JPS6020802B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6020802B2 JPS6020802B2 JP4800176A JP4800176A JPS6020802B2 JP S6020802 B2 JPS6020802 B2 JP S6020802B2 JP 4800176 A JP4800176 A JP 4800176A JP 4800176 A JP4800176 A JP 4800176A JP S6020802 B2 JPS6020802 B2 JP S6020802B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic head
- magnetoresistive element
- high permeability
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子（以下Ｍ
Ｒ素子と称する。
Ｒ素子と称する。
）を再生ヘッドとする磁気へッドに関する。ＭＲ素子を
再生用磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する。
再生用磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する。
）として用いる試みが近年盛んに行われている。第１図
は現在通常用いられるＭＲヘッドの構造を模式的に示し
たもので、第１図−Ａは基本構成図を、第１図−Ｂは更
に具体化した構成を示す。第１図−Ａにおいて、Ｍ旧素
子２は記録媒体１に垂直に配置され、端子３−３′間に
検出電流１を流す。
は現在通常用いられるＭＲヘッドの構造を模式的に示し
たもので、第１図−Ａは基本構成図を、第１図−Ｂは更
に具体化した構成を示す。第１図−Ａにおいて、Ｍ旧素
子２は記録媒体１に垂直に配置され、端子３−３′間に
検出電流１を流す。
ＭＲ素子２の磁化Ｍは媒体１からの洩れ磁界によって、
磁気的に安定な方向（固有の磁気異方性及び形状異方性
により、通常検出電流１の方向が安定方向。）から角度
ａだけ傾き、磁化状態の変化に伴う抵抗変化が生じ、電
流１によって電圧変化として端子３−３′間で検出され
る。より実用的には、第１図−Ｂの如く、記録媒体上の
隣接情報からの洩れ磁界による雑音を除去する目的でＭ
Ｒ素子２を磁気シールド材４，４′で挿み込み、更に線
型領域で動作させる目的でバイアス磁界を印加し、無信
号状態でのＭＲ素子の磁化を検出電流の方向からある角
度（通常４５度）傾けておく構成が探られる。かかる構
成のＭＲヘッドは、磁気シールド４，４′間の間隔が小
さくなると、媒体からの漏洩磁束が磁気シールド材４，
４′に多く吸収され、ＭＲ素子２に有効に磁界が作用し
なくなること、又、狭トラック化の為にＭ凪素子２の検
出電流方向の長さを小さくした場合に、ＭＲ素子自体の
抵抗値が下がり、従って抵抗変化に基づく検出信号が減
少する等の欠点がある。
磁気的に安定な方向（固有の磁気異方性及び形状異方性
により、通常検出電流１の方向が安定方向。）から角度
ａだけ傾き、磁化状態の変化に伴う抵抗変化が生じ、電
流１によって電圧変化として端子３−３′間で検出され
る。より実用的には、第１図−Ｂの如く、記録媒体上の
隣接情報からの洩れ磁界による雑音を除去する目的でＭ
Ｒ素子２を磁気シールド材４，４′で挿み込み、更に線
型領域で動作させる目的でバイアス磁界を印加し、無信
号状態でのＭＲ素子の磁化を検出電流の方向からある角
度（通常４５度）傾けておく構成が探られる。かかる構
成のＭＲヘッドは、磁気シールド４，４′間の間隔が小
さくなると、媒体からの漏洩磁束が磁気シールド材４，
４′に多く吸収され、ＭＲ素子２に有効に磁界が作用し
なくなること、又、狭トラック化の為にＭ凪素子２の検
出電流方向の長さを小さくした場合に、ＭＲ素子自体の
抵抗値が下がり、従って抵抗変化に基づく検出信号が減
少する等の欠点がある。
信号レベルを高く維持する為には検出電流を増加する方
