JPS60193365A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS60193365A JPS60193365A JP59049801A JP4980184A JPS60193365A JP S60193365 A JPS60193365 A JP S60193365A JP 59049801 A JP59049801 A JP 59049801A JP 4980184 A JP4980184 A JP 4980184A JP S60193365 A JPS60193365 A JP S60193365A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は樹脂封止型中導体装置に使用するリードフレー
ムに関する本のである。
ムに関する本のである。
(従来技術)
樹脂封止型半導体装置は一般にリードフレームに半導体
チップが搭載され、ワイヤボンディングされ、封止用の
w脂で覆われて構成されている。
チップが搭載され、ワイヤボンディングされ、封止用の
w脂で覆われて構成されている。
該リードフレームは、第1図の平面図に示すように半導
体チップが固着されるタブ4を有するもので、タブ4の
周囲にはタイバー3を介して外部リードlK導通する内
部リード2か伸びていてフレーム部6で支持され、それ
らが同一金属薄板をプレス加工或いはエツチング加工に
より形成されているものでめりた。この樹脂封止型半導
体装置は。
体チップが固着されるタブ4を有するもので、タブ4の
周囲にはタイバー3を介して外部リードlK導通する内
部リード2か伸びていてフレーム部6で支持され、それ
らが同一金属薄板をプレス加工或いはエツチング加工に
より形成されているものでめりた。この樹脂封止型半導
体装置は。
構成材料が0.1〜Q、 3 amの厚さのリードフレ
ームと残りの大半が封止用の樹脂であるために、セラミ
ック封止型のものと比べて半導体チップの熱放散性が急
く、また熱放散性はリードフレームの熱伝導度によりて
も大きく左右されるものであった。
ームと残りの大半が封止用の樹脂であるために、セラミ
ック封止型のものと比べて半導体チップの熱放散性が急
く、また熱放散性はリードフレームの熱伝導度によりて
も大きく左右されるものであった。
しかし、熱伝導度の良い金XaCu及びAgのように機
械的強度が弱いものであり、半導体装置のリードとして
は使用できない本のでめった。また、高熱伝導度金属に
不純物を添加して合金化することにより高強度にするこ
とも行なわれているが、この場合は熱伝導度が低下し、
充分な熱放散性を得ることは困難でめった。
械的強度が弱いものであり、半導体装置のリードとして
は使用できない本のでめった。また、高熱伝導度金属に
不純物を添加して合金化することにより高強度にするこ
とも行なわれているが、この場合は熱伝導度が低下し、
充分な熱放散性を得ることは困難でめった。
(発明の目的)
本発明は樹脂封止型半導体装置の基本的構成を変化させ
ることなく熱放散性を向上せしめるリードフレームを提
供するものである。つまり熱伝導の必要な部分には、高
熱伝導度材料を使用し、その他の部分には高強度の金属
側斜を使用することによって、半導体装置の信頼性を損
なうことなく高熱放散性を有する樹脂封止型の半導体装
置を得ることを可能にしたものである。
ることなく熱放散性を向上せしめるリードフレームを提
供するものである。つまり熱伝導の必要な部分には、高
熱伝導度材料を使用し、その他の部分には高強度の金属
側斜を使用することによって、半導体装置の信頼性を損
なうことなく高熱放散性を有する樹脂封止型の半導体装
置を得ることを可能にしたものである。
(発明の構成)
本発明は、樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレ
ームにおいて、半導体チップを固着するタブ部あるいは
該タブ部と内部リードが、それ以外の部分よりも熱伝導
性の良い材料で構成されていることを特徴とするリード
フレームである。
ームにおいて、半導体チップを固着するタブ部あるいは
該タブ部と内部リードが、それ以外の部分よりも熱伝導
性の良い材料で構成されていることを特徴とするリード
フレームである。
すなわち半導体チップの熱放散性に最も影響する部分は
半導体チップを固層するタブ部である。
半導体チップを固層するタブ部である。
従って、本発明のリードフレームはタブ部金属を高熱伝
導度の材料で構成し、残部はそれぞれ適度な強度を有す
る材料で構成することとし、リードフレームがタブ部と
それ以外の部分とに2分割、或いはタブ部と内部リード
部とそれ以外の部分とに3分割されているものを、半導
体装置の組立工程でそれぞれ接続して使用するようにし
たものである。
導度の材料で構成し、残部はそれぞれ適度な強度を有す
る材料で構成することとし、リードフレームがタブ部と
それ以外の部分とに2分割、或いはタブ部と内部リード
部とそれ以外の部分とに3分割されているものを、半導
