JPS6020802B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6020802B2 JPS6020802B2 JP4800176A JP4800176A JPS6020802B2 JP S6020802 B2 JPS6020802 B2 JP S6020802B2 JP 4800176 A JP4800176 A JP 4800176A JP 4800176 A JP4800176 A JP 4800176A JP S6020802 B2 JPS6020802 B2 JP S6020802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic head
- magnetoresistive element
- high permeability
- current
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子(以下M
R素子と称する。
R素子と称する。
)を再生ヘッドとする磁気へッドに関する。MR素子を
再生用磁気ヘッド(以下MRヘッドと称する。
再生用磁気ヘッド(以下MRヘッドと称する。
)として用いる試みが近年盛んに行われている。第1図
は現在通常用いられるMRヘッドの構造を模式的に示し
たもので、第1図−Aは基本構成図を、第1図−Bは更
に具体化した構成を示す。第1図−Aにおいて、M旧素
子2は記録媒体1に垂直に配置され、端子3−3′間に
検出電流1を流す。
は現在通常用いられるMRヘッドの構造を模式的に示し
たもので、第1図−Aは基本構成図を、第1図−Bは更
に具体化した構成を示す。第1図−Aにおいて、M旧素
子2は記録媒体1に垂直に配置され、端子3−3′間に
検出電流1を流す。
MR素子2の磁化Mは媒体1からの洩れ磁界によって、
磁気的に安定な方向(固有の磁気異方性及び形状異方性
により、通常検出電流1の方向が安定方向。)から角度
aだけ傾き、磁化状態の変化に伴う抵抗変化が生じ、電
流1によって電圧変化として端子3−3′間で検出され
る。より実用的には、第1図−Bの如く、記録媒体上の
隣接情報からの洩れ磁界による雑音を除去する目的でM
R素子2を磁気シールド材4,4′で挿み込み、更に線
型領域で動作させる目的でバイアス磁界を印加し、無信
号状態でのMR素子の磁化を検出電流の方向からある角
度(通常45度)傾けておく構成が探られる。かかる構
成のMRヘッドは、磁気シールド4,4′間の間隔が小
さくなると、媒体からの漏洩磁束が磁気シールド材4,
4′に多く吸収され、MR素子2に有効に磁界が作用し
なくなること、又、狭トラック化の為にM凪素子2の検
出電流方向の長さを小さくした場合に、MR素子自体の
抵抗値が下がり、従って抵抗変化に基づく検出信号が減
少する等の欠点がある。
磁気的に安定な方向(固有の磁気異方性及び形状異方性
により、通常検出電流1の方向が安定方向。)から角度
aだけ傾き、磁化状態の変化に伴う抵抗変化が生じ、電
流1によって電圧変化として端子3−3′間で検出され
る。より実用的には、第1図−Bの如く、記録媒体上の
隣接情報からの洩れ磁界による雑音を除去する目的でM
R素子2を磁気シールド材4,4′で挿み込み、更に線
型領域で動作させる目的でバイアス磁界を印加し、無信
号状態でのMR素子の磁化を検出電流の方向からある角
度(通常45度)傾けておく構成が探られる。かかる構
成のMRヘッドは、磁気シールド4,4′間の間隔が小
さくなると、媒体からの漏洩磁束が磁気シールド材4,
4′に多く吸収され、MR素子2に有効に磁界が作用し
なくなること、又、狭トラック化の為にM凪素子2の検
出電流方向の長さを小さくした場合に、MR素子自体の
抵抗値が下がり、従って抵抗変化に基づく検出信号が減
少する等の欠点がある。
信号レベルを高く維持する為には検出電流を増加する方
法があるが、これは熱発生を増加し、またMR素子の厚
さを下げて抵抗値を上げる方法は製造上の安定性が悪く
なるという問題点がある。この発明はMR素子が媒体か
らの漏洩磁束を有効に吸収し、また狭トラック化に対し
ても抵抗変化に基づく検出信号が減少しない磁気ヘッド
を提供することを目的とすしている。
法があるが、これは熱発生を増加し、またMR素子の厚
さを下げて抵抗値を上げる方法は製造上の安定性が悪く
なるという問題点がある。この発明はMR素子が媒体か
らの漏洩磁束を有効に吸収し、また狭トラック化に対し
ても抵抗変化に基づく検出信号が減少しない磁気ヘッド
を提供することを目的とすしている。
すなわち、この発明は、MR素子と、そのM麻素子のバ
イアス機構と、これらを挿んで上下に設けた1対の高透
磁率磁性体とを基板上に基板面に垂直方向に頭層した構
造の磁気ヘッドにおいて、M舵素子をヘッドの先端部か
ら後端部またはその近傍に至るまで十分長く設け、かつ
MR素子の信号検出電流が記録媒体面に垂直方向に流れ
るように電流端子を設けた構造を有する磁気ヘッドであ
る。
イアス機構と、これらを挿んで上下に設けた1対の高透
