JPS60193340A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS60193340A JPS60193340A JP5001484A JP5001484A JPS60193340A JP S60193340 A JPS60193340 A JP S60193340A JP 5001484 A JP5001484 A JP 5001484A JP 5001484 A JP5001484 A JP 5001484A JP S60193340 A JPS60193340 A JP S60193340A
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- Japan
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- wafer
- electrode
- gas supply
- gas
- etching
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- Pending
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 11
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 29
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000544061 Cuculus canorus Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、プラズマエツチング装置に関する・〔発明の
技術的背景とその問題点〕 近年、集積回路の生産性を向上させるため、径の大きい
ウェハが使用されている。例えば５インチ、６インチの
ウェハが使用されている。
技術的背景とその問題点〕 近年、集積回路の生産性を向上させるため、径の大きい
ウェハが使用されている。例えば５インチ、６インチの
ウェハが使用されている。
このようにウェハの径が大きくなると、微細加工技術で
あるプラズマエツチングの際に、エツチング速度を均一
にすることが要求される。このため、プラズマエツチン
グ装置は、バッチ式のものに代って枚様式のものが主流
になっている。而して、エツチング速度は、エツチング
ガスの種類、流量１分圧比、パワー、圧力、温度などの
因子によって影響される。就中、ウェハの被処理面への
反応ガスの供給方法によって、エツチング速度は大きく
変化する。例えば第１図（４）に示す如く、ウェノ・１
の被処理部がアルミニウム膜２である場合に、ウェハ１
のほぼ中心部にガス供給口３から反応ガス４を供給して
工ッチング処理を施すと、処理後のエツチング深さの分
布社第２図（３）に示す特性線（Ｉ）（ｎ）で表わされ
る。同図中特性線（１） （Ｉｆ）の両端部のＡ 、
Ｂ 、 Ｃ。
あるプラズマエツチングの際に、エツチング速度を均一
にすることが要求される。このため、プラズマエツチン
グ装置は、バッチ式のものに代って枚様式のものが主流
になっている。而して、エツチング速度は、エツチング
ガスの種類、流量１分圧比、パワー、圧力、温度などの
因子によって影響される。就中、ウェハの被処理面への
反応ガスの供給方法によって、エツチング速度は大きく
変化する。例えば第１図（４）に示す如く、ウェノ・１
の被処理部がアルミニウム膜２である場合に、ウェハ１
のほぼ中心部にガス供給口３から反応ガス４を供給して
工ッチング処理を施すと、処理後のエツチング深さの分
布社第２図（３）に示す特性線（Ｉ）（ｎ）で表わされ
る。同図中特性線（１） （Ｉｆ）の両端部のＡ 、
Ｂ 、 Ｃ。
Ｄは、第３図に示すようにウェハｌの表面の互に直交す
る直径方向における周縁部の４地点を表わしている。こ
の特性線（１） （ＩＩ）から明らかなように、反応ガ
ス４の供給部の直下ではエツチング速度が大きいため、
大きなエツチング深さとなシ、供給部から離れた両端部
では浅いエツチング深さになっている。同様に第１図（
６）に示す如く、ウェハ１の両端部の外側にガス供給口
５がある場合には、第２図俤）に特性線（ＩＩ（転）に
て示す如く、ウェハ１の両端部で大きなエツチング深さ
となシ、ウェハ１の中央部で浅いエツチング深さになる
。このような傾向はウェハ１の径が大きくなるに従って
更に顕著になる。
る直径方向における周縁部の４地点を表わしている。こ
の特性線（１） （ＩＩ）から明らかなように、反応ガ
ス４の供給部の直下ではエツチング速度が大きいため、
大きなエツチング深さとなシ、供給部から離れた両端部
では浅いエツチング深さになっている。同様に第１図（
６）に示す如く、ウェハ１の両端部の外側にガス供給口
５がある場合には、第２図俤）に特性線（ＩＩ（転）に
て示す如く、ウェハ１の両端部で大きなエツチング深さ
となシ、ウェハ１の中央部で浅いエツチング深さになる
。このような傾向はウェハ１の径が大きくなるに従って
更に顕著になる。
本発明は、エツチング速度の均一化を図ったプラズマエ
ツチング装置を提供することをその目的とするものであ
る。
ツチング装置を提供することをその目的とするものであ
る。
本発明は、エツチングガスの供給口の位置を可変できる
ようにして、エツチング速度の均一化を達成したプラズ
マエツチング装置である。
ようにして、エツチング速度の均一化を達成したプラズ
