JPS60196865A - バツクアツプメモリ回路 - Google Patents

バツクアツプメモリ回路

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Publication number
JPS60196865A
JPS60196865A JP59053013A JP5301384A JPS60196865A JP S60196865 A JPS60196865 A JP S60196865A JP 59053013 A JP59053013 A JP 59053013A JP 5301384 A JP5301384 A JP 5301384A JP S60196865 A JPS60196865 A JP S60196865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
backup memory
circuit
switch
state
memory circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59053013A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichi Kumagai
熊谷 瑛一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59053013A priority Critical patent/JPS60196865A/ja
Publication of JPS60196865A publication Critical patent/JPS60196865A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1658Data re-synchronization of a redundant component, or initial sync of replacement, additional or spare unit
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1666Error detection or correction of the data by redundancy in hardware where the redundant component is memory or memory area
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はマイクロプロセッサ制御回路等で使用されるバ
ックアップメモリ回路に関し、特に不揮発生メモリを有
するバックアップメモリ回路に関する。
(従来技術) 従来、バックアップメモリ回路は、この回路が搭載され
ているパッケージ(プリント板回路)の他の部分に故障
が発生したときに、装置修理のため予備のパッケージに
交換してしまうと、バックアップメモリ内の情報を自動
的にコピーする手段がなかったので、−々、新しいバッ
クアップメモリ内の情報を再セットする必要があった。
また、−前記のような故障のとき、せっかく蓄えたバッ
クアップメモリ内の貴重な情報が読みだせないといパッ
ケージのバックアップメモリを強制的に読出し状態にす
るようなスイッチと制御回路を設けることによシバツク
アップメモリ内の情報をコピーできるようにし、−々再
セットする必要のないパックアラ孔メそり回路を提供す
ることにある。
(発明の構成) 本発明のバックアップメモリ回路は、不揮発性メモリと
、該不揮発性メモリをバスに接続するだめのバッファと
、正常使用状態か内容読出し状態かを定めるスイッチと
、前記スイッチの状態によシ前記不揮発性メモリのセレ
クト状態を変えるためのチップセレクト制御回路及び前
記スイッチの状態により前記バッファのイネーブル状態
及び信号の流れの方向を変えるためのバッファコントロ
ール回路を含んで構成される。
(実施例) 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
この実施例のバックアップメモリ回路11は1不揮発性
メモリ13と、この不揮発性メモリ13をバス23に接
続するためのバッファ17と・正常使用状態か内容読出
し状態かを定めるスイッチ16と、このスイッチ16の
状態によシネ揮発性メモリ13のセレクト状態を変える
ためのチップセレクト制御回路及びスイッチ16の状態
によりバッファ17のイネーブル状態及び信号の流れの
方向を変えるためのバッファコントロール回路35とを
含んで構成される。
第1図ではチップセレクト制御回路とバッファコントロ
ール回路とは一つのブロック内にチップセレクト制御回
路及びバッファコントロール回路15として表示してあ
り、また、スイッチ16はこの回路15内に設けられて
いる。バックアップ用の不揮発性メモリ13はCMOS
メモリで作ら次に、本実施例の使用方法について説明す
る〇今、バックアップメモリ回路11の不揮発性メモリ
13以外の部分が故障し、新しいバックアップメモリ回
路11′に交換するものとする。新しいバックアップメ
モリ回路11′は元のバックアップメモリ回路11と全
く同じ構成である(従って、図では同じものに対して″
を付した同一番号としである)。不揮発性メモリ13に
は重要なデータが入りておシ、交換波も元に戻す必要が
ある。つまシ、不揮発性メモリ13の内容を新しい不揮
発性メモリ13′に移す必要がある。それには次のよう
な操作を行う。
新しいバックアップメモリ回路11′と故障している元
のバックアップメモリ回路11とを同時に装置に実装し
、故障した方のバックアップメモリ回路11のスイッチ
16を内部読出し状態にセットする。このとき新しいバ
ックアップメモリ回路のスイッチ16′は正常使用状態