磁率磁性体とを基板上に基板面に垂直方向に頭層した構
造の磁気ヘッドにおいて、M舵素子をヘッドの先端部か
ら後端部またはその近傍に至るまで十分長く設け、かつ
MR素子の信号検出電流が記録媒体面に垂直方向に流れ
るように電流端子を設けた構造を有する磁気ヘッドであ
る。
以下図面を用いて本発明を詳しく説明する。
第2図は本発明の一実施例を示したものである。第2図
−Aは基板11に垂直な方向の断面を表わし、基板11
上に高透磁率磁性体14、薄い絶縁層16が積層され、
その上にMR素子たるべき高透磁率磁性体12を着け、
抵抗変化を検知すべき領域を除いて電流端子たるべき導
体13,13′を高透磁率磁性体12とオーミツク結合
させる。絶縁層17、バイアス磁界を発生する高抗磁力
磁性体15、絶縁層18、高透磁率磁性体14′が更に
積層されている。
−Aは基板11に垂直な方向の断面を表わし、基板11
上に高透磁率磁性体14、薄い絶縁層16が積層され、
その上にMR素子たるべき高透磁率磁性体12を着け、
抵抗変化を検知すべき領域を除いて電流端子たるべき導
体13,13′を高透磁率磁性体12とオーミツク結合
させる。絶縁層17、バイアス磁界を発生する高抗磁力
磁性体15、絶縁層18、高透磁率磁性体14′が更に
積層されている。
第2図−Bは、第2図−Aの15,17,18,14′
を除いた部分の平面図を示している。本実施例ではMR
素子を記録媒体面に垂直方向に十分に長くしてあるので
、磁気シールドのための高透磁率磁性体14,14′の
間隔を小さくした場合でもM旧素子は十分に漏洩磁束を
吸収することができる。
を除いた部分の平面図を示している。本実施例ではMR
素子を記録媒体面に垂直方向に十分に長くしてあるので
、磁気シールドのための高透磁率磁性体14,14′の
間隔を小さくした場合でもM旧素子は十分に漏洩磁束を
吸収することができる。
また信号検出電流1は13一13′間を記録媒体面に垂
珍な方向に流れ、MR素子12の磁化Mはバイアス磁界
によって電流1と8(345度)の角度を成す様に向け
られる。その結果この実施例の特長の他の1つは信号検
出電流の方向を記録媒体面に垂直にすることによって、
抵抗変化を検出すべき領域(第2図−Bで13,13′
の斜線部にはさまれた領域)が長くなり、全抵抗変化量
を大きく取れることにある。第1図−Aの構成ではトラ
ック中の減少とともに全体の抵抗値が減少する結果、こ
れに比例する抵抗変化量が減少し、従って出力値が下が
るのに対し第2図の構成ではトラック中に大中には影響
されない構成が可能である。即ち、トラック中が小さく
なるのに伴い、記録媒体に対面する端子13′の下に存
在するMR素子12の先端の中をトラック中程度にし、
媒体から遠ざかるにつれて大きくし、抵抗変化を検出す
べき領域では、トラック中に関係なく一定の中にするこ
とができる。
珍な方向に流れ、MR素子12の磁化Mはバイアス磁界
によって電流1と8(345度)の角度を成す様に向け
られる。その結果この実施例の特長の他の1つは信号検
出電流の方向を記録媒体面に垂直にすることによって、
抵抗変化を検出すべき領域(第2図−Bで13,13′
の斜線部にはさまれた領域)が長くなり、全抵抗変化量
を大きく取れることにある。第1図−Aの構成ではトラ
ック中の減少とともに全体の抵抗値が減少する結果、こ
れに比例する抵抗変化量が減少し、従って出力値が下が
るのに対し第2図の構成ではトラック中に大中には影響
されない構成が可能である。即ち、トラック中が小さく
なるのに伴い、記録媒体に対面する端子13′の下に存
在するMR素子12の先端の中をトラック中程度にし、
媒体から遠ざかるにつれて大きくし、抵抗変化を検出す
べき領域では、トラック中に関係なく一定の中にするこ
とができる。
この場合、勿論、端子13′たるべき導体は中が変化し
ている領域全体を覆う様にする。又、抵抗変化を検出す
べき領域の中方向の寸法は中方向に磁化する場合の反磁
界が大き過ぎず、かつ全体の抵抗値が著しく減少しない
様な適正な寸法に設定することが出来、本発明にかかる
第2図の構成のヘッドは反磁場の影響が比較的小さく、
トラック中の寸法にも著しくは左右されない優れた磁気
ヘッドを与えることが分る。次に、本発明の他の実施例
を第3図に示す。第3図では基板21上に、高透磁率磁
性体24絶縁層26、MR素子22を積層することは第
2図と同様であるが、電流端子たるべき導体23を4・
さくして、M股素子22を形成すべき高透磁率磁性体を
1部露出させておき、高透磁率磁性体24′と直接磁気
的に結合せしめたものである。かかる構成を探ることに
よる利点はMR素子22と高透磁率磁性体24′と記録
媒体とによって閉じた磁気回路を形成することにより、
第2図の構成よりも更に磁束はM旧素子内を通り易くな
る。従って、本発明の第3図の実施例のヘッドは有効に
磁束を拾い、抵抗変化量が多い、即ち再生出力の大きな
ヘッドを与えるものである。本発明の第2図、第3図の
実施例に関しては以下の変形した構成も可能である。
ている領域全体を覆う様にする。又、抵抗変化を検出す
べき領域の中方向の寸法は中方向に磁化する場合の反磁