マエツチング装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第４図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中１０は、例えばステンレススチールで形成さ
れた真空容器である。真空容器１０の一端部には、反応
ガス１１の排気口１２が形成されている。真空容器１０
の端部には、ウェハ１３の出入口１４が設けられている
。
ある。図中１０は、例えばステンレススチールで形成さ
れた真空容器である。真空容器１０の一端部には、反応
ガス１１の排気口１２が形成されている。真空容器１０
の端部には、ウェハ１３の出入口１４が設けられている
。
真空容器１０の中央部の対向する壁部は、上部電極１５
と下部電極１６で構成されている。真空容器１０と上部
電極１５及び下部電極１６は、テフロンリングからなる
絶縁部材１７で電気的に絶縁されている。真空容器１０
内の下部電極１６０表面には、ウェハ設置部が形成され
ている。下部電極Ｊ６内には冷却ノ４イア°１８が埋設
されておシ、下部電極１６を所定温度に保つようになっ
ている。上部電極１５には、真空容器ｌ内と連通ずるガ
ス供給口１９が多数個、所定間隔で開口されている。真
空容器１の外側には、ガス供給口１９を外界から隔絶す
るようにカバー室２０が取付けられている。カバー室２
０内には、ガイドバー２１が上部電極１５とほぼ平行に
して設けられている。ガイドバー２１に社、反応ガス１
１の噴出口２２を有するガス供給ノズル２３が、所定の
ガス供給口１９を介して真空容器１０内と連通ずるよう
に摺動自在に取付けられている。ガス供給ノズル２３は
、カバー室２０を貫挿して図示しないガス源に接続され
たガス供給管２４に接続している。上部電極１５及び下
部電極Ｊ６は、整合器２５．２６を介して切換スイッチ
２１に接続されている。切換スイッチ２７は、ＲＦ電源
２８に接続されている。高周波電圧が印加されない方の
電極は接地されるように、上部電極１５及び下部電極１
６は、切換スイッチ２９を介して接地端子に接続されて
いる。また、真空容器１０も接地されている。
と下部電極１６で構成されている。真空容器１０と上部
電極１５及び下部電極１６は、テフロンリングからなる
絶縁部材１７で電気的に絶縁されている。真空容器１０
内の下部電極１６０表面には、ウェハ設置部が形成され
ている。下部電極Ｊ６内には冷却ノ４イア°１８が埋設
されておシ、下部電極１６を所定温度に保つようになっ
ている。上部電極１５には、真空容器ｌ内と連通ずるガ
ス供給口１９が多数個、所定間隔で開口されている。真
空容器１の外側には、ガス供給口１９を外界から隔絶す
るようにカバー室２０が取付けられている。カバー室２
０内には、ガイドバー２１が上部電極１５とほぼ平行に
して設けられている。ガイドバー２１に社、反応ガス１
１の噴出口２２を有するガス供給ノズル２３が、所定の
ガス供給口１９を介して真空容器１０内と連通ずるよう
に摺動自在に取付けられている。ガス供給ノズル２３は
、カバー室２０を貫挿して図示しないガス源に接続され
たガス供給管２４に接続している。上部電極１５及び下
部電極Ｊ６は、整合器２５．２６を介して切換スイッチ
２１に接続されている。切換スイッチ２７は、ＲＦ電源
２８に接続されている。高周波電圧が印加されない方の
電極は接地されるように、上部電極１５及び下部電極１
６は、切換スイッチ２９を介して接地端子に接続されて
いる。また、真空容器１０も接地されている。
このように構成されたプラズマエツチング装置ＳＯによ
れば、例えば５インチのシリコン単結晶体からなるウェ
ハ１３の表面にスパッタリング法によｊ５ Ａｔ膜を形
成し、Ｍ膜上に所定パターンのレジスト膜を形成したも
のを、ウェハ設置部上に設置して、以下のエツチング条
件によシガス供給ノズル２３を摺動させながらエツチン
グ処理を行ったところ、第５図に示す結果を得た。
れば、例えば５インチのシリコン単結晶体からなるウェ
ハ１３の表面にスパッタリング法によｊ５ Ａｔ膜を形
成し、Ｍ膜上に所定パターンのレジスト膜を形成したも
のを、ウェハ設置部上に設置して、以下のエツチング条
件によシガス供給ノズル２３を摺動させながらエツチン
グ処理を行ったところ、第５図に示す結果を得た。
エツチング条件は反応ガスＪ１として四塩化炭素（ｃｃ
ｔ４）を１００８ＣＣＭの供給量でガス供給ノズル２３
から供給し、真空容器１０内の圧力をＱ、 ｌ Ｔｏｒ
ｒ、印加ＲＦ電力を０．６ Ｗ ／ｃａｒ 、高周波電
源を下部電極１６に印加するものとした。
ｔ４）を１００８ＣＣＭの供給量でガス供給ノズル２３
から供給し、真空容器１０内の圧力をＱ、 ｌ Ｔｏｒ
ｒ、印加ＲＦ電力を０．６ Ｗ ／ｃａｒ 、高周波電
源を下部電極１６に印加するものとした。
第５図は、１分間のエツチング処理後にウェハ１３０表
面から０２アッシャ−でレジスト膜を剥離した後、Ａｔ
膜表面のエツチング深さを段差針で測定し、第３図に示
すウェノ１の各地点までのエツチング深さのばらつきを
特性線ｃｖ）ｃｖで表わしたものである。同図の特性線
（Ｖ）（ＶＤから明らかなように、実施例のプラズマエ
ツチング装置３０では、ウェハ１３の種類等によりガス
供給ノズル２３を移動させながら、反応ガス１１を供給
してエツチング処理を行うので、均一々エツチング速度
を保って、一定のエツチング深さでエツチングを行うこ
とができる。因みに、標準偏差をσ、平均値をマとした
場合のエツチング深さの３σ／ｉの値は、〜０．０５で
あった。
面から０２アッシャ−でレジスト膜を剥離した後、Ａｔ