法があるが、これは熱発生を増加し、またＭＲ素子の厚
さを下げて抵抗値を上げる方法は製造上の安定性が悪く
なるという問題点がある。この発明はＭＲ素子が媒体か
らの漏洩磁束を有効に吸収し、また狭トラック化に対し
ても抵抗変化に基づく検出信号が減少しない磁気ヘッド
を提供することを目的とすしている。
法があるが、これは熱発生を増加し、またＭＲ素子の厚
さを下げて抵抗値を上げる方法は製造上の安定性が悪く
なるという問題点がある。この発明はＭＲ素子が媒体か
らの漏洩磁束を有効に吸収し、また狭トラック化に対し
ても抵抗変化に基づく検出信号が減少しない磁気ヘッド
を提供することを目的とすしている。
すなわち、この発明は、ＭＲ素子と、そのＭ麻素子のバ
イアス機構と、これらを挿んで上下に設けた１対の高透
磁率磁性体とを基板上に基板面に垂直方向に頭層した構
造の磁気ヘッドにおいて、Ｍ舵素子をヘッドの先端部か
ら後端部またはその近傍に至るまで十分長く設け、かつ
ＭＲ素子の信号検出電流が記録媒体面に垂直方向に流れ
るように電流端子を設けた構造を有する磁気ヘッドであ
る。
イアス機構と、これらを挿んで上下に設けた１対の高透
磁率磁性体とを基板上に基板面に垂直方向に頭層した構
造の磁気ヘッドにおいて、Ｍ舵素子をヘッドの先端部か
ら後端部またはその近傍に至るまで十分長く設け、かつ
ＭＲ素子の信号検出電流が記録媒体面に垂直方向に流れ
るように電流端子を設けた構造を有する磁気ヘッドであ
る。
以下図面を用いて本発明を詳しく説明する。
第２図は本発明の一実施例を示したものである。第２図
−Ａは基板１１に垂直な方向の断面を表わし、基板１１
上に高透磁率磁性体１４、薄い絶縁層１６が積層され、
その上にＭＲ素子たるべき高透磁率磁性体１２を着け、
抵抗変化を検知すべき領域を除いて電流端子たるべき導
体１３，１３′を高透磁率磁性体１２とオーミツク結合
させる。絶縁層１７、バイアス磁界を発生する高抗磁力
磁性体１５、絶縁層１８、高透磁率磁性体１４′が更に
積層されている。
−Ａは基板１１に垂直な方向の断面を表わし、基板１１
上に高透磁率磁性体１４、薄い絶縁層１６が積層され、
その上にＭＲ素子たるべき高透磁率磁性体１２を着け、
抵抗変化を検知すべき領域を除いて電流端子たるべき導
体１３，１３′を高透磁率磁性体１２とオーミツク結合
させる。絶縁層１７、バイアス磁界を発生する高抗磁力
磁性体１５、絶縁層１８、高透磁率磁性体１４′が更に
積層されている。
第２図−Ｂは、第２図−Ａの１５，１７，１８，１４′
を除いた部分の平面図を示している。本実施例ではＭＲ
素子を記録媒体面に垂直方向に十分に長くしてあるので
、磁気シールドのための高透磁率磁性体１４，１４′の
間隔を小さくした場合でもＭ旧素子は十分に漏洩磁束を
吸収することができる。
を除いた部分の平面図を示している。本実施例ではＭＲ
素子を記録媒体面に垂直方向に十分に長くしてあるので
、磁気シールドのための高透磁率磁性体１４，１４′の
間隔を小さくした場合でもＭ旧素子は十分に漏洩磁束を
吸収することができる。
また信号検出電流１は１３一１３′間を記録媒体面に垂
珍な方向に流れ、ＭＲ素子１２の磁化Ｍはバイアス磁界
によって電流１と８（３４５度）の角度を成す様に向け
られる。その結果この実施例の特長の他の１つは信号検
出電流の方向を記録媒体面に垂直にすることによって、
抵抗変化を検出すべき領域（第２図−Ｂで１３，１３′
の斜線部にはさまれた領域）が長くなり、全抵抗変化量
を大きく取れることにある。第１図−Ａの構成ではトラ
ック中の減少とともに全体の抵抗値が減少する結果、こ
れに比例する抵抗変化量が減少し、従って出力値が下が
るのに対し第２図の構成ではトラック中に大中には影響
されない構成が可能である。即ち、トラック中が小さく
なるのに伴い、記録媒体に対面する端子１３′の下に存
在するＭＲ素子１２の先端の中をトラック中程度にし、
媒体から遠ざかるにつれて大きくし、抵抗変化を検出す
べき領域では、トラック中に関係なく一定の中にするこ
とができる。
珍な方向に流れ、ＭＲ素子１２の磁化Ｍはバイアス磁界