体装置の組立工程でそれぞれ接続して使用するようにし
たものである。
(実施例)
以下第2図〜第4図を用いて本発明の第1の実施例を説
明する。まず第2図の平面図に示すように、タブ部のな
いリードフレームf42%Ni−Fe合金で製造する。
明する。まず第2図の平面図に示すように、タブ部のな
いリードフレームf42%Ni−Fe合金で製造する。
5はタブ部を接続する部分である。次に第3図の平面図
に示すタブ部を無、酸素銅で製造する。7はタブリード
、5はフレーム部6への接続部である。タブ部以外の箇
所に使用する42チNi−Fe合金は高強度であり、従
来からリードフレーム材料として1更用されているもの
でろ妙、またタブ部の無酸素銅は高熱伝導度材料でめる
Oこの第2図で示したタブ部のないリードフレームと第
3図で示したタブ部とを、第4図のようにそれぞれ接続
部5において溶接、圧接あるいはペーストろう材を介し
て接続することで従来と同様の構成を持つリードフレー
ムを得ることができる。
に示すタブ部を無、酸素銅で製造する。7はタブリード
、5はフレーム部6への接続部である。タブ部以外の箇
所に使用する42チNi−Fe合金は高強度であり、従
来からリードフレーム材料として1更用されているもの
でろ妙、またタブ部の無酸素銅は高熱伝導度材料でめる
Oこの第2図で示したタブ部のないリードフレームと第
3図で示したタブ部とを、第4図のようにそれぞれ接続
部5において溶接、圧接あるいはペーストろう材を介し
て接続することで従来と同様の構成を持つリードフレー
ムを得ることができる。
第5図は本発明の第2の実施例を示す平面図で、タブ部
と、内部リード部と、外部リードを含むその他の部分と
に3分割した場合の例で、(a)図は、外部リードを含
むその他の部分(1)、内部リート°部(11) 、タ
ブ部011)をそれぞれ示し、 (II)においては内
部リード2が個片に切り離されるのを防ぐため支持枠1
0を設けである。(b)図は、3分割した各部を接続部
5及び9において結合した図である0(効果) 本発明のリードフレームを用いて製造された半導体装置
は、タブ部が424Ni−Fe合金の約30倍の熱伝導
度を有する無酸素銅であるために、42合金単板で製造
された場合の半導体装置に比べて非常に熱放散性の良い
ものとなる。さらに第6図の断面図に示すように、タブ
4の厚さも自由に増減することが可能であり、半導体チ
ップ8の高さi由にコントロール可能である。すなわち
第6図ハ本発明リードフレームのタブ部の使用例を示す
もので、(a)はタブ4と内部リード2が同一高さで同
一厚さの場合の図でめり、(b)はタフ゛4の厚さを厚
くした場合の例を示し、(C)はりブ4の高さを下げた
場合の例を示す。さらにもう一つのオリ点として、リー
ドフレームの製造−triりブのtS状にとられれずに
できるため、4!r棟のりブに対【6したリードフレー
ムの製造設備の共用化が町有ヒとなりコストが低下する
ものでおる。第1の実施例ではす、−ドフレーム材とし
てタブ部以外は42%Ni−Fe合金を、タブ部には無
酸素銅を使用した力;、これに限られたものではなくて
、例えばタフ゛部以外にはリン青銅を、タブ部には0.
15%Sn入りCu合金を使用することも可能で、その
他の組合わせは数多〈実施することができるものである
。また第1の実施例では内部リード区外部リート°とを
分書1jせずに同一の材料で実施したが、第5図に示し
た第2の実施例のように内部!J−)’4分割して高熱
伝導度材料を使用することにより、さらに熱放散性を改
善することができる。
と、内部リード部と、外部リードを含むその他の部分と
に3分割した場合の例で、(a)図は、外部リードを含
むその他の部分(1)、内部リート°部(11) 、タ
ブ部011)をそれぞれ示し、 (II)においては内
部リード2が個片に切り離されるのを防ぐため支持枠1
0を設けである。(b)図は、3分割した各部を接続部
5及び9において結合した図である0(効果) 本発明のリードフレームを用いて製造された半導体装置
は、タブ部が424Ni−Fe合金の約30倍の熱伝導
度を有する無酸素銅であるために、42合金単板で製造
された場合の半導体装置に比べて非常に熱放散性の良い
ものとなる。さらに第6図の断面図に示すように、タブ
4の厚さも自由に増減することが可能であり、半導体チ
ップ8の高さi由にコントロール可能である。すなわち
第6図ハ本発明リードフレームのタブ部の使用例を示す
もので、(a)はタブ4と内部リード2が同一高さで同
一厚さの場合の図でめり、(b)はタフ゛4の厚さを厚
くした場合の例を示し、(C)はりブ4の高さを下げた
場合の例を示す。さらにもう一つのオリ点として、リー
ドフレームの製造−triりブのtS状にとられれずに
できるため、4!r棟のりブに対【6したリードフレー
ムの製造設備の共用化が町有ヒとなりコストが低下する
ものでおる。第1の実施例ではす、−ドフレーム材とし
てタブ部以外は42%Ni−Fe合金を、タブ部には無
酸素銅を使用した力;、これに限られたものではなくて
、例えばタフ゛部以外にはリン青銅を、タブ部には0.