膜表面のエツチング深さを段差針で測定し、第３図に示
すウェノ１の各地点までのエツチング深さのばらつきを
特性線ｃｖ）ｃｖで表わしたものである。同図の特性線
（Ｖ）（ＶＤから明らかなように、実施例のプラズマエ
ツチング装置３０では、ウェハ１３の種類等によりガス
供給ノズル２３を移動させながら、反応ガス１１を供給
してエツチング処理を行うので、均一々エツチング速度
を保って、一定のエツチング深さでエツチングを行うこ
とができる。因みに、標準偏差をσ、平均値をマとした
場合のエツチング深さの３σ／ｉの値は、〜０．０５で
あった。
以上説明した如く、本発明に係るプラズマエツチング装
置によれば、エツチング速度を均一にすることができる
ものである。
置によれば、エツチング速度を均一にすることができる
ものである。
第１図（Ａ） （Ｂ）は、ウェハに対する反応ガスの供
給位置の関係を示す説明図、第２図（Ａ）０１）は、エ
ツチング深さのばらつきを示す特性図、第３図は、ウェ
ハ上の位置を示す説明図、第４図は、本発明の一実施例
の概略構成を示す説明図、第５図は、同実施例の効果を
示す特性図である。 １０・・・真空容器、１１・・・反応ガス、１２・・・
排気口、１３・・・ウェハ、１４・・・出入口、１５・
・・上部電極、１６・・・下部電極、１７・・・絶縁部
材、１８・・・冷却パイプ、１９・・・ガス供給口、２
ｏ・・・カッｙ−室、ｘｉ・・・ガイドバー、２２・・
・噴出口、２３・・・ガス供給ノズル、２４・・・ガス
供給管、２．５ 、２６・・・整合器、２７．２９・・
・切換スイッチ、２８・・・ＲＦ電源、３０・・・プラ
ズマエツチング装置。
給位置の関係を示す説明図、第２図（Ａ）０１）は、エ
ツチング深さのばらつきを示す特性図、第３図は、ウェ
ハ上の位置を示す説明図、第４図は、本発明の一実施例
の概略構成を示す説明図、第５図は、同実施例の効果を
示す特性図である。 １０・・・真空容器、１１・・・反応ガス、１２・・・
排気口、１３・・・ウェハ、１４・・・出入口、１５・
・・上部電極、１６・・・下部電極、１７・・・絶縁部
材、１８・・・冷却パイプ、１９・・・ガス供給口、２
ｏ・・・カッｙ−室、ｘｉ・・・ガイドバー、２２・・
・噴出口、２３・・・ガス供給ノズル、２４・・・ガス
供給管、２．５ 、２６・・・整合器、２７．２９・・
・切換スイッチ、２８・・・ＲＦ電源、３０・・・プラ
ズマエツチング装置。
Claims (1)
- 一端部にウェハの出入口を有し、かつ、他端部に排気口
を有する真空容器と、該真空容器の壁部を構成し、かつ
、互に対向して設けられた上部電極及び下部電極と、該
下部電極に形成されたウェハ設置部と、前記上部電極に
前記真空容器内と連通ずるように多数個開口されたガス
供給口と、該ガス供給口を外界から隔絶するように前記
真空容器の外部に形成されたカバー室と、該カバー室を
貫挿して一端部が反応ガス供給源に接続し、かつ他端部
がその噴出口を前記ガス供給口に順次連通ずるようにし
て前記上部電極上を摺動自在に設けられたガス供給ノズ
ルとを具備することを特徴とするプラズマエツチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5001484A JPS60193340A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5001484A JPS60193340A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193340A true JPS60193340A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12847136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5001484A Pending JPS60193340A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644022A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Device for removing organic matter |
| JPH0387391A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-12 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | 処理装置 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP5001484A patent/JPS60193340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644022A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Device for removing organic matter |
| JPH0387391A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-12 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | 処理装置 |
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