によって電流１と８（３４５度）の角度を成す様に向け
られる。その結果この実施例の特長の他の１つは信号検
出電流の方向を記録媒体面に垂直にすることによって、
抵抗変化を検出すべき領域（第２図−Ｂで１３，１３′
の斜線部にはさまれた領域）が長くなり、全抵抗変化量
を大きく取れることにある。第１図−Ａの構成ではトラ
ック中の減少とともに全体の抵抗値が減少する結果、こ
れに比例する抵抗変化量が減少し、従って出力値が下が
るのに対し第２図の構成ではトラック中に大中には影響
されない構成が可能である。即ち、トラック中が小さく
なるのに伴い、記録媒体に対面する端子１３′の下に存
在するＭＲ素子１２の先端の中をトラック中程度にし、
媒体から遠ざかるにつれて大きくし、抵抗変化を検出す
べき領域では、トラック中に関係なく一定の中にするこ
とができる。
この場合、勿論、端子１３′たるべき導体は中が変化し
ている領域全体を覆う様にする。又、抵抗変化を検出す
べき領域の中方向の寸法は中方向に磁化する場合の反磁
界が大き過ぎず、かつ全体の抵抗値が著しく減少しない
様な適正な寸法に設定することが出来、本発明にかかる
第２図の構成のヘッドは反磁場の影響が比較的小さく、
トラック中の寸法にも著しくは左右されない優れた磁気
ヘッドを与えることが分る。次に、本発明の他の実施例
を第３図に示す。第３図では基板２１上に、高透磁率磁
性体２４絶縁層２６、ＭＲ素子２２を積層することは第
２図と同様であるが、電流端子たるべき導体２３を４・
さくして、Ｍ股素子２２を形成すべき高透磁率磁性体を
１部露出させておき、高透磁率磁性体２４′と直接磁気
的に結合せしめたものである。かかる構成を探ることに
よる利点はＭＲ素子２２と高透磁率磁性体２４′と記録
媒体とによって閉じた磁気回路を形成することにより、
第２図の構成よりも更に磁束はＭ旧素子内を通り易くな
る。従って、本発明の第３図の実施例のヘッドは有効に
磁束を拾い、抵抗変化量が多い、即ち再生出力の大きな
ヘッドを与えるものである。本発明の第２図、第３図の
実施例に関しては以下の変形した構成も可能である。
ている領域全体を覆う様にする。又、抵抗変化を検出す
べき領域の中方向の寸法は中方向に磁化する場合の反磁
界が大き過ぎず、かつ全体の抵抗値が著しく減少しない
様な適正な寸法に設定することが出来、本発明にかかる
第２図の構成のヘッドは反磁場の影響が比較的小さく、
トラック中の寸法にも著しくは左右されない優れた磁気
ヘッドを与えることが分る。次に、本発明の他の実施例
を第３図に示す。第３図では基板２１上に、高透磁率磁
性体２４絶縁層２６、ＭＲ素子２２を積層することは第
２図と同様であるが、電流端子たるべき導体２３を４・
さくして、Ｍ股素子２２を形成すべき高透磁率磁性体を
１部露出させておき、高透磁率磁性体２４′と直接磁気
的に結合せしめたものである。かかる構成を探ることに
よる利点はＭＲ素子２２と高透磁率磁性体２４′と記録
媒体とによって閉じた磁気回路を形成することにより、
第２図の構成よりも更に磁束はＭ旧素子内を通り易くな
る。従って、本発明の第３図の実施例のヘッドは有効に
磁束を拾い、抵抗変化量が多い、即ち再生出力の大きな
ヘッドを与えるものである。本発明の第２図、第３図の
実施例に関しては以下の変形した構成も可能である。
第１に、基板１１，２１が高透磁率磁性体であれば、高
透磁率磁性体１４，２４は不要である。更に基板１１，
２１が絶縁性の高透磁率磁性体であれば、高透磁率磁性
体１４，２４とともに、絶縁層１６，２６も省くことが
できる。第２に、高透磁率磁性体１４，２４が導電性で
あっても、第２図においては絶縁届１６の導体１３′の
真下の部分もしくは１３の真下の部分の何れか１方を、
第３図においては絶縁層２６の導体２３′の真下の部分
もしくは２３の真下の部分の何れか１方を、それぞれ除
いて、ＭＲ素子と下の高透磁率磁性体を結合させた構成
も可能であり、それぞれ第２図、第３図に示した実施例
のヘッドの効果を更に高めるものである。
透磁率磁性体１４，２４は不要である。更に基板１１，
２１が絶縁性の高透磁率磁性体であれば、高透磁率磁性