15%Sn入りCu合金を使用することも可能で、その
他の組合わせは数多〈実施することができるものである
。また第1の実施例では内部リード区外部リート°とを
分書1jせずに同一の材料で実施したが、第5図に示し
た第2の実施例のように内部!J−)’4分割して高熱
伝導度材料を使用することにより、さらに熱放散性を改
善することができる。
第1図は従来のリードフレームの平面図、第2図は本発
明のリードフレームの一部を示す平面図、第3図は同じ
くタブ部を示す平面図、第4図は第2図及び第3図に示
した部分を結合してなる本発明リードフレームの第1の
実施例を示す平面図、第5図は不発明リードフレームの
第20笑施例を示す平面図で、(a)は各部分図、(b
)は各部を結合した図、第6図(a) 、 (b) 、
(C)はそれぞれ本発明リードフレームにおけるタブ
部の使用例を示す断面図である。 1・・・・・・外部リード、2・・・・・・内部リード
、3・・・・・・タイバー、4・・・・・・タブ、5・
・・・・・接続部、6・・・・・・フレーム部、7・・
・・・・タブリード、8・・・・・・#−導体チツブ、
9・・・・・・接続部、lO・・・・・・支持枠。 第 1 図 荀5図
明のリードフレームの一部を示す平面図、第3図は同じ
くタブ部を示す平面図、第4図は第2図及び第3図に示
した部分を結合してなる本発明リードフレームの第1の
実施例を示す平面図、第5図は不発明リードフレームの
第20笑施例を示す平面図で、(a)は各部分図、(b
)は各部を結合した図、第6図(a) 、 (b) 、
(C)はそれぞれ本発明リードフレームにおけるタブ
部の使用例を示す断面図である。 1・・・・・・外部リード、2・・・・・・内部リード
、3・・・・・・タイバー、4・・・・・・タブ、5・
・・・・・接続部、6・・・・・・フレーム部、7・・
・・・・タブリード、8・・・・・・#−導体チツブ、
9・・・・・・接続部、lO・・・・・・支持枠。 第 1 図 荀5図
Claims (1)
- 樹脂封止型中導体装置に使用するリードフレームにおい
て、半導体チップを固着するタブ部あるいは該タブ部と
内部リードが、それ以外の部分より本熱伝導性の良い材
料で構成されていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59049801A JPS60193365A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59049801A JPS60193365A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60193365A true JPS60193365A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12841246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59049801A Pending JPS60193365A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60193365A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205650A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
JPH01171256A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の組立構造 |
JPH03129870A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
JPH03147356A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
US6329224B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-12-11 | Tessera, Inc. | Encapsulation of microelectronic assemblies |
EP1266856A1 (en) | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Tokyo Kikai Seisakusho Ltd. | Jaw device for rotary-press folding section |
EP1277686A2 (en) | 2001-07-18 | 2003-01-22 | Kabushikigaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Cutting and folding mechanism for a web-fed rotary press |
EP1382556A2 (en) | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Kabushiki Kaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Apparatus for folding printed paper sections |
US6740024B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Jaw cylinder device at the folding station of a web-fed printing press |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP59049801A patent/JPS60193365A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205650A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
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US6541874B2 (en) | 1998-04-28 | 2003-04-01 | Tessera, Inc. | Encapsulation of microelectronic assemblies |
EP1266856A1 (en) | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Tokyo Kikai Seisakusho Ltd. | Jaw device for rotary-press folding section |
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US6740024B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Jaw cylinder device at the folding station of a web-fed printing press |
EP1382556A2 (en) | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Kabushiki Kaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Apparatus for folding printed paper sections |
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