界が大き過ぎず、かつ全体の抵抗値が著しく減少しない
様な適正な寸法に設定することが出来、本発明にかかる
第2図の構成のヘッドは反磁場の影響が比較的小さく、
トラック中の寸法にも著しくは左右されない優れた磁気
ヘッドを与えることが分る。次に、本発明の他の実施例
を第3図に示す。第3図では基板21上に、高透磁率磁
性体24絶縁層26、MR素子22を積層することは第
2図と同様であるが、電流端子たるべき導体23を4・
さくして、M股素子22を形成すべき高透磁率磁性体を
1部露出させておき、高透磁率磁性体24′と直接磁気
的に結合せしめたものである。かかる構成を探ることに
よる利点はMR素子22と高透磁率磁性体24′と記録
媒体とによって閉じた磁気回路を形成することにより、
第2図の構成よりも更に磁束はM旧素子内を通り易くな
る。従って、本発明の第3図の実施例のヘッドは有効に
磁束を拾い、抵抗変化量が多い、即ち再生出力の大きな
ヘッドを与えるものである。本発明の第2図、第3図の
実施例に関しては以下の変形した構成も可能である。
第1に、基板11,21が高透磁率磁性体であれば、高
透磁率磁性体14,24は不要である。更に基板11,
21が絶縁性の高透磁率磁性体であれば、高透磁率磁性
体14,24とともに、絶縁層16,26も省くことが
できる。第2に、高透磁率磁性体14,24が導電性で
あっても、第2図においては絶縁届16の導体13′の
真下の部分もしくは13の真下の部分の何れか1方を、
第3図においては絶縁層26の導体23′の真下の部分
もしくは23の真下の部分の何れか1方を、それぞれ除
いて、MR素子と下の高透磁率磁性体を結合させた構成
も可能であり、それぞれ第2図、第3図に示した実施例
のヘッドの効果を更に高めるものである。
透磁率磁性体14,24は不要である。更に基板11,
21が絶縁性の高透磁率磁性体であれば、高透磁率磁性
体14,24とともに、絶縁層16,26も省くことが
できる。第2に、高透磁率磁性体14,24が導電性で
あっても、第2図においては絶縁届16の導体13′の
真下の部分もしくは13の真下の部分の何れか1方を、
第3図においては絶縁層26の導体23′の真下の部分
もしくは23の真下の部分の何れか1方を、それぞれ除
いて、MR素子と下の高透磁率磁性体を結合させた構成
も可能であり、それぞれ第2図、第3図に示した実施例
のヘッドの効果を更に高めるものである。
第2、第3図ではバイアス機構として高抗磁力磁性体を
使用した構造を示したが、導体を使い、電流磁場によっ
てMR素子をバイアスすることももちろん可能である。
使用した構造を示したが、導体を使い、電流磁場によっ
てMR素子をバイアスすることももちろん可能である。
第4図は導体電流磁界をバイアス磁界として用いた構造
の実施例を示したものである。第4図においては、第2
図の13′、第3図の23′に相当する端子33′を形
成する導体を絶縁層37を挿んでMR素子を形成すべき
高透磁率磁性体32に重なる様に設け35を電流端子と
している。第4図の構造の磁気ヘッドでは信号検出電流
自体によりバイアス磁界が発生せられ、しかも電流端子
数は2個で済む特長がある。もしも33′の部分で結合
されなければ電流端子は全部で4個必要であり、電源は
2個必要である。又、仮に、バイアス電流と信号検出電
流を異る大きさの値に設定しようとすれば、33′で結
合は可能であるため端子数は3個になるが、電源はやは
り2個必要になる。従って、本発明の第4図の実施例の
磁気ヘッドは端子数、電源とも最小限で済む優れた磁気
ヘッドを与えるものである。
の実施例を示したものである。第4図においては、第2
図の13′、第3図の23′に相当する端子33′を形
成する導体を絶縁層37を挿んでMR素子を形成すべき
高透磁率磁性体32に重なる様に設け35を電流端子と
している。第4図の構造の磁気ヘッドでは信号検出電流
自体によりバイアス磁界が発生せられ、しかも電流端子
数は2個で済む特長がある。もしも33′の部分で結合
されなければ電流端子は全部で4個必要であり、電源は
2個必要である。又、仮に、バイアス電流と信号検出電
流を異る大きさの値に設定しようとすれば、33′で結
合は可能であるため端子数は3個になるが、電源はやは
り2個必要になる。従って、本発明の第4図の実施例の
磁気ヘッドは端子数、電源とも最小限で済む優れた磁気
ヘッドを与えるものである。
0図面の簡単な説明
第1図は従来のMRヘッドの漠式図、第2〜4図は本発
明の実施例である。
明の実施例である。
1,19,39……記録媒体、2,12,22,32・
・…・MR素子用高透磁率磁性体、11,夕21,31
・・・・・・基板、4,4′,14,14′,24,2
4′,34,34′……高透磁率磁性体、6,16,1
7,18,26,27,28,36,37,38・・・
・・・絶縁層、5,15,25・…・・バイアス用高抗
磁力磁性体、3,3′,35・・・・・・0端子、13
,13′,23,23′,33,33′・・・・・・電
流端子用導体、M・・・・・・MR素子の磁化、1・・