体１４，２４とともに、絶縁層１６，２６も省くことが
できる。第２に、高透磁率磁性体１４，２４が導電性で
あっても、第２図においては絶縁届１６の導体１３′の
真下の部分もしくは１３の真下の部分の何れか１方を、
第３図においては絶縁層２６の導体２３′の真下の部分
もしくは２３の真下の部分の何れか１方を、それぞれ除
いて、ＭＲ素子と下の高透磁率磁性体を結合させた構成
も可能であり、それぞれ第２図、第３図に示した実施例
のヘッドの効果を更に高めるものである。
第２、第３図ではバイアス機構として高抗磁力磁性体を
使用した構造を示したが、導体を使い、電流磁場によっ
てＭＲ素子をバイアスすることももちろん可能である。
使用した構造を示したが、導体を使い、電流磁場によっ
てＭＲ素子をバイアスすることももちろん可能である。
第４図は導体電流磁界をバイアス磁界として用いた構造
の実施例を示したものである。第４図においては、第２
図の１３′、第３図の２３′に相当する端子３３′を形
成する導体を絶縁層３７を挿んでＭＲ素子を形成すべき
高透磁率磁性体３２に重なる様に設け３５を電流端子と
している。第４図の構造の磁気ヘッドでは信号検出電流
自体によりバイアス磁界が発生せられ、しかも電流端子
数は２個で済む特長がある。もしも３３′の部分で結合
されなければ電流端子は全部で４個必要であり、電源は
２個必要である。又、仮に、バイアス電流と信号検出電
流を異る大きさの値に設定しようとすれば、３３′で結
合は可能であるため端子数は３個になるが、電源はやは
り２個必要になる。従って、本発明の第４図の実施例の
磁気ヘッドは端子数、電源とも最小限で済む優れた磁気
ヘッドを与えるものである。
の実施例を示したものである。第４図においては、第２
図の１３′、第３図の２３′に相当する端子３３′を形
成する導体を絶縁層３７を挿んでＭＲ素子を形成すべき
高透磁率磁性体３２に重なる様に設け３５を電流端子と
している。第４図の構造の磁気ヘッドでは信号検出電流
自体によりバイアス磁界が発生せられ、しかも電流端子
数は２個で済む特長がある。もしも３３′の部分で結合
されなければ電流端子は全部で４個必要であり、電源は
２個必要である。又、仮に、バイアス電流と信号検出電
流を異る大きさの値に設定しようとすれば、３３′で結
合は可能であるため端子数は３個になるが、電源はやは
り２個必要になる。従って、本発明の第４図の実施例の
磁気ヘッドは端子数、電源とも最小限で済む優れた磁気
ヘッドを与えるものである。
０図面の簡単な説明
第１図は従来のＭＲヘッドの漠式図、第２〜４図は本発
明の実施例である。
明の実施例である。
１，１９，３９……記録媒体、２，１２，２２，３２・
・…・ＭＲ素子用高透磁率磁性体、１１，夕２１，３１
・・・・・・基板、４，４′，１４，１４′，２４，２
４′，３４，３４′……高透磁率磁性体、６，１６，１
７，１８，２６，２７，２８，３６，３７，３８・・・
・・・絶縁層、５，１５，２５・…・・バイアス用高抗
磁力磁性体、３，３′，３５・・・・・・０端子、１３
，１３′，２３，２３′，３３，３３′・・・・・・電
流端子用導体、Ｍ・・・・・・ＭＲ素子の磁化、１・・
・・・・信号検出電流、８・・・・・・Ｍと１の成す角
度。
・…・ＭＲ素子用高透磁率磁性体、１１，夕２１，３１
・・・・・・基板、４，４′，１４，１４′，２４，２
４′，３４，３４′……高透磁率磁性体、６，１６，１
７，１８，２６，２７，２８，３６，３７，３８・・・
・・・絶縁層、５，１５，２５・…・・バイアス用高抗
磁力磁性体、３，３′，３５・・・・・・０端子、１３
，１３′，２３，２３′，３３，３３′・・・・・・電
流端子用導体、Ｍ・・・・・・ＭＲ素子の磁化、１・・
・・・・信号検出電流、８・・・・・・Ｍと１の成す角
度。
オー図才２図
オ３図
オ４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するバイアス機構と、これらを挿んで上下
に設けた１対の高透磁率磁性体とを平滑な基板上に基板