にしておく。このような状態で電源を投入し、特別なバ
ックアップメモリ回復プログラムを動作させることによ
シネ揮発性メモリ13′の内容は不揮発性メモリ13の
内容と同じとなフ、修理が終わる。
内部の動作は次のようになる。スイッチ16の状態が正
常使用状態のときは、チップセレクト制御回路及びバッ
ファコントロール回路15から発生するバッファコント
ロール線19の状態は通常の ° MPU12の制御に
従い、 バッファ17のイネーブル状態及び信号の流れの方向を
制御する。又チップセレクト線18は正規の不揮発性メ
モリ13アドレスになったときアクティブとなる。
しかしながら、スイッチ16の状態が内部読出し状態に
セットされているときは、バッファコントロール[19
の状態はバッフ丁17f:次のような状態にする。すな
わち、アドレス関係の制御線の方向をバス23から内部
バス24の向きとし、データ線をアドレスが不揮発性メ
モリ13読出し専用アドレスになったときのみ内部バス
24からバス23の向きとする。また、チップセレクト
線18はアドレスが不揮発性メモリ13読出し専用アド
レスになったときアクティブとなシ、不揮発性メモリ1
3からデータが読出せるようにする。
このような状態にすることによって、故障したバックア
ップメモリ回路11は完全にパッシブ状態となシ、新し
いバックアップメモリ回路11′のMPL/12’で動
作する次の ようなバックアップメモリ回復プログラムによって、不
揮発性メモリ13のデータを不揮発性メモリ13′にコ
ピーする。バックアップメモリ回復プログラムは、読出
し専用アドレスにある不揮発性メモリ13の内容を読取
シ、正規のアドレスにある不揮発性メモり13’に書込
む。
上記実施例ではバックアップメモリとしてバックアップ
電池を持った0MO8を例に示したが、EEPROM1
バブルメモリ等でも全く同様に本発明を実施できる。
(発明の効果) 本発明は、以上説明したように、正常使用状態か内容読
出し状態かを定めるスイッチを設け、バックアップメモ
リのチップセレクト状態とバッファの制御状態を変える
ことによシ、故障したバックアップメモリ回路のバック
アップメモリの内容を新しいバックアップメモリ回路に
簡単にコピーできるというバックアップメモリ回路を得
ることができるという効果を有する@
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。 11・・・・バックアップメモリ回路、11′・・・・
・・新しいバックアップメモリ回路、12.12’・・
・・・・MPU(マイクロフロセッサユニット)、13
.13′・・・・不揮発性メモリ、14.14’・・・
・・・バックアップ電池、15.15’・・・・・・チ
ップセレクト制御回路及びバッフ了コントロール回jL
 16116’・・・・・・スイッチ、17゜17′・
・・・・・バッファ、18.18’・・・・・・チップ
セレクト線、19.19’−・・・バッフ丁コントロー
ル線、21・・・・・メインメモリ、22・・・・・・
入出力回路、23・・バス、24.24’・・・・・・
内部パス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 不揮発性メモリと、該不揮発性メモリをバスに接続する
    ためのバッフ丁と、正常使用状態か内容読出し状態かを
    定めるスイッチと、前記スイッチの状態によシネ揮発性
    メモリのセレクト状態を変えるためのチップセレクト制
    御回路及び前記スイッチの状態によシ前記バッフ丁のイ
    ネーブル状態及び信号の流れの方向を変えるためのバッ
    フ丁コントロール回路とを含むことを特徴とするバッフ
    丁メモリ回路。
JP59053013A 1984-03-19 1984-03-19 バツクアツプメモリ回路 Pending JPS60196865A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59053013A JPS60196865A (ja) 1984-03-19 1984-03-19 バツクアツプメモリ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59053013A JPS60196865A (ja) 1984-03-19 1984-03-19 バツクアツプメモリ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60196865A true JPS60196865A (ja) 1985-10-05

Family

ID=12931016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59053013A Pending JPS60196865A (ja) 1984-03-19 1984-03-19 バツクアツプメモリ回路

Country Status (1)

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JP (1) JPS60196865A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013225277A (ja) * 2012-03-22 2013-10-31 Ricoh Co Ltd 制御基板、制御システムおよびコピー処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013225277A (ja) * 2012-03-22 2013-10-31 Ricoh Co Ltd 制御基板、制御システムおよびコピー処理方法

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