲が考え
られる。
第１図は液晶パネルの主要断面図である。
１，２…前面及び背面基板、３，４…透明電極、５…ニ
ッケルメッキ層、６…シール剤、７…液晶、８・・・偏
光板。 第２図はカメラの日付け写し込み機構の模式図である。 ９・・・光源としてのランプ、１０・・・液晶パネル及
びその支持体、１ １・・・フィルム。鷺’図 髪Ｚ図
ッケルメッキ層、６…シール剤、７…液晶、８・・・偏
光板。 第２図はカメラの日付け写し込み機構の模式図である。 ９・・・光源としてのランプ、１０・・・液晶パネル及
びその支持体、１ １・・・フィルム。鷺’図 髪Ｚ図
Claims (1)
- １ 絶縁体の基板上に半導体層を媒介とし、その上に目
的とする金属を２μｍ以下に無電解メツキしたことを特
徴とする無電解メツキ体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55148486A JPS6021225B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 無電解メツキ体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55148486A JPS6021225B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 無電解メツキ体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064606A Division JPH0263014A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光透過型液晶表示体 |
| JP6460589A Division JPH0257336A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | プラスチック上への無電解メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5773173A JPS5773173A (en) | 1982-05-07 |
| JPS6021225B2 true JPS6021225B2 (ja) | 1985-05-25 |
Family
ID=15453826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55148486A Expired JPS6021225B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 無電解メツキ体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021225B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116721A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US5270229A (en) * | 1989-03-07 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film semiconductor device and process for producing thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5050946A (ja) * | 1973-09-03 | 1975-05-07 | ||
| JPS51131296A (en) * | 1975-05-12 | 1976-11-15 | Hitachi Ltd | Liquid crystal matrix panel |
| JPS535690A (en) * | 1976-07-01 | 1978-01-19 | United States Surgical Corp | Disposable liquid sample card and measuring instrument using same |
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
-
1980
- 1980-10-23 JP JP55148486A patent/JPS6021225B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5050946A (ja) * | 1973-09-03 | 1975-05-07 | ||
| JPS51131296A (en) * | 1975-05-12 | 1976-11-15 | Hitachi Ltd | Liquid crystal matrix panel |
| JPS535690A (en) * | 1976-07-01 | 1978-01-19 | United States Surgical Corp | Disposable liquid sample card and measuring instrument using same |
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5773173A (en) | 1982-05-07 |
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