面に垂直な方向に積層した構造を持つ磁気ヘツドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子が、記録媒体面に対面する磁
気ヘツドの先端部から、記録媒体面に最も遠い後端部ま
たはその近傍まで連続して存在し、かつ、前記磁気抵抗
効果素子に流すべき信号検出電流の方向が記録媒体面に
垂直な方向である様に電流端子を設けた構造を有するこ
とを特徴とする磁気ヘツド。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子はその抵抗変化を検出する領域で
は、前記１対の高透磁率磁性体と電気的に絶縁され、そ
の抵抗変化を検出する領域外の少くとも１部領域では前
記１対の高透磁率磁性体の何れか１方と接触している磁
気ヘツド。 ３ 特許請求の範囲１，２項記載の磁気ヘツドにおいて
、前記電流端子を形成する導体の一方を絶縁層を介して
磁気抵抗効果素子の抵抗変化を検出すべき領域上を通過
させ、信号検出電流がバイアス電流を兼ねるようにした
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4800176A JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4800176A JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52130614A JPS52130614A (en) | 1977-11-02 |
| JPS6020802B2 true JPS6020802B2 (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=12791064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4800176A Expired JPS6020802B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020802B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559314A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-02 | Sony Corp | Magnetic scale signal detector |
| JPS55121110A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Nec Corp | Angle detector |
| JPS5879113A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転検出装置 |
| JPS58151813U (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | ソニ−マグネスケ−ル株式会社 | 位置検出装置 |
| JPS6035215A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-02-23 | Sony Magnescale Inc | 磁気スケ−ル信号検出装置 |
| DE69332530T2 (de) * | 1992-08-25 | 2003-07-03 | Seagate Technology Llc, Scotts Valley | Magneto-resistiver Sensor und Herstellungsverfahren dafür |
-
1976
- 1976-04-26 JP JP4800176A patent/JPS6020802B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52130614A (en) | 1977-11-02 |
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