・・・・信号検出電流、8・・・・・・Mと1の成す角
度。
・…・MR素子用高透磁率磁性体、11,夕21,31
・・・・・・基板、4,4′,14,14′,24,2
4′,34,34′……高透磁率磁性体、6,16,1
7,18,26,27,28,36,37,38・・・
・・・絶縁層、5,15,25・…・・バイアス用高抗
磁力磁性体、3,3′,35・・・・・・0端子、13
,13′,23,23′,33,33′・・・・・・電
流端子用導体、M・・・・・・MR素子の磁化、1・・
・・・・信号検出電流、8・・・・・・Mと1の成す角
度。
オー図才2図
オ3図
オ4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するバイアス機構と、これらを挿んで上下
に設けた1対の高透磁率磁性体とを平滑な基板上に基板
面に垂直な方向に積層した構造を持つ磁気ヘツドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子が、記録媒体面に対面する磁
気ヘツドの先端部から、記録媒体面に最も遠い後端部ま
たはその近傍まで連続して存在し、かつ、前記磁気抵抗
効果素子に流すべき信号検出電流の方向が記録媒体面に
垂直な方向である様に電流端子を設けた構造を有するこ
とを特徴とする磁気ヘツド。 2 特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘツドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子はその抵抗変化を検出する領域で
は、前記1対の高透磁率磁性体と電気的に絶縁され、そ
の抵抗変化を検出する領域外の少くとも1部領域では前
記1対の高透磁率磁性体の何れか1方と接触している磁
気ヘツド。 3 特許請求の範囲1,2項記載の磁気ヘツドにおいて
、前記電流端子を形成する導体の一方を絶縁層を介して
磁気抵抗効果素子の抵抗変化を検出すべき領域上を通過
させ、信号検出電流がバイアス電流を兼ねるようにした
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4800176A JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4800176A JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52130614A JPS52130614A (en) | 1977-11-02 |
JPS6020802B2 true JPS6020802B2 (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=12791064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4800176A Expired JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6020802B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5559314A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-02 | Sony Corp | Magnetic scale signal detector |
JPS55121110A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Nec Corp | Angle detector |
JPS5879113A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転検出装置 |
JPS58151813U (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | ソニ−マグネスケ−ル株式会社 | 位置検出装置 |
JPS6035215A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-02-23 | Sony Magnescale Inc | 磁気スケ−ル信号検出装置 |
DE69332530T2 (de) * | 1992-08-25 | 2003-07-03 | Seagate Technology Llc, Scotts Valley | Magneto-resistiver Sensor und Herstellungsverfahren dafür |
-
1976
- 1976-04-26 JP JP4800176A patent/JPS6020802B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52130614A (en) | 1977-11-02 |
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